專利名稱：導電膜鍍制過程原位監(jiān)測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于薄膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種導電膜鍍制過程原位監(jiān)測裝置。
現(xiàn)有的鍍膜機上絕大多數(shù)未安裝面電阻原位監(jiān)測裝置。蘭州真空設(shè)備廠研制的卷繞式鍍膜機配有兩個方阻電極輥，其間距與基底幅寬相等，因此只適用于測量蒸發(fā)鍍膜的厚度，對其它氣體放電過程如磁控濺射、離子鍍等不適用，而且它不能實時監(jiān)測基底幅寬范圍內(nèi)每一處的膜厚或電性均勻度，同時，由于其結(jié)構(gòu)固定，不能根據(jù)使用要求調(diào)節(jié)測量狀態(tài)。
本實用新型的目的在于提供一種可適用于多種鍍膜機的導電膜鍍制過程原位監(jiān)測裝置，該裝置可以滿足對膜面電阻阻值和均勻性的實時原位監(jiān)測，而且可隨時根據(jù)使用要求調(diào)節(jié)測量狀態(tài)。
本實用新型包括探測部分、控制部分和記錄顯示部分，其特點在于探測部分由支架、作為測量電極的兩個滾輪、作為接地電極的一個滾輪和磁鐵組成，三個滾輪相隔一定距離安裝在支架一端，磁鐵安裝在支架另一端；控制部分包括一電磁鐵和一控制電磁鐵的磁場方向和強度的可調(diào)直流電源，電磁鐵與探測部分的磁鐵相對。通過控制電磁鐵的通電方向，對探測部分產(chǎn)生一定的吸引力或推斥力，使探測部分根據(jù)需要貼合或離開導電膜膜面，同時通過對通電電流強度的控制實現(xiàn)探測部分對鍍制導電膜膜面的吸引力或推斥力大小的控制，從而完成導電膜鍍制過程中原位實時的面電阻監(jiān)測。
以下結(jié)合附圖及實施例對本實用新型進一步詳細說明。
圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)原理圖。
如
圖1所示，本實用新型由探測部分、控制部分和記錄顯示部分組成。探測部分包括三個滾輪(3、4和5)、磁鐵6和支架7，其中，滾輪3和4用作兩個接觸測量電極，滾輪5為接地電極，可將留存于膜面上的輝光放電氣體帶電粒子導走，以提高測量精度，它們均由導電材料制成，相隔一定距離通過軸承安裝在支架7一端，磁鐵6則固定在支架7另一端，支架7由一個與鍍膜水冷輥1平行的桿支承，并以此桿為軸心轉(zhuǎn)動，以調(diào)節(jié)探測部分的位置，實現(xiàn)其與鍍了導電膜的柔性基底材料2的貼緊或離開?？刂撇糠职ㄒ浑姶盆F8和一控制電磁鐵8的磁場方向和強度的可調(diào)直流電源9，電磁鐵8與探測部分的磁鐵6相對，以控制探測部分對導電膜膜面的吸引力或推斥力的大小。記錄顯示部分包括測量面電阻用的直流穩(wěn)壓電源10和由面電阻測量裝置和數(shù)值顯示裝置組成的測量顯示系統(tǒng)11，面電阻測量裝置由安裝在真空室或容器壁上的接插件與真空室或容器內(nèi)的線路相連接，負責把流過滾輪3和4的電流測出，并根據(jù)所加電壓計算出面電阻值，然后通過數(shù)值顯示裝置顯示出來。
本實用新型的優(yōu)點在于1.體積小，安裝使用靈活；2.測量滾輪和接地滾輪對基底的貼緊力可根據(jù)基底的厚薄加以調(diào)節(jié)，不會損傷基底材料和導電膜；3.可根據(jù)基底材料的寬窄，方便地調(diào)節(jié)測量頭位置，以測量不同點的面電阻；4.有利于了解基底上所鍍導電膜的均勻性。
權(quán)利要求1.一種導電膜鍍制過程原位監(jiān)測裝置，包括探測部分、控制部分和記錄顯示部分，其特征在于探測部分由支架(7)、作為測量電極的兩個滾輪(3)和(4)、作為接地電極的一個滾輪(5)和磁鐵(6)組成，三個滾輪(3)、(4)、(5)相隔一定距離安裝在支架(7)一端，磁鐵(6)安裝在支架(7)另一端，控制部分包括一電磁鐵(8)和一控制電磁鐵(8)的磁場方向和強度的可調(diào)直流電源(9)，電磁鐵(8)與探測部分的磁鐵(6)相對。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位監(jiān)測裝置，其特征在于支架(7)由一個與鍍膜水冷輥(1)平行的桿支承，并以此桿為軸心轉(zhuǎn)動。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的原位監(jiān)測裝置，其特征在于滾輪(3)、(4)、(5)由導電材料制成，并通過軸承安裝在支架(7)上。
專利摘要一種導電膜鍍制過程原位監(jiān)測裝置,通過控制電磁鐵的通電方向和電流強度,實現(xiàn)探測部分對鍍制導電膜膜面的吸引力或推斥力大小的控制,從而完成導電膜鍍制過程中原位實時的面電阻監(jiān)測,其優(yōu)點在于體積小,安裝使用靈活,適用于多種鍍膜機,可滿足對膜面電阻阻值和均勻性的實時原位監(jiān)測,而且可隨時根據(jù)使用要求調(diào)節(jié)測量狀態(tài)。
文檔編號C23C14/56GK2289803SQ9620478
公開日1998年9月2日 申請日期1996年4月4日 優(yōu)先權(quán)日1996年4月4日
發(fā)明者盧榆孫 申請人:中國航天工業(yè)總公司第五研究院第五一○研究所