一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于：所述采集裝置包括與電鍍槽相連的電流采集裝置、與所述電流采集裝置相連的芯片模塊，芯片模塊上設(shè)置有MCU處理器、與所述MCU處理器相連的AD轉(zhuǎn)換模塊和RFID射頻卡讀取模塊，所述AD轉(zhuǎn)換模塊與所述電流采集裝置相連，所述MCU處理器與電源模塊相連，所述RFID射頻卡讀取模塊用于讀取電鍍槽內(nèi)的IC卡數(shù)據(jù)。芯片模塊包括對(duì)電流傳感器采集到的模擬量與數(shù)字量的轉(zhuǎn)換，RFID射頻卡讀取模塊對(duì)相應(yīng)電鍍槽中篩網(wǎng)IC卡進(jìn)行識(shí)別讀取，然后利用MCU處理器對(duì)采集到的電流值進(jìn)行初步分析，發(fā)現(xiàn)電流異常時(shí)進(jìn)行報(bào)警動(dòng)作，與接收裝置進(jìn)行無(wú)線通信。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，尤其涉及一種能夠反饋電鍍槽電流數(shù)據(jù)和異常情況的電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于一些建廠比較早的電鍍廠，設(shè)備出現(xiàn)了老化，電鍍時(shí)電流會(huì)出現(xiàn)不穩(wěn)定。為了提高目前的電鍍質(zhì)量它們要做的是及時(shí)維護(hù)出現(xiàn)問(wèn)題的電鍍槽，但是整個(gè)電鍍過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)幾十個(gè)甚至幾百個(gè)電鍍槽，從表面上根本看不出哪個(gè)電鍍槽出現(xiàn)問(wèn)題，因此他們需要實(shí)時(shí)監(jiān)控每個(gè)電鍍槽的電流情況。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，具有能夠反饋電鍍槽電流數(shù)據(jù)和異常情況的特點(diǎn)。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其創(chuàng)新點(diǎn)在于:所述采集裝置包括與電鍍槽相連的電流采集裝置、與所述電流采集裝置相連的芯片模塊，所述芯片模塊上設(shè)置有MCU處理器、與所述MCU處理器相連的AD轉(zhuǎn)換模塊和RFID射頻卡讀取模塊，所述AD轉(zhuǎn)換模塊與所述電流采集裝置相連，所述MCU處理器與電源模塊相連，所述RFID射頻卡讀取模塊用于讀取電鍍槽內(nèi)的IC卡數(shù)據(jù)。
[0005]優(yōu)選的，所述M⑶處理器上設(shè)置有與所述M⑶處理器相連的報(bào)警模塊。
[0006]優(yōu)選的，所述M⑶處理器上設(shè)置有與所述M⑶處理器相連的輸入模塊。
[0007]優(yōu)選的，所述輸入模塊為L(zhǎng)ED燈和按鍵模塊。
[0008]優(yōu)選的，所述M⑶處理器上設(shè)置有與所述M⑶處理器相連的液晶顯示模塊，所述液晶顯示模塊與電源模塊相連。
[0009]優(yōu)選的，所述芯片模塊上設(shè)置有分別與所述電源模塊和所述M⑶處理器相連的RF收發(fā)器模塊。
[0010]優(yōu)選的，所述芯片模塊為CC2530芯片模塊。
[0011]優(yōu)選的，所述芯片模塊與接收模塊相連，所述芯片模塊與所述接收模塊之間設(shè)置有功率放大器。
[0012]優(yōu)選的，所述RF收發(fā)器模塊與晶振模塊相連。
[0013]優(yōu)選的，所述電源模塊為與15V電源相連的ANSJ電源芯片，所述ANSJ電源芯片上設(shè)置有供采集節(jié)點(diǎn)用的5V電壓源。
[0014]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于:數(shù)據(jù)采集裝置的主要就是將待測(cè)量的電流信號(hào)經(jīng)過(guò)一系列的電路轉(zhuǎn)換，最終轉(zhuǎn)換成單片機(jī)能夠識(shí)別的數(shù)字信號(hào)。芯片模塊包括對(duì)電流傳感器采集到的模擬量與數(shù)字量的轉(zhuǎn)換，RFID射頻卡讀取模塊對(duì)相應(yīng)電鍍槽中篩網(wǎng)IC卡進(jìn)行識(shí)別讀取，然后利用MCU處理器對(duì)采集到的電流值進(jìn)行初步分析，發(fā)現(xiàn)電流異常時(shí)進(jìn)行報(bào)警動(dòng)作，與接收裝置進(jìn)行無(wú)線通信。
【附圖說(shuō)明】

[0015]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
[0016]圖1是本實(shí)用新型一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置的結(jié)構(gòu)框圖。
[0017]圖中:1-電流采集裝置、2-芯片模塊、3-M⑶處理器、4-AD轉(zhuǎn)換模塊、5-RFID射頻卡讀取模塊、6-電源模塊、7-功率放大器、8-報(bào)警模塊、9-輸入模塊、I O-液晶顯示模塊、I1-RF收發(fā)器模塊、12-晶振模塊。
【具體實(shí)施方式】
[0018]本實(shí)用新型的電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置包括與電鍍槽相連的電流采集裝置1、與電流采集裝置I相連的芯片模塊2，芯片模塊2上設(shè)置有MCU處理器3、與M⑶處理器3相連的AD轉(zhuǎn)換模塊4和RFID射頻卡讀取模塊5，AD轉(zhuǎn)換模塊4與電流采集裝置I相連，MCU處理器3與電源模塊6相連，RFID射頻卡讀取模塊5用于讀取電鍍槽內(nèi)的IC卡數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)采集裝置的主要就是將待測(cè)量的電流信號(hào)經(jīng)過(guò)一系列的電路轉(zhuǎn)換，最終轉(zhuǎn)換成單片機(jī)能夠識(shí)別的數(shù)字信號(hào)。芯片模塊2包括對(duì)電流傳感器采集到的模擬量與數(shù)字量的轉(zhuǎn)換，RFID射頻卡讀取模塊5對(duì)相應(yīng)電鍍槽中篩網(wǎng)IC卡進(jìn)行識(shí)別讀取，然后利用MCU處理器3對(duì)采集到的電流值進(jìn)行初步分析，發(fā)現(xiàn)電流異常時(shí)進(jìn)行報(bào)警動(dòng)作，與接收裝置進(jìn)行無(wú)線通信。
[0019]上述的MCU處理器3上設(shè)置有與M⑶處理器3相連的報(bào)警模塊8，通過(guò)報(bào)警模塊8將異常數(shù)據(jù)情況反饋給操作者。MCU處理器3上設(shè)置有與M⑶處理器3相連的輸入模塊9，輸入模塊9為L(zhǎng)ED燈和按鍵模塊，通過(guò)輸入模塊9可以響應(yīng)按鍵操作處理器3上設(shè)置有與M⑶處理器3相連的液晶顯示模塊10，液晶顯示模塊10與電源模塊6相連，利用液晶顯示模塊10實(shí)時(shí)顯示反饋MCU處理器3顯示的實(shí)際電流情況。為了實(shí)現(xiàn)與其他部件的實(shí)時(shí)通信傳輸，芯片模塊2上設(shè)置有分別與電源模塊6和MCU處理器相連的RF收發(fā)器模塊11。上述的芯片模塊2為CC2530芯片模塊2，芯片模塊2與接收模塊相連，芯片模塊2與接收模塊之間設(shè)置有功率放大器7，RF收發(fā)器模塊11與晶振模塊12相連，利用晶振模塊對(duì)通信數(shù)據(jù)晶振處理。上述的電源模塊6為與15V電源相連的ANSJ電源芯片，ANSJ電源芯片上設(shè)置有供采集節(jié)點(diǎn)用的5V電壓源。本裝置用的是半開(kāi)合式霍爾電流傳感器，傳感器工作時(shí)需要一個(gè)正負(fù)15V的直流穩(wěn)定電壓，而供給采集節(jié)點(diǎn)電壓是5V，如果采用雙電源供電，明顯不合適，因此需要一個(gè)正負(fù)15V直流電壓。
[0020]最后需要說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制性技術(shù)方案，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，那些對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本技術(shù)方案的宗旨和范圍，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于:所述采集裝置包括與電鍍槽相連的電流采集裝置、與所述電流采集裝置相連的芯片模塊，所述芯片模塊上設(shè)置有MCU處理器、與所述MCU處理器相連的AD轉(zhuǎn)換模塊和RFID射頻卡讀取模塊，所述AD轉(zhuǎn)換模塊與所述電流采集裝置相連，所述MCU處理器與電源模塊相連，所述RFID射頻卡讀取模塊用于讀取電鍍槽內(nèi)的IC卡數(shù)據(jù)。2.如權(quán)利要求1所述的一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于:所述MCU處理器上設(shè)置有與所述MCU處理器相連的報(bào)警模塊。3.如權(quán)利要求1所述的一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于:所述MCU處理器上設(shè)置有與所述MCU處理器相連的輸入模塊。4.如權(quán)利要求3所述的一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于:所述輸入模塊為L(zhǎng)ED燈和按鍵模塊。5.如權(quán)利要求1所述的一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于:所述MCU處理器上設(shè)置有與所述MCU處理器相連的液晶顯示模塊，所述液晶顯示模塊與電源模塊相連。6.如權(quán)利要求1所述的一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于:所述芯片模塊上設(shè)置有分別與所述電源模塊和所述MCU處理器相連的RF收發(fā)器模塊。7.如權(quán)利要求6所述的一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于:所述芯片模塊為CC2530芯片模塊。8.如權(quán)利要求6所述的一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于:所述芯片模塊與接收模塊相連，所述芯片模塊與所述接收模塊之間設(shè)置有功率放大器。9.如權(quán)利要求6所述的一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于:所述RF收發(fā)器模塊與晶振t吳塊相連。10.如權(quán)利要求1所述的一種電鍍電流數(shù)據(jù)采集裝置，其特征在于:所述電源模塊為與15V電源相連的ANSJ電源芯片，所述ANSJ電源芯片上設(shè)置有供采集節(jié)點(diǎn)用的5V電壓源。
【文檔編號(hào)】G01R19/25GK205720415SQ201620538202
【公開(kāi)日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年6月3日
【發(fā)明人】關(guān)健生
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