專利名稱：提高鎂蒸發(fā)速度的蒸發(fā)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于鋅-鎂合金蒸鍍的、在真空中顯示升華性的鎂的蒸發(fā)方法。
在鎂的蒸發(fā)作業(yè)中，一直采用與鋁、銅等不具有升華性金屬同樣的電熱器和電子束等加熱手段。在作業(yè)規(guī)模很小時(shí)，在鉬舟或鎢舟等上放置鎂，對(duì)該舟通電，以電阻加熱方式使鎂蒸發(fā)。當(dāng)鎂蒸發(fā)量大時(shí)，則將鎂放入坩鍋內(nèi)，通過(guò)對(duì)坩鍋以電熱器或電子束等方式加熱使鎂蒸發(fā)。
然而，鎂是在真空中顯示升華性的金屬，它不經(jīng)熔融狀態(tài)而從保持固體狀態(tài)下直接升華。為此，即便在加熱舟或坩鍋中加熱，隨著加熱時(shí)間的增加，固體狀態(tài)的鎂的形狀發(fā)生變化，對(duì)應(yīng)于表面積的變化其蒸發(fā)速度也發(fā)生變化，即使想要改變電熱器和電子束的輸出功率而使舟和坩鍋的溫度改變，從而調(diào)整蒸發(fā)速度時(shí)，由于蒸發(fā)速度的急劇變化，舟和坩鍋的溫度趕不上蒸發(fā)速度的變化，因此實(shí)質(zhì)上蒸發(fā)速度是不可能調(diào)節(jié)的。
為了精確地控制蒸鍍膜厚和蒸鍍速度從而使鎂的蒸發(fā)速度恒定或邊控制邊使鎂蒸發(fā)時(shí)，也有人使用濺射蒸鍍法。由于在濺射蒸鍍法中所投入的電力只有10％以下用于蒸發(fā)，其能源的利用效率非常低。從此點(diǎn)出發(fā)，為了維持鎂的高蒸發(fā)速度而且使其恒定蒸發(fā)，有必要使鎂從熔融狀態(tài)蒸發(fā)。
例如，象鋁和銅那樣的經(jīng)過(guò)熔融狀態(tài)而蒸發(fā)的物質(zhì)，為了使蒸發(fā)材料熔融，其蒸發(fā)面由坩鍋等容器的內(nèi)表面決定，從而使蒸發(fā)面積保持恒定。為此，當(dāng)調(diào)整電熱器和電子束的輸出功率而使容器的溫度恒定時(shí)，就能使蒸發(fā)速度恒定了，也容易以良好控制性使蒸發(fā)速度變化。在蒸發(fā)鎂時(shí)，如這樣的蒸發(fā)形態(tài)成為可能，就可期待對(duì)其蒸發(fā)量進(jìn)行高精度控制。
本發(fā)明就是應(yīng)這種要求而提出的。
本發(fā)明目的在于提供一種提高鎂蒸發(fā)速度的鎂的蒸發(fā)方法。該方法能使鎂在熔融狀態(tài)下蒸發(fā)，高精度地調(diào)節(jié)鎂的蒸發(fā)量并且在蒸發(fā)速度不變下穩(wěn)定地進(jìn)行蒸鍍。
本發(fā)明另一目的在于提供一種提高鎂蒸發(fā)速度的鎂的蒸發(fā)方法，該方法能防止發(fā)生由聚集和噴濺所致的蒸發(fā)膜缺陷，以及提高蒸鍍效率。
本發(fā)明目的是這樣實(shí)現(xiàn)的在設(shè)有開(kāi)口部的容器內(nèi)加入鎂，將容器內(nèi)的溫度加熱到670℃以上，使所產(chǎn)生的鎂蒸氣充滿于容器內(nèi)，使鎂蒸氣從開(kāi)口部噴出，此時(shí)，由于容器內(nèi)部形成蒸滿鎂蒸氣的高壓狀態(tài)，所以能使作為蒸發(fā)源的鎂維持熔融狀態(tài)，因此，能高精度地調(diào)節(jié)鎂的蒸發(fā)量；在開(kāi)口部的出口設(shè)有反射板，將此板加熱到500℃以上時(shí)能更加精確地調(diào)節(jié)鎂的蒸發(fā)量；在從開(kāi)口部起到基板之間設(shè)有導(dǎo)管，并將此導(dǎo)管加熱到500℃以上；當(dāng)容器配置在真空氣氛或減壓氫氣氛中時(shí)，制定能滿足W1/W2＜0.6×(PMg/V3和W1/W2＜0.04×PMg條件，在該條件下加熱蒸發(fā)用容器使鎂蒸發(fā)，其中，W1代表蒸發(fā)容器的開(kāi)口面積(mm2)，W2代表蒸發(fā)面積(mm2)；鎂的蒸氣壓為PMg(托)、真空度為V(托)。從而在有真空或氮?dú)夥窒乱材芨呔鹊卣{(diào)節(jié)鎂的蒸發(fā)量，并能防止發(fā)生由聚集和噴濺所致的蒸發(fā)膜缺陷。從而本發(fā)明目的就完全實(shí)現(xiàn)了。
本發(fā)明具有良好效果根據(jù)本發(fā)明方法使鎂在熔融狀態(tài)蒸發(fā)，則可進(jìn)行蒸發(fā)速度不變而穩(wěn)定的蒸鍍。又由于使用反射板和導(dǎo)管，可防止聚集和飛濺所致蒸鍍膜的缺陷。如使用導(dǎo)管還可直接將鎂蒸氣引導(dǎo)到基板，因此，基板的位置可自由選擇，并使未蒸鍍到基板上的無(wú)效鎂蒸氣減少，因此，蒸鍍效率非常高。當(dāng)根據(jù)鎂的蒸發(fā)面積、蒸氣壓和真空度之間的關(guān)系調(diào)整蒸發(fā)用容器的開(kāi)口面積時(shí)，則可防止氧化膜和反應(yīng)生成物膜在熔融鎂表面上生成以及飛濺的發(fā)生，使鎂從熔融狀態(tài)穩(wěn)定地蒸發(fā)。為此，能使蒸發(fā)速度不變地穩(wěn)定地蒸發(fā)。
以下結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
附

圖1是按照本發(fā)明使鎂蒸發(fā)時(shí)所使用的蒸發(fā)容器之一例；附圖2示出具有反射板的蒸發(fā)容器；附圖3示出具有導(dǎo)管的蒸發(fā)容器；附圖4示出具有內(nèi)藏整流板的導(dǎo)管的蒸發(fā)容器；附圖5示出設(shè)有帶開(kāi)口部的導(dǎo)管的蒸發(fā)容器；附圖6示出用擋板調(diào)節(jié)開(kāi)口部開(kāi)度的蒸發(fā)容器；附圖7示出在真空氣氛下蒸發(fā)速度的時(shí)效變化；附圖8示出在減壓氮?dú)夥障抡舭l(fā)速度的時(shí)效變化。
在具有開(kāi)口部的容器內(nèi)加入鎂，加熱使容器內(nèi)的溫度到670℃以上，使鎂蒸發(fā)，鎂的蒸氣充滿容器內(nèi)，使容器內(nèi)的壓力與鎂的蒸氣壓相等或近似，因此，在鎂上與鎂蒸氣壓相同的壓力層就變厚。由于生成這樣的層，即使在真空中，鎂也不具有升華性，并可在熔融狀態(tài)下進(jìn)行蒸發(fā)。為了使鎂熔融，人們認(rèn)為在鎂上與鎂蒸發(fā)壓相同的壓力層厚度需在1mm以上。這樣一來(lái)，由于使鎂從熔融狀態(tài)蒸發(fā)，所以蒸發(fā)速度不變穩(wěn)定地進(jìn)行蒸發(fā)。
在附圖1所示那樣具有開(kāi)口部8的容器1內(nèi)加入鎂，用加熱器2加熱，使容器1內(nèi)的溫度升到670℃以上。所發(fā)生的鎂蒸氣充滿于容器1內(nèi)，使容器內(nèi)的壓力與鎂的蒸氣壓相等或近似。結(jié)果，鎂即使在真空中也能失去升華性而形成熔融狀態(tài)。
鎂的蒸氣壓在例如溫度700℃時(shí)約為7托。在容器內(nèi)即使有其它氣體存在時(shí)，在進(jìn)行蒸發(fā)鎂的容器內(nèi)也幾乎全充滿鎂蒸氣。
只要能滿足容器內(nèi)的壓力與鎂蒸氣壓相同或近似的條件，開(kāi)口部的大小可任意選擇。開(kāi)口部的形狀宜就各自的目的而選擇圓形、縫狀等。開(kāi)口部的位置不僅是在容器的上方，只要比鎂的位置高，在側(cè)面任意的位置也好。在附圖1中所示的開(kāi)口部8位于容器上方。
為了防止由溫度變動(dòng)所引起的凝固并且防止由于凝固所引起的蒸發(fā)速度的變動(dòng)，有必要使容器內(nèi)鎂的溫度在670℃以上。
蒸鍍真空槽的真空度并不予以限制，但當(dāng)在減壓氣體氣氛下蒸發(fā)時(shí)，該氣體必須對(duì)鎂是惰性的，并且，全壓力必須小于鎂的蒸氣壓。如果氣體對(duì)鎂有活性時(shí)，氣體進(jìn)入容器內(nèi)，即便有少量的侵入量也能在鎂表面形成化合物膜(反應(yīng)膜)，它們往往抑制蒸發(fā)；如其全壓力大于鎂蒸氣壓時(shí)，從開(kāi)口部就噴不出鎂蒸氣了。
當(dāng)鎂蒸氣從開(kāi)口部出來(lái)到容器外時(shí)，由于是在真空中，所以因?yàn)閿酂崤蛎浀木壒?，在開(kāi)口部8的出口處鎂蒸氣結(jié)合起來(lái)而發(fā)生聚集。特別是鎂蒸氣從開(kāi)口部噴出的量多時(shí)，可發(fā)生大量的鎂聚集。此聚集物也有達(dá)到100μm以上的，當(dāng)欲制得數(shù)微米厚的蒸鍍膜時(shí)，此聚集物就形成大障礙。
當(dāng)將容器在高溫過(guò)度加熱時(shí)，熔融鎂就發(fā)生突然沸騰，有時(shí)就發(fā)生飛濺。飛濺物有的可達(dá)數(shù)毫米左右，當(dāng)它從開(kāi)口部溢出時(shí)就能使蒸鍍膜產(chǎn)生大缺陷。如附圖2所示那樣，在開(kāi)口部的出口設(shè)有加熱的反射板4，這種聚集物和飛濺物沖突在該反射板上，通過(guò)再度使其蒸發(fā)就可成為原子狀的蒸氣。因此，可防止由聚集和飛濺為起因所發(fā)生的蒸鍍膜缺陷。
作為反射板4，用碳或鐵等制成，只要聚集物和飛濺物過(guò)不去，其形狀可任意。為使鎂不蒸鍍和堆積于反射板4上并完全蒸發(fā)，必須將反射板4加熱到500℃以上。
通過(guò)在開(kāi)口部8設(shè)有如附圖3所示的可加熱導(dǎo)管5，可以將鎂輸送到配置著基板的任意位置。此時(shí)，由于將導(dǎo)管5加熱到500℃以上，從而防止在導(dǎo)管內(nèi)蒸鍍和堆積鎂。當(dāng)聚集物和飛濺物沖突在導(dǎo)管5上時(shí)，依據(jù)與反射板相同的原理而被消滅。然而，當(dāng)導(dǎo)管5的截面與其長(zhǎng)度比較大時(shí)，聚積物和飛濺物就可通過(guò)。此時(shí)，附設(shè)有如附圖2所示的反射板4；還可附設(shè)如附圖4所示那樣在導(dǎo)管內(nèi)配置有整流板7，則可使鎂的蒸鍍均勻化。
然而，在鎂蒸發(fā)之際，若真空氣氛中含有H2O、O2及其它氣氛氣體時(shí)，則H2O、O2及其它氣氛氣體通過(guò)開(kāi)口部侵入蒸發(fā)容器與活性非常高的鎂反應(yīng)，有時(shí)就在鎂的表面上生成氧化膜和反應(yīng)生成物膜。當(dāng)氧化膜和反應(yīng)生成物膜生成時(shí)，鎂的蒸發(fā)速度就下降。特別是，當(dāng)真空槽向大氣開(kāi)放時(shí)，它們?cè)诒诿嫔洗罅扛街?，即使再度成為真空狀態(tài)，也由于其脫離緩慢，要從壁面持續(xù)在真空中長(zhǎng)時(shí)間放出。結(jié)果，導(dǎo)致不管在什么樣的真空中也常存在有H2O，在熔融鎂表面就生成氧化膜，成為使蒸發(fā)速度下降的原因。作為反應(yīng)生成物也有氮化物膜。也即，由于鎂是反應(yīng)性極高的元素，即便是比較惰性的氮，當(dāng)其大量存在于真空中時(shí)，在熔融鎂的表面也會(huì)形成氮化鎂膜。
當(dāng)鎂的表面生成氧化膜和反應(yīng)生成膜時(shí)，多發(fā)生飛濺，即使氧化膜和反應(yīng)生成膜不在鎂表面上生成，當(dāng)溫度高時(shí)在熔融鎂中發(fā)生鎂蒸氣的氣泡，由于氣泡在熔融鎂的表面上破裂也可發(fā)生飛濺，飛濺的發(fā)生使蒸發(fā)速度改變，難以控制鎂的蒸鍍附著量。
為了邊抑制飛濺的發(fā)生邊使鎂蒸發(fā)，可使用將例如圖1所示的開(kāi)口部縮小后的容器；或者，使用如附圖5所示那樣在容納容器1的蒸發(fā)槽9上連結(jié)導(dǎo)管5并在導(dǎo)管5的中途設(shè)有開(kāi)口部10的裝置。
在構(gòu)成開(kāi)口部8的上壁安裝如附圖6所示擋板12，也可控制處于從熔融狀態(tài)的鎂3的蒸發(fā)量。在附圖6的例中用埋設(shè)于容器1的溫度傳感器13檢出熔融鎂3的溫度，對(duì)應(yīng)于檢出值也可控制投入加熱器2的電力。當(dāng)在蒸發(fā)槽9上有導(dǎo)入加熱器2等用的開(kāi)口部時(shí)，將含有該開(kāi)口部的整個(gè)面積作為開(kāi)口面積，使?jié)M足上述條件。
由于使蒸發(fā)槽9的開(kāi)口部8與蒸發(fā)槽9中鎂的蒸發(fā)面積比例變小，因而提高蒸發(fā)槽9內(nèi)鎂蒸氣壓力。為此，鎂蒸氣以高速度和大流量從開(kāi)口部8流出，從而防止從氣氛氣體來(lái)的氣體入侵。由于提高鎂的溫度和蒸氣壓，也可提高蒸發(fā)槽9內(nèi)鎂的蒸氣壓力，而得到同樣效果。當(dāng)使真空度低時(shí)，與蒸發(fā)槽9內(nèi)的壓力差變大，鎂蒸氣以高速度從開(kāi)口部8噴出，同樣可防止從氣氛氣體來(lái)的氣體入侵。
這樣，蒸發(fā)槽9中鎂的蒸發(fā)面積對(duì)開(kāi)口部8的面積比、鎂蒸氣壓和真空度相互關(guān)聯(lián)地影響鎂的蒸發(fā)。本發(fā)明人在調(diào)研中了解到通過(guò)使W1/W2＜0.6×(PMg/V3)的條件得到滿足后，從蒸發(fā)槽外來(lái)的氣體入侵就會(huì)消除，在熔融鎂3的表面上不發(fā)生氧化膜或反應(yīng)生成物膜。其中，W1表示蒸發(fā)用容器的開(kāi)口面積(mm2)、W2表示蒸發(fā)面積(mm2)、PMg表示鎂的蒸氣壓(托)、V表示真空度(托)。結(jié)果，可能使鎂以恒定速度并且可控性良好地蒸發(fā)。由于不生氧化膜和反應(yīng)生成物膜，還不發(fā)生飛濺，可抑制蒸發(fā)速度的變動(dòng)。因此，在鋼板等長(zhǎng)尺寸基板上蒸鍍鎂時(shí)，也能抑制鎂附著量的偏差。
當(dāng)快速地打開(kāi)擋板12時(shí)，按照W1/W2＜0.04×PMg而使開(kāi)口面積縮小。因此，防止在鎂固化前蒸發(fā)槽9內(nèi)的壓力下降。在其它由于真空度低等原因使蒸發(fā)槽9內(nèi)的壓力下降時(shí)，由于維持W1/W2＜0.04×PMg的條件，也可保持蒸發(fā)槽9內(nèi)有一定壓力以上的壓力，使鎂不致固化。更且，由于在蒸發(fā)槽9內(nèi)保持一定壓力以上的壓力，也可抑制飛濺的發(fā)生。
通過(guò)使熔融鎂3的溫度保持在770℃以下，可抑制在熔融鎂中發(fā)生鎂蒸氣氣泡。結(jié)果，在不發(fā)生飛濺并且穩(wěn)定的條件下繼續(xù)蒸發(fā)鎂。當(dāng)熔融鎂保持在670℃以上溫度時(shí)，即使多少有點(diǎn)溫度變動(dòng)，也不會(huì)發(fā)生鎂固化，可穩(wěn)定地進(jìn)行蒸鍍。
這樣，按照本發(fā)明調(diào)整蒸發(fā)條件時(shí)，可防止在熔融鎂的表面上生成氧化膜和飛濺發(fā)生，使鎂的蒸發(fā)穩(wěn)定化。又可與擋板12的開(kāi)閉無(wú)關(guān)地在熔融狀態(tài)下使鎂蒸發(fā)。
實(shí)施例1保持附圖1所示蒸發(fā)容器形狀，使用內(nèi)徑70mm、內(nèi)高110mm、孔徑(開(kāi)口部)6mm、壁厚8mm的石墨坩堝使鎂蒸發(fā)。設(shè)定坩堝溫度為720℃，使放置坩堝的真空槽內(nèi)是1×10-5托的真空氣氛以及有1×10-1托分壓N2存在下的真空氣氛，在其中，使鎂蒸發(fā)。通過(guò)直到1×10-5托的真空抽氣后導(dǎo)入N2的方法來(lái)調(diào)節(jié)預(yù)定氣氛氣壓。
開(kāi)始時(shí)用擋板將坩堝的開(kāi)口部蓋緊，當(dāng)坩堝溫度達(dá)到預(yù)定的720℃后，將擋板打開(kāi)，對(duì)坩堝200mm上方所置的基板蒸鍍鎂，對(duì)蒸鍍速度進(jìn)行了調(diào)研。
蒸鍍速度的時(shí)間變化如附圖7和8所示。附圖7和8分別是在真空氣氛下和在減壓氮?dú)夥障碌恼舭l(fā)速度的時(shí)效變化圖?？梢?jiàn)不論在1×10-5托的真空中；還是1×10-1托分壓的N2存在的真空中，其蒸發(fā)速度的變動(dòng)對(duì)蒸發(fā)速度為0.3μm/秒來(lái)說(shuō)僅為其6％以下，可幾乎無(wú)變化地穩(wěn)定蒸鍍。與此相反，當(dāng)使用開(kāi)放上方的坩堝進(jìn)行蒸發(fā)時(shí)，蒸鍍速度在從0.001到5μm/秒的范圍內(nèi)大變動(dòng)，不穩(wěn)定。
實(shí)施例2對(duì)在實(shí)施例1所用坩堝上安裝如附圖2所示反射板4時(shí)的效果進(jìn)行了調(diào)研。使反射板4上就連最冷部位也達(dá)到500℃以上。將坩堝內(nèi)的壓力與實(shí)施例1相同地調(diào)整到1×10-1托的分壓N2氣氛。調(diào)研了反射板4對(duì)鎂蒸發(fā)的影響，結(jié)果如表1所示
表1反射板對(duì)聚集物和飛濺物發(fā)生的影響
如從表1所見(jiàn)那樣，當(dāng)安裝了反射板后，坩堝的溫度提高，即使發(fā)生聚集和飛濺，它們與高溫的反射板接觸也可變成鎂蒸氣，因此，在基板上檢查不出來(lái)有聚集物或飛濺物的附著。當(dāng)坩堝溫度不到670℃時(shí)，鎂有時(shí)會(huì)凝固，因此不能穩(wěn)定地蒸鍍。
實(shí)施例3在實(shí)施例1所用坩堝上安裝如附圖4所示的35mm×35mm正方形截面的導(dǎo)管，從坩堝起向離坩堝一側(cè)350mm、離其上方150mm的基板6引導(dǎo)鎂蒸氣，對(duì)基板蒸鍍鎂。使坩堝溫度為700℃，在坩堝內(nèi)為1×10-5托的真空氣氛和有1×10-1托分壓氮存在的減壓氣氛下進(jìn)行鎂的蒸發(fā)。在導(dǎo)管5的中途設(shè)有調(diào)整鎂蒸氣流的整流板7，使蒸鍍均勻化。導(dǎo)管的溫度即使是最冷部位也在600℃以上。
坩堝內(nèi)的壓力不管在1×10-5托真空中和有1×10-1托分壓N2存在的真空中，均可得到蒸鍍速度在0.5μm/秒±10％以內(nèi)變動(dòng)下的均勻蒸鍍面。又由于使用導(dǎo)管，不蒸鍍于基板上的無(wú)效鎂蒸氣減少，與實(shí)施例1相比，盡管其坩堝溫度低，而鎂的蒸鍍速度卻提高了。
實(shí)施例4在開(kāi)口的直徑為500mm的鐵容器1內(nèi)(附圖6)加入純度99.9％的鎂，在真空室內(nèi)使鎂蒸發(fā)。為了對(duì)容器均勻加熱，在側(cè)面及上下安裝了加熱器2。在容器1內(nèi)裝有作為氣氛氣體的含N2真空氣氛，依靠N2的導(dǎo)入量和排氣速度來(lái)調(diào)整真空度。又，根據(jù)真空泵的排氣速度設(shè)定H2O分壓為5×10-3托。并且，通過(guò)使溫度改變，邊調(diào)整鎂的蒸氣量，邊使鎂蒸發(fā)。通過(guò)容器1上壁11的更換和擋板12的開(kāi)閉來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)開(kāi)口面積。調(diào)查了開(kāi)口面積的變化對(duì)鎂蒸發(fā)的影響。也調(diào)查了擋板12的快速開(kāi)閉和真空度等的影響。
容器1的開(kāi)口面積、熔融鎂3的蒸發(fā)面積、鎂的蒸氣壓、真空度對(duì)熔融鎂表面氧化膜的生成、飛濺的發(fā)生等的影響示于表2(本發(fā)明例)和表3(比較例)。在表2和3同時(shí)示出急速打開(kāi)擋板12時(shí)鎂的狀態(tài)。
表2蒸發(fā)槽的開(kāi)口面積和蒸發(fā)面積對(duì)氧化膜生成、飛濺的發(fā)生以及蒸發(fā)槽內(nèi)鎂的狀態(tài)的影響(本發(fā)明例) 標(biāo)號(hào)*表示蒸發(fā)槽的開(kāi)口面積/蒸發(fā)面積不比1大，因此以＞1表示表3蒸發(fā)槽的開(kāi)口面積和蒸發(fā)面積對(duì)氧化膜生成、飛濺的發(fā)生以及蒸發(fā)槽內(nèi)鎂的狀態(tài)的影響(比較例) 標(biāo)號(hào)*表示蒸發(fā)槽的開(kāi)口面積/蒸發(fā)面積不比1大，因此以＞1表示如表2所示那樣，當(dāng)滿足W1/W2＜0.6×(PMg/V3)以及W1/W2＜0.04×PMg條件時(shí)，不發(fā)生氧化膜和飛濺，通?？膳袛噫V是從熔融狀態(tài)蒸發(fā)的。另一方面，當(dāng)不能滿足W1/W2＜0.6×(PMg/V3)以及W1/W2＜0.04×PMg條件中任一個(gè)或兩者時(shí)，則可看到如表3所示那樣有氧化膜生成，發(fā)生飛濺和鎂固化。從此對(duì)比可確認(rèn)W1/W2＜0.6×(PMg/V3)和W1/W2＜0.04×PMg條件的有效性。
實(shí)施例5設(shè)容器1開(kāi)口面積對(duì)熔融鎂的蒸發(fā)面積比為0.01、真空度為0.01托，其它與實(shí)施例4相同，在此不生氧化膜的條件下，使鎂蒸發(fā)，就此，調(diào)研了熔融鎂3的溫度和飛濺發(fā)生的關(guān)系。正如示出調(diào)研結(jié)果的表4所見(jiàn)那樣，可知熔融鎂的溫度如在770℃以下則不發(fā)生飛濺。然而，當(dāng)熔融鎂的溫度超過(guò)770℃時(shí)，隨溫度的上升發(fā)生激烈的飛濺。此時(shí)，飛濺的程度隨溫度的上升而加大。
權(quán)利要求
1.提高鎂蒸發(fā)速度的蒸發(fā)方法，其特征是，向具有開(kāi)口部的容器內(nèi)加入鎂，加熱使容器內(nèi)的溫度到670℃以上，使所發(fā)生的鎂蒸氣充滿于容器內(nèi)，再使鎂蒸氣從開(kāi)口部噴出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的鎂的蒸發(fā)方法，其特征是，將蒸發(fā)用容器中的鎂保持在770℃以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的鎂的蒸發(fā)方法，其特征是，在開(kāi)口部的出口設(shè)有反射板，并將此反射板加熱到500℃以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2的記載的蒸發(fā)方法，其特征是，從開(kāi)口部的出口到基板之間設(shè)有導(dǎo)管，并將此導(dǎo)管加熱到500℃以上。
5.提高鎂蒸發(fā)速度的蒸發(fā)方法，其特征是，將帶有開(kāi)口部的蒸發(fā)用容器配置于真空氣氛或減壓氮?dú)夥罩?，制定能滿足W1/W2＜0.6×(PMg/V3)和W1/W2＜0.04×PMg的條件，加熱蒸發(fā)用容器使鎂蒸發(fā)，式中W1是蒸發(fā)用容器的開(kāi)口面積(mm2)、W2是蒸發(fā)面積(mm2)、PMg是鎂的蒸氣壓(托)和V是真空度(托)。
全文摘要
本發(fā)明涉及提高鎂蒸發(fā)速度的蒸發(fā)方法。將鎂加到帶有開(kāi)口部的容器中并加熱到670℃以上，使鎂蒸氣從開(kāi)口部蒸發(fā)?？稍陂_(kāi)口部的出口設(shè)有反射板，也可用導(dǎo)管將鎂蒸氣導(dǎo)至基板。當(dāng)沒(méi)有氧化膜和反應(yīng)生成膜覆蓋在熔融鎂表面并以穩(wěn)定條件使鎂從熔融狀態(tài)蒸發(fā)時(shí)，宜在滿足W
文檔編號(hào)C23C14/14GK1137574SQ9610279
公開(kāi)日1996年12月11日 申請(qǐng)日期1996年3月28日 優(yōu)先權(quán)日1995年3月28日
發(fā)明者福居康, 三尾野忠昭, 齋藤實(shí) 申請(qǐng)人:日新制鋼株式會(huì)社