本發(fā)明屬于機(jī)電一體化技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種自動(dòng)換靶的反應(yīng)電子束蒸發(fā)設(shè)備。

背景技術(shù)：

薄膜技術(shù)在工業(yè)上得到廣泛的應(yīng)用，特別是在電子材料、磁性材料和元器件工業(yè)領(lǐng)域中占有極為重要的地位，因此，制備各種性能的薄膜的方法在最近幾十年中也得到了飛躍發(fā)展。

現(xiàn)有的電子束蒸發(fā)設(shè)備一般使用時(shí)用完一個(gè)靶材需要打開真空鍍膜腔進(jìn)行靶材的更換，而在大量使中則需要頻繁更換靶材，由于真空腔室的開啟和抽真空需要一定的時(shí)間，會(huì)造成時(shí)間成本增加，這樣的話會(huì)影響蒸鍍的效率，不利于大批量的生產(chǎn)；且第三分子泵頻繁的使用，會(huì)減少其壽命；同時(shí)經(jīng)常打開真空腔室會(huì)造成灰塵等雜質(zhì)進(jìn)入真空腔室，從而影響真空鍍膜質(zhì)量。

因此，有必要研發(fā)出一種結(jié)構(gòu)新穎、鍍膜效率高、容易控制自動(dòng)換靶的反應(yīng)電子束蒸發(fā)設(shè)備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)新穎、鍍膜效率高、容易控制的自動(dòng)換靶的反應(yīng)電子束蒸發(fā)設(shè)備。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是，一種自動(dòng)換靶的反應(yīng)電子束蒸發(fā)設(shè)備，包括真空鍍膜腔、進(jìn)入腔和出口腔，所述進(jìn)入腔與出口腔分別位于真空鍍膜腔的兩端，其特征在于，所述進(jìn)入腔遠(yuǎn)離真空鍍膜腔的一側(cè)設(shè)有第一閥門，與真空鍍膜腔相連接的一側(cè)設(shè)第二閥門；所述出口腔與真空鍍膜腔相連接的一側(cè)設(shè)有第三閥門，遠(yuǎn)離真空鍍膜腔的一側(cè)設(shè)有第四閥門，所述真空鍍膜腔設(shè)有第一分子泵、第一機(jī)械泵和第一氣閥，所述進(jìn)入腔與出口腔共同連接有第二分子泵和第二機(jī)械泵；所述進(jìn)入腔設(shè)有第二氣閥，所述出口腔設(shè)有第三氣閥；所述真空鍍膜腔內(nèi)包括電子束槍、等離子發(fā)輝器和鍍膜料架，所述電子束槍設(shè)置在真空鍍膜腔外且槍頭穿過真空鍍膜腔進(jìn)入真空鍍膜腔內(nèi)，所述鍍膜料架位于所述真空鍍膜腔的上部；所述進(jìn)入腔設(shè)有第二料架，所述出口腔設(shè)有第三料架，所述進(jìn)入腔外設(shè)有第一料架，所述出口腔外設(shè)有第四料架；所述第一料架、第二料架、第三料架、第四料架和真空膜料架均由多個(gè)料桿組成，所述料桿上設(shè)有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，料桿通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)沿軸心自轉(zhuǎn)，所述真空膜料架的中心留有鍍膜區(qū)域，該自動(dòng)換靶的反應(yīng)電子束蒸發(fā)設(shè)備還包括自動(dòng)換靶裝置，所述自動(dòng)換靶裝置包括升降機(jī)構(gòu)、位于真空鍍膜腔內(nèi)的靶容器、備用靶材腔、第二真空泵和控制單元，所述靶容器置于等離子發(fā)輝器內(nèi)，所述備用靶材腔設(shè)置在所述真空鍍膜腔外且位于所述靶容器的下方，所述備用靶材腔與所述真空鍍膜腔相連接，且中間設(shè)有第五氣閥以隔離或連通；所述升降機(jī)構(gòu)貫穿所述備用靶材腔、真空鍍膜腔與所述靶容器的底部相連接；所述升降機(jī)構(gòu)用于在進(jìn)行蒸鍍工藝時(shí)將靶材實(shí)時(shí)根據(jù)靶材的消耗量向上移動(dòng)靶材和當(dāng)消耗完一個(gè)靶材后將備用靶材腔中的靶材移動(dòng)至真空鍍膜腔內(nèi)；所述備用靶材腔設(shè)有腔門，且所述備用靶材腔連接有第二真空泵和第四氣閥；所述控制單元包括升降控制單元和真空控制單元；所述升降控制單元與所述升降機(jī)構(gòu)相連接；所述真空控制單元與第二真空泵、機(jī)械泵和第四氣閥相連接。采用上述技術(shù)方案，通過設(shè)置進(jìn)入腔和出口腔，進(jìn)入腔和出口腔的體積遠(yuǎn)小于真空鍍膜腔，這樣使得給進(jìn)入腔和出口腔抽真空的時(shí)間會(huì)減少很多，因此，可以減少連續(xù)給不同的基底鍍膜的時(shí)間；通過由可以自轉(zhuǎn)的料桿帶動(dòng)放在其上的基底架水平移動(dòng)，從而使基底架依次從第一料架傳輸給第二料架、真空膜料架、第三料架和第四料架，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)基底架從進(jìn)入腔水平移動(dòng)到出口腔，實(shí)現(xiàn)一個(gè)自動(dòng)鍍膜周期；這樣的設(shè)置適用于通過設(shè)置自動(dòng)升降機(jī)構(gòu)和備用靶材腔可以實(shí)現(xiàn)在進(jìn)行蒸鍍工藝時(shí)將靶材實(shí)時(shí)根據(jù)靶材的消耗量向上移動(dòng)靶材，同時(shí)當(dāng)消耗完一個(gè)靶材后將備用靶材腔中的靶材移動(dòng)至真空鍍膜腔內(nèi)；這樣便實(shí)現(xiàn)了不用打開真空鍍膜腔也可以給其添加新的靶材，這樣節(jié)省了時(shí)間，提高了蒸鍍工藝，同時(shí)提高鍍膜的質(zhì)量，備用靶材腔內(nèi)設(shè)有容納升降機(jī)構(gòu)的空間。

本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述升降機(jī)構(gòu)包括上推機(jī)構(gòu)和推進(jìn)機(jī)構(gòu)，所述上推機(jī)構(gòu)包括第一伺服電機(jī)、上推平臺(tái)和第一感應(yīng)器；所述第一伺服電機(jī)通過第一絲桿與所述上推平臺(tái)相連接，所述第一感應(yīng)器設(shè)置在所述備用靶材腔內(nèi)用于感應(yīng)所述上推平臺(tái)上是否的靶材；所述推進(jìn)機(jī)構(gòu)包括第二伺服電機(jī)、推進(jìn)平臺(tái)和第二感應(yīng)器；所述第二伺服電機(jī)通過第二絲桿與所述推進(jìn)平臺(tái)相連接，所述第二感應(yīng)器設(shè)置在所述靶容器內(nèi)用于檢測(cè)靶容器內(nèi)的靶材。

本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述靶容器為圓柱形空腔，所述靶容器的直徑大于靶材的直徑且所述靶容器的內(nèi)壁與靶材的外壁的直線距離不超過0.5cm；所述靶容器的下方設(shè)置有可旋轉(zhuǎn)的靶材盤，所述靶材盤內(nèi)設(shè)有第一靶材腔和第二靶材腔，所述第一靶材腔和第二靶材腔均圓柱形空腔，用于容納備用靶材；所述靶材盤的底部通過第三絲桿貫穿真空鍍膜腔在真空鍍膜腔外連接有第三伺服電機(jī)用于旋轉(zhuǎn)靶材盤。

本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述備用靶材腔通過連接管腔與所述真空鍍膜腔相連接且伸入真空鍍膜腔內(nèi)與靶材盤相連接，所述第五氣閥設(shè)置在所述連接管腔與所述靶材盤的連接處；所述連接管腔的直徑與所述靶容器、第一靶材腔和第二靶材腔的直徑相同，所述連接管腔與靶容器的位置是錯(cuò)開設(shè)置的。

本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述靶材盤經(jīng)過旋轉(zhuǎn)可以使靶材盤上的第一靶材腔和第二靶材腔分別與所述靶容器的圓柱形空腔相重合。

本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述靶材盤的第一靶材腔和第二靶材腔內(nèi)均設(shè)有第三感應(yīng)器和第四感應(yīng)器。

本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述靶容器的下方與所述靶材盤相交接的地方設(shè)有卡門，所述卡門的中心設(shè)有圓孔，以供推進(jìn)平臺(tái)上下移動(dòng)時(shí)穿越，當(dāng)靶容器相對(duì)接的靶材盤內(nèi)第一靶材腔或第二靶材腔內(nèi)的靶材沒有了時(shí)卡門關(guān)閉，此時(shí)由卡門托住靶容器內(nèi)的靶材。

本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述靶材盤上的第一靶材腔和第二靶材腔的底部均設(shè)有托臺(tái)，所述托臺(tái)的中心有圓孔以供所述推進(jìn)平臺(tái)穿越。

本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述上推平臺(tái)和推進(jìn)平臺(tái)的直徑均比靶材的直徑小0.8cm；所述備用靶材腔的高度比靶材的高度高不超過1.5cm。

本發(fā)明進(jìn)一步改進(jìn)在于，所述托臺(tái)和卡門為橫向伸縮式。

采用上述技術(shù)方案，當(dāng)蒸鍍工藝在進(jìn)行時(shí)，推進(jìn)機(jī)構(gòu)根據(jù)第二感應(yīng)器的數(shù)據(jù)由控制單元控制實(shí)時(shí)自動(dòng)的通過第二伺服電機(jī)帶動(dòng)推進(jìn)平臺(tái)將靶容器內(nèi)的靶材根據(jù)蒸鍍工藝的消耗量實(shí)時(shí)向上推進(jìn)，以保證電子束槍發(fā)出的電子束打在靶材的中心位置，且不會(huì)隨著蒸鍍時(shí)靶材的消耗而使電子束偏移靶材的位置從而影響蒸鍍的質(zhì)量；當(dāng)蒸鍍時(shí)消耗完一個(gè)靶材后，與靶容器相對(duì)應(yīng)結(jié)合的靶材盤上的靶材腔(第一靶材腔)則空了，而此時(shí)位于靶材盤上的第一靶材腔內(nèi)的感應(yīng)器則發(fā)出提示，待蒸鍍工藝結(jié)束后，電子束槍關(guān)閉、卡門關(guān)閉，由卡門托住靶容器內(nèi)的靶材，推進(jìn)平臺(tái)則向下移動(dòng)，下移到靶材盤以下后，靶材盤旋轉(zhuǎn)，將靶材盤上另一個(gè)有靶材的靶材腔(第二靶材腔)轉(zhuǎn)動(dòng)180度到靶容器的正下方與靶容器的圓柱形空腔精確地相重合，推進(jìn)平臺(tái)則上移至第二靶材腔的靶材的正下方托住靶材，然后卡門打開，推進(jìn)平臺(tái)則繼續(xù)上移將靶材推進(jìn)至靶容器內(nèi)且與靶容器內(nèi)的靶材緊密結(jié)合，推進(jìn)機(jī)構(gòu)則停止；上推機(jī)構(gòu)啟動(dòng)，真空鍍膜腔與備用靶材腔室之間的第五氣閥打開，第一伺服電機(jī)帶動(dòng)上推平臺(tái)上移，則將上推平臺(tái)上的備用靶材上移至靶材盤中沒有靶材的第一靶材腔內(nèi)；靶材盤的托臺(tái)則關(guān)閉托住靶材，第一伺服電機(jī)則帶動(dòng)上推平臺(tái)向下移動(dòng)至備用靶材腔內(nèi)的原始位置，真空鍍膜腔與備用靶材腔室之間的第五氣閥關(guān)閉；此時(shí)備用靶材腔里則沒有了靶材，可以在蒸鍍工藝沒有進(jìn)行的任何時(shí)候操作；由控制單元控制第四氣閥打開將備用靶材腔內(nèi)的通入空氣，直至備用靶材腔內(nèi)的真空度與大氣相同，再將備用靶材腔的腔門打開，將靶材放入備用靶材腔里的上推平臺(tái)上，且保證上推平臺(tái)在靶材的中心位置，關(guān)閉腔門，再由控制單元控制第三機(jī)械泵、第三真空泵對(duì)備用靶材腔抽真空，待備用靶材腔真空度達(dá)到真空鍍膜腔的真空度后；第三機(jī)械泵、第三真空泵停止。這樣的設(shè)置，鍍膜真空腔室不用頻繁的打開，可以通過打開備用靶材腔添加靶材以實(shí)現(xiàn)鍍膜工藝的連續(xù)進(jìn)行。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有的有益效果是：鍍膜真空腔室不用頻繁的打開，可以通過打開備用靶材腔添加靶材以實(shí)現(xiàn)鍍膜工藝的連續(xù)進(jìn)行，鍍膜工藝可持續(xù)進(jìn)行，鍍膜效率高；鍍膜質(zhì)量高；第三分子泵壽命長。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步詳細(xì)說明，其中：

圖1為自動(dòng)換靶裝置的主視圖；

圖2為自動(dòng)換靶的反應(yīng)等離子體設(shè)備的主視圖；

圖3為真空膜料架的俯視圖；

圖4為基底架的俯視圖；

其中：1-真空鍍膜腔；101-真空膜料架；102-電子槍；2-靶容器；201-靶材盤；2011-第一靶材腔；2012-第二靶材腔；3-備用靶材腔；301-腔門；302-連接管腔；4-第一伺服電機(jī)；401-第一絲桿；5-上推平臺(tái)；6-第二伺服電機(jī)；601-第二絲桿；7-推進(jìn)平臺(tái)；8-第三伺服電機(jī)；801-第三絲桿；9-進(jìn)入腔；10-出口腔；11-第一閥門；12-第二閥門；13-第三閥門；14-第四閥門。

具體實(shí)施方式

為了更好地理解本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)所作出的改進(jìn)，下面分別對(duì)這本發(fā)明的具體實(shí)施方式作出詳細(xì)說明。

如圖2～4所示，一種自動(dòng)換靶的反應(yīng)電子束蒸發(fā)設(shè)備，包括真空鍍膜腔、進(jìn)入腔9和出口腔10，所述進(jìn)入腔9與出口腔10分別位于真空鍍膜腔1的兩端，所述進(jìn)入腔9遠(yuǎn)離真空鍍膜腔1的一側(cè)設(shè)有第一閥門11，與真空鍍膜腔1相連接的一側(cè)設(shè)第二閥門12；所述出口腔10與真空鍍膜腔1相連接的一側(cè)設(shè)有第三閥門13，遠(yuǎn)離真空鍍膜腔1的一側(cè)設(shè)有第四閥門14，所述真空鍍膜腔1設(shè)有第一分子泵、第一機(jī)械泵和第一氣閥，所述進(jìn)入腔9與出口腔10共同連接有第二分子泵和第二機(jī)械泵；所述進(jìn)入腔9設(shè)有第二氣閥，所述出口腔10設(shè)有第三氣閥；所述真空鍍膜腔1內(nèi)包括電子束槍102、等離子發(fā)輝器和鍍膜料架101，所述電子束槍102設(shè)置在真空鍍膜腔1外且槍頭穿過真空鍍膜腔1進(jìn)入真空鍍膜腔1內(nèi)，所述鍍膜料架101位于所述真空鍍膜腔1的上部；所述進(jìn)入腔9設(shè)有第二料架，所述出口腔10設(shè)有第三料架，所述進(jìn)入腔9外設(shè)有第一料架，所述出口腔10外設(shè)有第四料架；所述第一料架、第二料架、第三料架、第四料架和真空膜料架101均由多個(gè)料桿1011組成，所述料桿1011上設(shè)有驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，料桿1011通過驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)沿軸心自轉(zhuǎn)，所述真空膜料架101的中心留有鍍膜區(qū)域，如圖1所示，該基于電子束蒸發(fā)設(shè)備的自動(dòng)換靶裝置包括升降機(jī)構(gòu)和位于真空鍍膜腔1內(nèi)的靶容器2、備用靶材腔3和控制單元，所述備用靶材腔3設(shè)置在所述真空鍍膜腔1外且位于所述靶容器2的下方，所述備用靶材腔3與所述真空鍍膜腔1相連接，且中間設(shè)有閥門以隔離或連通；所述升降機(jī)構(gòu)貫穿所述備用靶材腔3、真空鍍膜腔1與所述靶容器2的底部相連接；所述升降機(jī)構(gòu)用于在進(jìn)行蒸鍍工藝時(shí)將靶材實(shí)時(shí)根據(jù)靶材的消耗量向上移動(dòng)靶材和當(dāng)消耗完一個(gè)靶材后將備用靶材腔3中的靶材移動(dòng)至真空鍍膜腔1內(nèi)；所述備用靶材腔3連接有第二真空泵，所述備用靶材腔3設(shè)有腔門301，且所述備用靶材腔3連接有第二真空泵和氣閥；所述控制單元包括升降控制單元和真空控制單元；所述升降控制單元與所述升降機(jī)構(gòu)相連接；所述真空控制單元與第二真空泵、機(jī)械泵和氣閥相連接；備用靶材腔3內(nèi)設(shè)有容納升降機(jī)構(gòu)的空間；所述升降機(jī)構(gòu)包括上推機(jī)構(gòu)和推進(jìn)機(jī)構(gòu)，所述上推機(jī)構(gòu)包括第一伺服電機(jī)4、上推平臺(tái)5和第一感應(yīng)器；所述第一伺服電機(jī)4通過第一絲桿401與所述上推平臺(tái)5相連接，所述第一感應(yīng)器設(shè)置在所述備用靶材腔3內(nèi)用于感應(yīng)所述上推平臺(tái)5上是否的靶材；所述推進(jìn)機(jī)構(gòu)包括第二伺服電機(jī)6、推進(jìn)平臺(tái)7和第二感應(yīng)器；所述第二伺服電機(jī)6通過第二絲桿601與所述推進(jìn)平臺(tái)7相連接，所述第二感應(yīng)器設(shè)置在所述靶容器2內(nèi)用于檢測(cè)靶容器2內(nèi)的靶材；所述靶容器2為圓柱形空腔，所述靶容器2的直徑大于靶材的直徑且所述靶容器2的內(nèi)壁與靶材的外壁的直線距離不超過0.5cm；所述靶容器2的下方設(shè)置有可旋轉(zhuǎn)的靶材盤201，所述靶材盤201內(nèi)設(shè)有第一靶材腔2011和第二靶材腔2012，所述第一靶材腔2011和第二靶材腔2012均圓柱形空腔，用于容納備用靶材；所述靶材盤201的底部通過第三絲桿801貫穿真空鍍膜腔在真空鍍膜腔外連接有第三伺服電機(jī)8用于旋轉(zhuǎn)靶材盤201；所述備用靶材腔3通過連接管腔302與所述真空鍍膜腔1相連接且伸入真空鍍膜腔1內(nèi)與靶材盤201相連接，所述閥門設(shè)置在所述連接管腔302與所述靶材盤201的連接處；所述連接管腔302的直徑與所述靶容器2、第一靶材腔2011和第二靶材腔2012的直徑相同，所述連接管腔302與靶容器2的位置是錯(cuò)開設(shè)置的；所述靶材盤201經(jīng)過旋轉(zhuǎn)可以使靶材盤201上的第一靶材腔2011和第二靶材腔2012分別與所述靶容器2的圓柱形空腔相重合；所述靶材盤201的第一靶材腔2011和第二靶材腔2012內(nèi)均設(shè)有第三感應(yīng)器和第四感應(yīng)器；所述靶容器2的下方與所述靶材盤201相交接的地方設(shè)有卡門，所述卡門的中心設(shè)有圓孔，以供推進(jìn)平臺(tái)7上下移動(dòng)時(shí)穿越，當(dāng)靶容器2相對(duì)接的靶材盤201內(nèi)第一靶材腔2011或第二靶材腔2012內(nèi)的靶材沒有了時(shí)卡門關(guān)閉，此時(shí)由卡門托住靶容器2內(nèi)的靶材；所述靶材盤201上的第一靶材腔2011和第二靶材腔2012的底部均設(shè)有托臺(tái)，所述托臺(tái)的中心有圓孔以供所述推進(jìn)平臺(tái)7和上推平臺(tái)5穿越；所述上推平臺(tái)5和推進(jìn)平臺(tái)7的直徑均比靶材的直徑小0.8cm；所述備用靶材腔3的高度比靶材的高度高不超過1.5cm；所述托臺(tái)和卡門為橫向伸縮式。

該自動(dòng)換靶裝置的使用方法，包括以下步驟：

(1)實(shí)時(shí)推進(jìn)靶材：當(dāng)蒸鍍工藝在進(jìn)行時(shí)，推進(jìn)機(jī)構(gòu)根據(jù)第二感應(yīng)器的數(shù)據(jù)由控制單元控制實(shí)時(shí)自動(dòng)的通過第二伺服電機(jī)6帶動(dòng)推進(jìn)平臺(tái)7將靶容器內(nèi)的靶材根據(jù)蒸鍍工藝的消耗量實(shí)時(shí)向上推進(jìn)；

(2)自動(dòng)換靶材：當(dāng)蒸鍍時(shí)消耗完一個(gè)靶材后，與靶容器2相對(duì)應(yīng)結(jié)合的靶材盤201上的第一靶材腔2011則空了，第一靶材腔2011內(nèi)的感應(yīng)器則發(fā)出提示，待蒸鍍工藝結(jié)束后，電子束槍關(guān)閉、卡門關(guān)閉，由卡門托住靶容器2內(nèi)的靶材，推進(jìn)平臺(tái)7則向下移動(dòng)，當(dāng)下移到靶材盤201的下方后，由第三伺服電機(jī)8帶動(dòng)靶材盤201旋轉(zhuǎn)，將靶材盤201上另一個(gè)有靶材的第二靶材腔2012轉(zhuǎn)動(dòng)到靶容器2的正下方與靶容器的圓柱形空腔精確地相重合，推進(jìn)平臺(tái)7則上移至第二靶材腔2012的靶材的正下方托住靶材，然后卡門打開，推進(jìn)平臺(tái)7則繼續(xù)上移將靶材推進(jìn)至靶容器2內(nèi)且與靶容器2內(nèi)的靶材緊密結(jié)合，推進(jìn)機(jī)構(gòu)則停止；

(3)向靶材盤201內(nèi)推入替換靶材：上推機(jī)構(gòu)啟動(dòng)，真空鍍膜腔1與備用靶材腔3之間的閥門打開，靶材盤201的托臺(tái)的打開，第一伺服電機(jī)4帶動(dòng)上推平臺(tái)5上移，則將上推平臺(tái)5上的備用靶材上移至靶材盤201中沒有靶材的第一靶材腔2011內(nèi)；靶材盤201的托臺(tái)則關(guān)閉托住靶材，第一伺服電機(jī)4則帶動(dòng)上推平臺(tái)5向下移動(dòng)至備用靶材腔3內(nèi)的原始位置，真空鍍膜腔1與備用靶材腔3之間的閥門關(guān)閉；

(4)備用靶材腔3添加靶材：由控制單元控制氣閥打開將備用靶材腔3內(nèi)的通入空氣，直至備用靶材腔3內(nèi)的真空度與大氣相同，再將備用靶材腔3的腔門301打開，將靶材放入備用靶材腔3里的上推平臺(tái)5上，且保證上推平臺(tái)5在靶材的中心位置，關(guān)閉腔門301，再由控制單元控制機(jī)械泵、第二真空泵對(duì)備用靶材腔3抽真空，先由機(jī)械泵進(jìn)行初抽，待真空度達(dá)到6pa左右，啟動(dòng)分子泵，由分子泵進(jìn)行精抽，待備用靶材腔3真空度達(dá)到真空鍍膜腔1的真空度后，機(jī)械泵、第二真空泵停止。此步驟可以在蒸鍍工藝沒有進(jìn)行的任何時(shí)候操作，以確保可以連續(xù)不斷的向真空鍍膜腔補(bǔ)充靶材，這樣的設(shè)置，鍍膜真空腔室不用頻繁的打開，可以通過打開備用靶材腔添加靶材以實(shí)現(xiàn)鍍膜工藝的連續(xù)進(jìn)行。

該自動(dòng)換靶的反應(yīng)等離子體設(shè)備的使用方法，包括以下步驟：

1)檢查并確認(rèn)第一氣閥、第二氣閥、第三氣閥和第四氣閥關(guān)閉后，點(diǎn)擊啟動(dòng)，則由控制單元控制控制第一機(jī)械泵、第二機(jī)械泵和第三機(jī)械泵啟動(dòng)，先由第一機(jī)械泵、第二機(jī)械泵和第三機(jī)械泵分別對(duì)真空鍍膜腔、進(jìn)入腔和出口腔以及備用靶材腔進(jìn)行初抽真空，直到真空度達(dá)到6pa，第一機(jī)械泵、第二機(jī)械泵和第三機(jī)械泵停止；

2)控制單元控制第一真空泵、第二真空泵和第三真空泵啟動(dòng)，分別繼續(xù)對(duì)真空鍍膜腔1、進(jìn)入腔9和出口腔10以及備用靶材腔3進(jìn)行抽真空，直到真空達(dá)到10^-5pa，第一真空泵、第二真空泵和第三真空泵停止；

3)當(dāng)需要鍍膜時(shí)，由控制單元將模式切換為自動(dòng)，然后啟動(dòng)電子槍102，電子槍102開始預(yù)熱5min，電子槍102電壓電流開始逐漸上升，真空鍍膜腔1內(nèi)開始起輝，電子槍102發(fā)射電子束呈弧形至靶材上，觀察電子束是否在在靶材的中心位置，待電子槍102穩(wěn)定后，待用；

4)設(shè)置蒸鍍薄膜的參數(shù)，將基片放在基底架上，并將基底架放置在第一料架上；

5)由控制單元控制進(jìn)入腔的第一氣閥打開，充入空氣，當(dāng)進(jìn)入腔9的氣壓與大氣相同時(shí)，打開第一閥門11，然后基底架經(jīng)由第一料架傳輸給第二料架送入進(jìn)入腔，關(guān)閉第一閥門11，控制單元控制第一機(jī)機(jī)械泵啟動(dòng)，給進(jìn)入腔9抽取真空，當(dāng)進(jìn)入腔9的真空度達(dá)到5～6pa時(shí)，第一機(jī)機(jī)械泵停止；打開第二閥門12，基底架經(jīng)由第二料架傳輸給真空膜料架進(jìn)入真空鍍膜腔1，關(guān)閉第二閥門12，電子槍開啟，蒸鍍開始，蒸鍍開始，自動(dòng)換靶裝置實(shí)時(shí)根據(jù)靶材的消耗量將靶材向上推進(jìn)；當(dāng)蒸鍍完成后，電子槍102再次回到穩(wěn)定狀態(tài)；打開第三閥門13，由真空膜料架101將基底架送入第三料架，關(guān)閉第三閥門13；打開第三氣閥給出口腔通入空氣，待出口腔的氣壓與大氣相同時(shí)，打開第四閥門14，由第三料架將基底架送入第四料架，關(guān)閉第四閥門14，啟動(dòng)第一機(jī)械泵，給出口腔抽真空，待出口腔真空度達(dá)到5～6pa時(shí)，第一機(jī)機(jī)械泵停止，從而完成一個(gè)鍍膜周期；

6)循環(huán)操作上述步驟。

上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式作了詳細(xì)的說明，但是本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在所屬技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下做出各種變化。