技術特征：

技術總結(jié)
本發(fā)明屬于合金鍍膜技術領域，涉及一種磁控濺射鍍膜系統(tǒng)及利用其制備高純度靶膜的方法。所述的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)包括鍍膜腔室、用于向鍍膜腔室提供磁控濺射載氣氬氣的氬氣提供系統(tǒng)、用于對鍍膜腔室進行抽真空處理的抽真空系統(tǒng)，鍍膜腔室中包括濺射靶、可通過電機帶動旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤、位于轉(zhuǎn)盤上的樣品架，濺射靶可向正對其的樣品架上安裝的基片進行磁控濺射鍍膜，其中所述的濺射靶為多個，分別為不同金屬或不同組成比例合金的濺射靶。用本發(fā)明的磁控濺射鍍膜系統(tǒng)及利用其制備高純度靶膜的方法，可在基片上鍍制不同成分、含量的金屬膜或合金膜。

技術研發(fā)人員：劉城淋;楊洪廣;占勤;劉振興
受保護的技術使用者：中國原子能科學研究院
技術研發(fā)日：2017.04.11
技術公布日：2017.07.25