本發(fā)明屬于固廢資源化技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種廢舊電路板貴金屬的高效生物浸出方法與裝置。

背景技術(shù)：

隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，我國(guó)每年大約有570萬噸的電子廢棄物產(chǎn)生。作為電子廢棄物中的重要組件，廢舊電路板產(chǎn)生量巨大。廢舊電路板含有大量具有回收價(jià)值的金屬，以手機(jī)電路板為例，每噸廢舊電路板中約含有240～400g金、2000～3000g銀、10～100g鈀、5～15wt.%的銅、0.1～0.2wt.%的鎳和0.3～0.7wt.%的錫。廢舊電路板金屬回收，可帶來顯著的經(jīng)濟(jì)效益。

目前，我國(guó)政府著力推廣的廢舊電路板金屬回收方法主要為機(jī)械破碎-物理分選法。該方法可使廢舊電路板中的金屬與非金屬顆粒有效分離，效率高，污染低，操作簡(jiǎn)單，易工業(yè)化。然而，該方法對(duì)物理性質(zhì)相近的金屬富集體難以進(jìn)一步分離提純。以化學(xué)氧化還原為基礎(chǔ)的濕法，熱處理和超臨界分離等技術(shù)存在高能耗、高污染的不足。因此，廢舊電路板貴金屬的回收急需高效、環(huán)保的新技術(shù)。

生物法以生物浸出為基礎(chǔ)，是指利用微生物生長(zhǎng)代謝產(chǎn)生物從金屬富集體中浸出金屬的方法，具有反應(yīng)溫和、環(huán)保、低成本的優(yōu)點(diǎn)。目前有關(guān)應(yīng)用生物浸出法回收破碎廢舊電路板中的貴金屬的授權(quán)專利很少。專利《聯(lián)合物理分離和生物浸出的廢棄電路板貴金屬回收方法》(zl201310262065.9)和專利《破碎廢棄電路板金屬混合顆粒貴金屬生物浸出方法及裝置》(zl201310262162.8)都公開了一種利用假單胞菌來浸出金屬的方法，通過將假單胞菌與破碎電路板混勻，使假單胞菌產(chǎn)生的氫氰酸與金屬混合顆粒反應(yīng)，浸出金屬。但是，由于采用了直接將假單胞菌和金屬混合物直接接觸的原位產(chǎn)hcn方式，導(dǎo)致菌種產(chǎn)hcn的能力下降造成金屬浸出效率低下，同時(shí)無法控制浸出劑與貴金屬反應(yīng)時(shí)的合適濃度，且原位產(chǎn)cn^-的方式會(huì)使菌體吸附在貴金屬表面，導(dǎo)致菌種損失，影響浸出效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)中原位產(chǎn)hcn來浸出貴金屬的缺陷和不足，提供一種廢舊電路板貴金屬生物高效浸出新方法與裝置；利用產(chǎn)cn^-菌生長(zhǎng)代謝產(chǎn)生的cn^-，先富集cn^-，再進(jìn)行高效浸出破碎廢舊電路板金屬富集體中的貴金屬，可大幅度提高浸出效率。該方法與裝置不僅能夠?qū)崿F(xiàn)廢舊電路板的高附加值回收，還具有過程操作簡(jiǎn)單、能耗低、高效、環(huán)保、易實(shí)施等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明的目的是提供一種廢舊電路板貴金屬的浸出方法。

本發(fā)明的另一目的是提供一種廢舊電路板貴金屬的高效生物浸出裝置。

本發(fā)明的上述目的是通過以下技術(shù)方案給予實(shí)現(xiàn)的：

一種廢舊電路板貴金屬的生物浸出方法，包括如下步驟：

s1.培養(yǎng)產(chǎn)cn^-菌：將產(chǎn)cn^-菌菌種培養(yǎng)至對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期，然后接種到培養(yǎng)罐中進(jìn)行生產(chǎn)；

s2.吸收捕集hcn：控制培養(yǎng)溫度為28～30℃、ph值為6.8～7.2以及通氣強(qiáng)度，使產(chǎn)cn^-菌生成的代謝產(chǎn)物cn^-水解生成hcn，將包含hcn的混合氣體導(dǎo)入到氫氧化鈉溶液中，反應(yīng)生成浸出劑溶液；

s3.浸出貴金屬：將經(jīng)破碎、分選得到的廢舊電路板貴金屬富集體加入到浸出劑溶液中，進(jìn)行貴金屬浸出。

優(yōu)選地，步驟s3中同時(shí)加入氧化劑。更優(yōu)選地，所述氧化劑為過氧化氫。

本發(fā)明采用的產(chǎn)cn^-菌在生長(zhǎng)中后期可以產(chǎn)生次級(jí)代謝產(chǎn)物cn^-，通過調(diào)節(jié)培養(yǎng)液的溫度和ph值，促進(jìn)cn^-在培養(yǎng)液中水解產(chǎn)生hcn；無菌空氣吹脫培養(yǎng)液中的hcn，使其從培養(yǎng)液中逸出（hcn，密度0.94，以空氣相對(duì)密度為1計(jì)；沸點(diǎn)25.7℃），逸出的hcn與無菌空氣一起從培養(yǎng)罐出氣口導(dǎo)入到盛有氫氧化鈉溶液的吸收捕集裝置中，hcn和氫氧化鈉溶液反應(yīng)生成浸出劑溶液；將浸出劑溶液泵入貴金屬浸出反應(yīng)器中，加入氧化劑，與廢舊電路板貴金屬富集體顆粒反應(yīng)浸出貴金屬；針對(duì)培養(yǎng)液中的cn^-，采用“邊產(chǎn)出邊提取”的方式有效降低了cn^-對(duì)菌種的產(chǎn)物抑制作用，基于cn^-“水解+吹脫”的方式將cn^-轉(zhuǎn)移到含naoh溶液中，最大程度的降低了原位產(chǎn)氰浸出貴金屬過程中影響浸出效率的兩個(gè)因素：浸出劑溶液濃度低和浸出反應(yīng)傳質(zhì)效率低；同時(shí)，貴金屬浸出回收末段產(chǎn)生的含cn^-廢液通過產(chǎn)cn^-菌厭氧代謝進(jìn)行消除，達(dá)到環(huán)境友好的目標(biāo)。

其中，優(yōu)選地，步驟s1所述培養(yǎng)為補(bǔ)料分批培養(yǎng)。

優(yōu)選地，步驟s1中的產(chǎn)cn^-菌菌種先在在種子罐內(nèi)培養(yǎng)，當(dāng)菌體進(jìn)入對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期后接入產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐，以補(bǔ)料分批培養(yǎng)方式生產(chǎn)。

優(yōu)選地，所述產(chǎn)cn^-菌的培養(yǎng)液為在低鹽lb培養(yǎng)基的基礎(chǔ)上添加一定量甘氨酸和fecl3；低鹽lb培養(yǎng)基培養(yǎng)基成分為每1000ml蒸餾水中含酵母膏5g，蛋白胨10g，氯化鈉5g，ph值為6.5~7.8；添加的甘氨酸含量為0.5～5mg/l，fecl3含量為0.01～0.03mm；優(yōu)選地，所述產(chǎn)cn^-菌包括熒光假單胞菌(pseudomonasfluorescens)、紫色色桿菌(chromobacteriumviolaceum)、銅綠假單胞菌(pseudomonasaeruginosa)或綠針假單胞菌(pseudomonaschlororaphis)等產(chǎn)cn^-菌中的一種或多種（取多種時(shí)為混合培養(yǎng)）。

更優(yōu)選地，所述產(chǎn)cn^-菌為紫色色桿菌。

另外，作為一種具體的優(yōu)選方案，廢舊電路板貴金屬的生物浸出方法，包括如下步驟：

（1）培養(yǎng)產(chǎn)cn^-菌：在種子罐內(nèi)培養(yǎng)產(chǎn)cn^-菌，當(dāng)菌體進(jìn)入對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期后接入產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐，以補(bǔ)料分批發(fā)酵方式培養(yǎng)；產(chǎn)cn^-菌在對(duì)數(shù)生長(zhǎng)中后期生成次級(jí)代謝產(chǎn)物cn^-；

（2）吸收捕集hcn：往產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐中通入無菌空氣，未被菌群利用的無菌空氣將培養(yǎng)液中由cn^-水解產(chǎn)生的hcn吹脫出來（hcn，密度0.94，以空氣相對(duì)密度為1計(jì)；沸點(diǎn)25.7℃）形成混合氣體，混合氣體由產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐出氣口導(dǎo)出，通入到盛有氫氧化鈉溶液的吸收罐中，hcn與氫氧化鈉溶液反應(yīng)形成浸出劑溶液；吸收罐的出氣口將未吸收完全的混合氣體再通入到下一個(gè)吸收罐中，達(dá)到對(duì)hcn的完全吸收；

（3）浸出貴金屬：將吸收罐中的浸出劑溶液泵入貴金屬浸出反應(yīng)器，加入破碎廢舊電路板金屬富集體和氧化劑，攪拌、升溫、加壓進(jìn)行貴金屬浸出。

其中，步驟（2）以傳感器檢測(cè)產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐關(guān)鍵參數(shù)“培養(yǎng)液溫度”和“培養(yǎng)液酸堿度”，同時(shí)以溫度控制單元維持培養(yǎng)液溫度，以ph調(diào)節(jié)單元調(diào)節(jié)培養(yǎng)液酸堿度，為cn^-水解產(chǎn)生hcn和hcn從培養(yǎng)液吹脫提供有利環(huán)境條件。

一種實(shí)現(xiàn)上述方法的貴金屬浸出裝置，包括產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)裝置，hcn吸收捕集裝置和貴金屬浸出裝置；所述產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)裝置由供氣系統(tǒng)1、初培養(yǎng)罐3和培養(yǎng)罐4組成，供氣系統(tǒng)1通過管道與培養(yǎng)罐4下部相連，初培養(yǎng)罐3通過管道與培養(yǎng)罐4相連，培養(yǎng)罐4上設(shè)置有傳感器5、溫度控制單元6以及ph調(diào)節(jié)單元7；所述吸收捕集裝置由多級(jí)串聯(lián)的吸收罐8組成；所述貴金屬浸出裝置由金屬浸出反應(yīng)器15和氧化劑儲(chǔ)罐14組成，金屬浸出反應(yīng)器15上設(shè)置有加料口和出料口，氧化劑儲(chǔ)罐14通過管道與金屬浸出反應(yīng)器通15相連；所述培養(yǎng)罐4與吸收罐8通過管道相連，吸收罐8與金屬浸出反應(yīng)器15通過管道相連。

首先，在初培養(yǎng)罐3內(nèi)培養(yǎng)產(chǎn)cn^-菌，當(dāng)菌體進(jìn)入對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期后接入培養(yǎng)罐4；培養(yǎng)罐4內(nèi)的產(chǎn)cn^-菌體在對(duì)數(shù)生長(zhǎng)中后期會(huì)生成次級(jí)代謝產(chǎn)物cn^-；傳感器5實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)培養(yǎng)罐4中的關(guān)鍵參數(shù)“培養(yǎng)液溫度”以及“培養(yǎng)液酸堿度”，溫度控制單元6維持培養(yǎng)液溫度，ph調(diào)節(jié)單元7調(diào)節(jié)培養(yǎng)液酸堿度，為cn^-水解產(chǎn)生hcn和hcn從培養(yǎng)液吹脫提供有利環(huán)境條件；供氣系統(tǒng)1為培養(yǎng)罐4中培養(yǎng)的菌種提供無菌空氣，同時(shí)未被菌群利用的無菌空氣將在培養(yǎng)液中由cn^-水解產(chǎn)生的hcn吹脫出來，經(jīng)由培養(yǎng)罐4上部的出氣口導(dǎo)出，導(dǎo)出的hcn氣體通過管道通入盛有氫氧化鈉溶液的吸收罐8中，hcn與氫氧化鈉溶液反應(yīng)形成浸出劑溶液；浸出劑通過管道被送入金屬浸出反應(yīng)器15中，氧化劑儲(chǔ)罐14通過管道為貴金屬浸出提供助浸劑，破碎的廢舊電路板貴金屬顆粒通過加料口被添加至金屬浸出反應(yīng)器中，在一定條件下進(jìn)行浸出反應(yīng)。

優(yōu)選地，培養(yǎng)罐4上連接有培養(yǎng)基儲(chǔ)罐2，可及時(shí)補(bǔ)充培養(yǎng)罐4中的菌種生長(zhǎng)所需要的營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)，維持最佳的產(chǎn)氰狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)分批補(bǔ)料培養(yǎng)。

優(yōu)選地，所述吸收罐的多級(jí)串聯(lián)為二級(jí)串聯(lián)，串聯(lián)有第二吸收罐9（吸收罐8為第一吸收罐），可對(duì)第一吸收罐8中未吸收完全的hcn進(jìn)行重吸收。

優(yōu)選地，所述第一吸收罐8、第二吸收罐9中均設(shè)置有浸出劑在線檢測(cè)系統(tǒng)11，可實(shí)時(shí)檢測(cè)吸收罐中的浸出劑濃度。

優(yōu)選地，所述第一吸收罐8、第二吸收罐9與貴金屬浸出反應(yīng)器相連的管道上設(shè)置有泵12、泵13，可將吸收罐中的浸出劑更快的泵入金屬浸出反應(yīng)器中。

重要地，吸收罐中溶液的ph值應(yīng)始終大于等于12。

優(yōu)選地，所述金屬浸出反應(yīng)器為高壓反應(yīng)釜。

優(yōu)選地，所述培養(yǎng)罐、吸收罐及金屬浸出反應(yīng)器具備攪拌混勻功能，可對(duì)培養(yǎng)液或溶液進(jìn)行充分混勻，保證菌種擴(kuò)繁或吸收捕集、浸出反應(yīng)的良好進(jìn)行。

優(yōu)選地，所述吸收罐中的攪拌器為設(shè)置在其底部的磁力攪拌器10，在hcn吸收過程中以磁力攪拌器促進(jìn)吸收罐的氣液混合。

優(yōu)選地，培養(yǎng)罐4的底部設(shè)置有菌液出口16，菌液出口收集含大量菌株的培養(yǎng)液，可通過菌株降解貴金屬回收末端產(chǎn)生的含cn^-廢液，達(dá)到環(huán)境友好的目的。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：

1、本方法通過對(duì)cn^-“邊產(chǎn)出邊提取”，能夠提高菌種產(chǎn)cn^-效率，降低cn^-對(duì)菌體的抑制作用；以吹脫-吸收捕集的方式容易獲得合適濃度的浸出劑溶液進(jìn)行貴金屬的浸出。

2、本發(fā)明與原位產(chǎn)cn^--浸金相比，吹脫-吸收捕集所得浸出劑溶液雜質(zhì)少，有利于浸出反應(yīng)的進(jìn)行，能夠避免菌體吸附貴金屬造成損失，能夠滿足對(duì)貴金屬浸出反應(yīng)器進(jìn)行改裝的要求。

3、本發(fā)明可通過菌株自身厭氧代謝降解貴金屬回收末端產(chǎn)生的含cn^-廢液，可有效降低環(huán)保成本。

附圖說明

圖1為本發(fā)明破碎廢舊電路板貴金屬浸出裝置的示意圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例所述破碎廢舊電路板貴金屬浸出方法和裝置的流程示意圖；

圖注：1-供氣系統(tǒng)；2-培養(yǎng)基儲(chǔ)罐；3-菌株初培養(yǎng)罐；4-產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐；5-傳感器；6-溫度控制單元；7-ph調(diào)節(jié)單元；8-第一吸收罐；9第二-吸收罐；10-磁力攪拌器；11-浸出劑在線檢測(cè)系統(tǒng)；12-泵；13-泵；14-氧化劑儲(chǔ)罐；15-貴金屬浸出反應(yīng)器；16-菌液出口。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合說明書附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作出進(jìn)一步地詳細(xì)闡述，所述實(shí)施例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。下述實(shí)施例中所使用的試驗(yàn)方法如無特殊說明，均為常規(guī)方法；所使用的材料、試劑等，如無特殊說明，為可從商業(yè)途徑得到的試劑和材料。

實(shí)施例1

一種廢舊電路板貴金屬生物高效浸出裝置，包括產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)裝置，hcn吸收捕集裝置和貴金屬浸出裝置；所述產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)裝置由供氣系統(tǒng)1、培養(yǎng)基儲(chǔ)罐2、菌株初培養(yǎng)罐3和產(chǎn)cn^-培養(yǎng)罐4組成，供氣系統(tǒng)1通過管道與培養(yǎng)罐4下部相連，培養(yǎng)基儲(chǔ)罐2通過管道與培養(yǎng)罐4相連，初培養(yǎng)罐3通過管道與產(chǎn)cn^-培養(yǎng)罐4相連，產(chǎn)cn^-培養(yǎng)罐4上設(shè)置有傳感器5、溫度控制單元6以及ph調(diào)節(jié)單元7；所述吸收捕集裝置由第一吸收罐8和第二吸收罐9串聯(lián)組成；所述金屬浸出裝置由金屬浸出反應(yīng)器15和氧化劑儲(chǔ)罐14組成，金屬浸出反應(yīng)器15上設(shè)置有加料口和出料口，氧化劑儲(chǔ)罐14通過管道與金屬浸出反應(yīng)器通15相連；所述培養(yǎng)罐4與第一吸收罐8通過管道相連，吸收罐8與金屬浸出反應(yīng)器15通過管道相連。

其中，所述培養(yǎng)基儲(chǔ)罐2可及時(shí)補(bǔ)充培養(yǎng)罐4中的菌種繁殖生長(zhǎng)所需要的營(yíng)養(yǎng)物質(zhì)，保證最佳的生理狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)分批補(bǔ)料培養(yǎng)；所述培養(yǎng)液為滅菌的添加有甘氨酸、fecl3的低鹽lb培養(yǎng)基，低鹽lb培養(yǎng)基培養(yǎng)基成分為每1000ml蒸餾水中含酵母膏5g，蛋白胨10g，氯化鈉5g；所述甘氨酸含量為0.8mg/l，fecl3含量為0.02mm，ph為7.2。

所述傳感器5檢測(cè)培養(yǎng)液溫度和培養(yǎng)液酸堿度，同時(shí)以溫度控制單元6維持培養(yǎng)液溫度，以ph調(diào)節(jié)單元7調(diào)節(jié)培養(yǎng)液酸堿度，為cn^-水解產(chǎn)生hcn和hcn從培養(yǎng)液吹脫提供有利環(huán)境條件。

所述串聯(lián)的第二吸收罐9，可對(duì)第一吸收罐8中未吸收完全的hcn進(jìn)行再一次吸收；同時(shí)，第一吸收罐8、第二吸收罐9中還設(shè)置有浸出劑在線檢測(cè)系統(tǒng)11，可實(shí)時(shí)檢測(cè)吸收罐中的浸出劑濃度。

所述金屬浸出裝置15為高壓反應(yīng)釜，可為浸出反應(yīng)提供傳動(dòng)、熱量、壓力等條件。

此外，吸收罐與金屬浸出反應(yīng)器相連的管道上設(shè)置有泵12、泵13，可將吸收罐中的浸出劑泵入金屬浸出反應(yīng)器中；同時(shí)，培養(yǎng)罐、吸收罐及金屬浸出容器中設(shè)置有攪拌器，可對(duì)培養(yǎng)液或溶液進(jìn)行充分混勻，保證菌種擴(kuò)繁或吸收捕集、浸出反應(yīng)的順利進(jìn)行。

另外，在產(chǎn)cn^-的底部設(shè)置有菌液出口16，菌液出口收集含大量菌株的培養(yǎng)液，可通過菌株降解貴金屬回收過程殘余的cn^-廢液，達(dá)到環(huán)境友好的目的。

使用本裝置時(shí)，首先在菌株初培養(yǎng)罐3內(nèi)培養(yǎng)擴(kuò)繁產(chǎn)cn^-菌，當(dāng)菌體進(jìn)入對(duì)數(shù)生長(zhǎng)期后接入至產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐4中；培養(yǎng)罐4內(nèi)的cn^-菌體在對(duì)數(shù)生長(zhǎng)中后期會(huì)生成次級(jí)代謝產(chǎn)物cn^-；設(shè)置在培養(yǎng)罐上的傳感器5實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)培養(yǎng)罐4中的關(guān)鍵參數(shù)“培養(yǎng)液溫度”以及“培養(yǎng)液酸堿度”，溫度控制單元6維持培養(yǎng)液溫度，ph調(diào)節(jié)單元調(diào)節(jié)培養(yǎng)液酸堿度，為cn^-水解產(chǎn)生hcn和hcn從培養(yǎng)液逸出提供有利環(huán)境條件；供氣系統(tǒng)1為培養(yǎng)罐4中培養(yǎng)的菌種提供無菌空氣，同時(shí)利用未被菌群利用的無菌空氣將在培養(yǎng)液中由cn^-水解產(chǎn)生的hcn吹脫出來，經(jīng)由培養(yǎng)罐4上部的出氣口導(dǎo)出，導(dǎo)出的hcn氣體通過管道通入盛有氫氧化鈉溶液的第一吸收罐8中，hcn與氫氧化鈉溶液反應(yīng)生成浸出劑溶液；未反應(yīng)完的hcn又被通入到第二吸收罐9中，至吸收完全；產(chǎn)生的浸出劑通過管道被送入金屬浸出反應(yīng)器15中，氧化劑儲(chǔ)罐14通過管道為貴金屬浸出提供反應(yīng)必需的氧化劑，破碎的廢舊電路板貴金屬顆粒通過加料口被添加至金屬浸出反應(yīng)器中與浸出劑發(fā)生反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)貴金屬的高效浸出。

所述廢舊電路板貴金屬的浸出方法主要包括如下步驟：

(1)培養(yǎng)產(chǎn)cn^-菌：打開供氣系統(tǒng)1，選取紫色色桿菌(chromobacteriumviolaceum)，在菌株初培養(yǎng)罐3中培養(yǎng)菌體直到菌體生長(zhǎng)進(jìn)入對(duì)數(shù)期；由培養(yǎng)基儲(chǔ)罐2向產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐4種加入滅菌的添加有甘氨酸、fecl3的低鹽lb培養(yǎng)基，以補(bǔ)料分批培養(yǎng)方式進(jìn)行培養(yǎng)；

(2)吸收捕集hcn：產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐4中的紫色色桿菌生長(zhǎng)進(jìn)入對(duì)數(shù)生長(zhǎng)中后期過程中代謝產(chǎn)生cn^-；傳感器5監(jiān)測(cè)產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐4中的關(guān)鍵參數(shù)“培養(yǎng)液溫度”和“培養(yǎng)液酸堿度”，通過溫度控制單元6維持培養(yǎng)液溫度在28～30℃，通過ph調(diào)節(jié)單元把培養(yǎng)液ph值控制在6.8～7.2；紫色色桿菌代謝產(chǎn)出的cn^-不斷水解轉(zhuǎn)化為hcn，供氣系統(tǒng)1提供的未被產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐4利用的無菌空氣把培養(yǎng)液中的hcn吹脫出來，形成混合氣體；混合氣體由產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐出氣口導(dǎo)出進(jìn)入到hcn第一吸收罐8和第二吸收罐9中，hcn與吸收罐中的氫氧化鈉溶液反應(yīng)生成浸出劑溶液；

(3)浸出貴金屬：將吸收罐中的浸出劑溶液泵入貴金屬浸出反應(yīng)器15，加入破碎廢舊電路板金屬富集體和氧化劑過氧化氫(由氧化劑儲(chǔ)罐14提供)，攪拌、升溫、加壓進(jìn)行貴金屬浸出；

（4）金屬浸出反應(yīng)結(jié)束后，菌液出口16收集產(chǎn)cn^-菌培養(yǎng)罐4排出的培養(yǎng)液，用以降解貴金屬回收過程中殘余的cn^-廢液。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的限定。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明及思路的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)，這里無需也無法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。