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一種高硬度AlCrN納米復(fù)合涂層及其制備工藝的制作方法

文檔序號:12714451閱讀:962來源:國知局

本發(fā)明涉及一種新型涂層制備技術(shù),具體地說是一種高硬度和高Al含量的AlCrN納米復(fù)合涂層的制備工藝。



背景技術(shù):

隨著現(xiàn)代制造業(yè)的發(fā)展,鈦合金、高溫合金和超高強(qiáng)度鋼等難加工材料的廣泛應(yīng)用,針對各種難加工材料的高速超高速切削、高速硬態(tài)切削、綠色干切削和精密超精密切削等先進(jìn)機(jī)械加工工藝層出不窮。采用涂層技術(shù)可有效提高切削刀具使用壽命、切削效率和加工表面質(zhì)量,使刀具獲得優(yōu)良的綜合機(jī)械性能,從而大幅度提高機(jī)械加工效率。涂層刀具具有表面硬度高、耐磨性好、化學(xué)性能穩(wěn)定、耐熱耐氧化和摩擦系數(shù)小等特點(diǎn),涂覆在刀具上,其作為化學(xué)屏障和熱屏障,可以減少刀具與工件間的擴(kuò)散和化學(xué)反應(yīng),減少月牙洼磨損,目前發(fā)達(dá)國家已超過80%的刀具上會使用涂層刀具,并還在不斷上升。

CrN涂層具有很好的抗高溫氧化性能,耐蝕性能和抗粘著磨損性能,廣泛應(yīng)用于各種切削刀具和模具上。但是單一的CrN涂層硬度不高,因而抗磨料磨損性能差。為進(jìn)一步提高CrN的硬度和抗磨料磨損性能,通常在CrN涂層中添加元素Al或Si等元素,通過固溶強(qiáng)化或細(xì)晶強(qiáng)化機(jī)制,以提高涂層的硬度。Al元素的原子半徑比Cr小,固溶于CrN相,可以細(xì)化晶粒。另外,Al在高溫下可以形成穩(wěn)定的Al2O3膜,Al2O3比Cr2O3在高溫下更加穩(wěn)定,同時與基體具有更低的PBR值,可以降低氧化膜與涂層之間的生長應(yīng)力,從而具有更好的抗高溫氧化性能。有研究表明:涂層中Al含量越高,涂層的硬度和抗高溫氧化性能更高。但涂層中Al含量過高,Al/(Al+Cr)比值超過77 at.%時,Al與N元素會形成低硬度的六方相AlN(12 GPa),降低涂層的硬度、彈性模量等力學(xué)性能。為了防止hcp-AlN相形成,同時充分發(fā)揮有效元素Al的作用,本發(fā)明采用電弧離子鍍技術(shù)在高速鋼和硬質(zhì)合金基片上制備了一種高Al含量的AlxCr1-xN涂層(x=0.5~0.75)。該涂層由面心立方體結(jié)構(gòu)的(Al,Cr)N相組成,具有較高的硬度、抗高溫氧化性能和耐蝕性能,能夠廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代高速干切削加工領(lǐng)域,以提高刀具的使役壽命,降低切削液的使用量,實(shí)現(xiàn)綠色制造。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種兼具高硬度、高耐蝕性和高熱穩(wěn)定性能的AlCrN納米復(fù)合涂層及其制備工藝。

本發(fā)明的技術(shù)方案為:

采用電弧離子鍍技術(shù)在金屬或硬質(zhì)合金基體上沉積AlCrN納米復(fù)合涂層。為更好地調(diào)控涂層中Al和Cr元素的成分,分別采用純Cr金屬和純Al金屬作為靶材(純度均為99.9 wt.%,直徑80 mm)。4個純Cr靶和4個純Al靶相間地均勻分布在爐子的內(nèi)腔周圍,以保證沉積過程中爐腔內(nèi)具有均勻的高等離子體濃度。在沉積AlCrN涂層之前,采用-600~1000 V偏壓,對基片進(jìn)行輝光清洗。隨后開啟Cr靶,繼續(xù)采用高的負(fù)偏壓轟擊清洗基體,之后降低偏壓至-30~100 V在基體表面沉積一層10~300 nm厚的純金屬Cr層,以提高涂層與基體之間的結(jié)合力。隨后通入N2,沉積一層10~300 nm厚的CrN層。開啟純Al靶,實(shí)現(xiàn)Al和Cr共濺射,沉積AlCrN涂層。沉積過程中,嚴(yán)格控制爐腔內(nèi)的沉積壓強(qiáng)、通入Ar和N2氣體的流量和各個靶的電源功率,以制備出結(jié)構(gòu)致密、硬度高、韌性好的納米復(fù)合涂層AlCrN。

沉積參數(shù):

將預(yù)處理后的基片放進(jìn)鍍膜室轉(zhuǎn)架上,轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)速度為5~40 r/min,靶基距約為150 mm;采用機(jī)械泵和分子泵抽真空使真空室氣壓達(dá)到1×10-3 Pa以下,打開加熱系統(tǒng)將爐腔加熱至200~500 oC;打開Ar氣流量閥為50~150 sccm,調(diào)整真空室壓強(qiáng)為0.1~2 Pa,基片加-600~1000 V負(fù)偏壓,進(jìn)行輝光清洗10~20 min。開啟4個純Cr靶,靶材電流均為50~150 A,對基體進(jìn)行轟擊清洗5~30 min;隨后調(diào)整負(fù)偏壓至-30~100 V,沉積純Cr金屬層約5~20 min;打開N2氣流量閥50~200 sccm,調(diào)整真空室壓強(qiáng)為0.3~2 Pa,并控制N2/Ar比在0.5~3之間,沉積CrN層5~20 min;開啟4個純Al靶,電流為50~150 A,沉積AlCrN涂層,時間為30~200 min。沉積時間的長短根據(jù)所需要的涂層厚度而定。

該AlCrN納米復(fù)合涂層可應(yīng)用于各種金屬及硬質(zhì)合金基體;也可應(yīng)用于陶瓷材料表面。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)如下:

1. 本發(fā)明研制的AlCrN納米復(fù)合涂層具有較高的硬度和韌性,摩擦系數(shù)低,耐磨性能好。

2. 本發(fā)明研制的AlCrN納米復(fù)合涂層具有較高的高溫?zé)岱€(wěn)定性能和耐蝕性能,可用于高速干切削加工領(lǐng)域。

3. 本發(fā)明研制的AlCrN涂層厚度均勻且結(jié)構(gòu)致密,與基體具有良好的結(jié)合強(qiáng)度。

4. 本發(fā)明研制的AlCrN納米復(fù)合涂層制備工藝重復(fù)性好,應(yīng)用范圍廣,具有非常強(qiáng)的實(shí)用性。

附圖說明

圖1為采用電弧離子鍍技術(shù)制備的AlCrN納米復(fù)合涂層的XRD衍射譜圖。

具體實(shí)施方式

下面通過實(shí)例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。

實(shí)施例1

本實(shí)施例為在拋光處理后的高速鋼片上沉積AlCrN納米復(fù)合涂層,試樣尺寸為25×30×1 mm?;群笤诒?、酒精和蒸餾水中各超聲清洗20 min,然后用高純N2吹干,再放置于AIP-650型電弧離子鍍膜機(jī)內(nèi)正對靶材的試樣架上,轉(zhuǎn)架公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速選為10 r/min,靶基距為150 mm。靶材分別選用純金屬Cr和Al(純度均為99.99 wt. %),工作氣體和反應(yīng)氣體分別選用高純Ar和N2(純度均為99.999%)。

先將真空室的本底真空抽至1.0×10-3 Pa以下;打開加熱系統(tǒng),升溫至400 ℃,然后在真空室內(nèi)通入Ar氣60 sccm至鍍膜腔室內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到1 Pa,加-800 V負(fù)偏壓,輝光清洗20 min。開啟4個純Cr靶(靶電流選為80 A)對試樣表面進(jìn)行轟擊清洗,持續(xù)時間10 min;隨后降低偏壓至-50 V,先沉積金屬Cr過渡層,沉積時間為10 min,通入反應(yīng)氣體N2(純度99.999%)120 sccm,保持氮?dú)饬髁勘萅2/Ar為2,通過調(diào)節(jié)節(jié)流閥大小,使工作氣壓為0.8 Pa,沉積CrN層10 min。開啟4個Al靶,調(diào)節(jié)Al靶電流為100 A,沉積AlCrN納米復(fù)合涂層;鍍膜時間持續(xù)60 min。

圖1為本發(fā)明工藝下制備的AlCrN納米復(fù)合涂層的XRD衍射譜圖,可以看出AlCrN涂層由面心立方結(jié)構(gòu)的(Al,Cr)N涂層組成,沒有硬度低的六方相AlN生成。EDS測試涂層成分組成為35.55 at.% Al, 15.79 at.% Cr和48.66 at.% N。其中Al/(Al+Cr)原子百分比為0.692。涂層厚度為3.8 μm,硬度約為31.8 GPa。

實(shí)施例2

本實(shí)施例為在經(jīng)拋光處理的硬質(zhì)合金基片YG8上沉積AlCrN納米復(fù)合涂層,試樣尺寸為19×19×2 mm。基片先后在丙酮、酒精和蒸餾水中各超聲清洗20 min,然后用高純N2吹干,再放置于國產(chǎn)AIP-650型電弧離子鍍膜機(jī)內(nèi)正對靶材的試樣架上,轉(zhuǎn)架轉(zhuǎn)速選為20 r/min,靶基距為150 mm。靶材分別選用純金屬Cr和Al(純度均為wt. 99.9%),工作氣體和反應(yīng)氣體分別選用Ar和N2(純度均為99.999%)。

先將真空室的本底真空抽至1.0×10-3 Pa以下。打開加熱系統(tǒng),升溫至450 ℃,然后在真空室內(nèi)通入Ar氣90 sccm至鍍膜腔室內(nèi)壓強(qiáng)達(dá)到1 Pa,加-700 V負(fù)偏壓,輝光清洗20 min。開啟4個純Cr靶(靶電流選為60 A)對試樣表面進(jìn)行轟擊清洗,持續(xù)時間15 min;隨后降低偏壓至-50 V,先沉積純金屬Cr過渡層,沉積時間為10 min,通入反應(yīng)氣體N2(純度99.999%)180 sccm,保持N2/Ar流量比為2,工作氣壓為0.8 Pa,沉積20 min,沉積CrN層。同時開啟4個Al靶,調(diào)節(jié)Al靶電流為70 A,沉積納米復(fù)合AlCrN涂層;鍍膜時間持續(xù)70 min。

涂層的相組成和組織結(jié)構(gòu)與實(shí)施案例1中AlCrN納米復(fù)合涂層相同,由面心立方結(jié)構(gòu)的(Al,Cr)N涂層組成。EDS測試涂層表面元素成分為:31.35 at.% Al, 15.57 at.% Cr和53.08 at.% N,其中Al/(Al+Cr)原子百分比為0.668。涂層厚度約為4.2 μm,硬度高達(dá)34.9 GPa。

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