1.一種利用原子層沉積技術通過置換反應制備透明銅薄膜導電電極的方法，其步驟如下：
1)將透明基底依次用丙酮、乙醇及去離子水擦拭，并依次用丙酮、乙醇及去離子水超聲清洗，然后用氮氣吹干；
2)在步驟1)得到的透明基底的同一側表面粘貼兩條相互分立的保護膜，兩條保護膜對稱地位于基底表面靠近邊緣處的位置，得到圖形化透明基底，然后將該圖形化透明基底送入原子層沉積設備的反應室中；
3)向原子層沉積設備的反應室內依次通入反應物前驅體二乙基鋅和二(六氟乙酰丙酮)銅，在步驟2)得到的圖形化透明基底上沉積生長厚度為10～12nm的透明銅薄膜，生長完成后揭下保護膜；
4)將步驟3)得到的透明基底及其上沉積生長的透明銅薄膜高溫退火，退火溫度為200～300℃，退火時間為20～30min，從而在透明基底上得到圖形化的均勻透明銅薄膜導電電極。
2.如權利要求1所述的一種利用原子層沉積技術通過置換反應制備透明銅薄膜導電電極的方法，其特征在于：步驟1)中所述的透明基底為拋光玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚醚酰亞胺。
3.如權利要求1所述的一種利用原子層沉積技術通過置換反應制備透明銅薄膜導電電極的方法，其特征在于：步驟2)中所述的保護膜為硅片保護膜。
4.如權利要求1所述的一種利用原子層沉積技術通過置換反應制備透明銅薄膜導電電極的方法，其特征在于：步驟3)中所述的沉積是在原子層沉積系統(tǒng)中進行的，反應室內沉積壓力為0.1～1Torr，沉積溫度為100～130℃。
5.如權利要求1所述的一種利用原子層沉積技術通過置換反應制備透明銅薄膜導電電極的方法，其特征在于：步驟3)中二乙基鋅的脈沖時間為0.02s～0.03/循環(huán)，氮氣排空時間80s/循環(huán)以上；二(六氟乙酰丙酮)銅的脈沖時間0.08～0.1s/循環(huán)，氮氣排空時間120s/循環(huán)以上。