本發(fā)明涉及一種組合式修整器，尤指一種具有大鉆石單晶的組合式修整器。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體工業(yè)中，特別在目前線(xiàn)寬越來(lái)越小的發(fā)展趨勢(shì)下，晶圓表面的平坦化步驟更為關(guān)鍵，目前高階制程已全面使用化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)來(lái)達(dá)到全面平坦化效果。

但在化學(xué)機(jī)械研磨制程中因?yàn)閽伖鈮|會(huì)不斷的和晶圓產(chǎn)生摩擦，使得拋光墊上的溝紋逐漸消失，且化學(xué)機(jī)械研磨制程中產(chǎn)生的切削、反應(yīng)生成物等都會(huì)漸漸積存在拋光墊表面的細(xì)微溝槽中，容易造成拋光墊鈍化、堵塞，導(dǎo)致拋光墊表面劣化，容易對(duì)晶圓產(chǎn)生缺陷，因此，研磨墊修整器(paddresser)遂成為化學(xué)機(jī)械研磨(cmp)制程維持晶圓平坦性、均勻性的關(guān)鍵，用以適度的修整拋光墊，好讓拋光墊可以恢復(fù)原本的表面特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種具有大鉆石單晶的組合式修整器，其特征在于，包括：

一大基板；

復(fù)數(shù)個(gè)研磨單元，系設(shè)置于該大基板之一表面，該研磨單元包括一小基板以及復(fù)數(shù)個(gè)設(shè)置于該小基板上的大鉆石研磨顆粒，該大鉆石研磨顆粒具有一不小于300微米的粒徑；以及

一厚度可調(diào)節(jié)之黏著劑層，系固定該些研磨單元于該大基板之該表面，其中，最高的該研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的尖點(diǎn)與次高的該研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的尖點(diǎn)的高度差小于20微米，單一研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的第一高的尖點(diǎn)與第十高的尖點(diǎn)之高度差小于20微米，單一研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的第一高的尖點(diǎn)與第一百高的尖點(diǎn)之高度差小于40微米，且該第一高的尖點(diǎn)的突出高度大于50微米。

因此，相較于習(xí)知技術(shù)的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器，本發(fā)明采用了粒徑不小于300微米的大鉆石研磨顆粒，相較于習(xí)知粒徑較小的鉆石研磨顆粒的修整器，本發(fā)明的大鉆石研磨顆粒的突出量可以更多，且尖銳端的體積更多，研磨顆粒埋入該基板的深度也更多，故可以大幅延長(zhǎng)化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器的使用壽命，并具有更好的修整性能；且，本發(fā)明透過(guò)該黏著劑層將化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為最高的該研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的尖點(diǎn)與次高的該研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的尖點(diǎn)的高度差小于20微米，單一研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的第一高的尖點(diǎn)與第十高的尖點(diǎn)之高度差小于20微米，單一研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的第一高的尖點(diǎn)與第一百高的尖點(diǎn)之高度差小于40微米，且該第一高的尖點(diǎn)的突出高度大于50微米，亦較習(xí)知修整器具有更佳的平坦度，能提供更為均勻、一致且穩(wěn)定的修整表現(xiàn)。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的剖面示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例的俯視示意圖；

其中，10、大基板；11、表面；20、研磨單元；21、小基板；22、大鉆石研磨顆粒；30、黏著劑層；40、封膠層。

具體實(shí)施方式

于下文中，將搭配圖式詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。

請(qǐng)參考圖1，本發(fā)明為一種具有大鉆石單晶的組合式修整器，包括一大基板10、復(fù)數(shù)個(gè)研磨單元20以及一厚度可調(diào)節(jié)之黏著劑層30，該研磨單元20設(shè)置于該大基板10之一表面11，該研磨單元20分別包括一小基板21以及復(fù)數(shù)個(gè)設(shè)置于該小基板21上的大鉆石研磨顆粒22，該大鉆石研磨顆粒22具有一不小于300微米的粒徑。該黏著劑層30用于將該研磨單元20于固定該大基板10之該表面11。在本實(shí)施例中，該黏著劑層30可為環(huán)氧樹(shù)脂，且該組合式修整器可進(jìn)一步包括一封膠層40，增加該研磨單元20于該大基板10上之固定。

于本實(shí)施例中，該研磨單元20的數(shù)量為12個(gè)，如圖2所示之編號(hào)1至編號(hào)12，呈單圈排列。于本發(fā)明中，最高的該研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的尖點(diǎn)與次高的該研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的尖點(diǎn)的高度差小于20微米。最高的該研磨單元20系指全部的大鉆石研磨顆粒22中，最高者所處的該研磨單元20；次高的該研磨單元20系指全部的大鉆石研磨顆粒22中，次高者所處的該研磨單元20，然此處的該研磨單元20系與最高的該研磨單元20為相異者，例如分別為編號(hào)1和編號(hào)2的研磨單元20。

又于本發(fā)明中，單一研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的第一高的尖點(diǎn)與第十高的尖點(diǎn)之高度差小于20微米，例如編號(hào)3的研磨單元20上的該大鉆石研磨顆粒22，第一高的尖點(diǎn)與第十高的尖點(diǎn)之高度差小于20微米。單一研磨單元20中的大鉆石研磨顆粒22的第一高的尖點(diǎn)與第一百高的尖點(diǎn)之高度差小于40微米，例如編號(hào)4的研磨單元20上的該大鉆石研磨顆粒22，第一高的尖點(diǎn)與第一百高的尖點(diǎn)之高度差小于40微米。此外，于本發(fā)明中，全部的大鉆石研磨顆粒22的第一高的尖點(diǎn)的突出高度系大于50微米。

于本發(fā)明之一實(shí)施例中，該大鉆石研磨顆粒22的粒徑不小于500微米；于本發(fā)明之另一實(shí)施例中，該大鉆石研磨顆粒22的粒徑介于500微米至800微米之間。此外，該研磨單元20覆蓋該大基板10之面積占該大基板10的一表面總面積的40％以下。另外，本發(fā)明中，該研磨單元20系根據(jù)一圖案排列于該大基板10上，該圖案可為單圈、雙圈、多圈、放射狀、螺旋狀或其組合。

綜上所述，相較于習(xí)知技術(shù)的化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器，本發(fā)明采用了粒徑不小于300微米的大鉆石研磨顆粒，相較于習(xí)知粒徑較小的鉆石研磨顆粒的修整器，本發(fā)明的大鉆石研磨顆粒的突出量可以更多，且尖銳端的體積更多，研磨顆粒埋入該基板的深度也更多，故可以大幅延長(zhǎng)化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器的使用壽命，并具有更好的修整性能；且，本發(fā)明透過(guò)該黏著劑層將化學(xué)機(jī)械研磨墊修整器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為最高的該研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的尖點(diǎn)與次高的該研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的尖點(diǎn)的高度差小于20微米，單一研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的第一高的尖點(diǎn)與第十高的尖點(diǎn)之高度差小于20微米，單一研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的第一高的尖點(diǎn)與第一百高的尖點(diǎn)之高度差小于40微米，且該第一高的尖點(diǎn)的突出高度大于50微米，亦較習(xí)知修整器具有更佳的平坦度，能提供更為均勻、一致且穩(wěn)定的修整表現(xiàn)。

上述實(shí)施例僅為了方便說(shuō)明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實(shí)施例。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種具有大鉆石單晶的組合式修整器，包括：一大基板；復(fù)數(shù)個(gè)研磨單元，設(shè)置于該大基板之一表面，該研磨單元包括一小基板及復(fù)數(shù)個(gè)大鉆石研磨顆粒，該大鉆石研磨顆粒具有一不小于300微米的粒徑；以及一厚度可調(diào)節(jié)之黏著劑層，用于固定該研磨單元，最高的該研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的尖點(diǎn)與次高者的尖點(diǎn)的高度差小于20微米，單一研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的第一高的尖點(diǎn)與第十高的尖點(diǎn)之高度差小于20微米，單一研磨單元中的大鉆石研磨顆粒的第一高的尖點(diǎn)與第一百高的尖點(diǎn)之高度差小于40微米，第一高的尖點(diǎn)的突出高度大于50微米。

技術(shù)研發(fā)人員：張榮德;宋健民
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京清烯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.26
技術(shù)公布日：2017.07.11