本實用新型涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種實現(xiàn)離子源均勻照射鍍膜基片的屏蔽罩。

背景技術(shù)：

在真空鍍膜領(lǐng)域，離子輔助鍍膜的應(yīng)用比較廣泛。使用離子源時，如果離子源發(fā)射的荷能粒子作用于空白的鍍膜基片，則可以起到清洗和活化基片的作用；如果荷能粒子作用于鍍膜中的鍍膜基片，則還起到輔助沉積的作用。由于荷能粒子的作用，離子源輔助鍍膜的光學(xué)薄膜一般具有較好的致密度和較高的折射率。通常情況下，離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口為圓形，相應(yīng)地，在離子源向外部發(fā)射的自由空間中，荷能粒子的等能量線也呈圓形分布。

對于真空蒸發(fā)設(shè)備，通常在真空鍍膜腔室內(nèi)的頂部設(shè)置一個可旋轉(zhuǎn)的圓形鍍膜傘架，真空蒸發(fā)設(shè)備的蒸發(fā)源和離子源通常設(shè)置在真空鍍膜腔室的底部。鍍膜時，蒸發(fā)源和離子源開始工作，承載著鍍膜基片的鍍膜傘架以中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)為軸進(jìn)行轉(zhuǎn)動。當(dāng)離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口為圓形，且鍍膜傘架和離子源的相對傾斜角度較小時，離子源發(fā)射荷能粒子的等能量線在鍍膜傘架上的投影亦近似為圓形。易知，此時旋轉(zhuǎn)的圓形鍍膜傘架徑向上的基片在等能量線所圍成的圓的掃略時間通常情況下是不同的，因此，不能保證各個基片接受大致相等的粒子照射。一般情況下，要想實現(xiàn)鍍膜厚度均一性，可在蒸發(fā)源的上方設(shè)置膜厚補正板，通過膜厚補正板的形狀設(shè)計，選擇性地改變蒸發(fā)源膜料的發(fā)射角度來實現(xiàn)膜厚均一性。然而,要想實現(xiàn)薄膜致密度均一性，考慮到離子源發(fā)射出的為高能量粒子，類似膜厚補正板的方式有可能導(dǎo)致補正板被濺射而影響鍍膜品質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種實現(xiàn)離子源均勻照射鍍膜基片的屏蔽罩，通過設(shè)置扇形或類扇形的開口，實現(xiàn)鍍膜傘架徑向上的鍍膜基片接受到的荷能粒子的照射強度相等，提高薄膜致密度均一性。

本實用新型目的實現(xiàn)由以下技術(shù)方案完成：

一種實現(xiàn)離子源均勻照射鍍膜基片的屏蔽罩，涉及離子源對承載在可旋轉(zhuǎn)鍍膜傘架上的鍍膜基片進(jìn)行鍍膜，其特征在于：所述屏蔽罩設(shè)置在所述離子源的外圍，所述屏蔽罩的罩體頂部開設(shè)有扇形或類扇形開口，所述扇形或類扇形開口位于所述離子源的上方。

所述扇形或類扇形開口的大小滿足于使所述離子源發(fā)射的荷能粒子在所述鍍膜傘架上的投影覆蓋所述鍍膜基片的要求。

所述扇形或類扇形開口的圓心位于所述鍍膜傘架的中垂線上。

本實用新型的優(yōu)點是：實現(xiàn)鍍膜傘架徑向上的鍍膜基片接受到的荷能粒子照射強度大致相當(dāng)，從而形成均勻性較好的薄膜致密度；結(jié)構(gòu)簡單、合理，適用性強。

附圖說明

圖1為本實用新型的真空鍍膜室的正視圖；

圖2為本實用新型中離子源發(fā)射荷能粒子的扇形發(fā)射口的示意圖；

圖3為本實用新型中離子源發(fā)射荷能粒子的扇形發(fā)射口在鍍膜傘架上的投影示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖通過實施例對本實用新型特征及其它相關(guān)特征作進(jìn)一步詳細(xì)說明，以便于同行業(yè)技術(shù)人員的理解：

如圖1-3所示，圖中標(biāo)記1-10、31-33分別表示為：真空鍍膜室1、鍍膜傘架2、鍍膜基片3、中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4、離子源5、蒸發(fā)源6、離子源屏蔽罩7、蒸發(fā)源屏蔽罩8、膜厚補正板9、離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10、內(nèi)圈基片31、中圈基片32、外圈基片33。

實施例：本實施例中實現(xiàn)離子源均勻照射鍍膜基片的屏蔽罩設(shè)置在如圖1所示的鍍膜裝置之中。

如圖1所示，鍍膜裝置主體為真空鍍膜室1，真空鍍膜室1的內(nèi)部腔室為鍍膜空間。在真空鍍膜室1的頂部設(shè)置有中心回轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)4，鍍膜傘架2固定安裝在中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4上；在中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4的驅(qū)動下，鍍膜傘架2可在真空鍍膜室1的內(nèi)部繞中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4旋轉(zhuǎn)。在鍍膜傘架2上均勻布置有若干鍍膜基片3，按鍍膜傘架2的徑向由內(nèi)至外依次分為內(nèi)圈基片31、中圈基片32以及外圈基片33。在鍍膜傘架2的下方設(shè)置有用于對鍍膜基片3進(jìn)行鍍膜的離子源5和蒸發(fā)源6，離子源5和蒸發(fā)源6分別固定設(shè)置在真空鍍膜室1的底部。在蒸發(fā)源6和鍍膜傘架2之間設(shè)置有膜厚修正板9，膜厚修正板9的一端與真空鍍膜室1的腔室內(nèi)壁固定連接，蒸發(fā)源6的出射粒子經(jīng)膜厚修正板9的修正到達(dá)鍍膜傘架2上的鍍膜基片3，以提高鍍膜厚度均一性。

如圖1所示，離子源屏蔽罩7固定設(shè)置在離子源7的外圍，其罩體頂部開設(shè)有扇形的開口。如圖2所示，離子源屏蔽罩7上的扇形開口使離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10的截面形狀為扇形（圖2中ABCD所圍成的扇形區(qū)域）。此時，如圖3所示，呈扇形的離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10在鍍膜傘架2上的投影，即扇形發(fā)射區(qū)域在鍍膜傘架2上的等能量線所圍成的扇形區(qū)域為A’B’C’D’，該扇形區(qū)域覆蓋了內(nèi)圈基片31、中圈基片32以及外圈基片33。因此，旋轉(zhuǎn)的鍍膜傘架2徑向上的鍍膜基片在等能量線所圍成的扇形區(qū)域上掃略時，具有相同的角速度，使內(nèi)圈基片31、中圈基片32以及外圈基片33在該扇形區(qū)域內(nèi)的掃略時間相等，這樣一來內(nèi)圈基片31、中圈基片32以及外圈基片33所接受到的荷能粒子照射強度相同，從而形成均一性良好的薄膜致密度。離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10為鍍膜傘架2的中垂線與該開口所在平面的交點，以保證經(jīng)離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10所發(fā)射的荷能粒子可均勻的達(dá)到內(nèi)圈基片31、中圈基片32以及外圈基片33上。

本實施例在具體實施時：如圖1所示，在蒸發(fā)源6的外圍設(shè)置有蒸發(fā)源屏蔽罩8，蒸發(fā)源屏蔽罩8頂部開設(shè)有開口，可利用對開口形狀的設(shè)計調(diào)整蒸發(fā)源6的出射范圍，以提高鍍膜膜厚的均一性。

雖然以上實施例已經(jīng)參照附圖對本實用新型目的的構(gòu)思和實施例做了詳細(xì)說明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以認(rèn)識到，在沒有脫離權(quán)利要求限定范圍的前提條件下，仍然可以對本實用新型作出各種改進(jìn)和變換，如離子源發(fā)射荷能粒子的發(fā)射口10的開口大小，離子源屏蔽罩7的高度、具體結(jié)構(gòu)等，故在此不一一贅述。