本實(shí)用新型涉及真空鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種適用于對熱敏感的基片進(jìn)行鍍膜的鍍膜裝置。

背景技術(shù)：

對于真空蒸發(fā)設(shè)備，通常在真空鍍膜腔室內(nèi)設(shè)置一個可旋轉(zhuǎn)的鍍膜傘架，鍍膜傘架通過中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)被安裝在真空鍍膜腔室頂部。鍍膜時，承載著鍍膜基片的鍍膜傘架以中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)為軸進(jìn)行轉(zhuǎn)動，以有利于實(shí)現(xiàn)鍍膜均一性。真空蒸發(fā)設(shè)備的蒸發(fā)源可以選擇電子束蒸發(fā)源、電阻加熱蒸發(fā)源等。蒸發(fā)源通常設(shè)置在真空鍍膜腔室的底部，并朝向鍍膜傘架。真空蒸發(fā)設(shè)備通常還配備離子源，用于實(shí)現(xiàn)離子輔助鍍膜。對于上述的蒸發(fā)源和離子源，在使用過程中均會產(chǎn)生大量多余的熱量，從而造成鍍膜基片受到不必要的加熱。

一般情況下，可采用在真空鍍膜腔室的側(cè)壁和頂壁設(shè)置水冷管來降低真空鍍膜腔室內(nèi)的溫升，但是在一些特殊情況下，僅依靠側(cè)壁水冷降溫的方式還不能有效避免鍍膜基片受到有害熱輻射。尤其是一些對熱敏感的鍍膜基片，比如超薄ARTON樹脂基片，過多的熱量會導(dǎo)致基片材料性質(zhì)發(fā)生明顯變化，從而影響整體鍍膜品質(zhì)。針對上述問題，減小蒸發(fā)源和離子源的使用功率為一種解決途徑，但這還不能有效解決多余熱量到達(dá)鍍膜基片的問題，而且還可能導(dǎo)致由于功率下降影響成膜質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種適用于對熱敏感的基片進(jìn)行鍍膜的鍍膜裝置，通過在鍍膜傘架和鍍膜源之間設(shè)置加載了水冷機(jī)構(gòu)的水冷擋板，使鍍膜源的出射粒子在到達(dá)鍍膜基片之前被水冷擋板降溫，從而除去過多的熱量，避免鍍膜基片因受到過多的熱量而發(fā)生材料性質(zhì)變化，保證鍍膜品質(zhì)。

本實(shí)用新型目的實(shí)現(xiàn)由以下技術(shù)方案完成：

一種適用于對熱敏感的基片進(jìn)行鍍膜的鍍膜裝置，包括真空鍍膜室，在所述真空鍍膜室的腔室頂部具有可旋轉(zhuǎn)的鍍膜傘架，所述鍍膜傘架上具有用于承載鍍膜基片的工位，在所述真空鍍膜室的腔室內(nèi)具有鍍膜源，所述鍍膜源設(shè)置于所述鍍膜傘架的下方，其特征在于：在所述鍍膜源和所述鍍膜傘架之間設(shè)置有具有水冷機(jī)構(gòu)的水冷擋板，所述水冷擋板固定在所述真空鍍膜室之中，在所述水冷擋板上開設(shè)有開口，所述開口的開設(shè)位置對應(yīng)于所述鍍膜源的設(shè)置位置，滿足于使所述鍍膜源的出射粒子通過所述開口到達(dá)所述鍍膜傘架上的所述工位的需要。

所述真空鍍膜室的腔室內(nèi)具有至少兩個所述鍍膜源，所述水冷擋板上開設(shè)有與所述鍍膜源一一對應(yīng)的所述開口，所述開口之間通過設(shè)置在所述水冷擋板上的分割筋分隔。

在所述鍍膜源的外圍設(shè)置有屏蔽罩，所述屏蔽罩上具有開口，所述開口位于所述鍍膜源的出射區(qū)域中。

所述鍍膜源為蒸發(fā)源和離子源中的一種或兩種的組合。

所述開口為扇形或?yàn)閮蓚?cè)輪廓線是內(nèi)收弧線的類扇形。

所述水冷機(jī)構(gòu)為水冷管。

所述水冷擋板為不銹鋼水冷擋板或銅水冷擋板。

本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是：對于熱敏感基片的降溫效果明顯，保證鍍膜質(zhì)量；在降溫的同時，便于修正鍍膜均一性；結(jié)構(gòu)簡單，成本低。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的正視圖；

圖2為圖1的側(cè)視圖；

圖3為本實(shí)用新型水冷擋板以下部分的俯視圖；

圖4為本實(shí)用新型中水冷擋板的俯視圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖通過實(shí)施例對本實(shí)用新型特征及其它相關(guān)特征作進(jìn)一步詳細(xì)說明，以便于同行業(yè)技術(shù)人員的理解：

如圖1-4所示，圖中標(biāo)記1-15分別表示為：真空鍍膜室1、鍍膜傘架2、鍍膜基片3、中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4、第一蒸發(fā)源5、第二蒸發(fā)源6、離子源7、第一蒸發(fā)源屏蔽罩8、第二蒸發(fā)源屏蔽罩9、離子源屏蔽罩10、水冷擋板11、分割筋12、第一蒸發(fā)源開口13、第二蒸發(fā)源開口14、離子源開口15。

實(shí)施例：如圖1所示，本實(shí)施例中適用于對熱敏感的基片進(jìn)行鍍膜的鍍膜裝置包括真空鍍膜室1，真空鍍膜室1的腔室內(nèi)部為鍍膜空間。在真空鍍膜室1的頂部設(shè)置有中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4，鍍膜傘架2固定安裝在中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4上，在中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4的驅(qū)動下，鍍膜傘架2可繞中心回轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)4旋轉(zhuǎn)。在鍍膜傘架2上均勻布置有若干鍍膜基片3。

如圖1所示，在鍍膜傘架2的下方設(shè)置有第一蒸發(fā)源5、第二蒸發(fā)源6以及離子源7，三個鍍膜源均固定設(shè)置在真空鍍膜室1的內(nèi)部，用于對承載在鍍膜傘架2上的若干鍍膜基片3進(jìn)行鍍膜。結(jié)合圖1和圖2所示，第一蒸發(fā)源5和第二蒸發(fā)源6固定設(shè)置在真空鍍膜室1的底部，離子源7固定設(shè)置在真空鍍膜室1的側(cè)壁之上。

如圖1和圖2所示，在鍍膜傘架2與其下方的第一蒸發(fā)源5、第二蒸發(fā)源6、離子源7之間設(shè)置有水冷擋板11，水冷擋板11的兩端分別與真空鍍膜室1的腔室內(nèi)壁相連接固定。水冷擋板11具有水冷機(jī)構(gòu)（圖中未示出），水冷機(jī)構(gòu)可對水冷擋板11進(jìn)行冷卻，保證水冷擋板11具有較低的溫度。如圖4所示，水冷擋板11通過呈十字交叉狀布置的兩根分割筋12分隔成四個區(qū)域，在其中三個區(qū)域內(nèi)分別開設(shè)有第一蒸發(fā)源開口13、第二蒸發(fā)源開口14以及離子源開口15，其中第一蒸發(fā)源開口13的開設(shè)位置與第一蒸發(fā)源5的設(shè)置位置相對應(yīng)，第二蒸發(fā)源開口14與第二蒸發(fā)源6的設(shè)置位置相對應(yīng)，離子源開口15的開設(shè)位置與離子源7的設(shè)置位置相對應(yīng)，開設(shè)在水冷擋板11上的各開口與各鍍膜源之間的位置對應(yīng)滿足于使各鍍膜源的出射粒子能夠分別通過對應(yīng)的開口到達(dá)鍍膜傘架2上的各鍍膜基片3的需要。

結(jié)合圖1-圖3所示，在第一蒸發(fā)源5和第二蒸發(fā)源6的外圍分別設(shè)置有第一蒸發(fā)源屏蔽罩8和第二蒸發(fā)源屏蔽罩9，在離子源7的外圍設(shè)置有離子源屏蔽罩10；第一蒸發(fā)源屏蔽罩8、第二蒸發(fā)源屏蔽罩9以及離子源屏蔽罩10上分別開設(shè)有第一蒸發(fā)源開口13、第二蒸發(fā)源開口14、離子源開口15，三個開口分別對應(yīng)于三個鍍膜源且分別處于對應(yīng)的鍍膜源的出射區(qū)域內(nèi)，用于調(diào)整鍍膜源的出射范圍。各屏蔽罩上的開口與水冷擋板11上的開口位置相對應(yīng)。當(dāng)鍍膜源在鍍膜時，出射的粒子經(jīng)過屏蔽罩調(diào)整其出射范圍，而后經(jīng)過水冷擋板11到達(dá)鍍膜傘架2上的鍍膜基片3，由于出射離子在路徑上經(jīng)過水冷擋板11冷卻，因此在到達(dá)鍍膜基片3時，其多余的熱量已被去除，從而保證鍍膜基片不會受到過多的熱量而發(fā)生材料性質(zhì)變化，保證鍍膜品質(zhì)。

本實(shí)施例在具體實(shí)施時：為了提高鍍膜質(zhì)量，如圖4所示，第一蒸發(fā)源開口13和第二蒸發(fā)源開口14的形狀為兩側(cè)輪廓線為內(nèi)收弧線的類扇形，用于實(shí)現(xiàn)鍍膜的膜厚均一性；而離子源開口15的形狀為扇形，用于實(shí)現(xiàn)鍍膜致密度均一性。

水冷擋板11的材質(zhì)可選用不銹鋼或銅，以保證良好的冷卻效果。水冷機(jī)構(gòu)可選用水冷管，以方便地實(shí)現(xiàn)對水冷擋板11的冷卻。

水冷擋板11上的開口數(shù)量、分割筋12的分隔區(qū)域的大小及數(shù)量可根據(jù)鍍膜源的數(shù)量進(jìn)行相應(yīng)變化，以滿足一一對應(yīng)的需要。

雖然以上實(shí)施例已經(jīng)參照附圖對本實(shí)用新型目的的構(gòu)思和實(shí)施例做了詳細(xì)說明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以認(rèn)識到，在沒有脫離權(quán)利要求限定范圍的前提條件下，仍然可以對本實(shí)用新型作出各種改進(jìn)和變換，如各鍍膜源的設(shè)置位置、水冷擋板11的設(shè)置位置，開口形狀、大小、數(shù)量等，故在此不一一贅述。