本實(shí)用新型涉及一種冷卻裝置，特備是一種RENA單晶制絨設(shè)備拋光工藝?yán)鋮s裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有太陽能電池高效單晶拋光設(shè)備，如RENA單晶制絨設(shè)備刻蝕槽，在進(jìn)行拋光工藝的過程中釋放大量熱，制程溫度需求為75±2度,制程時間在4min左右,制程循環(huán)時間在6.5min左右，硅片在制程過程中會產(chǎn)生放熱，且導(dǎo)致溫度上升：初始溫度為75度，當(dāng)?shù)谝粧旒芊湃牍杵磻?yīng)完成后溫度上升到78度左右;當(dāng)?shù)诙旒芊湃牍杵磻?yīng)完成后溫度同78上升到81度左右，已無法滿足工藝要求。

由于沒有冷卻系統(tǒng)導(dǎo)致反應(yīng)液體溫度居高不下無法達(dá)到工藝溫度，導(dǎo)致無法進(jìn)行正常的工藝過程。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是：如何為現(xiàn)有的RENA單晶制絨設(shè)備提供一種一機(jī)多用的冷卻裝置。

本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是：RENA單晶制絨設(shè)備拋光工藝?yán)鋮s裝置：冷切水進(jìn)水管道上通過順序安裝的第一手動閥門、Y型過濾器后連接多個冷切水支管進(jìn)水管，每個冷切水支管進(jìn)水管通過第二手動閥門、電磁閥門、盤管連接到冷切水支管出水管，冷切水支管出水管連接冷切水出水管道，盤管安裝在刻蝕槽，盤管被刻蝕槽中的刻蝕液完全浸泡。

作為一種優(yōu)選方式：電磁閥門連接控制芯片。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型將制程藥水控制在設(shè)定范圍，不僅可連續(xù)生產(chǎn)，工藝也穩(wěn)定可控。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是盤管結(jié)構(gòu)示意圖；

其中，1、第一手動閥門，2、Y型過濾器，3、冷切水進(jìn)水管道，4、冷切水出水管道，5、電磁閥門，6、第二手動閥門，7、冷切水支管進(jìn)水管，8、冷切水支管出水管，9、刻蝕槽，10、盤管。

具體實(shí)施方式

如圖1所示（只畫出一個刻蝕槽中的冷切水支管，其它刻蝕槽類似），在拋光開始前首先打開第一手動閥門和需要使用的刻蝕槽上的第二手動閥門，設(shè)置好刻蝕槽內(nèi)部需要保持的溫度，拋光過程，如果刻蝕槽內(nèi)部液體的溫度超過設(shè)定值，控制芯片控制電磁閥門打開，冷切水通過盤管對刻蝕槽內(nèi)部液體進(jìn)行冷卻。本實(shí)用新型裝置徹底解決了拋光工藝過程中的熱量散發(fā)問題，保證了拋光過程的持續(xù)進(jìn)行。