技術總結
公開了用于外延生長裝置的腔室部件。反應腔室由頂板來界定和形成。反應氣體在側壁中所設置的反應氣體供應路徑中整流，使得在所述反應腔室中的所述反應氣體的流動方向上的水平分量對應于從所述反應氣體供應路徑的開口的中心延伸的方向上的水平分量。對所述外延生長裝置的上側壁、基座和整流板的改進已使得提高了基板上形成的外延層的均勻性和形成速度，從而使得產量更高并且缺陷更少。

技術研發(fā)人員：大木慎一;森義信
受保護的技術使用者：應用材料公司
文檔號碼：201620241726
技術研發(fā)日：2016.03.25
技術公布日：2017.01.04