1.一種成膜裝置，其在成為試樣的基材上形成薄膜層，所述成膜裝置的特征在于：
具有反應(yīng)室，所述反應(yīng)室具備：載置所述試樣的試樣保持機(jī)構(gòu)以及包含排氣系統(tǒng)配管的排氣機(jī)構(gòu)，
所述反應(yīng)室包括：原料供給部件，在所載置的所述試樣的附近將成為所述薄膜層的原料的硅原料與氧化性氣體混合；
能量供給部件，對(duì)所供給的所述硅原料與所述氧化性氣體施加能量，利用所述氧化性氣體使所述硅原料氧化而形成薄膜層；以及
未反應(yīng)的原料回收部件，使未供給至所述氧化的未反應(yīng)的原料在所述排氣機(jī)構(gòu)中分解或者吸附于分解物上；并且
所述硅原料為含有硅、氧及碳的至少一種有機(jī)化合物，
在能量供給工序中，以在將所述硅原料1分子化學(xué)計(jì)量性地完全氧化的情況下所生成的全氧化物的合計(jì)分子數(shù)A與所述硅原料中所含的硅的原子數(shù)B滿足(A-B)/B≤6.75的關(guān)系的方式，調(diào)整所述硅原料以及所述氧化性氣體的至少任一個(gè)的供給量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：所述未反應(yīng)的原料回收部件是將廢氣冷卻而吸附未反應(yīng)的原料的冷阱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置，其特征在于：對(duì)較所述冷阱更位于反應(yīng)室側(cè)的所述排氣系統(tǒng)配管的至少一部分進(jìn)行加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：所述未反應(yīng)的原料回收部件是利用等離子體，將所述未反應(yīng)的原料分解的等離子體式凈化裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：具備過(guò)濾器，所述過(guò)濾器對(duì)因所述未反應(yīng)的原料回收部件中的所述未反應(yīng)的原料的分解或者在分解物上的吸附而生成的粉塵進(jìn)行捕集。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：所述排氣機(jī)構(gòu)為真空排氣機(jī)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成膜裝置，其特征在于：所述真空排氣機(jī)構(gòu)具備油再循環(huán)器，所述油再循環(huán)器使旋轉(zhuǎn)泵的真空油循環(huán)而去除固體成分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：所述能量供給工序?yàn)榈入x子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：所述能量供給工序?yàn)榛瘜W(xué)氣相沉積法。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的成膜裝置，其特征在于：所述能量供給工序?yàn)楣饣瘜W(xué)氣相沉積法。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：所述能量供給部件中的能量并用選自由等離子體、熱及光所組成的群組中的至少兩種能量。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：所述硅原料包含具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的化合物。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的成膜裝置，其特征在于：所述具有環(huán)狀結(jié)構(gòu)的化合物為環(huán)狀硅氧烷化合物以及環(huán)狀硅氮烷化合物的至少任一個(gè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的成膜裝置，其特征在于：所述環(huán)狀硅氧烷化合物為選自由八甲基環(huán)四硅氧烷、四甲基環(huán)四硅氧烷以及六甲基環(huán)三硅氧烷所組成的群組中的至少一種化合物。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的成膜裝置，其特征在于：所述環(huán)狀硅氮烷化合物為2，2，4，4，6，6-六甲基環(huán)三硅氮烷。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：所述硅原料包含單甲基硅烷以及二甲基硅烷的至少任一個(gè)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：形成所述薄膜層的反應(yīng)僅為所述硅原料的利用所述氧化性氣體的氧化反應(yīng)。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：形成所述薄膜層的反應(yīng)進(jìn)而在稀有氣體的存在下進(jìn)行。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：具備控制機(jī)構(gòu)，其在形成所述薄膜層的反應(yīng)中，用以使所述氧化性氣體的供給量不會(huì)超過(guò)為了使所述硅原料化學(xué)計(jì)量性地完全氧化而必需的量。