技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及消除在原子層沉積中二氧化硅膜的接縫的系統(tǒng)和方法。一種用于填充在襯底中的溝槽的方法包括使溝槽部分地填充有第一二氧化硅層。在所述二氧化硅層上沉積非晶硅層。使所述溝槽填充有第二二氧化硅層。在所述襯底上進(jìn)行氧化處理，以氧化所述非晶硅層。

技術(shù)研發(fā)人員：唐偉;詹森·達(dá)埃金·帕克;巴特·范斯查文迪克;卡伊翰·阿什蒂亞尼
受保護(hù)的技術(shù)使用者：朗姆研究公司
文檔號碼：201610408823
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.12
技術(shù)公布日：2016.12.21