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一種超細硅環(huán)的拋光方法與流程

文檔序號:11879563閱讀:2044來源:國知局
一種超細硅環(huán)的拋光方法與流程

本發(fā)明涉及一種超細硅環(huán)的拋光方法,屬于機械加工技術領域。



背景技術:

一般在制造半導體集成電路的時候,需要對硅晶片上形成的層間絕緣層(SiO2)進行刻蝕工藝。為了對帶有絕緣層的硅片進行刻蝕,要使用等離子刻蝕裝置,如圖1所示。在該等離子刻蝕裝置中,刻蝕氣體1通過設置于硅電極板2的貫穿細孔朝向硅片5并同時施加高頻電壓,從而在等離子體刻蝕用硅電極板2和硅片5之間產(chǎn)生了等離子體2,該等離子體2作用于硅片5,從而實現(xiàn)對硅片5表面絕緣層的刻蝕。在該過程中,硅片5被置于載片臺4上。由于工藝或硅片的不同,載片臺4的結構也各不相同,統(tǒng)稱為硅環(huán)。

在等離子體刻蝕硅片5時,承載硅片5的硅環(huán)4也會受到等離子體的刻蝕作用,若硅環(huán)4的表面存在損傷的話,在刻蝕過程中會產(chǎn)生各種雜質(zhì),對待刻蝕的硅片5造成沾污,影響最終產(chǎn)品的良率,因此一般需要硅環(huán)的表面為拋光表面。硅環(huán)整體結構一般使用加工中心完成,之后采用腐蝕和化學機械拋光方法獲得拋光表面。但通常會存在部分特殊結構的硅環(huán),該種硅環(huán)極細,在受力情況下極易破碎,因此使用正常的拋光方法難以對其進行加工。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種超細硅環(huán)的拋光方法,以有效的降低超細硅環(huán)在拋光加工過程中的碎片幾率,提高超細硅環(huán)拋光加工的穩(wěn)定性。

為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用以下技術方案:

一種超細硅環(huán)的拋光方法,該方法包括以下步驟:(1)在拋光頭上制作略大于超細硅環(huán)尺寸的凹槽,使得在凹槽內(nèi)外徑表面及凹槽底面貼附拋光布后,硅環(huán)恰好卡在凹槽內(nèi),且硅環(huán)露出拋光頭表面;(2)將拋光頭安裝在拋光機上,對硅環(huán)進行拋光,一面拋光完成后,將硅環(huán)翻面,對硅環(huán)另一面進行拋光,從而完成對硅環(huán)的雙面拋光加工。

其中,所述凹槽在底部貼附拋光布后,其深度大于硅環(huán)厚度的1/2,小于硅環(huán)厚度減去拋光去除量所得到的數(shù)值。

在所述步驟(2)中,拋光過程包括拋光液拋光與水拋光過程。。

本發(fā)明的優(yōu)點在于:

在本發(fā)明中,將硅環(huán)卡在略大于其尺寸的凹槽內(nèi),大大減小了硅環(huán)在拋光過程中受到的剪切力,從而降低其破碎的幾率,提高拋光加工的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1為等離子刻蝕裝置示意圖。

圖2為本發(fā)明加工后的拋光頭的結構。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明做進一步說明,但本發(fā)明的實施方式不限于此。

如圖2所示,在拋光頭6上制作略大于超細硅環(huán)7尺寸的凹槽8,使得在凹槽內(nèi)外徑表面及凹槽底面貼附拋光布后,硅環(huán)恰好卡在凹槽內(nèi),且硅環(huán)露出拋光頭表面。在對硅環(huán)進行拋光時,將拋光頭安裝在搖臂拋光機或其他拋光機上,對硅環(huán)進行拋光,一面拋光完成后,將硅環(huán)翻面,對硅環(huán)另一面進行拋光,從而完成對硅環(huán)的雙面拋光加工。

實施例1

本實施例中加工的超細硅環(huán)內(nèi)徑為296mm,外徑為308mm,厚度為3.6mm。該硅環(huán)的寬度僅為6mm,在正常的拋光過程中碎片幾率極高。

通過本發(fā)明的方法,在拋光頭上制作略大于硅環(huán)尺寸的凹槽,外徑為309.3mm,內(nèi)徑為294.7mm,深度為3mm。在凹槽內(nèi)貼附的拋光布為SUBA800,其厚度約為1.3mm。使用該方法對超細硅環(huán)進行加工,連續(xù)加工10片無碎片發(fā)生,且拋光后硅環(huán)表面完好。

可見本發(fā)明可有效降低超細硅環(huán)在拋光過程中的碎片概率,提高拋光過程的穩(wěn)定性。

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