本發(fā)明涉及一種研磨機(jī)，其用于將電子或離子發(fā)射源的金屬或陶瓷絲(以下簡(jiǎn)稱“基底絲”)前端在研磨成錐形尖端的過程中磨出表面縱向紋路。

背景技術(shù)：

如圖1-2中所示，傳統(tǒng)研磨機(jī)中磨盤3隨電機(jī)旋轉(zhuǎn)，而基底絲套筒1固定在支架上。在磨制過程中，將基底絲2插入套筒1內(nèi)傾斜接觸磨盤3?；捉z2受到磨盤3的磨削力時(shí)，除了漸漸磨制成型外，還在套筒1內(nèi)隨機(jī)運(yùn)動(dòng)，從而形成了磨制的角度。經(jīng)過一段時(shí)間的磨制，可以磨出相對(duì)對(duì)稱的基底絲尖端，但是所形成的尖端的表面紋路是橫向的。

在液態(tài)金屬離子源的使用中，基底絲尖端的表面紋路方向影響液態(tài)金屬的流動(dòng)性。若基底絲尖端的表面紋路方向?yàn)闄M紋，往往影響離子束發(fā)射電流的穩(wěn)定性和連續(xù)性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的就在于提供一種研磨機(jī)，將基底絲尖端的表面紋路方向從橫紋改成縱紋。該研磨機(jī)特別適用于包括鎵金屬液態(tài)金屬離子源在內(nèi)的液態(tài)金屬離子源的基底絲尖端的磨削。

為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的研磨機(jī)包括：

底座，其具有傾斜表面并設(shè)有支架；

磨盤，其可旋轉(zhuǎn)地支撐在所述底座的所述傾斜表面上并平行于所述傾斜表面布置；

電機(jī)，其驅(qū)動(dòng)所述磨盤旋轉(zhuǎn)；

套筒，其安裝到所述支架的末端，其中，待研磨的基底絲固定到所述套筒內(nèi)，所述基底絲的自由端與所述磨盤傾斜接觸，接觸點(diǎn)和所述磨盤的中心之間的連線垂直于所述基底絲在所述磨盤上的投影；

微分頭微調(diào)機(jī)構(gòu)，其保持將所述基底絲壓靠在所述磨盤上；以及

同步電機(jī)，其驅(qū)動(dòng)所述套筒圍繞所述套筒的中心軸線旋轉(zhuǎn)，以帶動(dòng)所述套筒內(nèi)的所述基底絲旋轉(zhuǎn)，通過磨盤將所述基底絲的自由端磨成具有縱向表面紋路的錐形尖端。

在本發(fā)明的研磨機(jī)中，磨盤隨電機(jī)旋轉(zhuǎn)，基底絲被套筒夾住，和套筒之間沒有相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)，而套筒被同步電機(jī)帶動(dòng)而旋轉(zhuǎn)。在磨制過程中，通過微分頭微調(diào)機(jī)構(gòu)，將磨制的基底絲壓在磨盤上，經(jīng)過一段時(shí)間，可磨出相對(duì)均勻的具有縱向表面紋路的錐形尖端。

附圖說明

本發(fā)明的其它特征以及優(yōu)點(diǎn)將通過以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述的優(yōu)選實(shí)施方式更好地理解，其中：

圖1示出了現(xiàn)有的研磨機(jī)；

圖2示出了使用圖1中的研磨機(jī)磨出的基底絲；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的研磨機(jī)；以及

圖4示出了使用圖3中的研磨機(jī)磨出的基底絲。

具體實(shí)施方式

在以下優(yōu)選的實(shí)施例的具體描述中，將參考構(gòu)成本發(fā)明一部分的所附的附圖。所附的附圖通過示例的方式示出了能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的特定的實(shí)施例。示例的實(shí)施例并不旨在窮盡根據(jù)本發(fā)明的所有實(shí)施例?？梢岳斫?，在不偏離本發(fā)明的范圍的前提下，可以利用其他實(shí)施例，也可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)性或者邏輯性的修改。

在以下的具體描述中，方向性的術(shù)語，例如“左”、“右”、“前”、“后”、“頂部”、“底部”、“向前”、“向后”等，參考附圖中描述的方向使用。本發(fā)明的實(shí)施例的部件可被置于多種不同的方向， 方向性的術(shù)語是用于示例的目的而非限制性的。

如圖3-4中所示，本發(fā)明的研磨機(jī)主要包括底座10、磨盤20、電機(jī)(未圖示)、套筒30、同步電機(jī)40和微分頭微調(diào)機(jī)構(gòu)70。

其中，底座10具有傾斜表面11并設(shè)有支架12。磨盤20可旋轉(zhuǎn)地支撐在底座10的傾斜表面11上并平行于傾斜表面11布置，電機(jī)(未示出)驅(qū)動(dòng)磨盤20旋轉(zhuǎn)。套筒30安裝到支架12的末端，待研磨的基底絲50固定到套筒30內(nèi)，基底絲50的自由端與磨盤20傾斜接觸，沿著垂直于磨盤20的方向看去，接觸點(diǎn)和磨盤20的中心之間的連線垂直于基底絲50在磨盤20上的投影。優(yōu)選地，接觸點(diǎn)位于磨盤20的半徑的中間部分。微分頭微調(diào)機(jī)構(gòu)70保持將基底絲50壓靠在磨盤20上，同步電機(jī)40驅(qū)動(dòng)套筒30圍繞套筒30的中心軸線旋轉(zhuǎn)，以帶動(dòng)套筒30內(nèi)的基底絲50旋轉(zhuǎn)，通過磨盤20將基底絲50的自由端磨成具有縱向表面紋路的錐形尖端。

在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，當(dāng)朝著磨盤20觀察時(shí)，接觸點(diǎn)位于磨盤20的左側(cè)，磨盤20沿著逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。在另一優(yōu)選實(shí)施例中，接觸點(diǎn)位于磨盤20的右側(cè)，磨盤20沿著順時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)。

優(yōu)選地，套筒30內(nèi)設(shè)有用于夾緊基底絲50的夾頭。

優(yōu)選地，磨盤20通過轉(zhuǎn)軸60支撐在底座10的傾斜表面11上，電機(jī)設(shè)置在轉(zhuǎn)軸60上。

優(yōu)選地，基底絲50為液態(tài)金屬離子源的基底絲，例如，鎵金屬液態(tài)金屬離子源的基底絲。

優(yōu)選地，基底絲50與磨盤20之間的夾角在30°到40°之間，更優(yōu)選為35°，以確保得到較佳的研磨效果，獲得更好的縱向表面紋路。

在圖中所示的實(shí)施例中，磨盤20的轉(zhuǎn)速為1500r/min，和/或套筒30的轉(zhuǎn)速為30r/min。

在本發(fā)明的研磨機(jī)中，磨盤20隨電機(jī)旋轉(zhuǎn)，基底絲50被套筒30夾住，基底絲50和套筒30之間沒有相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)，而套筒30被同步電機(jī)40帶動(dòng)而旋轉(zhuǎn)。在磨制過程中，通過微分頭微調(diào)機(jī)構(gòu)70，將磨制的基底絲50壓靠在磨盤20上，經(jīng)過一段時(shí)間，可磨出相對(duì)均勻的具有縱 向表面紋路的錐形尖端。

本發(fā)明可運(yùn)用于各種用于電子或離子發(fā)射源的金屬或陶瓷絲需要磨出錐形尖端的場(chǎng)合，亦可運(yùn)用于類似需要加工出縱向表面紋路的金屬或陶瓷絲尖端的場(chǎng)合。

以上已揭示本發(fā)明的具體實(shí)施例的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)，然而可以理解，在本發(fā)明的創(chuàng)作思想下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)上述公開的各種特征和未在此明確示出的特征的組合作各種變化和改進(jìn)，但都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。上述實(shí)施例的描述是示例性的而不是限制性的，本發(fā)明的保護(hù)范圍由權(quán)利要求所確定。