一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具的制作方法
【專利摘要】一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具，包括掩膜部分、滑動(dòng)阻擋部分和緊固部分。所述掩膜部分由兩片結(jié)構(gòu)相同的掩膜板組成。所述的滑動(dòng)阻擋部分由阻擋板、阻擋片、滑塊組成。兩片掩膜板中分別裝入待濺射陶瓷基體，滑動(dòng)阻擋部分位于兩片掩膜板之間，夾具對(duì)位扣緊后由緊固部分緊固。夾具豎立后，滑塊沿阻擋片的傾斜滑道滑下，將阻擋片推向兩側(cè)，進(jìn)而將阻擋片兩側(cè)的待濺射陶瓷基體頂緊在掩膜板上，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)不同厚度陶瓷基體的密封，解決了磁控濺射工藝規(guī)模化生產(chǎn)中因陶瓷基體厚度差異導(dǎo)致的密封不嚴(yán)問題，提高了磁控濺射法制備陶瓷電子元器件電極的合格率，使磁控濺射工藝用于批量化制造陶瓷電子元器件電極成為現(xiàn)實(shí)。
【專利說明】一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具，尤其指一種在磁控濺射工藝濺射陶瓷電子元器件電極中直立使用，起固定和遮蔽陶瓷基體作用的掩膜夾具。

【背景技術(shù)】
[0002]目前瓷介電容器、壓敏電阻器、熱敏電阻器、壓電陶瓷等陶瓷電子元器件的電極化方法主要是絲網(wǎng)印刷法。絲網(wǎng)印刷法也稱燒滲法，屬傳統(tǒng)方法，通過將所需形狀外的絲網(wǎng)孔洞阻塞，制備出所需的電極區(qū)域，電極區(qū)域內(nèi)的絲網(wǎng)保持其固有細(xì)孔，印刷時(shí)，刮刀刮壓金屬漿料，使之透過絲網(wǎng)，均勻印制到陶瓷基體上，進(jìn)而通過高溫?zé)凉B的方法使二者結(jié)合，實(shí)現(xiàn)陶瓷表面金屬化。隨著電子元器件尺寸日益減小，行業(yè)內(nèi)對(duì)電子元器件電極一致性要求更加嚴(yán)格，而絲網(wǎng)印刷工藝中，絲網(wǎng)不同區(qū)域下陶瓷基體與絲網(wǎng)間距的差異及難以避免的絲網(wǎng)刮印伸縮等因素決定了絲網(wǎng)印刷工藝不適合當(dāng)前對(duì)電極精確控制的要求，此外，絲網(wǎng)印刷法需經(jīng)過高溫?zé)凉B的過程，其所用電子漿料，需采用微米級(jí)金屬粉體，整個(gè)工藝能源消耗較大，原料制備復(fù)雜。為降低能耗、提升效率、精確實(shí)現(xiàn)陶瓷電子元器件的電極化，業(yè)內(nèi)積極開展了陶瓷電子元器件電極化新方法的探索。
[0003]近年陶瓷電子元器件生產(chǎn)廠家才開始將磁控濺射法用于產(chǎn)品電極化，磁控濺射法屬于真空鍍法，以其低能耗，高重復(fù)性，精確可控成為目前最佳的新型電極化工藝方法，其基本原理是在真空中利用電磁場(chǎng)產(chǎn)生高密度的荷能粒子，荷能粒子受靶材電場(chǎng)的吸引轟擊靶材，濺射出的大量靶材原子會(huì)在基片上沉積成膜，由于濺射粒子初始動(dòng)能大，所以膜層致密，與陶瓷基體結(jié)合牢固。磁控濺射法無需高溫?zé)凉B工藝，其能耗低，濺射前后陶瓷基體溫升不大，工藝重復(fù)性好，只需控制濺射時(shí)間即可精確控制電極層厚度，此外，磁控濺射法中陶瓷電子元器件所需的電極靶材大部分采用熔融鑄造法制備，相比于當(dāng)前的普遍采用的金屬漿料，成本優(yōu)勢(shì)明顯。磁控濺射法的基本工藝流程為:陶瓷基體清洗-烘干-基體裝入掩膜夾具-掩膜夾具裝入濺射承載架-入濺射鍍膜機(jī)濺射-冷卻后出鍍膜機(jī)，磁控濺射法目前未能在陶瓷電子元器件電極化方面大范圍應(yīng)用，制約其推廣的主要原因是掩膜夾具無法做到完全密封?，F(xiàn)有技術(shù)采用的掩膜夾具結(jié)構(gòu)如圖1、2所示，掩膜夾具由兩片結(jié)構(gòu)相同的掩膜板組成，每片掩膜板上排布多個(gè)可放入待濺射陶瓷基體的凹槽，例如，待濺射陶瓷基體為圓柱體形的壓敏電阻器基體，相應(yīng)掩膜板凹槽也為圓柱體形，凹槽底部開有通透口，通透口形狀即濺射后的電極形狀，兩片掩膜板面對(duì)稱的扣緊，待濺射陶瓷基體位于掩膜板凹槽封閉的空腔內(nèi)。使用螺絲或夾子將掩膜板緊固后，待濺射陶瓷基體被掩膜板夾緊，僅有與通透口接觸的部分暴露在外，最終在陶瓷基體兩側(cè)同時(shí)濺射出電極。由于規(guī)模化生產(chǎn)中陶瓷基體必然存在厚度差異，無法保證每一片陶瓷基體都能被掩膜板夾緊，濺射過程中，靶材金屬以原子形態(tài)在濺射腔內(nèi)運(yùn)動(dòng)，并以各種角度撞擊掩膜夾具中的陶瓷基體，當(dāng)掩膜夾具密閉不嚴(yán)時(shí)，靶材金屬沿著掩膜板與基體間隙沖入掩膜夾具內(nèi)部，使本應(yīng)絕緣的陶瓷基體側(cè)面掛附金屬，造成密閉不良片周邊數(shù)片陶瓷基體性能異常。當(dāng)前，同批次陶瓷基體厚度相差0.05mm以上即會(huì)導(dǎo)致密封不良，陶瓷基體性能異常。除規(guī)?；癁R射時(shí)會(huì)出現(xiàn)密閉性不良外，現(xiàn)有掩膜夾具還存在通用性差的問題，夾具掩膜板中凹槽深度一般為待濺射基體厚度的一半，這也就意味著，每種規(guī)格的陶瓷基體都需要一組掩膜夾具，所需的掩膜夾具數(shù)量龐大，其制造、維護(hù)成本較高。掩膜夾具的以上問題嚴(yán)重限制了磁控濺射法在陶瓷電子元器件電極化方面的應(yīng)用。當(dāng)前，業(yè)內(nèi)需要一種新型掩膜夾具來改善這一問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型需解決的技術(shù)問題是提供一種用于磁控濺射工藝的，密閉性、通用性好的立式掩膜夾具，它可以在陶瓷基體存在厚度差異的情況下，保證每塊陶瓷基體與掩膜板間無間隙，使同一掩膜夾具，可搭載多種厚度的陶瓷基體。
[0005]本實(shí)用新型解決現(xiàn)有技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具，其包括有掩膜部分、滑動(dòng)阻擋部分和緊固部分，所述掩膜部分由第一掩膜板和第二掩膜板組成，兩塊掩膜板結(jié)構(gòu)相同，掩膜板上開有多個(gè)可放置待濺射陶瓷基體的凹槽，凹槽底面開有通透口，通透口與凹槽底面相交面積小于凹槽底面面積，通透口貫穿掩膜板，第一掩膜板與第二掩膜板之間為滑動(dòng)阻擋部分，所述滑動(dòng)阻擋部分由第一阻擋板、第二阻擋板、第一阻擋片、第二阻擋片、滑塊組成，兩塊阻擋板結(jié)構(gòu)相同，阻擋板上同樣開有凹槽，位置與掩膜板凹槽對(duì)應(yīng)，形狀相似，阻擋板凹槽底面面積大于掩膜板凹槽底面面積，阻擋板凹槽兩側(cè)開有阻擋片滑動(dòng)定位槽，滑動(dòng)定位槽與阻擋板凹槽連通，深度相同，呈圓柱形，阻擋板凹槽底面開有通透口，形狀與掩膜板凹槽相似，阻擋板通透口底面與掩膜板凹槽底面全等，第一阻擋片、第二阻擋片的底面全等于阻擋板凹槽與滑動(dòng)定位槽共同組成的底面形狀，阻擋片側(cè)面與底面垂直，兩塊阻擋片結(jié)構(gòu)相同，阻擋片一側(cè)開出傾斜的滑道，滑塊呈楔形，放置于兩塊阻擋片相對(duì)扣住后組成的楔形滑道內(nèi)，兩塊阻擋片與其間的滑塊放置于第一阻擋板與第二阻擋板面對(duì)稱壓緊后阻擋板凹槽形成的空腔內(nèi)，阻擋片定位部分位于滑動(dòng)定位槽中，夾具豎起后，滑塊在重力作用下下滑，將阻擋片頂緊在阻擋板凹槽底面，所述的緊固部分由螺紋孔及螺絲組成，緊固滑動(dòng)阻擋部分的螺絲頂部嵌入阻擋板內(nèi)，螺紋孔避開阻擋板凹槽，并貫穿第一、第二阻擋板，緊固整個(gè)夾具的螺紋孔避開掩膜板、阻擋板凹槽，并貫穿第一、第二掩膜板，第一、第二阻擋板。
[0006]進(jìn)一步的，所述的掩膜板凹槽底面為圓形、矩形、橢圓形的一種。
[0007]進(jìn)一步的，所述的阻擋板凹槽底面為圓形、矩形、橢圓形的一種。
[0008]進(jìn)一步的,所述的掩膜板通透口為圓臺(tái)形、棱臺(tái)形、橢圓臺(tái)形的一種。
[0009]進(jìn)一步的，所述的阻擋板通透口為圓柱形、長(zhǎng)方體形、橢圓柱形的一種。
[0010]陶瓷電子元器件的陶瓷基體普遍為圓柱形、橢圓柱形、長(zhǎng)方體形，其對(duì)應(yīng)的掩膜板和阻擋板的凹槽也為圓柱形、橢圓柱形或立方體形，掩膜板凹槽深度與阻擋板通透口厚度的和小于待濺射陶瓷基體的厚度，可實(shí)現(xiàn)陶瓷基體放入掩膜板凹槽后仍有部分未進(jìn)入凹槽，將掩膜板與滑動(dòng)阻擋部分對(duì)應(yīng)緊固后，陶瓷基體未進(jìn)入掩膜板凹槽的部分透過阻擋板通透口進(jìn)入阻擋板凹槽內(nèi)，豎立夾具后，滑塊沿滑道下滑，將阻擋片推向兩側(cè)，將陶瓷基體頂緊在掩膜板通透口，完成密封。阻擋片通透口與掩膜板凹槽位置對(duì)應(yīng)、形狀相似、底面形狀全等的設(shè)計(jì)，可保證掩膜板凹槽內(nèi)的陶瓷基體順利進(jìn)入阻擋板凹槽。阻擋板滑動(dòng)定位槽的設(shè)計(jì)，保證了阻擋片在滑塊推動(dòng)、夾具安裝過程中無轉(zhuǎn)動(dòng)，避免了滑道轉(zhuǎn)向后裝夾過程中滑塊意外下滑，將阻擋片推至阻擋板通透口，導(dǎo)致掩膜板中陶瓷基體無法裝入阻擋板通透口，夾具無法密閉的問題。裝夾順序?yàn)?，將待濺射陶瓷基體排入掩膜板凹槽內(nèi)，將滑動(dòng)阻擋部分向一側(cè)傾斜，使滑塊滑至滑道最頂端，此后將滑動(dòng)阻擋部分與一塊掩膜板對(duì)齊扣緊，捏緊后翻轉(zhuǎn)，將滑動(dòng)阻擋部分扣緊另一阻擋板后緊固，完成裝夾，使用時(shí)將夾具豎起，使滑塊下滑，推動(dòng)阻擋片將陶瓷基片頂緊在掩膜板上。阻擋片相對(duì)扣緊后形成楔形滑道，滑塊同樣呈楔形的設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)滑塊位于滑道頂端時(shí)，阻擋片間距最小，滑塊下滑后，將滑道狹窄部位向兩側(cè)推開以適應(yīng)滑塊厚度，從而將阻擋片推緊，此時(shí)阻擋片即使受外力壓緊，也會(huì)因外部壓力使滑塊與滑道間壓力增大，進(jìn)而靜摩擦力增大，滑塊無法被外力推回滑道頂部，保證了密封的有效性?；瑒?dòng)阻擋部分的緊固螺絲，頂部嵌入阻擋板內(nèi)，保證了滑動(dòng)阻擋部分表面平整，被掩膜板扣緊并緊固后接觸面無間隙，保證了夾具密封性。
[0011]濺射過程中，靶材原子透過掩膜板通透口濺射至陶瓷基體上形成電極，靶材原子以各種角度撞向通透口，為提高靶材原子的接收效率，本實(shí)用新型的掩膜板通透口側(cè)面設(shè)計(jì)為傾斜形式，使傾斜入射的原子也可濺射至陶瓷基體表面，最終掩膜板通透口改進(jìn)為與陶瓷基體接觸的部位形狀不變，與掩膜板最外側(cè)相交的部位擴(kuò)大，側(cè)邊傾斜的形式，根據(jù)電極形狀的不同，通透口最終設(shè)計(jì)為圓臺(tái)、棱臺(tái)或橢圓臺(tái)形。
[0012]為保證濺射效率，本實(shí)用新型采用了雙層單面濺射的方式，夾具同時(shí)在滑動(dòng)阻擋部分兩側(cè)裝入待濺射陶瓷基體，每側(cè)陶瓷基體都單面濺射電極，相比于現(xiàn)有技術(shù)的單層雙面濺射夾具，效率相同。使用現(xiàn)有技術(shù)夾具濺射時(shí)，封閉不嚴(yán)的陶瓷基體因機(jī)械振動(dòng)會(huì)偏移離開原位置，造成電極偏移、電極擴(kuò)散，本實(shí)用新型采用滑塊將陶瓷基體頂緊在掩膜板上，濺射過程中陶瓷基體無偏移，電極邊緣清晰，電極尺寸可控。
[0013]本實(shí)用新型對(duì)照現(xiàn)有技術(shù)的有益效果是，本實(shí)用新型采用由阻擋板、阻擋片、滑塊組成的滑動(dòng)阻擋部分，通過阻擋片滑道楔形設(shè)計(jì)，將滑塊的重力轉(zhuǎn)化為對(duì)阻擋板的推力，將滑塊待濺射陶瓷基體頂緊在掩膜板上，可實(shí)現(xiàn)單一夾具對(duì)不同厚度陶瓷基體的密封及固定，提高了磁控濺射法制備陶瓷電子元器件電極的合格率，使磁控濺射工藝用于批量化制造陶瓷電子元器件電極成為現(xiàn)實(shí)，此外，本實(shí)用新型可通用于僅存在厚度差異的陶瓷電子元器件，有利于提高夾具利用效率，降低了夾具使用成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是現(xiàn)有技術(shù)掩膜夾具主體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2是現(xiàn)有技術(shù)掩膜夾具沿掩膜板通透口中心連線的剖面圖。
[0016]圖3是本實(shí)用新型一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具的主體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖4是本實(shí)用新型一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具沿掩膜板通透口中心連線的剖面圖。
[0018]圖5是本實(shí)用新型一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具的阻擋片正視圖。
[0019]圖6是本實(shí)用新型一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具的阻擋片側(cè)視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】:
[0021]實(shí)施例1，參見附圖3、4、5、6所示，本實(shí)用新型涉及的一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具，其包括掩膜部分001，滑動(dòng)阻擋部分002，緊固部分003。掩膜部分由第一掩膜板101，第二掩膜板102組成，第一掩膜板101上開有凹槽111，凹槽111呈圓柱形，凹槽111底面與第一掩膜板101外表面平行，凹槽111側(cè)面與第一掩膜板101外表面垂直,凹槽111底面開有通透口 121，通透口 121為圓臺(tái)形，通透口 121與凹槽111相交面為通透口 121較小的圓面，其面積小于凹槽111底面面積，第二掩膜板102上同樣開有凹槽112和通透口122，其與第一掩膜板101結(jié)構(gòu)相同，相對(duì)扣緊后，二者凹槽、通透口尺寸相同并且面對(duì)稱。第一掩膜板101與第二掩膜板102之間為滑動(dòng)阻擋部分002，滑動(dòng)阻擋部分002由第一阻擋板201，第二阻擋板202，第一阻擋片211，第二阻擋片212、滑塊221組成，第一阻擋板201上開有阻擋板凹槽231，阻擋板凹槽231呈圓柱形，夾具組裝完成后，阻擋板凹槽231底面圓心位于掩膜板凹槽111的圓柱對(duì)稱軸上，阻擋板凹槽231底面面積大于掩膜板凹槽111底面面積，阻擋板凹槽231兩側(cè)開有滑動(dòng)定位槽251，滑動(dòng)定位槽251位于掩膜板凹槽231兩側(cè)，呈圓柱形，深度于掩膜板凹槽231相同，并與之連通，阻擋板凹槽231底面開有通透口241，阻擋板通透口 241呈圓柱形，阻擋板通透口 241的圓面與掩膜板凹槽111的底面全等，第二阻擋板202上開有凹槽232、滑動(dòng)定位槽252和通透口 242，第二阻擋版202與第一阻擋板201結(jié)構(gòu)相同，相對(duì)扣緊后，二者凹槽，通透口尺寸相同且面對(duì)稱。第一阻擋片211、第二阻擋片212結(jié)構(gòu)相同，相對(duì)扣緊后面對(duì)稱，阻擋片211側(cè)面與底面垂直，阻擋片底面形狀全等于阻擋板凹槽231與滑動(dòng)定位槽251共同組成的底面形狀，第一阻擋片211 —側(cè)開有傾斜的滑道261，與之面對(duì)稱的第二阻擋片222上開有滑道262，第一阻擋片211與第二阻擋片212之間為滑塊221，滑塊221呈楔形，位于第一阻擋片211、第二阻擋片212相對(duì)扣緊后組成的楔形滑道上，第一阻擋片211、第二阻擋片212、滑塊221放在第一阻擋板凹槽231和第二阻擋板凹槽232相對(duì)扣緊后形成的空腔內(nèi)，阻擋片211、212由滑動(dòng)定位槽251、252定位，將夾具組裝后豎起，滑塊221下落，阻擋片滑道261、滑道262間距小于滑塊221厚度，滑塊221將第一阻擋片211、第二阻擋片212分別推緊在第一阻擋板通透口 241、第二阻擋版通透口 242內(nèi)側(cè)。緊固部分003由夾具緊固螺絲301，滑動(dòng)阻擋部分緊固螺絲302組成，滑動(dòng)阻擋部分緊固螺絲302的螺絲孔貫穿第一阻擋板201、第二阻擋板202，螺絲頂部嵌入第一阻擋板201中，夾具緊固螺絲301的螺絲孔貫穿第一阻擋板201、第二阻擋板202、第一掩膜板101、第二掩膜板102。待濺射陶瓷基體004為圓柱形，裝入第一掩膜板凹槽111后，扣上滑動(dòng)阻擋部分002，待濺射陶瓷基體005也為圓柱形，陶瓷基體005厚度小于陶瓷基體004，裝入第二掩膜板凹槽112，將第一阻擋板101與滑動(dòng)阻擋部分002捏緊后翻轉(zhuǎn)，扣緊在第二掩膜板102上，滑動(dòng)阻擋部分002與第二掩膜板102接觸，將緊固螺絲301上緊，陶瓷基體004、005分別透過阻擋板通透口與阻擋片接觸，將夾具豎起，由滑塊221的重力將阻擋片211、212推向兩側(cè)，進(jìn)而將陶瓷基體頂緊在掩膜板凹槽中，完成對(duì)陶瓷基體的密封。
[0022]實(shí)施例2，本實(shí)施例中，一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具于實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述的第一掩膜板凹槽111、第二掩膜板凹槽112、第一阻擋板凹槽231、第二阻擋板凹槽232均為長(zhǎng)方體形，凹槽底面均為矩形，第一阻擋板通透口 241、第二阻擋板通透口 242均為長(zhǎng)方體形，第一掩膜板通透口 121、第二掩膜板通透口 122均棱臺(tái)形。
[0023]實(shí)施例3，本實(shí)施例中，一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具于實(shí)施例1的區(qū)別在于:所述的第一掩膜板凹槽111、第二掩膜板凹槽112、第一阻擋板凹槽231、第二阻擋板凹槽232均為橢圓臺(tái)形，凹槽底面均為橢圓形，第一阻擋板通透口 241、第二阻擋板通透口242均為橢圓臺(tái)形，第一掩膜板通透口 121、第二掩膜板通透口 122均圓臺(tái)形。
[0024]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不以上述實(shí)施方式為限。
【權(quán)利要求】
1.一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具，其特征在于，包括有掩膜部分、滑動(dòng)阻擋部分和緊固部分，所述掩膜部分由第一掩膜板和第二掩膜板組成，兩塊掩膜板結(jié)構(gòu)相同，掩膜板上開有多個(gè)可放置待濺射陶瓷基體的凹槽，凹槽底面開有通透口，通透口與凹槽底面相交面積小于凹槽底面面積，通透口貫穿掩膜板，第一掩膜板與第二掩膜板之間為滑動(dòng)阻擋部分，所述滑動(dòng)阻擋部分由第一阻擋板、第二阻擋板、第一阻擋片、第二阻擋片、滑塊組成，兩塊阻擋板結(jié)構(gòu)相同，阻擋板上同樣開有凹槽，位置與掩膜板凹槽對(duì)應(yīng)，形狀相似，阻擋板凹槽底面面積大于掩膜板凹槽底面面積，阻擋板凹槽兩側(cè)開有阻擋片滑動(dòng)定位槽，滑動(dòng)定位槽與阻擋板凹槽連通，深度相同，呈圓柱形，阻擋板凹槽底面開有通透口，形狀與掩膜板凹槽相似，阻擋板通透口底面與掩膜板凹槽底面全等，第一阻擋片、第二阻擋片的底面全等于阻擋板凹槽與滑動(dòng)定位槽共同組成的底面形狀，阻擋片側(cè)面與底面垂直，兩塊阻擋片結(jié)構(gòu)相同，阻擋片一側(cè)開出傾斜的滑道，滑塊呈楔形，放置于兩塊阻擋片相對(duì)扣住后組成的楔形滑道內(nèi)，兩塊阻擋片與其間的滑塊放置于第一阻擋板與第二阻擋板面對(duì)稱壓緊后阻擋板凹槽形成的空腔內(nèi)，阻擋片定位部分位于滑動(dòng)定位槽中，夾具豎起后，滑塊在重力作用下下滑，將阻擋片頂緊在阻擋板凹槽底面，所述的緊固部分由螺紋孔及螺絲組成，緊固滑動(dòng)阻擋部分的螺絲頂部嵌入阻擋板內(nèi)，螺紋孔避開阻擋板凹槽，并貫穿第一、第二阻擋板，緊固整個(gè)夾具的螺紋孔避開掩膜板、阻擋板凹槽，并貫穿第一、第二掩膜板，第一、第二阻擋板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具，其特征在于，所述的掩膜板凹槽底面為圓形、矩形、橢圓形的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具，其特征在于，所述的阻擋板凹槽底面為圓形、矩形、橢圓形的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具，其特征在于，所述的掩膜板通透口為圓臺(tái)形、棱臺(tái)形、橢圓臺(tái)形的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于磁控濺射工藝的立式掩膜夾具，其特征在于，所述的阻擋板通透口為圓柱形、長(zhǎng)方體形、橢圓柱形的一種。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK204125520SQ201420466952
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月14日
【發(fā)明者】徐曉 申請(qǐng)人:昆山萬豐電子有限公司