真空爐體的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種真空爐體，該真空爐體包括爐體本體（11），蒸發(fā)源（A），用于放置被鍍物件（B）的物件掛架（14），用于放置物件掛架（14）的并移動該物件掛架（14）的轉(zhuǎn)盤（C）；爐體本體（11）的底板（111）、外壁（112）、內(nèi)壁（113）和頂板共同圍形成密閉空間（S）；所述爐體本體（11）還包括第一擋板（17）和第二擋板（18）；第一擋板（17）和第二擋板（18）相隔一定的距離并將所述密閉空間分隔成第一分隔空間（S1）和第二分隔空間（S2）。本實用新型杜絕瞬間產(chǎn)生的氧物質(zhì)，避免氧物質(zhì)污染到被鍍物件表面上，從而避免被鍍物件產(chǎn)生假性附著，提高產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定性。
【專利說明】真空爐體
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種真空爐體。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在世界各國采用圓型爐體設(shè)計。始終造成PVD(Physical Vapor Deposition,物理氣相沉積鍍膜(涂層)，有很多盲點。
[0003]生產(chǎn)時產(chǎn)品常常出現(xiàn)假性附著，脫膜漏白。假性附著是一種看不到摸不到的技術(shù)難題，是PVD鍍膜(涂層)最頭痛的問題。嚴重的假性附著出爐后可以馬上發(fā)覺漏白。最怕的是輕微假性著，往往是產(chǎn)品到市場才發(fā)覺PVD鍍膜(涂層)漏白，影響商譽。
[0004]參見圖1 一 3，現(xiàn)有世界各國采用圓型爐體設(shè)計的真空爐體I’包括真空室11’，蒸發(fā)靶12’，蒸發(fā)靶源13’，物件掛架14’，自轉(zhuǎn)架15’和公轉(zhuǎn)盤16’。
[0005]蒸發(fā)靶12’分布于真空室11’外表面?，F(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)使得整個真空室11’布滿沉積的各種鈦灰塵，殘渣和氧化物質(zhì)R。加溫過程中釋放出混雜氣體，很容易污染附著上被鍍物件表面，從而產(chǎn)生假性附著，使得色澤不正，殘渣容易掉在被鍍物件上面產(chǎn)生漏白現(xiàn)象，鍍膜凃?qū)舆^程中溫度一直上升，需要停機等待降溫到需求溫度后，才可以繼績鍍膜凃?qū)?。參見圖2，蒸發(fā)靶源13’分布于真空室11’內(nèi)?？梢钥吹?，靶源與靶源之間無法互相交叉蒸發(fā)。很容易造成死角無效區(qū)17’，還很容易造成被鍍物件在凹角位置很難與正角位置同等膜厚，使得PVD鍍膜(涂層)膜厚不均勻。爐體越大，PVD鍍膜(涂層)膜厚越不均勻。凹角位置與正角位置PVD鍍膜(涂層)相差更大更嚴重。物件掛架14’上的被鍍物件產(chǎn)品無法實現(xiàn)自轉(zhuǎn)。PVD鍍膜(涂層)后產(chǎn)品膜厚無法均勻，如以4un膜厚.誤差值約0.5un-lun以上。
[0006]本實用新型提出了一種真空爐體，解決上述技術(shù)問題。.實用新型內(nèi)容
[0007]基于此，有必要提供一種真空爐體，解決了假性附著的技術(shù)問題。
[0008]本實用新型提供了一種真空爐體，包括爐體本體，蒸發(fā)源，用于放置被鍍物件的物件掛架，用于放置物件掛架的并移動該物件掛架的轉(zhuǎn)盤；
[0009]爐體本體包括底板、自底板彎折延伸的外壁、自底板彎折延伸的并與外壁相隔一定距離的內(nèi)壁、連接外壁和內(nèi)壁的頂板和由底板、外壁、內(nèi)壁和頂板共同圍形成密閉空間；
[0010]所述爐體本體還包括置于密閉空間內(nèi)分別與底板、外壁、內(nèi)壁和頂板相連的第一擋板和第二擋板；所述第一擋板和第二擋板相隔一定的距離并將所述密閉空間分隔成第一分隔空間和第二分隔空間；所述第一檔板、第二擋板與所述外壁或內(nèi)壁活動連接；
[0011]蒸發(fā)源設(shè)置于第一分隔空間，物件掛架和轉(zhuǎn)盤設(shè)置于第二分隔空間；
[0012]在第一擋板和第二檔板打開時，轉(zhuǎn)盤將物件掛架從第二分隔空間移動至第一分隔空間內(nèi)。
[0013]優(yōu)選的，蒸發(fā)源包括第一蒸發(fā)源和第二蒸發(fā)源，
[0014]外壁包括位于第一分隔空間的第一外壁和位于第二分隔空間的與第一外壁相連的第二外壁，內(nèi)壁包括位于第一分隔空間的第一內(nèi)壁和位于第二分隔空間與第一內(nèi)壁相連的第二內(nèi)壁；
[0015]第一蒸發(fā)源和第二蒸發(fā)源分別設(shè)在第一外壁和第一內(nèi)壁，且第一蒸發(fā)源和第二蒸發(fā)源相對設(shè)置。
[0016]優(yōu)選的，蒸發(fā)源包括蒸發(fā)靶和為蒸發(fā)靶提供動力的蒸發(fā)靶源。
[0017]優(yōu)選的，爐體本體的外壁設(shè)有至少兩個門。
[0018]優(yōu)選的，蒸發(fā)靶源包括電弧靶源或平面靶源、中頻園柱靶源、直流靶源中的任一種或其任意組合。
[0019]本實用新型還提供了 一種真空爐體，該真空爐體包括密閉的真空室，該真空室通過擋板分隔成獨立的物件區(qū)和靶蒸發(fā)區(qū)；
[0020]物件區(qū)，用于放置被鍍物件；
[0021]靶蒸發(fā)區(qū)，用于給被鍍物件物理氣相沉積鍍膜；
[0022]該真空爐體還包括
[0023]控制部件，用于打開檔板，將分隔的物件區(qū)與靶蒸發(fā)區(qū)相通；
[0024]傳送部件，用于將被鍍物件從物件區(qū)移動至靶蒸發(fā)區(qū)。
[0025]優(yōu)選的，靶蒸發(fā)區(qū)相對設(shè)置有第一蒸發(fā)源和第二蒸發(fā)源。
[0026]優(yōu)選的，第一蒸發(fā)源和第二蒸發(fā)源分別包括蒸發(fā)靶和為蒸發(fā)靶提供動力的蒸發(fā)靶源；擋板包括第一擋板和第二擋板。
[0027]采用本實用新型提供的真空爐體，將蒸發(fā)源與被鍍物件分別放置在兩個獨立分隔的區(qū)域，可以杜絕瞬間產(chǎn)生的氧物質(zhì)，避免氧物質(zhì)污染到被鍍物件表面上，從而避免被鍍物件產(chǎn)生假性附著，提高產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定性。
[0028]本實用新型將蒸發(fā)源與被鍍物件分別放置在兩個獨立分隔的區(qū)域，生產(chǎn)過程中各種殘渣，鈦灰塵，氧化物，只殘留在單獨分隔真空室蒸發(fā)區(qū)里面，很容易完全清除干凈。物理氣相沉積鍍膜(涂層)膜厚均勻。沒有無效蒸發(fā)區(qū)域。
[0029]由于采用了兩組蒸發(fā)源，使得內(nèi)外側(cè)靶源互相交差蒸發(fā)，物理氣相沉積鍍膜膜厚很均勻。凹角位子與正角位子物理氣相沉積鍍膜(涂層)膜厚均勻，物理氣相沉積鍍膜(涂層)膜厚誤差小。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1是本實用新型提供的現(xiàn)有技術(shù)真空爐體的示意圖。
[0031]圖2是圖1的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖；
[0032]圖3是圖1的俯視圖；
[0033]圖4是本實用新型提供的一個實施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖5是本實用新型提供的一個實施例的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖6是本實用新型提供的PVD鍍膜時工作示意圖；
[0036]圖7是本實用新型提供的一個實施例的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖(電弧靶源或平面靶源.中頻園柱靶源及直流靶源)
[0037]圖8是本實用新型提供的一個實施例的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖(蒸發(fā)源為電弧靶源或平面靶源.中頻園柱靶源及直流靶源)；[0038]圖9是本實用新型提供的一個實施例的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖(電弧靶源或平面靶源.中頻園柱靶源及直流靶源)。
【具體實施方式】
[0039]下面結(jié)合具體的實施例及附圖對的技術(shù)方案進行詳細的描述，以使其更加清楚。以下實施例僅為了描述本實用新型所列舉的較為詳細的實施例，并不作為對本實用新型所的限定。
[0040]實施例一
[0041]參見圖4 一 7和圖9，本實用新型提供的真空爐體10，包括爐體本體11，蒸發(fā)源A，用于放置被鍍物件B的物件掛架14，用于放置物件掛架14的并移動該物件掛架14的轉(zhuǎn)盤C0
[0042]爐體本體11包括底板111、自底板111彎折延伸的外壁112、自底板111彎折延伸的并與外壁112相隔一定距離的內(nèi)壁113、連接外壁112和內(nèi)壁113的頂板(未標示)和由底板111、外壁112、內(nèi)壁113和頂板共同圍形成密閉空間S (真空室)。
[0043]所述爐體本體11還包括置于分隔空間S內(nèi)分別與底板111、外壁112、內(nèi)壁113和頂板相連的第一擋板17和第二擋板18 ;所述第一擋板17和第二擋板18相隔一定的距離并將所述分隔空間S分隔成第一分隔空間SI和第二分隔空間S2 ;所述第一檔板17、第二擋板18與所述外壁112或內(nèi)壁113活動連接。
[0044]蒸發(fā)源A設(shè)置于第一分隔空間SI，物件掛架14和轉(zhuǎn)盤C設(shè)置于第二分隔空間S2。
[0045]在第一擋板17打開時，轉(zhuǎn)盤C將物件掛架14從第二分隔空間S2移動至第一分隔空間SI內(nèi)。
[0046]蒸發(fā)源A包括第一蒸發(fā)源Al和第二蒸發(fā)源A2。當然也可以只有一個蒸發(fā)源。
[0047]外壁112包括位于第一分隔空間SI的第一外壁和位于第二分隔空間S2的第二外壁，內(nèi)壁113包括位于第一分隔空間SI的第一內(nèi)壁和位于第二分隔空間S2第二內(nèi)壁。第一外壁和第二外壁相連，第一內(nèi)壁和第二內(nèi)壁相連。也就是說，第一外壁、第一內(nèi)壁、底板和頂板構(gòu)成了第一分隔空間Si ;第二外壁、第二內(nèi)壁、底板和頂板構(gòu)成了第二分隔空間。
[0048]第一蒸發(fā)源Al和第二蒸發(fā)源A2分別設(shè)在第一外壁和第一內(nèi)壁，且第一蒸發(fā)源Al和第二蒸發(fā)源A2相對設(shè)置。
[0049]設(shè)置兩個蒸發(fā)源，能更好的提高PVD鍍膜(涂層)的效率。參見圖6，可以看到，兩個蒸發(fā)源，會互相交叉蒸發(fā)離子L，提高效率。
[0050]蒸發(fā)源A包括蒸發(fā)靶12和為蒸發(fā)靶12提供動力的蒸發(fā)靶源13。
[0051]本實用新型中，蒸發(fā)源A設(shè)置第一分隔空間，使得生產(chǎn)過程中，殘留的各種殘渣、鈦灰塵、氧化物等殘物，很容易完全清干凈。
[0052]蒸發(fā)源A設(shè)置在第一分隔空間，采用公轉(zhuǎn)橫插掛方式，鍍出PVD鍍層(涂層)物件，物理氣相沉積鍍膜膜厚均勻，蒸發(fā)靶源設(shè)置在第一分隔空間。
[0053]蒸發(fā)源A設(shè)置在第一分隔空間，PVD鍍膜(涂層)時溫度不會一直上升，可以控制在100-500攝氏度。不用停機等待降溫，可以繼績鍍膜(涂層)。第二分隔空間可以裝制溫，冷卻控制糸統(tǒng)。
[0054]蒸發(fā)源A設(shè)置在第一分隔空間，定期清理，清理時間約2小時以下就可從新開機工作。
[0055]蒸發(fā)源A設(shè)置在第一分隔空間，可以無限放大真空室，沒有無效蒸發(fā)區(qū)域。兩組蒸發(fā)源源互相交叉蒸發(fā)，PVD鍍膜(涂層)膜厚很均勻，凹角位子與正角位子PVD鍍膜(涂層)相當均勻，PVD鍍膜(涂層)膜厚4un誤差值約0.02un以下。
[0056]爐體本體11的外壁，本實用新型提高的實施例中，參見圖4，在第一分隔空間設(shè)置了 I個門lid、在第二分隔空間設(shè)置了 3個門11a，lib, 11c。這樣方便清理、打掃。
[0057]轉(zhuǎn)盤C包括自轉(zhuǎn)盤15和公轉(zhuǎn)盤16，被鍍物件放置在物件掛架14上，物件掛架14設(shè)置在自轉(zhuǎn)盤15上，自轉(zhuǎn)盤15與公轉(zhuǎn)盤16轉(zhuǎn)動連接。通過公轉(zhuǎn)盤16的轉(zhuǎn)動將被鍍物件從物件區(qū)S2移入靶蒸發(fā)區(qū)SI。
[0058]蒸發(fā)靶源13可以是蒸發(fā)源為電弧靶源或平面靶源、中頻園柱靶源、直流靶源中的任一種或其任意組合。
[0059]由于本發(fā)明將真空爐體通過第一檔板和第二檔板分隔成兩個空間一第一分隔空間和第二分隔空間，可以事先調(diào)整好第一分隔空間中PVD鍍膜各參數(shù)的條件，待滿足PVD鍍膜各參數(shù)條件后，再將被鍍物件從第二分隔空間移動入第一分隔空間。這樣，可以杜絕瞬間產(chǎn)生的氧物質(zhì)，避免氧物質(zhì)污染到被鍍物件表面上，從而避免被鍍物件產(chǎn)生假性附著，提聞廣品品質(zhì)的穩(wěn)定性。
[0060]在真空爐體內(nèi)，對被鍍物件進行PVD鍍膜(涂層)的過程為:
[0061]將被鍍物件B放于真空爐體的第二分隔S2空間；
[0062]設(shè)置第一分隔空間SI中蒸發(fā)源的參數(shù)，并使蒸發(fā)源A開始工作；
[0063]當參數(shù)達到物理氣相沉積鍍膜(涂層)的要求時，打開第一擋板17和第二擋板18，利用轉(zhuǎn)盤C將被鍍物件從第二分隔空間S2移入第一分隔空間SI進行物理氣相沉積鍍膜(涂層)。
[0064]由于將真空爐體分隔為兩個空間，可以事先調(diào)整好蒸發(fā)靶源的電流以及氣體各參數(shù)條件，待穩(wěn)定后開始PVD鍍膜(涂層)，使得在啟動蒸發(fā)靶源(包括電弧靶源或平面靶源、中頻園柱靶源及直流靶源)時可以杜絕瞬間產(chǎn)生的氧物質(zhì)，避免氧物質(zhì)污染到被鍍物件表面上，從而避免被鍍物件產(chǎn)生假性附著，提高產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定性。
[0065]實施例二
[0066]在另外一個實施例中，參見圖8，本實用新型提供的另一種真空爐體10’’，該真空爐體包括分隔的真空室，該真空室通過擋板D’’分隔成獨立的物件區(qū)S2’’和靶蒸發(fā)區(qū)SI，，。
[0067]物件區(qū)S2’ ’，用于放置被鍍物件B。
[0068]靶蒸發(fā)區(qū)SI’ ’，用于給被鍍物件物理氣相沉積鍍膜(涂層)。
[0069]該真空爐體還包括控制部件(未圖示)，用于打開檔板D’ ’，將物件區(qū)S2’ ’與靶蒸發(fā)區(qū)SI’’連通。
[0070]傳送部件C’ ’，用于將物件區(qū)S2’ ’的被鍍物件移動至靶蒸發(fā)區(qū)SI’ ’。
[0071]靶蒸發(fā)區(qū)SI’ ’相對設(shè)置有第一蒸發(fā)源Al’ ’和第二蒸發(fā)源A2’ ’。
[0072]當然，一個蒸發(fā)源也是可以的，但是兩個蒸發(fā)源可以提高效率，速度快，PVD鍍膜(涂層)比較均勻，PVD鍍膜(涂層)的效果更好。
[0073]第一蒸發(fā)源Al’ ’和第二蒸發(fā)源A2’ ’分別包括蒸發(fā)靶和為蒸發(fā)靶提供動力的蒸發(fā)靶源；擋板D’’包括第一擋板17’’和第二擋板18’’。當然擋板D’’也可以只有一個，只要能夠?qū)⑽锛^(qū)S2’’和靶蒸發(fā)區(qū)SI’’隔離就可以。
[0074]本實用新型中，蒸發(fā)源A’’設(shè)置靶蒸發(fā)區(qū)，使得生產(chǎn)過程中，殘留各種殘渣、鈦灰塵、氧化物等殘物，很容易完全清干凈。
[0075]蒸發(fā)源A’’設(shè)置靶蒸發(fā)區(qū)，采用公轉(zhuǎn)橫插掛方式，鍍出PVD鍍膜(涂層)物件，物理氣相沉積鍍膜(涂層)膜厚均勻。
[0076]蒸發(fā)源A’’設(shè)置靶蒸發(fā)區(qū)，PVD鍍膜(涂層)時溫度不會一直上升，可以控制在100-500攝氏度。不用停機等待降溫，可以繼績物理氣相沉積鍍膜(涂層)。物件區(qū)可以裝制溫，冷卻控制糸統(tǒng)。
[0077]蒸發(fā)源A’ ’設(shè)置靶蒸發(fā)區(qū)，定期清理，清理時間約2小時以下就可從新開機工作。
[0078]蒸發(fā)源A’ ’設(shè)置靶蒸發(fā)區(qū)，可以無限放大真空室，沒有無效蒸發(fā)區(qū)域。兩組蒸發(fā)源源互相交叉蒸發(fā)，物理氣相沉積鍍膜(涂層)膜厚很均勻，凹角位子與正角位子物理氣相沉積鍍膜相當均勻，物理氣相沉積鍍膜(涂層)膜厚4un誤差值約0.02un以下。
[0079]由于本發(fā)明將真空爐體通過檔板分隔成兩個空間一靶蒸發(fā)區(qū)和物件區(qū)，可以事先調(diào)整好靶蒸發(fā)區(qū)中PVD鍍膜各參數(shù)的條件，待滿足PVD鍍膜(涂層)各參數(shù)條件后，再將被鍍物件從物件區(qū)移動入靶蒸發(fā)區(qū)。這樣，可以杜絕瞬間產(chǎn)生的氧物質(zhì)，避免氧物質(zhì)污染到被鍍物件表面上，從而避免被鍍物件產(chǎn)生假性附著，提高產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定性。
[0080]在真空爐體內(nèi)，對被鍍物件進行PVD鍍膜(涂層)的過程為:
[0081]將被鍍物件B放于真空爐體的物件區(qū)S2’’ ；
[0082]設(shè)置靶蒸發(fā)區(qū)SI’ ’中蒸發(fā)源A’ ’的參數(shù)，并使蒸發(fā)源A’ ’開始工作；
[0083]當參數(shù)達到物理氣相沉積鍍膜(涂層)的要求時，打開擋板D’ ’，將被鍍物件從物件區(qū)S2’ ’移入靶蒸發(fā)區(qū)SI’ ’進行物理氣相沉積鍍膜(涂層)。
[0084]傳送部件C’’包括自轉(zhuǎn)盤15’’和公轉(zhuǎn)盤16’’，被鍍物件放置在物件掛架14’’上，物件掛架14’’設(shè)置在自轉(zhuǎn)盤15’’上，自轉(zhuǎn)盤15’’與公轉(zhuǎn)盤16’’轉(zhuǎn)動連接。通過公轉(zhuǎn)盤16’ ’的轉(zhuǎn)動將被鍍物件從物件區(qū)S2’ ’移入靶蒸發(fā)區(qū)SI’ ’。
[0085]蒸發(fā)靶源可以是電弧靶源或平面靶源.中頻園柱靶源及直流靶源。
[0086]由于將真空爐體分隔為兩個空間，可以事先調(diào)整好蒸發(fā)靶源的電流以及氣體各參數(shù)條件，待穩(wěn)定后開始PVD鍍膜(涂層)，使得在啟動蒸發(fā)靶源(包括電弧靶源或平面靶源.中頻園柱靶源及直流靶源)時可以杜絕瞬間產(chǎn)生的氧物質(zhì)，避免氧物質(zhì)污染到被鍍物件表面上，從而避免被鍍物件產(chǎn)生假性附著，提高產(chǎn)品品質(zhì)的穩(wěn)定性。
[0087]本實施例中，在靶蒸發(fā)區(qū)設(shè)置了 I個門、物件區(qū)設(shè)置了 3個門。這樣方便清理、打掃。
[0088]以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【權(quán)利要求】
1.一種真空爐體，包括爐體本體(11)，蒸發(fā)源(A)，用于放置被鍍物件(B)的物件掛架(14)，用于放置物件掛架(14)的并移動該物件掛架(14)的轉(zhuǎn)盤(C)； 其特征在于，爐體本體(11)包括底板(111)、自底板(111)彎折延伸的外壁(112)、自底板(111)彎折延伸的并與外壁(112)相隔一定距離的內(nèi)壁(113)、連接外壁和內(nèi)壁的頂板和由底板(111)、外壁(112)、內(nèi)壁(113)和頂板共同圍形成密閉空間(S)； 所述爐體本體(11)還包括置于密閉空間(S)內(nèi)分別與底板(111)、外壁(112)、內(nèi)壁(113)和頂板相連的第一擋板(17)和第二擋板(18);所述第一擋板(17)和第二擋板(18)相隔一定的距離并將所述密閉空間分隔成第一分隔空間(SI)和第二分隔空間(S2);所述第一檔板(17 )、第二擋板(18 )與所述外壁(112 )或內(nèi)壁(113 )活動連接； 蒸發(fā)源(A)設(shè)置于第一分隔空間(SI)，物件掛架(14)和轉(zhuǎn)盤(C)設(shè)置于第二分隔空間(S2)； 在第一擋板(17)和第二檔板(18)打開時，轉(zhuǎn)盤(C)將物件掛架(14)從第二分隔空間(S2)移動至第一分隔空間(SI)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空爐體，其特征在于，蒸發(fā)源(A)包括第一蒸發(fā)源(Al)和第二蒸發(fā)源(A2)， 外壁(112)包括位于第一分隔空間(SI)的第一外壁和位于第二分隔空間(S2)的與第一外壁相連的第二外壁，內(nèi)壁(113)包括位于第一分隔空間(SI)的第一內(nèi)壁和位于第二分隔空間(S2)與第一內(nèi)壁相連的第二內(nèi)壁； 第一蒸發(fā)源(Al)和第二蒸發(fā)源(A2)分別設(shè)在第一外壁和第一內(nèi)壁，且第一蒸發(fā)源(Al)和第二蒸發(fā)源(A2)相對設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空爐體，其特征在于，蒸發(fā)源(A)包括蒸發(fā)靶(12)和為蒸發(fā)靶(12)提供動力的蒸發(fā)靶源(13)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空爐體，其特征在于，爐體本體(11)的外壁設(shè)置有至少兩個門。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空爐體，其特征在于，蒸發(fā)靶源(13)包括電弧靶源或平面靶源、中頻園柱靶源、直流靶源中的任一種或其任意組合。
6.一種真空爐體，其特征在于，該真空爐體包括密閉的真空室，該真空室通過擋板(D’ ’)分隔成獨立的物件區(qū)(S2’ ’ )和靶蒸發(fā)區(qū)(SI’ ’ )； 物件區(qū)(S2’’)，用于放置被鍍物件(B)； 靶蒸發(fā)區(qū)(SI’ ’)，用于給被鍍物件物理氣相沉積鍍膜； 該真空爐體還包括 控制部件，用于打開檔板(D’ ’)，將分隔的物件區(qū)(S2’ ’ )與靶蒸發(fā)區(qū)(SI’ ’)相通； 傳送部件(C’’)，用于將被鍍物件從物件區(qū)(S2’’)移動至靶蒸發(fā)區(qū)(SI’’)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空爐體，其特征在于，靶蒸發(fā)區(qū)相對設(shè)置有第一蒸發(fā)源(Al’’)和第二蒸發(fā)源(A2’’)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空爐體，其特征在于，第一蒸發(fā)源(Al’’ )和第二蒸發(fā)源(A2’ ’)分別包括蒸發(fā)靶和為蒸發(fā)靶提供動力的蒸發(fā)靶源；擋板(D’ ’)包括第一擋板(17’ ’ )和第二擋板(18’’)。
【文檔編號】C23C14/24GK203741405SQ201420140625
【公開日】2014年7月30日 申請日期:2014年3月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月26日
【發(fā)明者】宋世源 申請人:宋玉琪