一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及貴金屬復(fù)合粉體材料，特別是涉及一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法，其特征在于包括以下步驟：將銀單質(zhì)、鈀單質(zhì)放入硝酸中混合，調(diào)整ph值至3~5后，加入明膠A、去離子水，調(diào)整pH值為10~12，作為原料液；將羥基胺與明膠B、去離子水混合，將原料液滴入其中，反應(yīng)30~50min，即得。本發(fā)明通過液相制備出高品質(zhì)的亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉，具有純度高，雜質(zhì)含量低，粒徑在220nm左右，成本低，操作方便，工藝規(guī)范簡單，適于推廣使用。
【專利說明】 一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及貴金屬復(fù)合粉體材料，特別是涉及一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]銀鈀漿料以其優(yōu)良的耐燒結(jié)、焊接性、抗遷移能力及價(jià)格適中等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在混合集成電路中作為電路的互聯(lián)導(dǎo)電帶和焊區(qū)，以及大量應(yīng)用在片式電阻器、MLCC電容器、片式電感等外貼元器件中作為電極等。近年來，隨著航空航天、通訊技術(shù)以及人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，對電子元器件的多功能、高可靠、高集成方面的要求日益激烈，要求導(dǎo)電膜的厚度低于1um以下，同時(shí)對電路的線寬和線間距要求更狹窄，并能在經(jīng)受電、熱脈沖等苛刻條件下能正常工作，此舉更加要求電子元件的性能更穩(wěn)定，耐苛刻環(huán)境性能更好。
[0003]不同形狀或尺寸的金屬粉在電子漿料中的應(yīng)用性能存在巨大差異，銀鈀復(fù)合粉在電子元器件類中的應(yīng)用主要是以漿料的形式出現(xiàn)，這就要求粉體的尺寸在0.1?2.0μπι之間。并且隨著科技進(jìn)步，要求銀鈀達(dá)到原子級分散，以充分發(fā)揮銀鈀粉的作用?，F(xiàn)階段，國內(nèi)關(guān)于銀鈀合金粉的研究報(bào)道較少，工業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)的報(bào)道更少。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)，提供一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法。
[0005]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法，其特征在于包括以下步驟:將銀單質(zhì)、鈀單質(zhì)放入硝酸中混合，調(diào)整Ph值至3飛后，加入明膠Α、去離子水，調(diào)整pH值為1(Γ12，作為原料液；將羥基胺與明膠B、去離子水混合，將原料液滴入其中，反應(yīng)3(T50min，即得。
[0006]進(jìn)一步地，所述銀單質(zhì)與鈀單質(zhì)質(zhì)量比為(1(Γ12):1。
[0007]進(jìn)一步地，所述明膠A與明膠B質(zhì)量比為(1飛):1。
[0008]進(jìn)一步地，所述反應(yīng)3(T50min在15?24°C下進(jìn)行。
[0009]明膠作為表面活性劑使銀鈀體系的粘度增加，利用羥基胺作為強(qiáng)還原劑，還原速度快，銀鈀離子在局部高濃度下還原，從而得到了更大的粒徑。而分兩次加入明膠，使得銀鈀顆粒的形態(tài)發(fā)生了明顯的變化，使顆粒具備了晶態(tài)的形狀，粒徑約為220nm。這是因?yàn)楫?dāng)在含有明膠的原料液中再加入含明膠的溶液時(shí)，由于兩種反應(yīng)體系中明膠的互溶性，降低了上述兩種溶液的互溶阻力，從而增加了原料液在還原體系中的分散，因而粒徑較小。同時(shí)因?yàn)槊髂z與強(qiáng)還原劑作用，銀鈀復(fù)合粉具備單分散性。
[0010]本發(fā)明通過液相制備出高品質(zhì)的亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉，具有純度高，雜質(zhì)含量低，粒徑在220nm左右，成本低，操作方便，工藝規(guī)范簡單，適于推廣使用。

【具體實(shí)施方式】
[0011]下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
[0012]一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法，包括以下步驟:將銀單質(zhì)、鈀單質(zhì)放入硝酸中混合，調(diào)整ph值至:Γ5后，加入明膠A、去離子水，調(diào)整pH值為1(Γ12，作為原料液；將羥基胺與明膠Β、去離子水混合，將原料液滴入其中，反應(yīng)3(T50min，即得。
[0013]所述銀單質(zhì)與鈀單質(zhì)質(zhì)量比為(1(Γ12):1。
[0014]所述明膠Α與明膠Β質(zhì)量比為(廣5):1。
[0015]所述反應(yīng)3(T50min在15?24°C下進(jìn)行。
【權(quán)利要求】
1.一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法，其特征在于包括以下步驟:將銀單質(zhì)、鈀單質(zhì)放入硝酸中混合，調(diào)整Ph值至:Γ5后，加入明膠A、去離子水，調(diào)整pH值為1(Γ12，作為原料液；將羥基胺與明膠B、去離子水混合，將原料液滴入其中，反應(yīng)3(T50min，即得。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法，其特征在于:所述銀單質(zhì)與鈀單質(zhì)質(zhì)量比為(1(Γ12):1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法，其特征在于:所述明膠A與明膠B質(zhì)量比為(1飛):1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種亞微米級單分散銀鈀復(fù)合粉的制備方法，其特征在于:所述反應(yīng)3(T50min在15?24°C下進(jìn)行。
【文檔編號(hào)】B22F9/24GK104384526SQ201410754980
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年12月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月11日
【發(fā)明者】蔣達(dá)偉, 蔣潔, 張瀟瀟, 毛宗寧 申請人:成都明日星辰科技有限公司