一種抑制電偶腐蝕的方法、接地線裝置及接地系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種抑制電偶腐蝕的方法、接地線裝置及接地系統(tǒng)，涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的抑制電偶腐蝕的方案成本過(guò)高或者效果差的問(wèn)題，該接地線裝置包括：隔離保護(hù)模塊，以及采用第一金屬的第一金屬設(shè)備或者采用第二金屬的第二金屬設(shè)備，該隔離保護(hù)模塊的一端與該第一金屬設(shè)備等電位相連，其另一端與該第二金屬設(shè)備等電位相連；該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)；該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于該開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)。本發(fā)明實(shí)施例用于抑制電偶腐蝕。
【專利說(shuō)明】一種抑制電偶腐蝕的方法、接地線裝置及接地系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種抑制電偶腐蝕的方法、接地線裝置及接地系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]電力或通信上為了檢修，穿線的便利，每隔一段開(kāi)挖一個(gè)可以下人的垂直通道，叫人井，常見(jiàn)的人井有電纜人井、通信人井等。人井中包括設(shè)備，如戶外通信設(shè)備，以及嵌入井壁的接地排組，其中，該設(shè)備的外殼通過(guò)接地線與接地裝置相連，使得雷擊和故障電流的能量可以安全通過(guò)。
[0003]由于人井不具備排水條件，通常人井中會(huì)積水，若該設(shè)備外殼的金屬電位與該接地排組的金屬電位之間存在電位差，例如，該設(shè)備外殼為金屬鋁Al材料，其金屬電位為-1.662V，接地排組為金屬銅Cu材料，其金屬電位為+0.337V，這樣，當(dāng)兩種金屬之間存在電位差且有導(dǎo)線連接時(shí)，水作為電解液，在原電池效應(yīng)下發(fā)生電偶腐蝕，如圖1所示，Al作為陽(yáng)極，失去電子被腐蝕。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)為了解決電偶腐蝕問(wèn)題，主要通過(guò)加厚防腐涂層，或者犧牲陽(yáng)極保護(hù)，但是，由于人井位于地下，安裝和維護(hù)需要將設(shè)備拖出人井，防腐涂層很容易破損，無(wú)法有效解決電偶腐蝕；犧牲陽(yáng)極保護(hù)需要人工定期更換陽(yáng)極，其維護(hù)成本過(guò)高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種抑制電偶腐蝕的方法、接地線裝置及接地系統(tǒng)，以解決現(xiàn)有的抑制電偶腐蝕的方案成本過(guò)高或者效果差的問(wèn)題。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]第一方面，提供一種接地線裝置，包括:隔離保護(hù)模塊，以及采用第一金屬的第一金屬設(shè)備或者采用第二金屬的第二金屬設(shè)備，所述第一金屬的金屬電位小于所述第二金屬的金屬電位；
[0008]所述隔離保護(hù)模塊的一端與所述第一金屬設(shè)備等電位相連，其另一端與所述第二金屬設(shè)備等電位相連，
[0009]所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)；所述開(kāi)關(guān)電壓大于所述第二金屬的金屬電位與所述第一金屬的金屬電位之間的電位差；
[0010]所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于所述開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)。
[0011]在第一方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述隔離保護(hù)模塊為單向隔離，所述所述隔離保護(hù)模塊的一端與所述第一金屬設(shè)備等電位相連，其另一端與所述第二金屬設(shè)備等電位相連包括:
[0012]所述隔離保護(hù)模塊的隔離起始端與采用第一金屬的第一金屬設(shè)備等電位相連，所述隔離保護(hù)模塊的隔離末端與采用第二金屬的第二金屬設(shè)備等電位相連，所述隔離起始端至所述隔離末端的方向?yàn)樗龈綦x保護(hù)模塊允許電流通過(guò)的方向。
[0013]在第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述隔離保護(hù)模塊為雙向隔離，在所述第二金屬設(shè)備與所述第一金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于預(yù)設(shè)的反向開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)；所述開(kāi)關(guān)電壓和所述反向開(kāi)關(guān)電壓，為所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的不同電流方向上的導(dǎo)通電壓。
[0014]結(jié)合第一方面至第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一金屬設(shè)備為設(shè)備外殼，所述第二金屬設(shè)備為接地排組；或者，所述第一金屬設(shè)備為接地排組，所述第二金屬設(shè)備為設(shè)備外殼。
[0015]結(jié)合第一方面的第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一金屬為金屬招AL,所述第二金屬為金屬銅Cu。
[0016]結(jié)合第一方面至第一方面的第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述隔離保護(hù)模塊包括半導(dǎo)體放電管TSS、瞬態(tài)二極管TVS、二極管、可控硅、場(chǎng)效應(yīng)管中的至少一種器件。
[0017]結(jié)合第一方面至第一方面的第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述接地線裝置還包括附加器件；所述附加器件與所述隔離保護(hù)模塊并聯(lián)；所述附加器件用于釋放雷擊產(chǎn)生的能量、故障電流、靜電、電磁噪聲中的至少一種。
[0018]結(jié)合第一方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述附加器件包括壓敏電阻、氣體放電管、TVS、電阻、電容、或者失效保護(hù)器件中的至少一種器件。
[0019]結(jié)合第一方面至第一方面的第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述開(kāi)關(guān)電壓取值范圍為3V-24V。
[0020]第二方面，提供一種接地系統(tǒng)，包括如第一方面至第一方面的第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式所述的包括第一金屬設(shè)備的接地線裝置；所述第一金屬設(shè)備米用第一金屬；
[0021]第二金屬設(shè)備，所述第二金屬設(shè)備采用第二金屬，所述第一金屬的金屬電位小于所述第二金屬的金屬電位；
[0022]其中，所述接地線裝置與所述第二金屬設(shè)備相連。
[0023]第三方面，提供一種接地線系統(tǒng)，包括采用第一金屬的第一金屬設(shè)備；
[0024]如第一方面至第一方面的第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式所述的包括第二金屬設(shè)備的接地線裝置，所述第二金屬設(shè)備采用第二金屬；所述第一金屬的金屬電位小于所述第二金屬的金屬電位；
[0025]其中，所述接地線裝置與所述第一金屬設(shè)備相連。
[0026]第四方面，提供一種抑制電偶腐蝕的方法，接地線裝置包括隔離保護(hù)模塊，以及采用第一金屬的第一金屬設(shè)備或者采用第二金屬的第二金屬設(shè)備，所述隔離保護(hù)模塊的一端與所述第一金屬設(shè)備等電位相連，其另一端與所述第二金屬設(shè)備等電位相連，所述第一金屬的金屬電位小于所述第二金屬的金屬電位；
[0027]所述方法包括:
[0028]在所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)；所述開(kāi)關(guān)電壓大于所述第二金屬的金屬電位與所述第一金屬的金屬電位之間的電位差；
[0029]在所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于所述開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)，使得電流安全通過(guò)。
[0030]在第四方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在所述第二金屬設(shè)備與所述第一金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于預(yù)設(shè)的反向開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)；所述開(kāi)關(guān)電壓和所述反向開(kāi)關(guān)電壓，為所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的不同電流方向上的導(dǎo)通電壓。
[0031]結(jié)合第四方面或者第四方面的第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述接地線裝置還包括附加器件；所述附加器件與所述隔離保護(hù)模塊并聯(lián)；
[0032]在遭受雷擊產(chǎn)生能量、產(chǎn)生故障電流、靜電、電磁噪聲中的至少一種時(shí)，通過(guò)所述接地線裝置中的所述附加器件釋放。
[0033]結(jié)合第四方面至第四方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述第一金屬設(shè)備為設(shè)備外殼，所述第二金屬設(shè)備為接地排組，或者，所述第一金屬設(shè)備為所述接地排組，所述第二金屬設(shè)備為所述設(shè)備外殼；
[0034]所述開(kāi)關(guān)電壓取值范圍為3V-24V。
[0035]采用上述方案，由于接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊的一端與第一金屬設(shè)備等電位，其另一端與第二金屬設(shè)備等電位，因此，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊兩端的電位差也小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓，此時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)，這樣，由于該開(kāi)關(guān)電壓大于該第二金屬設(shè)備采用的第二金屬的金屬電位與該第一金屬設(shè)備采用的第一金屬的金屬電位之間的電位差，因此，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差等于兩者采用金屬的金屬電位之差時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)，使得該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間無(wú)法形成電流回路，從而避免了該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間產(chǎn)生原電池效應(yīng)，保護(hù)該第一金屬設(shè)備不被腐蝕，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于該開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，如當(dāng)該第一金屬設(shè)備產(chǎn)生故障電流或者遭受雷擊時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)，使得電流安全通過(guò)，保護(hù)設(shè)備不被損壞。
[0036]由上所述，本發(fā)明可以有效的抑制電偶腐蝕，并且該接地線裝置均由常規(guī)器件通過(guò)常規(guī)技術(shù)組成，降低了解決電偶腐蝕問(wèn)題的成本。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0037]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0038]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電偶腐蝕原理的示意圖；
[0039]圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種接地線裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種接地線裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的如圖2a所示的接地線裝置與第二金屬設(shè)備連接的示意圖；
[0042]圖3b為本發(fā)明實(shí)施例提供的如圖2b所示的接地線裝置與第一金屬設(shè)備連接的示意圖；
[0043]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種單向隔離的隔離保護(hù)模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種雙向隔離的隔離保護(hù)模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種雙向隔離的隔離保護(hù)模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖7a為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種接地線裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖7b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種接地線裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種抑制電偶腐蝕的方法的流程示意圖；
[0049]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種接地系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種接地系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0051]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0052]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，描述方式為“第----與第二…之間的電位差”
的句子描述的是第一…的電位減去第二…的電位得到的電位差值，而不包括第二的電位減去第一的電位得到的電位差值，例如，“所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的電位差”表示該第一金屬設(shè)備的電位減去該第二金屬設(shè)備的電位得到的電位差值，同理，本發(fā)明相同描述方式的句子均是如此。
[0053]本發(fā)明實(shí)施例提供一種接地線裝置20，該接地線裝置20包括隔離保護(hù)模塊21，以及采用第一金屬的第一金屬設(shè)備22(如圖2a所示)或者采用第二金屬的第二金屬設(shè)備23(如圖2b所示)。
[0054]該隔離保護(hù)模塊21的一端A與該第一金屬設(shè)備22等電位相連，其另一端B與該第二金屬設(shè)備23等電位相連，如圖3a或者圖3b所示。
[0055]其中，該第一金屬的金屬電位小于該第二金屬的金屬電位。
[0056]該第一金屬設(shè)備22與該第二金屬設(shè)備23之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊21處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)。
[0057]其中，該開(kāi)關(guān)電壓大于該第二金屬的金屬電位與該第一金屬的金屬電位之間的電位差。
[0058]該第一金屬設(shè)備22與該第二金屬設(shè)備23之間的電位差大于或等于該開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊21處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)。
[0059]可選地，該第一金屬設(shè)備為設(shè)備外殼，該第二金屬設(shè)備為接地排組；或者，該第一金屬設(shè)備為接地排組，該第二金屬設(shè)備為設(shè)備外殼。
[0060]可選地，該第一金屬為金屬鋁AL,該第二金屬為金屬銅Cu。
[0061]需要說(shuō)明的是，該第一金屬設(shè)備為在發(fā)生原電池效應(yīng)時(shí)，失去電子被腐蝕的一方，該第一金屬設(shè)備可以為設(shè)備外殼，也可以為接地排組，并且在該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備僅發(fā)生原電池效應(yīng)、無(wú)外部電流或電壓的情況下，該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差等于該第二金屬設(shè)備采用金屬的金屬電位與該第一金屬設(shè)備采用金屬的金屬電位之間的電位差，如圖1所示，金屬Al的金屬電位小于金屬Cu的金屬電位，在發(fā)生原電池效應(yīng)時(shí)，金屬Al作為陽(yáng)極失去電子被腐蝕，該金屬Cu作為陰極得到電子被保護(hù)，此時(shí)，該金屬Al作為第一金屬，該金屬Cu作為第二金屬，且該陽(yáng)極與該陰極之間的電位差即為該金屬Cu與該金屬Al之間的金屬電位之差。
[0062]另外，該隔離保護(hù)模塊21與該第一金屬設(shè)備22的連接、該隔離保護(hù)模塊21與該第二金屬設(shè)備的連接均可通過(guò)OT端子進(jìn)行等電位相連，也就是說(shuō)，該隔離保護(hù)模塊21的一端A可以通過(guò)導(dǎo)線連接OT端子，通過(guò)OT端子連接該第一金屬設(shè)備22 ;該隔離保護(hù)模塊21的另一端B也可以通過(guò)導(dǎo)線連接OT端子，通過(guò)OT端子連接該第二金屬設(shè)備23。
[0063]上述只是舉例說(shuō)明，例如，該隔離保護(hù)模塊21也可以通過(guò)螺紋配合螺柱的方式與該第一金屬設(shè)備22或者該第二金屬設(shè)備23連接，本發(fā)明對(duì)此不做限定。
[0064]可選地,該隔離保護(hù)模塊21包括TSS (Thyristor Surge suppressor,半導(dǎo)體放電管)、TVS(Transient Voltage Suppressor,瞬態(tài)二極管)、二極管、可控娃、場(chǎng)效應(yīng)管中的至少一種器件。
[0065]值得說(shuō)明的是，TSS也稱固態(tài)放電管，當(dāng)外加電壓低于其斷態(tài)電壓時(shí)，該TSS處于開(kāi)路狀態(tài)；當(dāng)外加電壓超過(guò)該TSS的斷態(tài)電壓時(shí)，該TSS由于負(fù)阻效應(yīng)進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。TVS在外加電壓低于其斷態(tài)電壓時(shí)，該TSS處于高阻抗?fàn)顟B(tài)；當(dāng)外加電壓超過(guò)該TVS的斷態(tài)電壓時(shí)，該TVS處于低阻抗?fàn)顟B(tài)。
[0066]另外，二極管在外加電壓低于其斷態(tài)電壓時(shí)，處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，當(dāng)外加電壓超過(guò)該二極管的斷態(tài)電壓時(shí)，該二極管處于開(kāi)路狀態(tài)。可控硅和場(chǎng)效應(yīng)管一致，在外加電壓低于其斷態(tài)電壓時(shí)，處于開(kāi)路狀態(tài)，當(dāng)外加電壓超過(guò)其斷態(tài)電壓時(shí)，處于導(dǎo)通狀態(tài)。
[0067]可選地，該隔離保護(hù)模塊21為單向隔離，該隔離保護(hù)模塊的隔離起始端與該第一金屬設(shè)備22等電位相連，該隔離保護(hù)模塊的隔離末端與該第二金屬設(shè)備23等電位相連，該隔離起始端至該隔離末端的方向?yàn)樵摳綦x保護(hù)模塊允許電流通過(guò)的方向。
[0068]示例地，該第一金屬為Al，該第二金屬為Cu，其中該Cu的金屬電位與該Al的金屬電位之間的電位差為0.337V-(-1.662V) = 1.999V。該隔離保護(hù)模塊為一個(gè)TSS或者η個(gè)TTS串聯(lián)，η為大于I的正整數(shù)，這樣，若該隔離保護(hù)模塊為一個(gè)TSS，則該開(kāi)關(guān)電壓即為該TSS的斷態(tài)電壓，如3V ;若該隔離保護(hù)模塊為η個(gè)TTS串聯(lián)，如圖4所示，該隔離保護(hù)模塊允許電流通過(guò)的方向?yàn)楦綦x起始端至隔離末端的方向，此時(shí)，與該第一金屬設(shè)備相連的即為該隔離保護(hù)模塊的隔離起始端，與該第二金屬設(shè)備相連的即為該隔離保護(hù)模塊的隔離末端，若該TSS的斷態(tài)電壓為3V，則該隔離保護(hù)模塊的開(kāi)關(guān)電壓為3nV。
[0069]因此，當(dāng)該接地線裝置不存在外部電壓或者電流時(shí)，該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差即為1.999V，此時(shí)，該隔離保護(hù)模塊的一端A(隔離起始端)與另一端B(隔離末端)之間的電位差也為1.999V，小于該TSS的斷態(tài)電壓3V，因此，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)，使得該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間無(wú)法形成電流回路，相當(dāng)于圖1中的導(dǎo)線斷開(kāi)，從而避免了該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間產(chǎn)生原電池效應(yīng)，保護(hù)該第一金屬設(shè)備不被腐蝕；當(dāng)該第一金屬設(shè)備產(chǎn)生故障電流或者遭受雷擊，使得該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差大于該開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得電流安全通過(guò)，保護(hù)設(shè)備不被損壞。
[0070]另外，該隔離保護(hù)模塊還可以為一個(gè)TVS或者η個(gè)TVS串聯(lián)組成，此時(shí)，該隔離保護(hù)模塊21的該一端A與該另一端B之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊21處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，該第一端A與該第二端B之間的電位差大于或等于該開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊21處于低阻抗?fàn)顟B(tài)，其工作原理與上述相同，此處不再贅述。
[0071]可選地，該隔離保護(hù)模塊21為雙向隔離，在該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于預(yù)設(shè)的反向開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)。其中，該開(kāi)關(guān)電壓和該反向開(kāi)關(guān)電壓，為該第一金屬設(shè)備22與該第二金屬設(shè)備23之間的不同電流方向上的導(dǎo)通電壓。
[0072]需要說(shuō)明的是，由于雷擊可能為正極性也可能是負(fù)極性，因此，設(shè)備在遭受雷擊時(shí)，可能會(huì)由該第一金屬設(shè)備至該第二金屬設(shè)備的方向釋放電流，也可能由該第二金屬設(shè)備至該第一金屬設(shè)備的方向釋放電流，因此，在本發(fā)明一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，該隔離保護(hù)模塊為雙向隔離，在該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，或者在該第二金屬設(shè)備與該第一金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于預(yù)設(shè)的反向開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)，其中，如圖5所示，將兩個(gè)TSS反向并聯(lián)即可作為雙向保護(hù)的隔離保護(hù)模塊，同理，將兩個(gè)TVS反向并聯(lián)，或者將一個(gè)TSS與一個(gè)TVS反向并聯(lián)也可以達(dá)到雙向保護(hù)的效果，本發(fā)明對(duì)此不做限定。
[0073]在本發(fā)明實(shí)施例的一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，該隔離保護(hù)模塊為對(duì)稱或者非對(duì)稱的二極管組合，如圖6所示，該隔離保護(hù)模塊由兩組串聯(lián)在一起的二極管反向并聯(lián)組成，其中，一組由N個(gè)二極管串聯(lián)，另一組由M個(gè)二極管串聯(lián)，M可以等于N，也可以不等于N。
[0074]示例地，N等于5，Μ等于3，由于一個(gè)二極管的斷態(tài)電壓為0.7V，因此，該A端與該B端之間的開(kāi)關(guān)電壓即為5*0.7V = 3.5V，該B端與該A端之間的反向開(kāi)關(guān)電壓即為3*0.7V=2.1V，因此，參照上文描述，當(dāng)該設(shè)備未產(chǎn)生故障電流，也未遭受遭雷擊時(shí)，該隔離保護(hù)模塊的A端與B端之間的電位差為1.999V，小于該開(kāi)關(guān)電壓，此時(shí)，兩組串聯(lián)在一起的二極管均處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，從而避免了該設(shè)備外殼與該接地排組之間產(chǎn)生原電池效應(yīng)，保護(hù)設(shè)備外殼不被腐蝕；當(dāng)該設(shè)備產(chǎn)生故障電流或者遭受雷擊時(shí)，若該A端與該B端之間的電位差大于3.5V，則N個(gè)二極管串聯(lián)的一側(cè)開(kāi)路，M個(gè)二極管串聯(lián)的一側(cè)高阻抗，此時(shí)，電流可由N個(gè)二極管串聯(lián)的一側(cè)安全通過(guò)；若該B端與該A端之間的電位差大于2.1V，則M個(gè)二極管串聯(lián)的一側(cè)開(kāi)路，N個(gè)二極管串聯(lián)的一側(cè)高阻抗，此時(shí)，電流可由M個(gè)二極管串聯(lián)的一側(cè)安全通過(guò)，雙向保護(hù)設(shè)備不被損壞。
[0075]值得說(shuō)明的是，在該開(kāi)關(guān)電壓與該反向開(kāi)關(guān)電壓均大于該第二金屬的金屬電位與該第一金屬的金屬電位之間的電位差時(shí)，可將該隔離保護(hù)模塊的任一端與該第一金屬設(shè)備相連，也就是說(shuō)，該隔離保護(hù)模塊21在與該第一金屬設(shè)備22和該第二金屬設(shè)備23相互連接時(shí)，可不區(qū)分方向。
[0076]另外，該隔離保護(hù)模塊還可以由可控硅或者場(chǎng)效應(yīng)管組成，或者由TSS、TVS、二極管、可控硅、場(chǎng)效應(yīng)管中的多種器件組合，此處不再一一贅述。
[0077]在本發(fā)明一種優(yōu)選的實(shí)施例中，該開(kāi)關(guān)電壓的取值范圍為3V-24V。
[0078]示例地，如圖6所示，由于二極管的斷態(tài)電壓為0.7V，因此，N的取值范圍可為[5，34],此時(shí)，該隔離保護(hù)模塊的開(kāi)關(guān)電壓的取值為[3.5,23.8]。
[0079]進(jìn)一步地，如圖7a或者7b所示，該接地線裝置還包括附加器件24，該附加器件22與該隔離保護(hù)模塊21并聯(lián)，該附加器件24用于釋放雷擊產(chǎn)生的能量、故障電流、靜電、電磁噪聲中的至少一種。
[0080]可選地，該附加器件22包括壓敏電阻、氣體放電管、TVS、電阻、電容、或者失效保護(hù)器件中的至少一種器件。
[0081]具體地，為了確保該接地線裝置在雷擊等超高能量的過(guò)電流下能夠保護(hù)設(shè)備不被損壞，該附加器件可以包括壓敏電阻或者氣體放電管，輔助該隔離保護(hù)模塊21釋放過(guò)電流；同時(shí)，該附加器件還可以包括電阻或者電容，用于釋放設(shè)備的靜電或電磁噪聲，同時(shí)，為了防止隔離保護(hù)模塊21在損壞情況(如燒毀斷開(kāi))下，設(shè)備無(wú)法防止雷擊，該附加器件還可以包括失效保護(hù)器件，其中，該附加器件在該設(shè)備外殼與該接地排組之間的電位差達(dá)到預(yù)設(shè)閾值時(shí)，處于短路狀態(tài)。
[0082]這樣，在人井中的設(shè)備外殼發(fā)生電偶腐蝕的場(chǎng)景中，該設(shè)備外殼即為該第一金屬設(shè)備，接地排組即為該第二金屬設(shè)備，通過(guò)上述方法，可有效保護(hù)該設(shè)備外殼不被腐蝕，同時(shí)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該清楚明白本發(fā)明實(shí)施例適用于所有發(fā)生電偶腐蝕的場(chǎng)景。
[0083]采用上述接地線裝置，由于該接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊的一端與第一金屬設(shè)備等電位，其另一端與第二金屬設(shè)備等電位，因此，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊兩端的電位差也小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓，此時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)，這樣，由于該開(kāi)關(guān)電壓大于該第二金屬設(shè)備采用的第二金屬的金屬電位與該第一金屬設(shè)備采用的第一金屬的金屬電位之間的電位差，因此，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差等于兩者采用金屬的金屬電位之差時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)，使得該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間無(wú)法形成電流回路，從而避免了該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間產(chǎn)生原電池效應(yīng)，保護(hù)該第一金屬設(shè)備不被腐蝕，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于該開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，如當(dāng)該第一金屬設(shè)備產(chǎn)生故障電流或者遭受雷擊時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)，使得電流安全通過(guò)，保護(hù)設(shè)備不被損壞。
[0084]由上所述，本發(fā)明實(shí)施例可以有效的抑制電偶腐蝕，并且該接地線裝置均由常規(guī)器件通過(guò)常規(guī)技術(shù)組成，降低了解決電偶腐蝕問(wèn)題的成本。
[0085]本發(fā)明實(shí)施例提供一種抑制電偶腐蝕的方法，如圖8所示，其中，接地線裝置包括隔離保護(hù)模塊，以及采用第一金屬的第一金屬設(shè)備或者采用第二金屬的第二金屬設(shè)備，該隔離保護(hù)模塊的一端與采用第一金屬的第一金屬設(shè)備等電位相連，其另一端與采用第二金屬的第二金屬設(shè)備等電位相連，該第一金屬的金屬電位小于該第二金屬的金屬電位。該方法包括:
[0086]S801、在該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)；該開(kāi)關(guān)電壓大于該第二金屬的金屬電位與該第一金屬的金屬電位之間的電位差。
[0087]S802、在該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于該開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)，使得電流安全通過(guò)。
[0088]可選地，在該第二金屬設(shè)備與該第一金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于預(yù)設(shè)的反向開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)。
[0089]可選地，該接地線裝置還包括附加器件，該附加器件與該隔離保護(hù)模塊并聯(lián)；在遭受雷擊產(chǎn)生能量、產(chǎn)生故障電流、靜電、電磁噪聲中的至少一種時(shí)，通過(guò)所述接地線裝置中的所述附加器件釋放。
[0090]可選地，該第一金屬設(shè)備為設(shè)備外殼，該第二金屬設(shè)備為接地排組，或者，該第一金屬設(shè)備為該接地排組，該第二金屬設(shè)備為該設(shè)備外殼；該開(kāi)關(guān)電壓取值范圍為[3V, 24V]。
[0091]需要說(shuō)明的是，該方法的執(zhí)行主體為裝置實(shí)施例中的接地線裝置20，該方法的步驟均對(duì)應(yīng)于該接地線裝置20各個(gè)功能模塊，上述描述的方法步驟，可參考前述裝置實(shí)施例中的對(duì)應(yīng)過(guò)程，在此不再贅述。
[0092]采用上述方法，由于接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊的一端與第一金屬設(shè)備等電位，其另一端與第二金屬設(shè)備等電位，因此，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊兩端的電位差也小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓，此時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)，這樣，由于該開(kāi)關(guān)電壓大于該第二金屬設(shè)備采用的第二金屬的金屬電位與該第一金屬設(shè)備采用的第一金屬的金屬電位之間的電位差，因此，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差等于兩者采用金屬的金屬電位之差時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)，使得該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間無(wú)法形成電流回路，從而避免了該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間產(chǎn)生原電池效應(yīng)，保護(hù)該第一金屬設(shè)備不被腐蝕，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于該開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，如當(dāng)該第一金屬設(shè)備產(chǎn)生故障電流或者遭受雷擊時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)，使得電流安全通過(guò)，保護(hù)設(shè)備不被損壞。
[0093]另外，對(duì)于上述方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說(shuō)明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。
[0094]本發(fā)明實(shí)施例提供一種接地系統(tǒng)90，如圖9所示，該接地系統(tǒng)90包括如圖2a所示的接地線裝置20，其中，該接地線裝置20包括采用第一金屬的第一金屬設(shè)備，該接地線裝置20具體可參照裝置實(shí)施例中對(duì)應(yīng)圖2a的說(shuō)明，此處不再贅述。
[0095]第二金屬設(shè)備91，該第二金屬設(shè)備91采用第二金屬，該第一金屬的金屬電位小于所述第二金屬的金屬電位。
[0096]其中，該接地線裝置20與該第二金屬設(shè)備91相連。
[0097]采用上述接地系統(tǒng)，在該接地系統(tǒng)中，由于接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊的一端與第一金屬設(shè)備等電位，其另一端與第二金屬設(shè)備等電位，因此，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊兩端的電位差也小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓，此時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)，這樣，由于該開(kāi)關(guān)電壓大于該第二金屬設(shè)備采用的第二金屬的金屬電位與該第一金屬設(shè)備采用的第一金屬的金屬電位之間的電位差，因此，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差等于兩者采用金屬的金屬電位之差時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)，使得該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間無(wú)法形成電流回路，從而避免了該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間產(chǎn)生原電池效應(yīng)，保護(hù)該第一金屬設(shè)備不被腐蝕，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于該開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，如當(dāng)該第一金屬設(shè)備產(chǎn)生故障電流或者遭受雷擊時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)，使得電流安全通過(guò)，保護(hù)設(shè)備不被損壞。
[0098]本發(fā)明實(shí)施例提供一種接地系統(tǒng)100，如圖10所示，該接地系統(tǒng)100包括采用第一金屬的第一金屬設(shè)備101 ；
[0099]如圖2b所示的接地線裝置20，該接地線裝置20包括采用第二金屬的第二金屬設(shè)備，該第一金屬的金屬電位小于該第二金屬的金屬電位，具體可參照裝置實(shí)施例中對(duì)應(yīng)圖2b的說(shuō)明，此處不再贅述。
[0100]其中，該接地線裝置20與該第一金屬設(shè)備101相連。
[0101]采用上述接地系統(tǒng)，在該接地系統(tǒng)中，由于接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊的一端與第一金屬設(shè)備等電位，其另一端與第二金屬設(shè)備等電位，因此，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，該隔離保護(hù)模塊兩端的電位差也小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓，此時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)，這樣，由于該開(kāi)關(guān)電壓大于該第二金屬設(shè)備采用的第二金屬的金屬電位與該第一金屬設(shè)備采用的第一金屬的金屬電位之間的電位差，因此，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差等于兩者采用金屬的金屬電位之差時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)，使得該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間無(wú)法形成電流回路，從而避免了該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間產(chǎn)生原電池效應(yīng)，保護(hù)該第一金屬設(shè)備不被腐蝕，當(dāng)該第一金屬設(shè)備與該第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于該開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，如當(dāng)該第一金屬設(shè)備產(chǎn)生故障電流或者遭受雷擊時(shí)，該隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)，使得電流安全通過(guò)，保護(hù)設(shè)備不被損壞。
[0102]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種接地線裝置，其特征在于，包括:隔離保護(hù)模塊，以及采用第一金屬的第一金屬設(shè)備或者采用第二金屬的第二金屬設(shè)備，所述第一金屬的金屬電位小于所述第二金屬的金屬電位； 所述隔離保護(hù)模塊的一端與所述第一金屬設(shè)備等電位相連，其另一端與所述第二金屬設(shè)備等電位相連； 所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)；所述開(kāi)關(guān)電壓大于所述第二金屬的金屬電位與所述第一金屬的金屬電位之間的電位差； 在所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于所述開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接地線裝置，其特征在于，所述隔離保護(hù)模塊為單向隔離，所述所述隔離保護(hù)模塊的一端與所述第一金屬設(shè)備等電位相連，其另一端與所述第二金屬設(shè)備等電位相連包括: 所述隔離保護(hù)模塊的隔離起始端與采用第一金屬的第一金屬設(shè)備等電位相連，所述隔離保護(hù)模塊的隔離末端與采用第二金屬的第二金屬設(shè)備等電位相連，所述隔離起始端至所述隔離末端的方向?yàn)樗龈綦x保護(hù)模塊允許電流通過(guò)的方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接地線裝置，其特征在于，所述隔離保護(hù)模塊為雙向隔離，在所述第二金屬設(shè)備與所述第一金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于預(yù)設(shè)的反向開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)；所述開(kāi)關(guān)電壓和所述反向開(kāi)關(guān)電壓，為所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的不同電流方向上的導(dǎo)通電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的接地線裝置，其特征在于， 所述第一金屬設(shè)備為設(shè)備外殼，所述第二金屬設(shè)備為接地排組；或者，所述第一金屬設(shè)備為接地排組，所述第二金屬設(shè)備為設(shè)備外殼。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的接地線裝置，其特征在于，所述第一金屬為金屬鋁AL，所述第二金屬為金屬銅Cu。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的接地線裝置，其特征在于，所述隔離保護(hù)模塊包括半導(dǎo)體放電管TSS、瞬態(tài)二極管TVS、二極管、可控硅、場(chǎng)效應(yīng)管中的至少一種器件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的接地線裝置，其特征在于，所述接地線裝置還包括附加器件；所述附加器件與所述隔離保護(hù)模塊并聯(lián)；所述附加器件用于釋放雷擊產(chǎn)生的能量、故障電流、靜電、電磁噪聲中的至少一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的接地線裝置，其特征在于，所述附加器件包括壓敏電阻、氣體放電管、TVS、電阻、電容、或者失效保護(hù)器件中的至少一種器件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的接地線裝置，其特征在于， 所述開(kāi)關(guān)電壓取值范圍為3V-24V。
10.一種接地系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的包括第一金屬設(shè)備的接地線裝置，所述第一金屬設(shè)備采用第一金屬； 第二金屬設(shè)備，所述第二金屬設(shè)備采用第二金屬，所述第一金屬的金屬電位小于所述第二金屬的金屬電位； 其中，所述接地線裝置與所述第二金屬設(shè)備相連。
11.一種接地系統(tǒng)，其特征在于，包括采用第一金屬的第一金屬設(shè)備； 如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的包括第二金屬設(shè)備的接地線裝置，所述第二金屬設(shè)備采用第二金屬；所述第一金屬的金屬電位小于所述第二金屬的金屬電位； 其中，所述接地線裝置與所述第一金屬設(shè)備相連。
12.—種抑制電偶腐蝕的方法，其特征在于，接地線裝置包括隔離保護(hù)模塊，以及采用第一金屬的第一金屬設(shè)備或者采用第二金屬的第二金屬設(shè)備，所述隔離保護(hù)模塊的一端與所述第一金屬設(shè)備等電位相連，其另一端與所述第二金屬設(shè)備等電位相連，所述第一金屬的金屬電位小于所述第二金屬的金屬電位； 所述方法包括: 在所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的電位差小于預(yù)設(shè)的開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊處于開(kāi)路狀態(tài)或者高阻抗?fàn)顟B(tài)；所述開(kāi)關(guān)電壓大于所述第二金屬的金屬電位與所述第一金屬的金屬電位之間的電位差； 在所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于所述開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述接地線裝置中的隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)，使得電流安全通過(guò)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，在所述第二金屬設(shè)備與所述第一金屬設(shè)備之間的電位差大于或等于預(yù)設(shè)的反向開(kāi)關(guān)電壓時(shí)，所述隔離保護(hù)模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)或者低阻抗?fàn)顟B(tài)；所述開(kāi)關(guān)電壓和所述反向開(kāi)關(guān)電壓，為所述第一金屬設(shè)備與所述第二金屬設(shè)備之間的不同電流方向上的導(dǎo)通電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的方法，其特征在于，所述接地線裝置還包括附加器件；所述附加器件與所述隔離保護(hù)模塊并聯(lián)； 在遭受雷擊產(chǎn)生能量、產(chǎn)生故障電流、靜電、電磁噪聲中的至少一種時(shí)，通過(guò)所述接地線裝置中的所述附加器件釋放。
15.根據(jù)權(quán)利要求12至14任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一金屬設(shè)備為設(shè)備外殼，所述第二金屬設(shè)備為接地排組，或者，所述第一金屬設(shè)備為所述接地排組，所述第二金屬設(shè)備為所述設(shè)備外殼； 所述開(kāi)關(guān)電壓取值范圍為3V-24V。
【文檔編號(hào)】C23F13/06GK104357851SQ201410605678
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】駱紅廷, 王慶海, 張興海 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司