濺射系統(tǒng)以及使用該系統(tǒng)制造顯示器件的方法
【專利摘要】濺射系統(tǒng)包括腔室、多個靶和襯底支架。靶被設(shè)置在腔室中。每個靶包括設(shè)置在其中的磁鐵單元。襯底支架被配置在所述腔室中支承襯底。磁鐵單元被配置成在靶之間生成磁場。磁鐵單元中每個包括設(shè)置成兩排的磁鐵。
【專利說明】濺射系統(tǒng)以及使用該系統(tǒng)制造顯示器件的方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年7月25日提交的第10-2013-0088268號韓國專利申請的權(quán)益和優(yōu)先權(quán)，該申請通過引用并入本文以用于所有目的，如同其已完全在本文中闡述。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]示例性實施方式涉及配置成執(zhí)行濺射工藝的濺射系統(tǒng)以及使用該濺射系統(tǒng)制造顯示器件的方法。

【背景技術(shù)】
[0004]傳統(tǒng)的有機發(fā)光顯示器件通常包括一個或多個薄膜晶體管(TFT)，其可以被利用在例如數(shù)碼相機、視頻相機、攝像機、個人數(shù)字助理、便攜式信息終端、筆記本電腦、智能電話、平板電腦、柔性顯示裝置、工作站、電視等的多種電子裝置中，以及被利用在例如汽車、消費類電子產(chǎn)品、廣告牌、標志等的任何其他合適的產(chǎn)品中。這些有機發(fā)光顯示器件可以包括可以被形成在底部襯底的表面上的第一電極和第二電極和中間層，中間層可以包括有機發(fā)光層，有機發(fā)光層可以被設(shè)置在第一電極與第二電極之間。應(yīng)注意，可以利用薄膜封裝(TFE)層來保護形成在襯底上的中間層。TFE可以利用例如薄膜沉積工藝(如化學氣相沉積(CVD)工藝、物理氣相沉積(PVD)工藝等)的任何合適的工藝來形成。PVD工藝通常包括濺射工藝、熱蒸發(fā)工藝、電子束蒸發(fā)工藝等。
[0005]在上述的工藝之中，可以利用濺射工藝來形成TFE層而無需考慮底部襯底的材料。傳統(tǒng)的濺射系統(tǒng)通常包括磁鐵，磁鐵可以至少部分地繞著靶被設(shè)置以增加濺射效果。也就是說，磁鐵可以繞著靶接合以形成垂直于一個或多個其它電場的至少一個磁場，進而將電子的運動約束在靶的周邊環(huán)境中，以及延伸電子的移動路徑。如上述記載，這可以增加濺射效果。然而，應(yīng)注意，至少部分地因磁鐵的結(jié)構(gòu)而使非放電可能發(fā)生在不期望的區(qū)域(亦即不是正常的放電區(qū)域)中。這可以導(dǎo)致靶的侵蝕中的非均勻性并且減少電弧的發(fā)生從而減少等離子體弧的密度。
[0006]在【背景技術(shù)】部分公開的上述信息僅僅用于增強對本發(fā)明概念的背景的理解，因此其可能包含不形成本國本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]示例性實施方式涉及配置成防止異常放電并且執(zhí)行更加穩(wěn)定的濺射工藝的濺射系統(tǒng)，以及使用該濺射系統(tǒng)制造顯示器件的方法。
[0008]附加的方面將被記載于下面的詳細說明書中，并且部分地將通過公開而明確、或者可以通過本發(fā)明概念的實踐來獲悉。
[0009]根據(jù)示例性實施方式，濺射系統(tǒng)包括腔室、多個靶和襯底支架。靶被設(shè)置在腔室中。每個靶包括設(shè)置在其中的磁鐵單元。襯底支架被配置成在腔室中支承襯底。磁鐵單元被配置成在靶之間生成磁場。磁鐵單元中每個包括設(shè)置成兩排的磁鐵。
[0010]根據(jù)示例性實施方式，方法包括:至少部分地使設(shè)置在腔室中的濺射靶被電偏置，濺射靶中每個分別用于容納彼此相隔的磁鐵，磁鐵被配置成在濺射靶之間生成磁場；以及至少部分地使顆粒與偏置的濺射靶碰撞，該碰撞使沉積顆粒被彈離偏置的濺射靶。磁場將沉積顆粒的第一部分約束在位于偏置的濺射靶之間的空間中，并且允許沉積顆粒的第二部分被沉積在設(shè)置于腔室中的襯底上。
[0011]前面的一般性描述和下面的詳細描述均為示例性和解釋性的，并且旨在提供對于所要求保護的主題的進一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]被包括以提供對本發(fā)明概念的進一步理解且被并入本說明書中以構(gòu)成本說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明概念的示例性實施方式，并且與說明書一同用于解釋本發(fā)明概念的原則。
[0013]圖1為根據(jù)示例性實施方式的濺射系統(tǒng)的示意圖。
[0014]圖2為根據(jù)示例性實施方式的圖1的濺射系統(tǒng)的剖視圖，其中圖1的濺射系統(tǒng)包括以第一狀態(tài)設(shè)置的第一濺射蒸發(fā)源和第二濺射蒸發(fā)源。
[0015]圖3為根據(jù)示例性實施方式的圖2所示濺射系統(tǒng)的剖視圖。
[0016]圖4為根據(jù)示例性實施方式的濺射系統(tǒng)的剖視圖，其中濺射系統(tǒng)包括以第二狀態(tài)設(shè)置的第一濺射蒸發(fā)源和第二濺射蒸發(fā)源。
[0017]圖5為根據(jù)示例性實施方式的圖4所示濺射系統(tǒng)的磁場分布的視圖。
[0018]圖6為根據(jù)示例性實施方式的、使用濺射系統(tǒng)制造的顯示器件的子像素的剖視圖。

【具體實施方式】
[0019]用于解釋目的的下面的說明書中，記載了大量的具體細節(jié)以提供對于多種示例性實施方式的透徹理解。然而，應(yīng)明確，多種示例性實施方式可以在沒有這些具體細節(jié)或者具有一個或多個等同配置的情況下被實踐。在其它情況下，以框圖形式示出了公知的結(jié)構(gòu)和裝置以避免多種示例性實施方式之間不必要的混淆。
[0020]在附圖中，為了清楚起見和描述性目的，層、膜、面板和區(qū)域等的尺寸和相對尺寸可以被夸大。并且，相同的附圖標記表示相同的元件。
[0021]當元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀?、“連接至”另一元件或?qū)?、或者“接合至”另一元件或?qū)訒r，其可以直接在其它元件或?qū)由?、直接連接至或直接接合至其它元件或?qū)?，或者可以存在有中間元件或?qū)印Ｈ欢?，當元件或?qū)颖环Q為“直接”在另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接至”另一元件或?qū)?、或者“直接接合至”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或?qū)印τ诒竟_的目的而言，“X、Y和Z中的至少一個”和“選自由X、Y和Z構(gòu)成的群中的至少一個”可以被理解成僅X、僅Y、僅Z、或者X、Y和Z中兩個或更多的任何組合，例如ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ和ZZ0貫穿全文，相同的附圖標記指向相同的元件。如本文所用，用詞“和/或”包括相關(guān)所列項目中一個或多個的任何組合和所有組合。
[0022]雖然用詞“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述多個元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受限于這些用詞。這些用詞被用于將一個元件、部件、區(qū)域、層和/或區(qū)域與另一個元件、部件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開來。因此，在不背離本公開的教導(dǎo)的情況下下面所討論的第一元件、部件、區(qū)域、層和/或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層和/或部分。
[0023]空間相對用詞如“下方”、“下”、“下部”、“上方”、“上部”等可以在本文中用于描述性目的，并因此用于描述如圖所示的一個元件或特征相對于另一元件或特征的關(guān)系。空間相對用詞旨在除了附圖中描繪的取向以外還包含使用、操作和/或制造中的設(shè)備的不同取向。例如，如果附圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，則被描述成在其它元件或特征“下”或“下方”的元件將被轉(zhuǎn)向成在其它元件或特征“上方”。因此，示例性用詞“下”可以包含上和下的兩種取向。此外，設(shè)備可以被另外定向(如轉(zhuǎn)動90度或者以其它取向)，從而相應(yīng)地解釋本文中所使用的空間相對描述詞。
[0024]本文中所使用的術(shù)語是描述特定實施方式的目的，并不旨在限制本發(fā)明。如本文所用，除非本文中另有明確指示，否則單數(shù)形式“一個”、“一種”及“此”亦旨在包括復(fù)數(shù)形式。此外，當用詞“包括”、“包括有”、“包含”和/或“包含有”用于本說明書中時，是指所列特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其群的存在，并不是排除一個或多個其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或其群的存在或附加。
[0025]本文中參照作為理想的示例性實施方式和/或中間結(jié)構(gòu)的示意圖的截面示意圖描述了多種示例性實施方式。而由于例如制造技術(shù)和/或公差所導(dǎo)致的示意圖的形狀變化是可以被預(yù)期的。因此，本文中所公開的示例性實施方式不應(yīng)被解釋成限制于區(qū)域的特定圖示形狀，而應(yīng)被解釋成包括由例如在制造中所導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⑼ǔＴ谄溥吘壧幘哂械箞A的特征或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域至非注入?yún)^(qū)域的二元變化。相似地，通過注入而形成的掩埋區(qū)域可以導(dǎo)致掩埋區(qū)域與發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的一些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，并且其形狀并不旨在示出裝置的區(qū)域的實際形狀，并且并不旨在限制本發(fā)明。
[0026]除非另有限定，否則本文中所使用的所有用詞(包括技術(shù)術(shù)語和科技術(shù)語)具有與本公開所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員通常理解相同的含義。除非本文中明確地如此限定，否則如在常用字典中定義的那些用詞應(yīng)被解釋成具有其在相關(guān)領(lǐng)域的內(nèi)容中的含義一致的含義，并且不應(yīng)被解釋成理想化或過于正式的含義。
[0027]圖1為根據(jù)示例性實施方式的濺射系統(tǒng)100的示意圖。圖2為濺射系統(tǒng)100的剖視圖，其中濺射系統(tǒng)100包括以第一狀態(tài)設(shè)置的第一濺射蒸發(fā)源130和第二濺射蒸發(fā)源140。圖3為圖2所示濺射系統(tǒng)100的剖視圖。
[0028]參照圖1至圖3，濺射系統(tǒng)100包括用于提供沉積空間(或環(huán)境)的腔室110。腔室110可以被加壓，例如配置成提供負壓(例如，真空)或者正壓大氣，以便促進材料的穩(wěn)定沉積。
[0029]一對濺射蒸發(fā)源120可以被設(shè)置在腔室110中；然而，應(yīng)注意，結(jié)合本文所述的示例性實施方式，可以利用任何合適數(shù)量的濺射蒸發(fā)源。然而，如圖1所示，一對濺射蒸發(fā)源120包括第一濺射蒸發(fā)源130和面對第一濺射蒸發(fā)源130的第二濺射蒸發(fā)源140。
[0030]根據(jù)示例性實施方式，第一濺射蒸發(fā)源130可以包括第一靶131和設(shè)置在第一靶131中的第一磁鐵單元132。第一靶131可以具有圓筒形狀；然而，可以預(yù)期的是，可以利用任何其它合適的幾何配置。第一磁鐵單元132可以包括第一磁鐵133和設(shè)置成與第一磁鐵133相鄰的第二磁鐵134。然而，可以預(yù)期的是，可以利用任何合適數(shù)量的磁鐵。第一磁鐵133和第二磁鐵134可以被布置成排的配置。應(yīng)注意，可以使用永磁鐵或電磁鐵作為第一磁鐵單元132。還應(yīng)注意，第一磁鐵133和第二磁鐵134可以被設(shè)置成例如兩排。換言之，第一磁鐵133和第二磁鐵134可以彼此相隔。
[0031]在示例性實施方式中，第二濺射蒸發(fā)源140可以包括第二靶141和設(shè)置在第二靶141中的第二磁鐵單元142。第二靶141可以具有圓筒形狀；然而，可以利用任何其他合適的幾何配置。由此，第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142的幾何配置可以相似或不同。另外，第二靶141可以包括設(shè)置成與腔室110的第一方向(例如，水平(或橫向)方向)X1平行(或基本平行)的中軸線，該中軸線可以與第一靶131的中軸線平行(或基本平行)。第二磁鐵單元142可以包括第三磁鐵143和設(shè)置成與第三磁鐵143相鄰的第四磁鐵144。然而，可以預(yù)期的是，可以利用任何合適數(shù)量的磁鐵。第三磁鐵143和第四磁鐵144可以被布置成排的配置，例如，第三磁鐵143和第四磁鐵144可以被布置成彼此相隔的兩排。應(yīng)注意，可以使用永磁鐵或電磁鐵作為第二磁鐵單元142。
[0032]雖未圖示，但是第一靶131和第二靶141中每個可以通過一個或多個靶支架來支承在腔室110中。通過這種方式，可以通過靶支架操縱第一靶131和第二靶141 (例如，在一個或多個方向上或者繞著一個或多個方向轉(zhuǎn)動和/或平移)。例如，可以通過接合至靶支架的一個或多個靶轉(zhuǎn)動裝置(未示出)以相反的方向轉(zhuǎn)動第一靶131和第二靶141。也就是說，當?shù)谝话?31以順時針方向被轉(zhuǎn)動時，第二靶141可以以逆時針方向被轉(zhuǎn)動，反之亦然。然而，應(yīng)注意，示例性實施方式可以包括第一靶131和第二靶141的其它轉(zhuǎn)動和/或平移方向。
[0033]在示例性實施方式中，配置成以確定的角度轉(zhuǎn)動第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142的角度調(diào)節(jié)裝置、或者用于集中第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142的磁場的軛可以被設(shè)置在第一靶131和第二靶141中。然而，應(yīng)注意，可以利用任何其他合適的位置/裝置以檢測和控制第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142的轉(zhuǎn)動/平移位置。也就是說，多種裝置/位置可以與第一靶131和第二靶141結(jié)合或一同利用以檢測和控制第一靶131和第二靶141的布局。
[0034]用于供給電力的電源單元150可以連接至第一濺射蒸發(fā)源130和第二濺射蒸發(fā)源140。電源單元150可以施加直流(DC)電；然而，可以預(yù)期的是，可以利用交流(AC)電。第一電極(未示出)(例如，陽極)可以連接至腔室110，且可能具有與第一電極不同極性的第二電極(未示出)(例如，陰極)可以連接至分別被設(shè)置在第一濺射蒸發(fā)源130和第二濺射蒸發(fā)源140中的第一靶131和第二靶141。應(yīng)注意，可以利用單個電源單元150以便放電電極可以被分布、然后被提供至第一濺射蒸發(fā)源130和第二濺射蒸發(fā)源140，然而，也可以利用多個電源單元150以便多個放電電極可以分別被提供至第一濺射蒸發(fā)源130和第二濺射蒸發(fā)源140。然而，在示例性實施方式中，可以以任何合適的方式將電力供給至第一濺射蒸發(fā)源130和第二濺射蒸發(fā)源140。
[0035]根據(jù)示例性實施方式，可以在其上沉積有從第一靶131和第二靶141濺射的薄膜沉積顆粒的襯底161可以被設(shè)置在腔室110中。例如，襯底161可以被設(shè)置在可垂直于第一方向Xl的第二方向X2上。應(yīng)注意，襯底161可以被設(shè)置在腔室110的任何合適的部分中，例如，腔室110的上部。通過這種方式，第一靶131和第二靶141可以被設(shè)置在腔室110的另一部分中，例如，腔室110下部中襯底161的下方。然而，可以預(yù)期的是，可以結(jié)合本文所述的示例性實施方式利用用于襯底161以及第一靶131和第二靶141的任何其它合適的位置。例如，根據(jù)示例性實施方式，可以利用襯底161與第一靶131和第二靶141相隔的任何布局。
[0036]如圖1所示，襯底161可以被安裝在(或以其它方式接合至)襯底支架162上。襯底161可以可拆卸地設(shè)置在襯底支架162上?？梢栽谄渖习惭b襯底161的襯底支架162可以被配置成能夠可變地調(diào)節(jié)，例如平移、轉(zhuǎn)動等。例如，襯底支架162可以被配置成基于通過例如驅(qū)動電機163提供的驅(qū)動力而沿著第一方向Xl水平平移。
[0037]泵170可以被接合至腔室110以對腔室110的內(nèi)部環(huán)境加壓。例如，可以利用泵170以在腔室110中形成真空狀態(tài)。可以利用氣體供給單元180以將氣體供給至腔室110中，因此氣體供給單元180可以連接至腔室110?？梢酝ㄟ^氣體供給單元180向腔室110供給任何合適的濺射氣體(如氬氣(Ar))或者任何合適的反應(yīng)氣體(如氧氣(O2))。
[0038]根據(jù)示例性實施方式，基于第一濺射蒸發(fā)源130和第二濺射蒸發(fā)源140的配置和布局，濺射系統(tǒng)100可以被構(gòu)造成防止(或者減小)等離子體放電和侵蝕區(qū)域出現(xiàn)在不期望的區(qū)域中。將在接下來的段落中對此進行更加詳細的描述。
[0039]在示例性實施方式中，第一靶131的中軸線和第二靶141的中軸線可以被設(shè)置成在腔室I1的第一方向Xl上彼此基本平行。第一磁鐵單兀132可以被設(shè)置在第一祀131中。第二磁鐵單元142可以被設(shè)置在第二靶141中。通過這種方式，第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142可以被定位成分別在第一靶131和第二靶141的外側(cè)形成磁場。由此，第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142可以在腔室110的第三方向(例如，縱向方向)X3上縱向地延伸。就圖1而言，第三方向X3可以延伸進/出紙面，并因此可以垂直于(或基本垂直于)第一方向Xl和第二方向X2中的一個或多個。第三方向被不出在圖3中。應(yīng)注意，第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142各自的位置可以被固定。由此，第一靶131和第二靶141可以分別繞著第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142可轉(zhuǎn)動。
[0040]如前所述，第一磁鐵單元132可以包括多個磁鐵，例如，第一磁鐵133和設(shè)置成與第一磁鐵133相鄰的第二磁鐵134。由此，第二磁鐵單元142可以包括多個磁鐵，例如，第三磁鐵143和設(shè)置成與第三磁鐵相鄰的第四磁鐵144。第一磁鐵單元132可以面對第二磁鐵單元142以便可以在襯底161的浮動狀態(tài)下進行濺射工藝。
[0041]根據(jù)不例性實施方式,如圖2所不,設(shè)置在第一祀131中的第一磁鐵133和第二磁鐵134與設(shè)置在第二祀141中的第三磁鐵143和第四磁鐵144可以被布置成北I南-南北(NS-SN)布局。通過這種方式，第一磁鐵133可以被設(shè)置成比第二磁鐵134更加接近第二靶141，且第三磁鐵143可以被設(shè)置成比第四磁鐵144更加接近第一靶131。由此，第二磁鐵134和第四磁鐵144可以以相同的極性方向布置,例如北I南。相似地,第一磁鐵133和第三磁鐵143可以以相同的極性方向布置，例如南I北。換言之，第二磁鐵134和第四磁鐵144可以被布置為在相同方向上具有相同極性，而第二磁鐵134和第四磁鐵144的極性可以被布置成與第一磁鐵133和第三磁鐵143的極性布局方向不同(例如方向相反)。
[0042]可選地，第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142可以相對于在其之間延伸的中線對稱地布置。例如，設(shè)置在第一靶131中的第一磁鐵133和第二磁鐵134可以具有南|北(SN)布局,而設(shè)置在第二祀141中的第三磁鐵143和第四磁鐵144可以具有北|南(NS)布局。
[0043]根據(jù)示例性實施方式，第一靶131和第二靶141可以具有相同的電勢。當?shù)谝话?31和第二靶141具有相同的電勢時，如圖3的虛線橢圓形狀中所示，第一靶131和第二靶141可以形成閉環(huán)以進行放電動作。通過這種方式，第一靶131和第二靶141可以像一個靶一樣動作(或操作)。為了獲得上述放電動作，第一磁鐵133和第三磁鐵143中每個可以具有比第二磁鐵134和第四磁鐵144中每個的相應(yīng)長度更短的長度。還應(yīng)注意，第二磁鐵134和第四磁鐵144可以被設(shè)置在第一磁鐵133和第三磁鐵143 “的外側(cè)”，以便第一磁鐵133和第三磁鐵143可以被設(shè)置在第二磁鐵134和第四磁鐵144之間。應(yīng)注意，第一磁鐵133和第三磁鐵143可以具有相同(或基本相同)的第一長度，第二磁鐵134和第四磁鐵144可以具有相同(或基本相同)的第二長度。
[0044]雖未圖示，但是可以利用一個或多個控制器來控制濺射系統(tǒng)100的一個或多個方面或部件，例如，電源單元150、驅(qū)動電機163、泵170、氣體供給單元180、靶轉(zhuǎn)動裝置等中的一個或多個?？梢酝ㄟ^一個或多個通用和/或?qū)Ｓ貌考缫粋€或多個分立電路、數(shù)字信號處理芯片、集成電路、專用集成電路、微處理器、處理器、可編程陣列、現(xiàn)場可編程陣列、指令集處理器和/或類似部件來實現(xiàn)一個或多個控制器和/或濺射系統(tǒng)100的多個部件中的一個或多個部件。例如，可以通過軟件、硬件(如通用處理器、數(shù)字信號處理(DSP)芯片、特定應(yīng)用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等)、固件、或其組合來實現(xiàn)本文所述的特征、功能、工藝等。通過這種方式，濺射系統(tǒng)100的一個或多個控制器或一個或多個部件可以包括一個或多個存儲器(未不出)或以其它方式與一個或多個存儲器(未不出)相關(guān)聯(lián)，其中一個或多個存儲器(未示出)包含配置成使濺射系統(tǒng)100的一個或多個控制器和/或部件進行本文所述的特征、功能、工藝等中的一個或多個的代碼(例如，指令)。
[0045]存儲器可以是參與到將代碼/指令提供給一個或多個軟件、硬件和/或固件部件用以執(zhí)行的任何介質(zhì)。這種存儲器可以采取多種形式，包括非易失性介質(zhì)、易失性介質(zhì)和傳輸介質(zhì)，但不限于此。非易失性介質(zhì)包括例如光盤或磁盤。易失性介質(zhì)包括動態(tài)存儲器。傳輸介質(zhì)包括同軸線纜，銅線和光纖。傳輸介質(zhì)還可以采用聲波、光波或電磁波的形式。計算機可讀介質(zhì)的常見形式包括例如軟盤、柔性盤、硬盤、磁帶、任何其它磁性介質(zhì)，光盤只讀存儲器(CD-ROM)、可重寫光盤(CDRW)、數(shù)字視盤(DVD)、可重寫DVD(DVD-RW)、任何其它光學介質(zhì)、穿孔卡片、紙帶、光學標記表、具有孔圖案或其它光學可識別標記的任何其它物理介質(zhì)、隨機存取存儲器(RAM)、可編程只讀存儲器(PROM)、和可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、FLASH-EPR0M、任何其它存儲芯片或卡帶、載波、或可以使得例如控制器/處理器通過其讀取信息的任何其它介質(zhì)。
[0046]搭配圖1至圖3描述使用濺射系統(tǒng)100沉積薄膜的工藝。
[0047]襯底161可以被安裝在襯底支架162上。襯底支架162可以基于驅(qū)動電機163的驅(qū)動力而水平移動?？梢允褂谜婵毡?70對腔室110加壓(例如，置于真空狀態(tài))。
[0048]第一靶131和第二靶141可以分別被轉(zhuǎn)動。應(yīng)注意，第一靶131和第二靶141中每個可以具有圓筒形狀。并且，可以在第一轉(zhuǎn)動方向(例如，順時針方向)上轉(zhuǎn)動第一靶131，可以在不同于第一轉(zhuǎn)動方向的第二轉(zhuǎn)動方向(例如，逆時針方向)上轉(zhuǎn)動第二靶141。在第一靶131和第二靶141被轉(zhuǎn)動的同時可以通過氣體供給單元180將氣體供給至腔室110中。
[0049]根據(jù)示例性實施方式，可以通過電源單元150將負電壓施加至第一靶131和第二靶141，而這將誘導(dǎo)濺射氣體的輝光放電。通過輝光放電而生成的等離子體可以由通過第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142生成的磁場而被集中在第一靶131與第二靶141之間。
[0050]在示例性實施方式中，第一靶131和第二靶141可以濺射等離子體的正離子，而這可以將氣相的薄膜沉積顆粒排放至腔室環(huán)境中。具有相對高的能量水平的顆粒(如電子)可以被約束在第一靶131和第二靶141之間的空間中。由此，具有相對高的能量水平的顆粒可以不會在設(shè)置成面對第一濺射蒸發(fā)源130和第二濺射蒸發(fā)源140的襯底161上產(chǎn)生影響。通過這種方式，具有相對低的能量水平的薄膜沉積顆粒可以被擴散，并因此被沉積在襯底161上。
[0051]根據(jù)示例性實施方式，濺射系統(tǒng)100可以基于第一磁鐵單元132和第二磁鐵單元142的布局、配置和電勢在第一靶131與第二靶141之間生成磁場。通過這種方式，濺射系統(tǒng)100可以將具有相對高的能量水平的顆粒(如電子)約束在第一靶131與第二靶141之間，而這減小了對可以設(shè)置成與第一靶131和第二靶141的布局方向垂直的襯底161的損害。由此，具有相對低的能量水平的顆粒可以通過穩(wěn)定的方式被沉積在不同的襯底上。
[0052]根據(jù)不例性實施方式，第一磁鐵133和第二磁鐵134在第一祀131中具有NS布局，第三磁鐵143和第四磁鐵144在第二祀141中被布置成具有南I北(SN)布局。由此,第一靶131和第二靶141可以具有相同的電勢以形成閉環(huán)并且執(zhí)行放電動作，并因此像單一靶一樣操作。由此，可以防止(或減少)因從第一靶131和第二靶141的側(cè)表面生成的附加磁場而導(dǎo)致的異常放電以獲得穩(wěn)定的放電效果。
[0053]在示例性實施方式中，濺射系統(tǒng)100包括第一靶131和第二靶141，第一靶131和第二靶141分別具有可以在濺射過程中轉(zhuǎn)動的圓筒形狀。這種轉(zhuǎn)動動作能夠使濺射均勻地發(fā)生在第一靶131和第二靶141的整體區(qū)域上方，而不只是在其集中區(qū)域中。
[0054]圖4為根據(jù)示例性實施方式的濺射系統(tǒng)的剖視圖，其中濺射系統(tǒng)包括以第二狀態(tài)設(shè)置的第一濺射蒸發(fā)源430和第二濺射蒸發(fā)源440。圖5為圖4所示濺射系統(tǒng)中的磁場分布的視圖。圖4所示的濺射系統(tǒng)與不具有第一濺射蒸發(fā)源430和第二濺射蒸發(fā)源440的配置的圖1的濺射系統(tǒng)100基本相似。由此，省略了重復(fù)的描述并且在下面提供了主要差異以避免混淆本文中描述的示例性實施方式。
[0055]參照圖4和圖5，第一濺射蒸發(fā)源430可以包括第一靶431和設(shè)置在第一靶431中的第一磁鐵單元432。第一磁鐵單元432可以包括第一磁鐵433和第二磁鐵434 ;然而，可以預(yù)期的是，可以利用任何合適數(shù)量的磁鐵。第二濺射蒸發(fā)源440可以被設(shè)置成與第一濺射蒸發(fā)源430基本平行，但是在第一方向Xl上與第一濺射蒸發(fā)源430相隔。第二濺射蒸發(fā)源440可以包括第二靶441和設(shè)置在第二靶441中的第二磁鐵單元442。第二磁鐵單元442可以包括第三磁鐵443和第四磁鐵444 ;然而，可以預(yù)期的是，可以利用任何合適數(shù)量的磁鐵。
[0056]根據(jù)不例性實施方式，設(shè)置在第一祀431中的第一磁鐵433和第二磁鐵434和設(shè)置在第二靶441中的第三磁鐵443和第四磁鐵444可以被布置成北|南-南|北(NS-SN)布局。第一磁鐵433和第三磁鐵443分別可以具有比第二磁鐵434和第四磁鐵444的長度相對更短的長度。另外，第一磁鐵433可以具有與第三磁鐵443相同(或基本相同)的長度，第二磁鐵434可以具有與第四磁鐵444相同(或基本相同)的長度。
[0057]如圖4和圖5所示，第一磁鐵433和第二磁鐵434可以以第一角度被傾斜，第三磁鐵443和第四磁鐵444可以以第二角度被傾斜。也就是說，可以從第一靶431和第二靶441各自的中軸線例如以各自的傾斜方向傾斜第一至第四磁鐵433、434、443和444，以便第一磁鐵433和第二磁鐵434朝向第三磁鐵443和第四磁鐵444被傾斜，第三磁鐵443和第四磁鐵444朝向第一磁鐵433和第二磁鐵434被傾斜。這種布局可以改善第一至第四磁鐵433、434、443和444的磁鐵效應(yīng)。也就是說，如圖5中的虛線A所示，第一磁鐵單元432和第二磁鐵單元442可以被傾斜一定角度以在第一靶431和第二靶441的表面上生成第一方向Xl上的強磁場。這可以改善濺射效率。
[0058]根據(jù)示例性實施方式，第一靶431和第二靶441可以具有相同的電勢，并因此可以形成閉環(huán)。通過這種方式，第一靶431和第二靶441可以如一個靶一樣操作。由此，在放電過程中，可以去除在第一磁鐵單元432和第二磁鐵單元442的外側(cè)區(qū)域中生成的水平磁場。另外，可以防止(或減小)至少部分地因附加磁場而導(dǎo)致的異常放電。應(yīng)注意，可以以任何合適的角度設(shè)置第一磁鐵單元432和第二磁鐵單元442以調(diào)節(jié)相對于襯底(如襯底161)的薄膜沉積/形成率。
[0059]圖6為根據(jù)示例性實施方式、使用例如濺射系統(tǒng)制造的顯示器件600的子像素的剖視圖。為了描述方便，結(jié)合利用圖1的濺射系統(tǒng)100制造的有機發(fā)光顯示器件600的實現(xiàn)對顯示器件600的子像素進行描述。然而可以預(yù)期的是，可以利用濺射系統(tǒng)，在可作為任何合適裝置(例如，電子裝置)一部分的、任何合適的底部材料上制造任何合適的部件(例如，層)。
[0060]根據(jù)示例性實施方式，所示子像素為有機發(fā)光顯示器件600的子像素中每個的代表。應(yīng)注意，每個子像素可以包括至少一個薄膜晶體管(TFT)和有機發(fā)光器件(OLED)。雖然至少一個TFT被示出為包括特定配置/結(jié)構(gòu)，但可以預(yù)期的是，至少一個TFT可以具有任何合適的配置/結(jié)構(gòu)。例如，可以改變TFT的數(shù)量、配置和/或結(jié)構(gòu)。
[0061]在示例性實施方式中，有機發(fā)光顯示器件600的薄膜層可以包括可使用濺射系統(tǒng)100形成的至少一個薄膜層，如提供在至少一個TFT中的薄膜層、提供為OLED的一部分的多個電極和中間層、和提供作為覆蓋OLED的封裝層的有機層或無機層。將在接下來的段落中對此些部件進行更加詳細的描述。
[0062]參照圖6，阻擋層601可以被形成在襯底620上。阻擋層601可以由任何合適的材料形成，例如，如氧化硅(S1x)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(S1N)、氧化鋁(AlO)、氮氧化鋁(AlON)等的無機材料，如壓克力、聚酰亞胺、聚酯等的有機材料，或者其組合?？蛇x地，可以例如以交替的方式將一個或多個有機材料堆疊在一個或多個無機材料上，反之亦然。在示例性實施方式中，阻擋層601可以阻擋如氧氣、濕氣、灰塵、碎屑等的污染物影響有機發(fā)光顯示器件600的一個或多個部件。也就是說，阻擋層601可以防止?jié)駳?、雜質(zhì)等通過襯底620擴散。應(yīng)注意，阻擋層還可以在襯底620上提供平坦的表面。
[0063]TFT可以被形成在阻擋層601上。雖然圖6中例舉了頂柵形TFT，但是可以利用具有任何合適結(jié)構(gòu)的任何合適的TFT，例如，底柵型TFT等。TFT可以包括形成在阻擋層601上的半導(dǎo)體有源層602。半導(dǎo)體有源層602可以包括一個或多個材料的任何合適圖案和/或一個或多個材料的幾何配置。當半導(dǎo)體有源層602由多晶硅形成時，多晶硅可以通過形成非晶硅并且結(jié)晶非晶硅而形成。然而，應(yīng)注意，可以利用任何其它合適的工藝。
[0064]可以通過任何合適的方法來結(jié)晶非晶硅，例如，快速熱處理(RTA)方法、固相晶化(SPC)方法、準分子激光退火(ELA)方法、金屬誘導(dǎo)晶化(MIC)方法、金屬誘導(dǎo)側(cè)向晶化(MILC)方法、連續(xù)側(cè)向固化(SLS)方法和/或類似的方法。在示例性實施方式中，可采用或不采用高溫退火工藝來結(jié)晶非晶硅。例如，當通過使用低溫多晶硅(LTPS)工藝來結(jié)晶非晶硅時，可以使用激光器照射半導(dǎo)體有源層602 —段時間以激活半導(dǎo)體有源層602。通過這種方式，可以減小(或者防止)襯底620暴露在高溫下的時間，并且可以在300°C或更低的溫度下進行工藝。
[0065]半導(dǎo)體有源層602可以摻雜有N型或P型雜質(zhì)離子以形成源區(qū)域614和漏區(qū)域615。未摻雜有雜質(zhì)的溝道區(qū)域616可以被形成在源區(qū)域614與漏區(qū)域615之間。應(yīng)注意，半導(dǎo)體有源層602可以可選地由一個或多個氧化物材料形成。例如，氧化物半導(dǎo)體可以包括4、12、13和14族的氧化物，諸如鋅(Zn)、銦(In)、鎵(Ga)、錫(Sn)、鍺(Ge)、鉿(Hf)等，和其組合物。
[0066]柵極絕緣層603可以被沉積在半導(dǎo)體有源層602上。柵極絕緣層603可以包括由任何合適的材料(例如，S12)形成的單層或者由例如S1j^P SiNxB成的多層結(jié)構(gòu)(例如，雙層結(jié)構(gòu))。柵極604可以被形成在柵極絕緣層603的一個區(qū)域上。柵極604可以連接至柵極線(未示出)，其中柵極(即，開/關(guān))信號可以通過柵極線施加。柵極604可以由單個金屬或者多個金屬形成。例如，柵極604可以是由金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、釹(Nd)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鑰(Mo)、鉻(Cr)、鎢(W)等、和由上述材料中的至少兩種材料形成的合金(如Al:Nd或Mo:W)中的一個或多個形成的多層或單層結(jié)構(gòu)。柵極604可以由考慮到粘合性、平坦性、電阻、加工性等的多種導(dǎo)電材料形成。
[0067]層間絕緣層605可以被形成在柵極604上。層間絕緣層605可以由任何合適的絕緣材料(例如，310!￡、51隊等)形成。層間絕緣層605可以附加地或可選地由絕緣性有機材料形成。
[0068]源極606和漏極607可以被形成在層間絕緣層605上。也就是說，可以選擇性地移除柵極絕緣層603和層間絕緣層605的一部分以形成接觸孔617和618。通過這種方式，可以將源極606形成為源極606通過接觸孔617與源區(qū)域614電連接?？梢詫⒙O607形成為漏極607通過接觸孔618與漏區(qū)域615電連接。源極606和漏極607中每個可以由Au、Pd、Pt、N1、銠(Rh)、釕(Ru)、銥(Ir)、鋨(Os)、Α1、Μο等、或者由上述材料中的至少兩種材料形成的合金(Al:Nd合金、Mo:W合金等)形成。然而，可以預(yù)期的是，可以利用任何合適的導(dǎo)電材料來形成源極606和漏極607。
[0069]根據(jù)示例性實施方式，可以形成保護層(例如，鈍化層和/或平坦化層)608以覆蓋源極606和漏極607。保護層608可以保護TFT，并且可以被提供以對包括形成在其上的TFT的襯底620進行平坦化。保護層608可以由包括任何合適結(jié)構(gòu)/配置的任何合適的材料形成。例如，保護層608可以由如苯并環(huán)丁烯(BCB)或壓克力的有機材料、或者如SiNJA無機材料形成。并且，保護層608可以是單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
[0070]在示例性實施方式中，OLED可以被形成在TFT上，例如被形成在保護層608上。然而，應(yīng)注意，可以結(jié)合本文所述的示例性實施方式形成任何合適的顯示器件，并因此可以以任何合適的方式修改配置。如圖所示，OLED可以包括例如與形成在保護層608上的像素電極對應(yīng)的第一電極610。第一電極610可以通過接觸孔618電連接至源極606和漏極607中的一個。第一電極610可以充當作為為OLED—部分的電極中的陽極。第一電極610可以由多種導(dǎo)電材料形成，如上述材料中的一個或多個。還可以預(yù)期的是，第一電極610可以被形成為透明電極或反射電極，并因此可以包括任何合適的材料或材料的組合。
[0071]例如，當?shù)谝浑姌O610被形成為透明電極時，第一電極610可以由鋁鋅氧化物(AZO)、鎵鋅氧化物(GZO)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(InxOy)等形成。還可以預(yù)期的是，可以利用一個或多個導(dǎo)電聚合物(ICP)，諸如、聚苯胺、聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸)(poly (3，4-ethylened1xyth1phene)poly (styrenesulfonate), PEDOT:PSS)等。當?shù)谝浑姌O610被形成為反射電極時,第一電極可以通過以下步驟形成:通過使用Ag、鎂(Mg)Al、Pt、|fi (Pd)、Au、N1、Nd、Ir、Cr等或者其任何化合物形成反射層，并且使用例如AZO、GZ0、ΙΤ0, IZO、ZnO, InxOy等中的一個或多個摻雜該反射層。
[0072]由例如有機材料形成的像素限定層613可以被形成在保護層608上，并且可以覆蓋第一電極610的一個或多個邊緣。中間層611可以被形成在第一電極610中通過像素限定層613的蝕刻部分所暴露的部分上。中間層611可以由任何合適的低分子或高分子有機材料形成。
[0073]當中間層611由低分子有機材料形成時，可以以單一結(jié)構(gòu)或復(fù)雜的結(jié)構(gòu)堆疊空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等。可以通過使用一個或多個掩模的一個或多個真空沉積工藝形成低分子有機材料。當中間層611由高分子有機材料形成時，中間層611可以包括HTL和EML。可以通過一個或多個絲網(wǎng)印刷和/或噴墨印刷工藝形成高分子有機材料。然而，可以預(yù)期的是，中間層611可以包括任何合適的材料和/或配置。
[0074]根據(jù)示例性實施方式，例如與OLED的公共電極對應(yīng)的第二電極612可以被形成在中間層611和像素限定層613上。應(yīng)注意，第一電極610與第二電極612可通過中間層611彼此絕緣。當電壓被施加到第一電極610和第二電極612時，可以從中間層611射出可見光線，可以利用該可見光線來將圖像顯示給觀察者。
[0075]與第一電極610相似，第二電極612可以被形成為透明電極或反射電極。當?shù)诙姌O612被形成為透明電極時，諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg等的具有低功函數(shù)的材料或其任何合適的化合物可以被沉積在中間層611上。此外，由諸如AZO、GZ0、ΙΤ0, IZO、ZnO, InxOy, ICP等透明電極材料形成的電極可以被形成在所產(chǎn)生的材料層上以形成第二電極612。當?shù)诙姌O612被形成為反射電極時，可以通過將L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg等或其任何合適的化合物沉積在像素限定層613和中間層611的表面(例如整個表面)上而形成第二電極612。
[0076]當?shù)谝浑姌O610被形成為透明電極或反射電極時，第一電極610可以具有與用于限定每個子像素的開口的橫截面形狀對應(yīng)的橫截面形狀?？梢酝ㄟ^在包括子像素的“顯示”區(qū)域中將透明電極材料或反射電極材料沉積在顯示器件600的整個表面上而形成第二電極 612。
[0077]根據(jù)示例性實施方式，封裝層630可以被形成在襯底620上。封裝層630可以保護中間層611以及其它薄膜層中的一個或多個免受外部濕氣、氧氣、灰塵、碎屑等的影響。
[0078]根據(jù)示例性實施方式的濺射系統(tǒng)以及使用該濺射系統(tǒng)制造顯示器件的方法可以利用一個或多個可轉(zhuǎn)動靶，其中一個或多個可轉(zhuǎn)動靶包括被布置的一個或多個磁鐵以提供電子的閉環(huán)，所述磁鐵可以構(gòu)成一個靶的一半。由此，可以最小化(例如，防止或減小)至少部分地因靶的不對稱侵蝕、電弧、等離子體密度的降低等導(dǎo)致的異常放電。
[0079]雖然已經(jīng)在本文中描述了一些示例性實施方式和實現(xiàn)，但是通過本文可清楚地得知其它實施方式和修改。因此，本發(fā)明的概念并不限于所述實施方式，而是限于所附權(quán)利要求書和多種明顯的修改以及等同布置的更廣的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種派射系統(tǒng),包括: 腔室； 多個靶，設(shè)置在所述腔室中，每個所述靶包括設(shè)置在其中的磁鐵單元；以及 襯底支架，配置成在所述腔室中支承襯底， 其中，所述磁鐵單元被配置成在所述靶之間生成磁場，以及 其中，所述磁鐵單元中每個包括設(shè)置成兩排的磁鐵。
2.如權(quán)利要求1所述的濺射系統(tǒng)，其中， 所述靶包括第一靶和第二靶， 所述磁鐵單元包括分別設(shè)置在所述第一靶和所述第二靶中的第一磁鐵單元和第二磁鐵單元，以及 所述第一磁鐵單元和所述第二磁鐵單元繞著在所述第一靶與所述第二靶之間延伸的虛軸線對稱地布置。
3.如權(quán)利要求2所述的濺射系統(tǒng)，其中， 所述第一磁鐵單元包括第一磁鐵和第二磁鐵， 所述第二磁鐵單元包括第三磁鐵和第四磁鐵，以及 所述第一磁鐵、所述第二磁鐵、所述第三磁鐵和所述第四磁鐵繞著所述虛軸線被對稱地布置成北極、南極-南極、北極(NS-SN)的磁性布局。
4.如權(quán)利要求2所述的濺射系統(tǒng)，其中， 所述第一磁鐵單元包括第一磁鐵和第二磁鐵， 所述第二磁鐵單元包括第三磁鐵和第四磁鐵，以及 所述第一磁鐵、所述第二磁鐵、所述第三磁鐵和所述第四磁鐵繞著所述虛軸線被對稱地布置成南極、北極-北極、南極(SN-NS)的磁性布局。
5.如權(quán)利要求2所述的濺射系統(tǒng)，其中， 當所述第一靶和所述第二靶被配置成以基本相同的電勢被偏置時，所述第一靶和所述第二靶的所述布局和偏置生成包含繞著所述磁鐵中的至少一些的閉環(huán)環(huán)形路徑的磁場，以及 所述磁鐵中的所述至少一些的磁矩指向基本相同的方向。
6.如權(quán)利要求2所述的濺射系統(tǒng)，其中， 所述第一磁鐵單元包括第一磁鐵和第二磁鐵， 所述第二磁鐵單元包括第三磁鐵和第四磁鐵， 所述第一磁鐵被設(shè)置在所述第二磁鐵與所述虛軸線之間， 所述第三磁鐵被設(shè)置在所述第四磁鐵與所述虛軸線之間，以及所述第一磁鐵和所述第三磁鐵各自的長度小于所述第二磁鐵和所述第四磁鐵各自的長度。
7.如權(quán)利要求2所述的濺射系統(tǒng)，其中， 所述第一磁鐵單元和所述第二磁鐵單元朝向彼此傾斜。
8.如權(quán)利要求7所述的濺射系統(tǒng)，其中， 所述第一磁鐵單元包括第一磁鐵和第二磁鐵， 所述第二磁鐵單元包括第三磁鐵和第四磁鐵， 所述第一磁鐵被設(shè)置在所述第二磁鐵與所述虛軸線之間， 所述第三磁鐵被設(shè)置在所述第四磁鐵與所述虛軸線之間，以及所述第一磁鐵和所述第三磁鐵各自的長度小于所述第二磁鐵和所述第四磁鐵各自的長度。
9.如權(quán)利要求2所述的濺射系統(tǒng)，其中， 所述第一靶和所述第二靶包括被設(shè)置成彼此平行的中軸線，所述中軸線在所述腔室的水平方向上延伸。
10.如權(quán)利要求2所述的濺射系統(tǒng)，其中，所述第一靶和所述第二靶中每個為圓筒形。
11.如權(quán)利要求2所述的濺射系統(tǒng)，其中，所述第一靶和所述第二靶中每個被可轉(zhuǎn)動地支承在所述腔室中。
12.—種方法,包括: 至少部分地使設(shè)置在腔室中的濺射靶被電偏置，所述濺射靶中每個分別容納彼此相隔的磁鐵，所述磁鐵被配置成在所述濺射靶之間生成磁場；以及 至少部分地使顆粒與所述偏置的濺射靶碰撞，所述碰撞使沉積顆粒被彈離所述偏置的濺射靶， 其中，所述磁場將所述沉積顆粒的第一部分約束在位于所述偏置的濺射靶之間的空間中，并且允許所述沉積顆粒的第二部分被沉積在設(shè)置于所述腔室中的襯底上。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括: 至少部分地使所述偏置的濺射靶繞著對應(yīng)的轉(zhuǎn)動軸線轉(zhuǎn)動。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中， 使所述偏置的濺射靶中的至少一些在第一轉(zhuǎn)動方向上轉(zhuǎn)動，以及 使所述偏置的濺射靶中的至少一些在與所述第一轉(zhuǎn)動方向不同的第二轉(zhuǎn)動方向上轉(zhuǎn)動。
15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述濺射靶以基本相同的電勢被偏置。
16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中， 所述濺射靶包括第一濺射靶和第二濺射靶，以及 所述方法還包括: 使所述第一濺射靶的磁鐵的至少一部分朝向所述第二濺射靶的磁鐵傾斜，以及 使所述第二濺射靶的磁鐵的至少一部分朝向所述第一濺射靶的磁鐵傾斜。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中， 所述濺射靶包括第一濺射靶和第二濺射靶， 所述第一濺射靶包括第一磁鐵和第二磁鐵， 所述第二濺射靶包括第三磁鐵和第四磁鐵，以及 所述第一磁鐵、所述第二磁鐵、所述第三磁鐵和所述第四磁鐵繞著設(shè)置在所述第一濺射靶與所述第二濺射靶之間的虛軸線被對稱地布置成北極、南極-南極、北極(NS-SN)或者南極、北極-北極、南極(SN-NS)的磁性布局。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中， 所述第一磁鐵被設(shè)置在所述第二磁鐵與所述虛軸線之間， 所述第三磁鐵被設(shè)置在所述第四磁鐵與所述虛軸線之間，以及 所述第一磁鐵和所述第三磁鐵各自的長度小于所述第二磁鐵和所述第四磁鐵各自的長度。
19.如權(quán)利要求12所述的方法，其中， 所述磁場包括繞著所述磁鐵中的至少一些的閉環(huán)環(huán)形路徑，以及 所述磁鐵的所述至少一些的磁矩指向基本相同的方向。
20.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述濺射靶中每個為圓筒形。
【文檔編號】C23C14/35GK104342626SQ201410350635
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月25日
【發(fā)明者】崔丞鎬, 樸鍾珍 申請人:三星顯示有限公司