反應(yīng)腔室和磁控濺射設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種反應(yīng)腔室和磁控濺射設(shè)備，該反應(yīng)腔室包括腔體，腔體內(nèi)平行設(shè)置有若干個豎直放置的靶材，相鄰靶材之間設(shè)置有進(jìn)氣管道，進(jìn)氣管道的一端設(shè)置有第一進(jìn)氣口，進(jìn)氣管道的管道壁上設(shè)置有若干個出氣孔，濺射氣體從第一進(jìn)氣口通入進(jìn)氣管道并通過出氣孔進(jìn)入到腔體內(nèi)，本發(fā)明的技術(shù)方案通過在相鄰靶材之間設(shè)置進(jìn)氣管道，且在進(jìn)氣管道的管道壁上設(shè)置若干個出氣孔，從而使得濺射氣體能較快的充滿整個腔體，而且通過上述通氣方式可有效保證腔體內(nèi)濺射氣體濃度的均勻，從而使得鍍膜的均一性得到提高，同時，出氣孔外的氣流還能有效的對靶材進(jìn)行散熱，可有效避免靶材產(chǎn)生部分脫落的現(xiàn)象。
【專利說明】反應(yīng)腔室和磁控濺射設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及反應(yīng)腔室和磁控濺射設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在高世代TFT-1XD、OLED等制造行業(yè)中，普遍采用立式平面靶材的磁控濺射技術(shù)來在玻璃基板上沉積膜層。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中磁控濺射設(shè)備的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該磁控濺射設(shè)備包括:反應(yīng)腔室，反應(yīng)腔室包括一腔體1，在腔體I內(nèi)的一個側(cè)壁上平行設(shè)置有若干個豎直放置的靶材2，且每個靶材2的背面設(shè)置有背板，在腔體的頂部設(shè)置有若干個進(jìn)氣口3，濺射氣體通過進(jìn)氣口 3進(jìn)入到反應(yīng)腔室內(nèi)，在反應(yīng)腔室的底部設(shè)置有排氣口 4，該排氣口4與抽氣泵連接。
[0004]在利用現(xiàn)有技術(shù)中的立式磁控濺射設(shè)備進(jìn)行鍍膜的過程中，由于進(jìn)氣口位于腔體的頂部，濺射氣體需要進(jìn)過擴(kuò)散作才能到腔體的底部(充滿整個腔體)，整個擴(kuò)散過程較慢，耗費大量時間，從而影響設(shè)備的產(chǎn)能。而且，采用現(xiàn)有的通氣方式，使得靶材表面的濺射氣體濃度常常不均勻，從而造成玻璃基板上成膜不均勻。同時，靶材與背板通過銦貼合，長期濺射會導(dǎo)致靶材表面溫度過高，不僅會導(dǎo)致靶材表面狀態(tài)不穩(wěn)而且容易使得貼合材料熔融，對生產(chǎn)穩(wěn)定性產(chǎn)生影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室和磁控濺射設(shè)備，可減少濺射氣體在腔體內(nèi)的擴(kuò)散時間，同時，有效保證了腔體內(nèi)濺射氣體濃度的均勻，使得鍍膜的均一性更高。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室，包括腔體，所述腔體內(nèi)平行設(shè)置有若干個豎直放置的靶材，相鄰所述靶材之間設(shè)置有進(jìn)氣管道，所述進(jìn)氣管道的一端設(shè)置有第一進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣管道的管道壁上設(shè)置有若干個出氣孔，濺射氣體從所述第一進(jìn)氣口通入至所述進(jìn)氣管道內(nèi)，并通過所述出氣孔進(jìn)入到所述腔體內(nèi)。
[0007]可選地，所述進(jìn)氣管道的另一端設(shè)置有所述第二進(jìn)氣口，所述濺射氣體從所述第一進(jìn)氣口和/或所述第二進(jìn)氣口進(jìn)入所述進(jìn)氣管道內(nèi)并通過所述出氣孔進(jìn)入到所述腔體內(nèi)。
[0008]可選地，所述第一進(jìn)氣口靠近所述腔體的頂部；
[0009]或者，所述第一進(jìn)氣口靠近所述腔體的底部。
[0010]可選地，所述出氣孔位于所述管道壁的相對兩側(cè)。
[0011]可選地，所述進(jìn)氣管道上的全部所述出氣孔均勻分布。
[0012]可選地，多個所述出氣孔形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
[0013]可選地，還包括:調(diào)節(jié)閥，所述調(diào)節(jié)閥與所述出氣孔連接以調(diào)節(jié)所述出氣孔的出氣流量。
[0014]可選地，還包括:加熱裝置，所述加熱裝置與所述進(jìn)氣管道連接以對所述進(jìn)氣管道內(nèi)的濺射氣體進(jìn)行加熱。
[0015]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種磁控濺射設(shè)備，包括:反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室采用上述的反應(yīng)腔室。
[0016]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0017]本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室和磁控濺射設(shè)備，該反應(yīng)腔室包括腔體，腔體內(nèi)平行設(shè)置有若干個豎直放置的靶材，相鄰靶材之間設(shè)置有進(jìn)氣管道，進(jìn)氣管道的一端設(shè)置有第一進(jìn)氣口，進(jìn)氣管道的管道壁上設(shè)置有若干個出氣孔，濺射氣體從第一進(jìn)氣口通入進(jìn)氣管道并通過出氣孔進(jìn)入到腔體內(nèi)，本發(fā)明的技術(shù)方案通過在相鄰靶材之間設(shè)置進(jìn)氣管道，且在進(jìn)氣管道的管道壁上設(shè)置若干個出氣孔，從而使得濺射氣體能較快的充滿整個腔體，同時，通過上述通氣方式可有效保證腔體內(nèi)濺射氣體濃度的均勻，從而使得鍍膜的均一性得到提聞。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中磁控濺射設(shè)備的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實施例一提供的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為圖2中靶材和進(jìn)氣管道的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為圖3的A-A向的截面圖；
[0022]圖5為進(jìn)氣管道兩端均形成有進(jìn)氣口的示意圖；
[0023]圖6為包含有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的進(jìn)氣管道的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖7為包含有調(diào)節(jié)閥的進(jìn)氣管道的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖8為靶材上跑道區(qū)的示意圖；
[0026]圖9為進(jìn)氣管道外套置了加熱裝置的示意圖。
【具體實施方式】
[0027]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室和磁控濺射設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0028]實施例一
[0029]圖2為本發(fā)明實施例一提供的反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為圖2中靶材和進(jìn)氣管道的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖3的A-A向的截面圖，如圖2至圖4所示，該反應(yīng)腔室包括:腔體1，腔體I內(nèi)平行設(shè)置有若干個豎直放置的靶材2，相鄰靶材2之間設(shè)置有進(jìn)氣管道5，進(jìn)氣管道5的一端設(shè)置有第一進(jìn)氣口 6，進(jìn)氣管道5的管道壁上設(shè)置有若干個出氣孔7，濺射氣體從第一進(jìn)氣口 6通入進(jìn)氣管道5內(nèi)，并通過出氣孔7進(jìn)入到腔體I內(nèi)。
[0030]本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室與現(xiàn)有技術(shù)提供的反應(yīng)腔室的區(qū)別在于，本發(fā)明提供的反應(yīng)腔室，在腔體I內(nèi)的相鄰靶材2之間設(shè)置有進(jìn)氣管道5，且進(jìn)氣管道5的管道壁上設(shè)置有若干個出氣孔7，濺射氣體在該進(jìn)氣管道5的作用下能較快的充滿整個腔體I。需要說明的是，本實施例中，第一進(jìn)氣口 6可靠近于腔體I的頂部，或者第一進(jìn)氣口 6靠近于腔體I的底部。需要說明的是，在圖2中第一進(jìn)氣口 6靠近于腔體I的頂部。
[0031]圖5為進(jìn)氣管道兩端均形成有進(jìn)氣口的示意圖，如圖5所示，在本實施例中，可以在進(jìn)氣管道5的兩端均形成進(jìn)氣口，即在進(jìn)氣管道5的一端設(shè)置第一進(jìn)氣口 6的同時，在進(jìn)氣管道5的另一端設(shè)置第二進(jìn)氣口 8，濺射氣體從第一進(jìn)氣口 6和/或第二進(jìn)氣口 8進(jìn)入進(jìn)氣管道5內(nèi)并通過出氣孔7進(jìn)入到腔體I內(nèi)。當(dāng)?shù)谝贿M(jìn)氣口 6和第二進(jìn)氣口 8中僅有一個通入有濺射氣體時，可將沒有通入濺射氣體的進(jìn)氣口關(guān)閉或堵住。當(dāng)然，為提升濺射氣體的進(jìn)氣效率，較優(yōu)地，第一進(jìn)氣口 6和第二進(jìn)氣口 8均通入濺射氣體。
[0032]需要說明的是，本實施中可在腔體I的頂部或者底部設(shè)置開口，將第一進(jìn)氣口 6和第二進(jìn)氣口 8均與開口連接(圖5所示的情況)，或者將進(jìn)氣管道5穿過開口，以使第一進(jìn)氣口 6和第二進(jìn)氣口 8均位于腔體外(未給出相應(yīng)的附圖)，上述兩種方式均能實現(xiàn)將濺射氣體通過進(jìn)氣管道5通入至腔體I內(nèi)。
[0033]參考圖3，可選地，出氣孔7位于管道壁的相對兩側(cè)，進(jìn)氣管道5上的全部出氣孔7均勻分布。當(dāng)濺射氣體從位于管道壁的相對兩側(cè)的出氣孔7出來時，在出氣孔7的附近產(chǎn)生較強(qiáng)的氣流，該氣流可以起到對位于進(jìn)氣管道5兩側(cè)的靶材2進(jìn)行散熱的作用，從而有效避免靶材2因溫度過高而產(chǎn)生部分脫落的現(xiàn)象。同時，出氣孔7均勻分布在管道壁上，不但能保證對靶材2的均勻散熱，更重要的是，還能提升腔體I內(nèi)濺射氣體的分布的均勻性。
[0034]下面結(jié)合附圖，對本實施例提供的不同結(jié)構(gòu)的進(jìn)氣管道5進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0035]圖6為包含有網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的進(jìn)氣管道的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，該進(jìn)氣管道5上的多個出氣孔7形成了網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，利用該進(jìn)氣管道5向腔體I內(nèi)通入濺射氣體可有效提升腔體I內(nèi)濺射氣體的分布的均勻性。
[0036]圖7為包含有調(diào)節(jié)閥的進(jìn)氣管道的結(jié)構(gòu)示意圖，圖8為靶材上跑道區(qū)的示意圖，如圖7和圖8所示，在該進(jìn)氣管道5的出氣孔7處還設(shè)置有調(diào)節(jié)閥9，調(diào)節(jié)閥9與出氣孔7連接以調(diào)節(jié)出氣孔7的出氣流量。在實際的生產(chǎn)過程中，腔體I內(nèi)部分區(qū)域的磁場強(qiáng)度不均勻，例如:在靶材2上跑道區(qū)11的兩頭區(qū)域的磁場強(qiáng)度較強(qiáng)，在腔體I內(nèi)濺射氣體的分布的均勻的條件下，兩頭區(qū)域處的刻蝕速度明顯較快，從而造成了靶材2刻蝕不均勻，進(jìn)而導(dǎo)致鍍膜的厚度不均勻。為解決上述問題，可通過在進(jìn)氣孔外設(shè)置調(diào)節(jié)閥9，并調(diào)節(jié)位于跑道區(qū)11的兩頭區(qū)域附近的調(diào)節(jié)閥9，使得跑道區(qū)11的兩頭區(qū)域的濺射氣體的量下降，從而降低靶材2上該區(qū)域的刻蝕速度，有效保證了靶材2刻蝕的均勻性。采用上述類似的過程，通過調(diào)節(jié)閥9調(diào)節(jié)腔體I內(nèi)的局部位置的濺射氣體濃度，可實現(xiàn)靶材2的均勻刻蝕，從而提升了鍍膜的均一'I"生。
[0037]可選地，本實施例提供的反應(yīng)腔室還包括:加熱裝置10，加熱裝置10與進(jìn)氣管道5連接以對進(jìn)氣管道5內(nèi)的濺射氣體進(jìn)行加熱。圖9為進(jìn)氣管道外套置了加熱裝置的示意圖，如圖9所示，通過該加熱裝置10可以對進(jìn)氣管道5內(nèi)的濺射氣體進(jìn)行加熱，使得通入至腔體I內(nèi)的濺射氣體更容易離化。需要說明是的，本實施中的加熱裝置10還可以通過其他方式與進(jìn)氣管道5連接，例如:加熱裝置10設(shè)置在進(jìn)氣管道5的內(nèi)壁從而直接對進(jìn)氣管道5內(nèi)的濺射氣體進(jìn)行直接加熱，或者加熱裝置10與進(jìn)氣管道5相連以加熱進(jìn)氣管道5從而實現(xiàn)對濺射氣體的間接加熱。
[0038]需要說明的是，附圖中進(jìn)氣管道5呈圓柱形、進(jìn)氣孔呈橢圓形僅僅是起到示意性的作用，并不對本發(fā)明中進(jìn)氣管道5和進(jìn)氣孔的形狀產(chǎn)生限制。
[0039]本發(fā)明實施例一提供了一種反應(yīng)腔室，該反應(yīng)腔室包括腔體，腔體內(nèi)平行設(shè)置有若干個豎直放置的靶材，相鄰靶材之間設(shè)置有進(jìn)氣管道，進(jìn)氣管道的一端設(shè)置有第一進(jìn)氣口，進(jìn)氣管道的管道壁上設(shè)置有若干個出氣孔，濺射氣體從第一進(jìn)氣口通入進(jìn)氣管道并通過出氣孔進(jìn)入到腔體內(nèi)，本發(fā)明的技術(shù)方案通過在相鄰靶材之間設(shè)置進(jìn)氣管道，且在進(jìn)氣管道的管道壁上設(shè)置若干個出氣孔，從而使得濺射氣體能較快的充滿整個腔體，而且通過上述通氣方式可有效保證腔體內(nèi)濺射氣體濃度的均勻，從而使得鍍膜的均一性得到提高。同時，出氣孔外的氣流還能有效的對靶材進(jìn)行散熱，可有效避免靶材產(chǎn)生部分脫落的現(xiàn)象。
[0040]實施例二
[0041]本發(fā)明實施例二提供了一種磁控濺射設(shè)備，該磁控濺射設(shè)備包括:反應(yīng)腔室，該反應(yīng)腔室采用上述實施例一中提供的反應(yīng)腔室，具體可參見上述實施例一中的描述，此處不再贅述。
[0042]本發(fā)明實施例二提供了一種磁控濺射設(shè)備，該磁控濺射設(shè)備包括:反應(yīng)腔室，該反應(yīng)腔室包括腔體，腔體內(nèi)平行設(shè)置有若干個豎直放置的靶材，相鄰靶材之間設(shè)置有進(jìn)氣管道，進(jìn)氣管道的一端設(shè)置有第一進(jìn)氣口，進(jìn)氣管道的管道壁上設(shè)置有若干個出氣孔，濺射氣體從第一進(jìn)氣口通入進(jìn)氣管道并通過出氣孔進(jìn)入到腔體內(nèi)，本發(fā)明的技術(shù)方案通過在相鄰靶材之間設(shè)置進(jìn)氣管道，且在進(jìn)氣管道的管道壁上設(shè)置若干個出氣孔，從而使得濺射氣體能較快的充滿整個腔體，而且通過上述通氣方式可有效保證腔體內(nèi)濺射氣體濃度的均勻，從而使得鍍膜的均一性得到提高。同時，出氣孔外的氣流還能有效的對靶材進(jìn)行散熱，可有效避免靶材產(chǎn)生部分脫落的現(xiàn)象。
[0043]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各 種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種反應(yīng)腔室，其特征在于，包括:腔體，所述腔體內(nèi)平行設(shè)置有若干個豎直放置的靶材，相鄰所述靶材之間設(shè)置有進(jìn)氣管道，所述進(jìn)氣管道的一端設(shè)置有第一進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣管道的管道壁上設(shè)置有若干個出氣孔，濺射氣體從所述第一進(jìn)氣口通入至所述進(jìn)氣管道內(nèi)，并通過所述出氣孔進(jìn)入到所述腔體內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述進(jìn)氣管道的另一端設(shè)置有所述第二進(jìn)氣口，所述濺射氣體從所述第一進(jìn)氣口和/或所述第二進(jìn)氣口進(jìn)入所述進(jìn)氣管道內(nèi)，并通過所述出氣孔進(jìn)入到所述腔體內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述第一進(jìn)氣口靠近所述腔體的頂部; 或者，所述第一進(jìn)氣口靠近所述腔體的底部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述出氣孔位于所述管道壁的相對兩側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述進(jìn)氣管道上的全部所述出氣孔均勻分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，多個所述出氣孔形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括:調(diào)節(jié)閥，所述調(diào)節(jié)閥與所述出氣孔連接以調(diào)節(jié)所述出氣孔的出氣流量。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括:加熱裝置，所述加熱裝置與所述進(jìn)氣管道連接以對所述進(jìn)氣管道內(nèi)的濺射氣體進(jìn)行加熱。
9.一種磁控濺射設(shè)備，其特`征在于，包括:反應(yīng)腔室，所述反應(yīng)腔室采用上述權(quán)利要求1至8中任一所述的反應(yīng)腔室。
【文檔編號】C23C14/35GK103882397SQ201410097024
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2014年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月14日
【發(fā)明者】劉曉偉, 郭會斌, 馮玉春, 王守坤, 郭總杰 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司