表面處理銅箔的制作方法
【專利摘要】一種表面處理銅箔，其銅箔表面的Si附著量為3.1?300yg/dm2，銅箔表面的N附著量為2.5?690yg/dm2。本發(fā)明的課題在于：獲得一種在提供“在適用于高頻用途的液晶聚合物（LCP)積層有銅箔”的可撓性印刷基板（FPC)用銅箔時剝離強(qiáng)度提高的銅箔。
【專利說明】表面處理銅箔
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種用以制造可良好地傳送高頻電氣信號的可撓性印刷配線板（FPC) 的覆銅積層板用表面處理銅箔。
【背景技術(shù)】
[0002] 可撓性印刷配線板系通過下述方式制造：蝕刻基板的銅箔而形成各種配線圖案， 并利用焊接連接電子零件而進(jìn)行構(gòu)裝。銅箔根據(jù)其制造方法而分類成電解銅箔與壓延銅 箔，于可撓性基板用銅箔中，由于耐彎曲性優(yōu)異的壓延銅箔較佳，故被廣泛使用。又，于計算 機(jī)或移動體通訊等電子機(jī)器中，伴隨著通訊的高速化及大容量化，電信號的高頻化進(jìn)展，從 而要求可與其相對應(yīng)的印刷配線板及銅箔。
[0003] 雖然于計算機(jī)或移動體通訊等電子機(jī)器中電信號高頻化，但若電信號的頻率為 IGHz以上，則電流僅于導(dǎo)體的表面流通的集膚效應(yīng)的影響變得顯著，從而變得無法無視于 下述影響：因表面的凹凸而使電流傳導(dǎo)途徑變化，從而導(dǎo)體損耗增大。根據(jù)此觀點亦為銅箔 的表面粗糙度小者較為理想。
[0004] 生箔的電解銅箔的表面系通過銅的電沉積粒子而形成，生箔的壓延銅箔的表面系 通過與壓延輥的接觸而形成。因此，一般而言，生箔的壓延銅箔的表面粗糙度比電解銅箔的 表面粗糙度小。又，關(guān)于粗化處理中的電沉積粒子，壓延銅箔的電沉積粒子較細(xì)微。據(jù)此， 可說是壓延銅箔作為高頻電路用銅箔較為優(yōu)異。
[0005] 另一方面，雖然愈是高頻則數(shù)據(jù)的傳輸量愈大，但信號電力的損耗（衰減）亦變 大，變得無法讀取數(shù)據(jù)，因此，限制FPC的電路長度。為了使上述的信號電力的損耗（衰減） 減小，而傾向于導(dǎo)體側(cè)為銅箔的表面粗糙度小者，且樹脂側(cè)為從聚酰亞胺轉(zhuǎn)變成液晶聚合 物。再者，自集膚效應(yīng)的觀點而言，最為理想的被認(rèn)為是未形成粗化處理的粗糙度小的銅 箔。
[0006] 電子電路中的信號電力的損耗（衰減）大致可分為兩種。第一種是導(dǎo)體損耗，即 銅箔所導(dǎo)致的損耗，第二種是介電體損耗，即基板所導(dǎo)致的損耗。于導(dǎo)體損耗，在高頻區(qū)域 中具有下述特性：具有集膚效應(yīng)，電流流經(jīng)導(dǎo)體的表面。因此，若銅箔表面粗糙，則電流沿著 復(fù)雜的路徑流動。如上所述，由于壓延銅箔的粗糙度比電解銅箔小，故有導(dǎo)體耗損較少的傾 向。
[0007] 另一方面，液晶聚合物（LCP)系以液相（熔融或熔液）顯示光學(xué)異向性的聚合物， 必須不使用接著劑地與銅箔積層。全芳香族聚酯系液晶聚合物即便于熔融狀態(tài)亦顯示分子 的配向性，于固體狀態(tài)亦保持此狀態(tài)，為顯示熱塑性的無鹵素材料。
[0008] 液晶聚合物（LCP)其特征在于低介電率、低介電損失正切。此外，由于相對于LCP 的比介電率為3. 3,聚酰亞胺的比介電率為3. 5,相對于LCP的介電損失正切為0. 002,聚酰 亞胺的介電損失正切為〇.〇1，因此，液晶聚合物（LCP)于特性上較為優(yōu)異。又，液晶聚合物 (LCP)為低吸水性，且具有低吸濕率的特征，具有電特性的變化少且尺寸變化少此一大優(yōu) 點。
[0009] 于壓延銅箔中，為了確保操作性，具有下述特征：于最后退火后進(jìn)行壓延的經(jīng)壓延 材料為最合適（例如，參閱專利文獻(xiàn)1)。
[0010] 然而，具有液晶聚合物（LCP)與聚酰亞胺相比，其強(qiáng)度較弱，積層有銅箔的材料難 以表現(xiàn)出剝離強(qiáng)度此一大問題。銅箔的粗糙度愈大，則愈可得到物理上的錨固效果，故而有 剝離強(qiáng)度變高的傾向，但受到上述集膚效應(yīng)的影響，于高頻時的電特性惡化。
[0011] 又，雖然有許多高頻電路用銅箔的提案（例如，參閱專利文獻(xiàn)2、3、4、5)，但現(xiàn)狀為 從壓延銅箔的制造步驟的簡化及使高頻傳導(dǎo)損耗減少的觀點而言，仍未有有效的技術(shù)。
[0012] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2003 - 193211號公報
[0013] 專利文獻(xiàn)2 :日本特公昭61 - 54592號公報
[0014] 專利文獻(xiàn)3 :日本特公平3 - 34679號公報
[0015] 專利文獻(xiàn)4 :日本特公平7 - 10564號公報
[0016] 專利文獻(xiàn)5 :日本特開平5 - 55746號公報。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0017] 本發(fā)明系有鑒于如上所述的問題點而完成者，以其為目的時，本案發(fā)明課題在于： 獲得一種在提供"在適用于高頻用途的液晶聚合物（LCP)積層有銅箔"的可撓性印刷基板 (FPC)用銅箔時剝離強(qiáng)度提高的銅箔。
[0018] 本發(fā)明人等，發(fā)現(xiàn)根據(jù)下述的理由可減少傳輸損耗。
[0019] 第一：于高頻區(qū)域中，銅箔表面造成大幅影響。若表面粗糙度變大，則傳輸損耗變 大。因此，銅箔的表面粗糙度盡可能地調(diào)整為較小是有效的。
[0020] 第二：利用液晶聚合物（LCP)積層基板。但是為此必須提高與銅箔的接著強(qiáng)度（剝 離強(qiáng)度）。
[0021] 得到了通過解決以上的問題，可提供抑制了信號電力損耗（衰減）的可撓性印刷 基板（FPC)此知識見解。
[0022] 根據(jù)上述的知識見解，本案發(fā)明提供以下發(fā)明。
[0023] 1) -種表面處理銅箔，其銅箔表面的Si附著量為3. 1?300 ii g/dm2,銅箔表面的 N附著量為2. 5?690 ii g/dm2。
[0024] 2)如上述1)的表面處理銅箔，其中，銅箔表面的Si附著量為10. 0?300 ii g/dm2， 銅箔表面的N附著量為8. 0?690 ii g/dm2。
[0025] 3)如上述1)記載的表面處理銅箔，其中，銅箔表面的Si附著量為20. 5?245 ii g/ dm2,銅箔表面的N附著量為16. 4?565 ii g/dm2。
[0026] 4)如上述1)至3)中任一項記載的表面處理銅箔，其系可撓性印刷電路基板用銅 箔。
[0027] 5)如上述1)至4)中任一項記載的表面處理銅箔，其中，銅箔為壓延銅箔或電解銅 箔。
[0028] 6)如上述1)至5)中任一項記載的表面處理銅箔，其系與由液晶聚合物構(gòu)成的可 撓性印刷電路基板接合的銅箔。
[0029] 7)如上述1)至6)中任一項記載的表面處理銅箔，其中，與由液晶聚合物構(gòu)成的可 撓性印刷電路基板接合的情形時的90度常態(tài)剝離強(qiáng)度為0. 3kg/cm以上。
[0030] 8)如上述1)至7)中任一項記載的表面處理銅箔，其與可在超過IGHz的高頻率下 使用的可撓性印刷電路板接合。
[0031] 通過本發(fā)明，可制造可使用于高頻電路用途的表面處理銅箔，通過將該銅箔應(yīng)用 于液晶聚合物（LCP)積層基板，可得到下述優(yōu)異效果：可提高接著強(qiáng)度（剝離強(qiáng)度），且可 實現(xiàn)可于超過IGHz的高頻率下使用的可撓性印刷電路板。
【具體實施方式】
[0032] 可使用于高頻電路用途的表面處理銅箔其特征在于：銅箔表面的Si附著量為 3. 1?300 ii g/dm2,銅箔表面的N附著量為2. 5?690 ii g/dm2。由此，于使銅箔接著于液晶 聚合物（LCP)積層基板時，可提高接著強(qiáng)度（剝離強(qiáng)度）。再者，作為達(dá)成上述銅箔表面的 Si附著量與N附著量的一個手段，可列舉對銅箔表面進(jìn)行硅烷處理。又，將本案的表面處理 銅箔用于高頻電路用銅箔是有效的。
[0033] 若銅箔表面的Si附著量未達(dá)3. Iii g/dm2、銅箔表面的N附著量未達(dá)2.5 iig/ dm2,則接著強(qiáng)度不足，于銅箔表面的Si附著量超過300 y g/dm2、銅箔表面的N附著量超過 690 y g/dm2的情形，由于與LCP積層時會起泡，因此過多的話，并不佳。
[0034] 特別是，銅箔表面的Si附著量為8. 0?300 ii g/dm2,銅箔表面的N附著量為8. 0? 690 ii g/dm2較為理想，銅箔表面的Si附著量為20. 5?245g/dm2,銅箔表面的N附著量為 16. 4?565 y g/dm2更為理想。
[0035] 再者，硅烷涂布方法可為硅烷偶合劑溶液的噴霧吹附、涂布機(jī)涂布、浸漬、流附等 的任一種。關(guān)于這些，由于已為眾所周知的技術(shù)（例如，參閱日本特公昭60 - 15654號公 報），故省略其細(xì)節(jié)。
[0036] 關(guān)于銅箔表面的Si附著量，以酸溶解大小為IdmX Idm的經(jīng)表面處理的銅箔，利用 ICP (感應(yīng)耦合電漿原子發(fā)射光譜法）進(jìn)行定量，求出附著的Si相對于經(jīng)表面處理的銅箔的 單位面積的質(zhì)量（y g)。
[0037] 關(guān)于銅箔表面的N附著量，以高溫溶解大小為IdmX Idm的經(jīng)表面處理的銅箔，由 產(chǎn)生的NO2算出附著N量，測定銅箔的整個表面所附著的N量，由此求出附著的N相對于經(jīng) 表面處理的銅箔的單位面積的質(zhì)量。
[0038] 經(jīng)提高接著強(qiáng)度的銅箔，成為最適合用于由液晶聚合物構(gòu)成的可撓性印刷電路基 板的高頻電路用銅箔。也就是說，可使與由液晶聚合物構(gòu)成的可撓性印刷電路基板接合的 情形時的90度常態(tài)剝離強(qiáng)度為0. 3kg/cm以上。
[0039] 又，由于可提高銅箔的接著強(qiáng)度，故可應(yīng)用于銅箔的表面粗糙度小（導(dǎo)體耗損少） 的壓延銅箔及電解銅箔，可得到最合適的高頻電路用銅箔。高頻電路用銅箔可制造可在超 過IGHz的高頻率下使用的可撓性印刷電路板。
[0040] 再者，本案發(fā)明的表面處理銅箔亦可具有粗化處理層及/或耐熱處理層及/或防 銹處理層及/或鉻酸鹽處理層及/或鍍敷處理層及/或硅烷偶合處理層。上述粗化處理層 并無特別限定，可應(yīng)用所有的粗化處理層或公知的粗化處理層。
[0041] 上述耐熱處理層并無特別限定，可應(yīng)用所有的耐熱處理層或公知的耐熱處理層。 上述防銹處理層并無特別限定，可應(yīng)用所有的防銹處理層或公知的防銹處理層。上述鍍敷 處理層并無特別限定，可應(yīng)用所有的鍍敷處理層或公知的鍍敷處理層。上述鉻酸鹽處理層 并無特別限定，可應(yīng)用所有的鉻酸鹽處理層或公知的鉻酸鹽處理層。
[0042] 例如，本案發(fā)明的表面處理銅箔亦可于其表面通過施予例如用于使與絕緣基板的 密合性變得良好等的粗化處理而設(shè)置粗化處理層。粗化處理例如可通過利用銅或銅合金來 形成粗化粒子而進(jìn)行。粗化處理亦可為細(xì)微者。粗化處理層亦可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、 砷、鑰、鉻、鈷及鋅構(gòu)成的群中的任一單質(zhì)或含有任一種以上的合金所構(gòu)成的層等。
[0043] 又，于利用銅或銅合金來形成粗化粒子后，亦可進(jìn)一步進(jìn)行利用鎳、鈷、銅、鋅的單 質(zhì)或合金等來設(shè)置二次粒子或三次粒子的粗化處理。之后，亦可利用鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或 合金等來形成耐熱處理層或防銹處理層，亦可進(jìn)一步于其表面施予鉻酸鹽處理、硅烷偶合 劑處理等的處理?；蛘撸嗫刹贿M(jìn)行粗化處理，而以鎳、鈷、銅、鋅的單質(zhì)或合金等來形成耐 熱處理層或防銹處理層，并進(jìn)一步于其表面施予鉻酸鹽處理、硅烷偶合劑處理等的處理。
[0044] 亦即，可于粗化處理層的表面形成選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層 及硅烷偶合處理層構(gòu)成的群中的1種以上的層，亦可于表面處理銅箔的表面形成選自由耐 熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層構(gòu)成的群中的1種以上的層。再 者，上述耐熱層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層、硅烷偶合處理層亦可各自形成多層（例如2層 以上、3層以上等）。又，于本發(fā)明中，"防銹處理層"包含"鉻酸鹽處理層"。
[0045] 再者，若考慮與樹脂的密合性，則較佳為于表面處理銅箔的最外層設(shè)置硅烷偶合 處理層。作為粗化處理層，較佳為形成有銅的一次粒子層與在該一次粒子層上的由3元系 合金構(gòu)成的二次粒子層，該3元系合金是由銅、鈷及鎳構(gòu)成。
[0046] 又，較佳為該一次粒子層的平均粒徑為0. 25?0. 45 ii m，該二次粒子層的平均粒 徑為 0. 05 ?0. 25 u m。
[0047] 又，可使用以下處理作為防銹處理或鉻酸鹽處理。
[0048] < Ni - Co 鍍敷 > :Ni - Co 合金鍍敷
[0049] (液體組成）Co : 1 ?20g/L，Ni : 1 ?20g/L
[0050] (pH) 1. 5 ?3. 5
[0051] (液溫）3〇 ?8〇°C
[0052] (電流密度）1 ?20A/dm2
[0053] (通電時間）0? 5?4秒
[0054] < Zn - Ni 鍍敷 > :Zn - Ni 合金鍍敷
[0055] (液體組成）Zn :10 ?30g/L，Ni :1 ?10g/L
[0056] (pH) 3 ?4
[0057] (液溫）40 ?5(TC
[0058] (電流密度）0? 5 ?5A/dm2
[0059] (通電時間）1?3秒
[0060] < Ni - Mo 鍍敷 > :Ni - Mo 合金鍍敷
[0061] (液體組成）硫酸鎳：270?280g/L，氯化鎳：35?45g/L，乙酸鎳：10?20g/L，鑰 (以鑰酸鈉形式添加）：〇. 1?l〇g/L，檸檬酸三鈉：15?25g/L，光澤劑：糖精、丁炔二醇等， 十二基硫酸鈉：55?75ppm。
[0062] (pH) 4 ?6
[0063] (液溫）55 ?65°C
[0064] (電流密度）1 ?llA/dm2
[0065] (通電時間）1?20秒
[0066] < Cu - Zn 鍍敷 > :Cu - Zn 合金鍍敷
[0067] (液體組成）NaCN : 10 ?30g/L，NaOH :40 ?100g/L，Cu :60 ?120g/L，Zn : 1 ?IOg/ L
[0068] (液溫）60 ?80°C
[0069] (電流密度）1 ?10A/dm2
[0070] (通電時間）1?10秒
[0071] <電解鉻酸鹽>
[0072](液體組成）鉻酸酐、鉻酸、或重鉻酸鈣：1?10g/L，鋅（添加的情形以硫酸鋅的 形式添加）：〇?5g/L
[0073] (pH) 0.5 ?10
[0074] (液溫）40 ?6(TC
[0075] (電流密度）0? 1 ?2. 6A/dm2
[0076] (庫倫量）0? 5 ?90As/dm2
[0077] (通電時間）1?30秒
[0078] <浸漬鉻酸鹽>
[0079] (液體組成）鉻酸酐、鉻酸、或重鉻酸鈣：1?10g/L，鋅（添加的情形以硫酸鋅的 形式添加）：〇?5g/L
[0080] (pH) 2 ?10
[0081] (液溫）20 ?60°C
[0082] (處理時間）1?30秒
[0083] 又，于硅烷偶合劑處理中，在使Si與N附著于銅箔表面的情形時，于硅烷偶合劑處 理中使用胺基硅烷。而且，使硅烷偶合劑處理液中的硅烷偶合劑的濃度比以往高（例如， I. 5vol %以上），必須進(jìn)行硅烷偶合劑處理。又，必須不使硅烷偶合劑處理后的干燥溫度過 高，且不使干燥時間過長。其是由于在使干燥溫度過高或使干燥時間過長的情形時，有存在 于銅箔表面的硅烷偶合劑會脫離的情形。
[0084] 硅烷偶合劑處理后的干燥，較佳例如為以干燥溫度90?110°C、較佳為95°C? 105°C，干燥時間1?10秒鐘、較佳為1?5秒鐘來進(jìn)行。
[0085] 又，于較佳的實施方案中，作為胺基硅烷，可使用含有1個以上的胺基及/或亞胺 基的硅烷。胺基硅烷中所含的胺基及亞胺基的數(shù)目例如可分別為1?4個，較佳為分別為 1?3個，更較佳為1?2個。于較佳的實施方案中，胺基硅烷中所含的胺基及亞胺基的數(shù) 目可分別為1個。
[0086] 胺基硅烷中所含的胺基及亞胺基的數(shù)目的合計為1個的胺基硅烷可特殊地稱為 單胺基硅烷，為2個的胺基硅烷可特殊地稱為二胺基硅烷，為3個的胺基硅烷可特殊地稱為 三胺基硅烷。于本發(fā)明中可較佳地使用單胺基硅烷、二胺基硅烷。于較佳的實施方案中，作 為胺基硅烷，可使用含有1個胺基的單胺基硅烷。于較佳的實施方案中，胺基硅烷可設(shè)為于 分子的末端、較佳為直鏈狀或支鏈狀的鏈狀分子的末端含有至少1個，例如1個胺基者。 [0087] 作為胺基娃燒，例如可列舉：N - 2 -（胺基乙基）一 3-胺基丙基甲基二甲氧基 娃燒、N - 2 -（胺基乙基）一 3 -胺基丙基二甲氧基娃燒、3 -胺基丙基二甲氧基娃燒、 1 一胺基丙基三甲氧基硅烷、2 -胺基丙基三甲氧基硅烷、1，2 -二胺基丙基三甲氧基硅烷、 3 -胺基一 1 一丙烯基二甲氧基娃燒、3 -胺基一 1 一丙炔基二甲氧基娃燒、3 -胺基丙基二 乙氧基娃燒、3 -二乙氧基娃燒基一 N - (1, 3 一二甲基一亞丁基）丙基胺、N -苯基一 3 - 胺基丙基二甲氧基娃燒、N -（乙烯基節(jié)基）一 2 -胺基乙基一 3 -胺基丙基二甲氧基娃 燒、3 -胺基丙基二乙氧基娃燒、3-胺基丙基二甲氧基娃燒、N -（2-胺基乙基）一 3-胺 基丙基二甲氧基娃燒、N -（2 -胺基乙基）一 3 -胺基丙基甲基二甲氧基娃燒、3 -（N - 苯基）胺基丙基二甲氧基娃燒。
[0088] 又，于較佳的實施方案中，硅烷偶合劑處理中可使用具有下式I的結(jié)構(gòu)式的硅烷。
[0089] 式 I :H2N - R1 - Si (OR2) 2 (R3)
[0090] (其中，上述式I中，
[0091] Rl為直鏈狀或具有支鏈的飽和或不飽和、經(jīng)取代或未經(jīng)取代、環(huán)式或非環(huán)式、具有 雜環(huán)或不具有雜環(huán)的Cl?C12的烴的二價基，
[0092] R2為Cl?C5的烷基，
[0093] R3為Cl?C5的烷基或Cl?C5的烷氧基。）
[0094] Rl較佳為選自由下述者組成的群中的基：經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl?C12的直鏈 狀飽和烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl?C12的支鏈狀飽和烴的二價基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的Cl?C12的直鏈狀不飽和烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl?C12的支鏈狀 不飽和烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl?C12的環(huán)式烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的Cl?C12的雜環(huán)式烴的二價基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的Cl?C12的芳香族烴的二價基。
[0095] 又，Rl較佳為選自由下述者組成的群中的基：一（CH2)n ―、一（CH2)n - (CH)m - (CH2)』-！ 一、一（CH2) n - (CC) - (CH2) n -! -、一（CH2) n - NH - (CH2) m -、一（CH2) n - NH - (CH2) m - NH - (CH2)』一、一（CH2) n - ! - (CH) NH2 - (CH2) m - ! -、一（CH2) n - ! - (CH) NH2 - (CH2)m -丨一NH - (CH2)j -(其中，n、m、j 為 I 以上的整數(shù)）。
[0096] Rl 較佳為一（CH2)n -或一（CH2)n - NH - (CH2)m -。
[0097] n、m、j較佳為各自獨立地為1、2或3。
[0098] R2較佳為甲基或乙基。
[0099] R3較佳為甲基、乙基、甲氧基、或乙氧基。
[0100] 又，于另一實施型態(tài)中，亦可通過濺鍍、CVD及PDV等的干式鍍敷而于銅箔表面設(shè) 置含有Si與N的層。
[0101] 以下表示濺鍍條件之一例。
[0102] (革巴）：Si :15 ?GSmass%、N :25 ?SSmass%, Si 濃度與 N 濃度合計在 SOmass% 以上。剩余部分為任意的元素即可。
[0103] (裝置）ULVAC股份有限公司制造的濺鍍裝置
[0104] (功率）DC5OW
[0105] (氬壓力）0.2Pa
[0106] 實施例
[0107] 以下根據(jù)實施例說明本發(fā)明。另，本實施例系表示較佳的一例，故本發(fā)明并不受到 這些實施例限制。因此，本發(fā)明的技術(shù)思想中所含的變形、其它實施例或態(tài)樣全部皆被包含 于本發(fā)明中。再者，為了與本發(fā)明對比，亦并記比較例。
[0108] (實施例1)
[0109] 將于無氧銅中添加有1200ppm的Sn的鑄錠進(jìn)行熔制，于900°C熱壓延此鑄錠，從而 獲得厚度IOmm的板。之后，重復(fù)進(jìn)行冷壓延及退火，而冷壓延成最后厚度為9 ii m的銅箔。 此壓延銅箔的表面粗糙度為Rz 0. 63 ii m。
[0110] 接著，對上述壓延銅箔以以下的條件實施鍍Ni (未實施粗化處理）。再者，鍍Ni液 的其余部分為水。又，本案中所記載的粗化處理、鍍敷、硅烷處理、耐熱處理、防銹處理等中 所使用的液體的其余部分亦若未特別記載，則為水。
[0111] Ni 離子：10 ?40g/L
[0112] 溫度：30 ?70 °C
[0113] 電流密度：1?9A/dm2
[0114] 鍍敷時間：0? 1?3. 0秒
[0115] pH :1. 0 ?5. 0
[0116] 接著，對上述進(jìn)行了鍍Ni的壓延銅箔，以以下條件實施浸漬鉻酸鹽處理。
[0117] K2Cr2O7 :1 ?10g/L
[0118] 溫度：20 ?60°C
[0119] 處理時間：1?5秒
[0120] 接著，實施表1所示的硅烷偶合劑處理。
[0121] 娃燒種類：N - 2 -（胺基乙基）一 3 -胺基丙基二甲氧基娃燒
[0122] 硅烷濃度：1.5vol%
[0123] 溫度：10 ?60 °C
[0124] 處理時間：1?5秒
[0125] 硅烷處理后的干燥：100°C X3秒
[0126] 其結(jié)果，硅烷偶合劑處理后的銅箔表面粗糙度Rz (十點平均粗糙度）成為 0.63i!m。再者，Rz系根據(jù)JIS B0601 - 1982,使用小阪研究所股份有限公司制造的接觸 粗糙度計Surfcorder SE - 3C觸針式粗糙度計來進(jìn)行測定。關(guān)于銅箔表面的Si附著量， 以酸將大小為IdmX Idm的經(jīng)表面處理的銅箔溶解，利用ICP (感應(yīng)耦合電漿原子發(fā)射光譜 法）進(jìn)行定量，求出附著的Si相對于經(jīng)表面處理的銅箔的單位面積的質(zhì)量（y g)，其結(jié)果 為3. 5 y g/dm2,又，關(guān)于銅箔表面的N附著量，以高溫將大小為IdmX Idm的經(jīng)表面處理的銅 箔熔解，算出產(chǎn)生的NO2量，測定銅箔的整個表面所附著的N量，由此求出附著的N相對于 經(jīng)表面處理的銅箔的單位面積的質(zhì)量，其結(jié)果為4. 5 y g/dm2。再者，于通過本測定而檢測出 Si及N的情形時，可判定為于表面處理銅箔存在有緣自于胺基硅烷的硅烷偶合處理層。
[0127] 再者，于在未進(jìn)行樹脂貼合的面亦附著有Si及N的情形時，必須以未影響與樹脂 的貼合面的測定結(jié)果的方式，進(jìn)行預(yù)先去除或遮蔽等。
[0128] 關(guān)于以下實施例及比較例的附著于銅箔表面的Si的質(zhì)量g)與N的附著量的 測定法（評價方法），由于以同樣的方式實施，故為了避免繁雜，將此操作方法的說明省略。
[0129] 以上的結(jié)果為，滿足銅箔表面的Si附著量為3. 1?300 ii g/dm2,銅箔表面的N附 著量為2. 5?690 ii g/dm2此本案發(fā)明的條件。
[0130] 將以上述方式制得的經(jīng)硅烷處理的壓延銅箔，通過壓合而貼合于厚度50 的液 晶聚合物（Kuraray制造的Vecstar CT - Z)的樹脂。使用以上述方式而得的試料,測定90 度剝尚強(qiáng)度。
[0131] 剝離強(qiáng)度系將電路寬度設(shè)為3mm，于90度的角度下以50mm/min的速度剝離樹脂與 銅箔的情形。測定2次，求其平均值。
[0132] 此剝離強(qiáng)度的測定，系根據(jù)JIS C6471 - 1995(以下相同）。此結(jié)果，得到90度剝 離強(qiáng)度為〇. 32kg/cm。將其結(jié)果示于表1。如本實施例1所示，可知實施例1的經(jīng)表面處理 的壓延銅箔，具有作為高頻用電路基板的素材的工業(yè)上充足的表面性能。
[0133] 又，于將此銅箔貼合于50 y m的液晶聚合物后，為了調(diào)查高頻特性，形成了微帶狀 線結(jié)構(gòu)。此時，以特性阻抗成為50 Q的方式進(jìn)行電路形成。使用此電路進(jìn)行傳輸損耗的測 定，于30GHz的頻率中的傳輸損耗小于一0. 6的情形，將高頻特性記為◎。又，將一0. 6?一 〇. 8的情形記為〇，將一0. 8?一1. 2的情形記為A，將傳輸損耗比一1. 2大的情形記為X。 再者，此測定值僅作為參考，并非為限定范圍者。
[0134] [表 1]
[0135]
【權(quán)利要求】
1. 一種表面處理銅箔，其銅箔表面的Si附著量為3. 1?300 i! g/dm2,銅箔表面的N附 著量為 2. 5 ?690ii g/dm2。
2. 如權(quán)利要求1所述的表面處理銅箔，其中，銅箔表面的Si附著量為8. 0?300 y g/ dm2,銅箔表面的N附著量為16. 0?690 ii g/dm2。
3. 如權(quán)利要求1所述的表面處理銅箔，其中，銅箔表面的Si附著量為20. 5?245 ii g/ dm2,銅箔表面的N附著量為16. 4?565 ii g/dm2。
4. 如權(quán)利要求1至3中任一項所述的表面處理銅箔，其系可撓性印刷電路基板用銅箔。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的表面處理銅箔，其中，銅箔為壓延銅箔或電解銅 箔。
6. 如權(quán)利要求1至5中任一項所述的表面處理銅箔，其系與由液晶聚合物構(gòu)成的可撓 性印刷電路基板接合的銅箔。
7. 如權(quán)利要求1至6中任一項所述的表面處理銅箔，其中，與由液晶聚合物構(gòu)成的可撓 性印刷電路基板接合的情形時的90度常態(tài)剝離強(qiáng)度為0. 3kg/cm以上。
8. 如權(quán)利要求1至7中任一項所述的表面處理銅箔，其與可在超過IGHz的高頻率下使 用的可撓性印刷電路板接合。
9. 如權(quán)利要求1至8中任一項所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面具有選自由粗化 處理層、耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層構(gòu)成的群中的1種以上 的層。
10. 如權(quán)利要求1至9中任一項所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面具有鉻酸鹽處 理層，于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
11. 如權(quán)利要求1至10中任一項所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面具有粗化處理 層，于該粗化處理層上具有鉻酸鹽處理層，于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
12. 如權(quán)利要求1至11中任一項所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面具有粗化處理 層，于該粗化處理層上具有防銹處理層，于該防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層，于該鉻酸鹽 處理層上具有硅烷偶合處理層。
13. 如權(quán)利要求1至12中任一項所述的表面處理銅箔，其中，于銅箔表面具有粗化處理 層，該粗化處理層具有一次粒子層與在該一次粒子層上的二次粒子層。
14. 如權(quán)利要求13所述的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層具有銅的一次粒子層與 在該一次粒子層上的由3元系合金構(gòu)成的二次粒子層，該3元系合金是由銅、鈷及鎳構(gòu)成。
15. 如權(quán)利要求13或14所述的表面處理銅箔，其中，該粗化處理層具有銅的一次粒 子層與在該一次粒子層上的由3元系合金構(gòu)成的二次粒子層，該3元系合金是由銅、鈷及 鎳構(gòu)成，該一次粒子層的平均粒徑為〇. 25?0. 45 y m，該二次粒子層的平均粒徑為0. 05? 0. 25 u m〇
16. 如權(quán)利要求13至15中任一項所述的表面處理銅箔，其中，于該粗化處理層上具有 鉻酸鹽處理層，于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處理層。
17. 如權(quán)利要求13至16中任一項所述的表面處理銅箔，其中，于該粗化處理層上具有 防銹處理層，于該防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層，于該鉻酸鹽處理層上具有硅烷偶合處 理層。
【文檔編號】C23C28/00GK104220642SQ201380018135
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年3月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月29日
【發(fā)明者】福地亮 申請人:Jx日礦日石金屬株式會社