壓入型端子以及使用該壓入型端子的電子部件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種耐晶須性優(yōu)秀、插入力低、將壓入型端子壓入到基板時鍍層不易被削去、具有高耐熱性的壓入型端子以及使用該壓入型端子的電子部件。在壓入型端子中，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，其特征在于，耐晶須性優(yōu)秀，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備：最表層的由Sn、In或它們的合金形成的A層；形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的1種或兩種以上構(gòu)成的B層；以及形成在B層的下層，由從由Ni、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的1種或兩種以上構(gòu)成的C層，所述A層的厚度是0.002～0.2μm，所述B層的厚度是0.001～0.3μm，所述C層的厚度是0.05μm以上。
【專利說明】壓入型端子以及使用該壓入型端子的電子部件

【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種壓入型端子以及使用該壓入型端子的電子部件，該壓入型端子在裝配于外殼(housing)的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配在該基板。

【背景技術(shù)】
[0002]壓入型端子是具有壓縮彈性的針狀的端子，通過壓入到形成于基板的通孔來確保摩擦力(保持力)，以機械方式/電方式固定于基板。在以往的通孔的內(nèi)周面，通過鍍銅形成有電極部分，有助于與壓入型端子插腳(pin)之間的保持力。在緊固于基板的壓入型端子中裝配有陽性連接器(插塞式連接器)，與陰性連接器(插孔連接器)嵌合而進行電連接。另外，為了在考慮到無鉛的情況下提高與連接基板的通孔的接觸性，在壓入型端子用端子的表面主要進行鍍Sn。
[0003]該壓入型端子在不進行以往進行的焊接的情況下進行連接用端子與控制基板的連接，并未設想到將一度插入到通孔的壓入型端子再次從通孔拔出的情況。因而，人們自然不能用手將壓入型端子用端子插入到通孔。例如，在將壓入型端子用端子插入到通孔時，I個端子平均需要6~7kg (60~70N)的垂直力，因為在成型(molding)后的連接器中同時壓入型端子50~100個端子，所以需要極大的壓入力。
[0004]因此，在將壓入型端子用端子插入到通孔時，壓入型端子的外周面由于通孔而受到大的加壓力，比較軟的鍍Sn會被削去，被削去的碎片散落在周圍，存在有時會引起相鄰的端子的短路的問題。
[0005]與此相對地，在專利文獻I中，記載了一種以壓入狀態(tài)插入到基板的導電性通孔的壓合(press fit)端子，在上述壓合端子的至少基板插入部分實施了 0.1~0.8μπι厚的鍍錫，并且在上述實施了鍍錫的部分實施0.5~I μ m厚的鍍銅中間層和I~1.3 μ m厚的鍍鎳基底，由此，能抑制鍍錫被削去。
[0006] 此外，在專利文獻2中記載了如下內(nèi)容，即，在壓合端子中，在母材的整個表面設置有Ni或Ni合金的基底鍍覆層，在所述母材的所述陰性端子連接部的所述基底鍍覆層的表面，依次設置有Cu — Sn合金層和Sn層,或依次設置有Cu — Sn合金層和Sn合金層，或設置有Au合金層，在所述母材的所述基板連接部的所述基底鍍覆層的表面，依次設置有Cu3Sn合金層和Cu6Sn5合金層，而且，在該Cu6Sn5合金層的表面未露出Sn，由此，比專利文獻I更能抑制鍍Sn被削去而產(chǎn)生殘渣的情況，能通過在硬的Cu - Sn合金層設置軟的Sn層或Sn合金層的相輔效果來改善摩擦系數(shù)，能減弱將壓合用端子插入到通孔時的插入力。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻
專利文獻1:特開2005 — 226089號公報；
專利文獻2:特開2010 — 262861號公報。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的課題
然而，在專利文獻I記載的技術(shù)中，在基板的導電性通孔與壓合端子的機械方式/電方式連接部中會產(chǎn)生晶須(whisker)而得不到足夠低的插入力，鍍層被削而產(chǎn)生殘渣，在近年來在USACAR標準中要求175°C的耐熱性的情況下，得不到充分高的耐熱性。
[0009]此外，在專利文獻2記載的技術(shù)中，也未能實現(xiàn)耐晶須性優(yōu)秀、插入力低、將壓合端子插入到基板時鍍層不易被削去、具有高耐熱性的壓入型端子。
[0010]像這樣，在以往的實施了鍍Sn的壓入型端子中，在耐晶須性、插入力、將壓合端子插入到基板時鍍層被削去以及耐熱性方面存在問題。
[0011]本發(fā)明是為了解決上述的課題而完成的，其課題在于，提供一種耐晶須性優(yōu)秀、插入力低、將壓入型端子插入到基板時鍍層不易被削去、具有高耐熱性的壓入型端子以及使用該壓入型端子的電子部件。
[0012]用于解決課題的方案
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使用從最表層起按順序形成有以規(guī)定的金屬和規(guī)定的厚度形成的A層、B層、C層的金屬材料來形成，從而能提供耐晶須性優(yōu)秀、插入力低的壓入型端子，由此，能制作插入到基板時鍍層不易被削去而且具有高耐熱性的壓入型端子。
[0013]基于以上的想法而完成的本發(fā)明的一個側(cè)面是一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，耐晶須性優(yōu)秀，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備:
最表層的由Sn、In或它們的合金形成的A層；
形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的B層；以及
形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的C層，其中，
所述A層的厚度是0.002~0.2 μ m，
所述B層的厚度是0.001~0.3 μ m，
所述C層的厚度是0.05 μ m以上。
[0014]本發(fā)明的另一個側(cè)面是一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，插入力低，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備:
最表層的由Sn、In或它們的合金形成的A層；
形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的B層；以及
形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的C層，其中，
所述A層的厚度是0.002~0.2 μ m，
所述B層的厚度是0.001~0.3 μ m，所述C層的厚度是0.05 μ m以上。
[0015]本發(fā)明的另一個側(cè)面是一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，插入壓入型端子時鍍層不易被削去，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備:
最表層的由Sn、In或它們的合金形成的A層；
形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的B層；以及
形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的C層，其中，
所述A層的厚度是0.002~0.2 μ m，
所述B層的厚度是0.001~0.3 μ m，
所述C層的厚度是0.05 μ m以上。
[0016]本發(fā)明的另一個側(cè)面是一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，耐熱性優(yōu)秀，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備:
最表層的由Sn、In或它們的合金形成的A層；
形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的B層；以及
形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的C層，其中，
所述A層的厚度是0.002~0.2 μ m，
所述B層的厚度是0.001~0.3 μ m，
所述C層的厚度是0.05 μ m以上。
[0017]本發(fā)明的另一個側(cè)面是一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，耐晶須性優(yōu)秀，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備:
最表層的由Sn、In或它們的合金形成的A層；
形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的B層；以及
形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的C層，
所述A層的Sn、In的附著量為I~150 μ g/cm2,
所述 B 層的 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir 的附著量為 I ~330 μ g/cm2，
所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的附著量為0.03mg/cm2以上。
[0018]本發(fā)明的另一個側(cè)面是一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，插入力低，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備:
最表層的由Sn、In或它們的合金形成的A層；
形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的B層；以及
形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的C層，
所述A層的Sn、In的附著量為I~150 μ g/cm2,
所述 B 層的 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir 的附著量為 I ~330 μ g/cm2，
所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的附著量為0.03mg/cm2以上。
[0019]本發(fā)明的另一個側(cè)面是一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，插入壓入型端子時鍍層不易被削去，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備:
最表層的由Sn、In或它們的合金形成的A層；
形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的B層；以及
形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的C層，
所述A層的Sn、In的附著量為I~150 μ g/cm2,
所述 B 層的 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir 的附著量為 I ~330 μ g/cm2，
所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的附著量為0.03mg/cm2以上。
[0020]本發(fā)明的另一個側(cè)面是一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，耐熱性優(yōu)秀，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備:
最表層的由Sn、In或它們的合金形成的A層；
形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的B層；以及
形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的C層，
所述A層的Sn、In的附著量為I~150 μ g/cm2,
所述 B 層的 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir 的附著量為 I ~330 μ g/cm2，
所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的附著量為0.03mg/cm2以上。
[0021]在本發(fā)明的壓入型端子的一個實施方式中，所述A層的合金成分為，Sn、In或Sn和In的總和為50質(zhì)量％以上,剩余合金成分由從由Ag、As、Au、B1、CM、Co、Cr、Cu、Fe、In、Mn、Mo、N1、Pb、Sb、Sn、W以及Zn組成的組中選擇的I種或兩種以上的金屬組成。
[0022]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述B層的合金成分為，Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或Ag和Au和Pt和Pd和Ru和Rh和Os和Ir的總和為50質(zhì)量％以上，剩余合金成分由從由 Ag、Au、B1、Cd、Co、Cu、Fe、In、Ir、Mn、Mo、N1、Pb、Pd、Pt、Rh.Ru、Sb、
Se、Sn、W、Tl以及Zn組成的組中選擇的I種或兩種以上的金屬組成。
[0023]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述C層的合金成分為，N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的總和為50質(zhì)量％以上,還包括從由B、P、Sn以及Zn組成的組中選擇的I種或兩種以上。
[0024]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，從所述A層的表面測量的維氏硬度為HvlOO以上。
[0025]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述A層的表面的壓入硬度為100MPa以上，其中，該壓入硬度是通過超微小硬度試驗對所述A層的表面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。
[0026]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，從所述A層的表面測量的維氏硬度為HvlOOO以下，具有高彎曲加工性。
[0027]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述A層的表面的壓入硬度為1000MPa以下，具有高彎曲加工性，其中，該壓入硬度是通過超微小硬度試驗對所述A層的表面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。
[0028]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述A層的表面的算術(shù)平均高度(Ra)為 0.1 μ m 以下。
[0029]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述A層的表面的最大高度(Rz)為Iym以下。
[0030]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述A層的表面的反射濃度為0.3以上。
[0031]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，在用XPS (X射線光電子譜)進行Depth分析時,示出所述A層的Sn或In的原子濃度(at% )的最高值的位置(D1X示出所述B層的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子濃度(at% )的最高值的位置(D2)、示出所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co或Cu的原子濃度(at% )的最高值的位置(D3),從最表面起按D1'D2、D3的順序存在。
[0032] 在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，在用XPS (X射線光電子譜)進行Depth分析時,所述A層的Sn或In的原子濃度(at%)的最高值和所述B層的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子濃度(at %)的最高值分別是10at%以上、所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co或Cu的原子濃度(at% )是25%以上的深度為50nm以上。
[0033]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述A層的厚度是0.01~0.Ιμπι。
[0034]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述A層的Sn、In的附著量為7~75 μ g/cm2。
[0035]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述B層的厚度是0.005~0.1ym0
[0036]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述B層的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的附著量為4~120 μ g/cm2。
[0037]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述C層的截面的維氏硬度為Hv300以上。
[0038]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述C層的截面的維氏硬度和厚度滿足下式:
維氏硬度(Hv)≤一376.22Ln (厚度 μ m) + 86.411。
[0039]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述下層(C層)的截面的壓入硬度是2500MPa以上，其中，該壓入硬度是通過超微小硬度試驗對所述下層(C層)的截面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。
[0040]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述下層(C層)的截面的壓入硬度與厚度滿足下式:
壓入硬度(MPa)≤一3998.4Ln (厚度 μ m) + 1178.9，
其中，該壓入硬度是通過超微小硬度試驗對所述下層(C層)的截面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。
[0041]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述C層的截面的維氏硬度為HvlOOO 以下。
[0042]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，所述下層(C層)的截面的壓入硬度為1000MPa以下，其中，該壓入硬度是通過超微小硬度試驗對所述下層(C層)的截面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。
[0043]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，在用XPS (X射線光電子譜)進行Depth分析時，在示出所述A層的Sn或In的原子濃度(at% )的最高值的位置(D1)與示出所述C層的N1、Cr、Mn、 Fe、Co、Cu或Zn的原子濃度(at%)的最高值的位置(D3)之間，以Inm以上的厚度存在Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir為40at%以上的區(qū)域。
[0044]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，在用XPS (X射線光電子譜)的Survey測量進行所述A層的表面的元素分析時，Sn、In為2at%以上。
[0045]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，在用XPS (X射線光電子譜)的Survey測量進行所述A層的表面的元素分析時,Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir不足7at%。
[0046]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，在用XPS (X射線光電子譜)的Survey測量進行所述A層的表面的元素分析時，O不足50at%。
[0047]在本發(fā)明的壓入型端子的另一個實施方式中，通過表面處理在所述基板連接部按所述C層、所述B層、所述A層的順序形成表面處理層，此后，在溫度50~500 °C下實施時間為12小時以內(nèi)的加熱處理而進行制作。
[0048]本發(fā)明的另一個側(cè)面是具備本發(fā)明的壓入型端子的電子部件。
[0049]發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，能提供一種耐晶須性優(yōu)秀、插入力低、將壓入型端子插入到基板時鍍層不易被削去、具有高耐熱性的壓入型端子以及使用該壓入型端子的電子部件。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0050]圖1是本發(fā)明的實施方式的壓入型端子的示意圖。
[0051]圖2是示出在本發(fā)明的實施方式的壓入型端子中使用的金屬材料的結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0052]圖3是實施例3的XPS (X射線光電子譜)的D印th測量結(jié)果。
[0053]圖4是實施例3的XPS (X射線光電子譜)的Survey測量結(jié)果。

【具體實施方式】
[0054]以下，對本發(fā)明的實施方式的壓入型端子進行說明。圖1是實施方式的壓入型端子的示意圖。此外，如圖2所示，在成為壓入型端子的材料的金屬材料10中，在基材11的表面形成有C層12，在C層12的表面形成有B層13，在B層13的表面形成有A層14。
[0055]〈壓入型端子的結(jié)構(gòu)〉
(基材)
作為基材11，沒有特別限定，例如，能使用銅和銅合金、Fe類材料、不銹鋼、鈦和鈦合金、鋁和鋁合金等金屬基材。另外，壓入型端子的構(gòu)造和形狀等沒有特別限定。在一般的壓入型端子中，以并聯(lián)方式排列有多個端子(多插腳)，固定于基板。
[0056](A 層)
A層需要是Sn、In或它們的合金。雖然Sn和In是具有氧化性的金屬，但是在金屬之中具有比較軟的特征。因而，即使在Sn和In表面形成有氧化膜，在將壓入型端子插入到基板時，氧化膜也容易被削去，接點彼此均成為金屬，因此，可得到低接觸電阻。
[0057]此外，Sn和In對氯氣、二氧化硫、硫化氫氣體等氣體的耐氣體腐蝕性優(yōu)秀,例如，在B層13中使用耐氣體腐蝕性差的Ag、在C層12中使用耐氣體腐蝕性差的N1、在基材11中使用耐氣體腐蝕性差的銅和銅合金的情況下，具有使壓入型端子的耐氣體腐蝕性提高的作用。另外，在Sn和In之中，基于厚生勞動省的關于防止健康障礙的技術(shù)指南，對In的限制嚴格，因此，優(yōu)選Sn。
[0058]A層14的成分也可以如下:Sn、In或Sn和In的總和為50質(zhì)量％以上，剩余合金成分由從由 Ag、As、Au、B1、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、In、Mn、Mo、N1、Pb、Sb、Sn、W、Zn 組成的組中選擇的I種或兩種以上的金屬構(gòu)成。有時可以通過使A層14的成分為合金(例如，實施Sn -Ag合金鍍覆)，從而使耐晶須性會進一步提高、插入力變得更低、將壓入型端子插入到基板時鍍層更不易被削去、耐熱性提高。
[0059] A層14的厚度需要是0.002~0.2 μ m。優(yōu)選A層14的厚度為0.01~0.1 μ m。當A層14的厚度不足0.002 μ m時，得不到充分的耐氣體腐蝕性，當對壓入型端子進行氯氣、二氧化硫、硫化氫氣體等的氣體腐蝕試驗時會腐蝕，與氣體腐蝕試驗前相比接觸電阻大為增加。為了得到更充分的耐氣體腐蝕性，優(yōu)選是0.01 μ m以上的厚度。此外，當厚度變厚時，Sn、In的膠合磨損會變大而使插入力變大，在將壓入型端子插入到基板時鍍層變得容易被削去。為了更充分地降低插入力、將壓入型端子插入到基板時使鍍層更不易被削去，做成為0.2 μ m以下。更優(yōu)選是0.15 μ m以下,進一步優(yōu)選是0.10 μ m以下。
[0060]A層14的Sn、In的附著量需要是I~150 μ g/cm2。優(yōu)選A層14的附著量為7~75yg/cm2。在此，說明一下用附著量進行定義的理由。例如，在用熒光X線膜厚計測量A層14的厚度的情況下，由于形成在A層與其下的B層之間的合金層，有時所測量的厚度的值會產(chǎn)生誤差。另一方面，在用附著量進行控制的情況下，能不被合金層的形成狀況所左右地進行更準確的品質(zhì)管理。當A層14的Sn、In的附著量不足I μ g/cm2時，得不到充分的耐氣體腐蝕性，當對壓入型端子進行氯氣、二氧化硫、硫化氫氣體等的氣體腐蝕試驗時會腐蝕，與氣體腐蝕試驗前相比接觸電阻會大為增加。為了得到更充分的耐氣體腐蝕性，優(yōu)選附著量為7 μ g/cm2以上。此外，當附著量變多時，Sn、In的膠合磨損會變大而使插入力變大，在將壓入型端子插入到基板時鍍層變得容易被削去。為了更充分地降低插入力、將壓入型端子插入到基板時使鍍層更不易被削去，做成為150 μ g/cm2以下。更優(yōu)選是110 μ g/cm2以下，進一步優(yōu)選是75 μ g/cm2以下。
[0061](B 層)
B層13需要由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成。Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir在金屬之中具有比較有耐熱性的特征。因而，抑制基材11、C層12的成分向A層14側(cè)擴散而使耐熱性提高。此外，這些金屬與A層14的Sn、In形成化合物而抑制Sn、In形成氧化膜。另外,在Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir之中，根據(jù)導電率的觀點，更優(yōu)選是Ag。Ag的導電率高。例如，在高頻信號用途中使用Ag的情況下，由于趨膚效應，阻抗會變低。
[0062]B層13的合金成分可以如下:Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或Ag和Au和Pt和Pd和Ru和Rh和Os和Ir的總和為50質(zhì)量％以上，剩余合金成分由從由Ag、Au、B1、Cd、Co、Cu、Fe、In、Ir、Mn、Mo、N1、Pb、Pd、Pt、Rh.Ru、Sb、Se、Sn、W、Tl、Zn 組成的組中選擇的 I 種或兩種以上的金屬構(gòu)成。有時可以通過使B層13的成分為合金(例如，實施Ag — Sn合金鍍覆)，從而使這樣的耐晶須性進一步提高、插入力也變得更低、將壓入型端子插入到基板時鍍層更不易被削去、耐熱性提高。
[0063]B層13的厚度需要是0.001~0.3 μ m。優(yōu)選B層13的厚度是0.005~0.1 μ m。當厚度不足0.001 μ m時，基材11、C層12與A層形成合金，耐熱性試驗后的接觸電阻變差。為了得到更充分的耐熱性，優(yōu)選是0.005 μ m以上的厚度。此外，當厚度變厚時，插入力變大，將壓入型端子插入到基板時鍍層變得容易被削去。為了更充分地降低插入力、將壓入型端子插入到基板時使鍍層更不易被削去，做成為0.3 μ m以下，更優(yōu)選是0.15 μ m以下，進一步優(yōu)選是0.10 μ m以下。
[0064]B層13的48411、？1?(1、1?11、1^、08、11'或它們的合金的附著量需要是I~330 μ g/cm2。優(yōu)選B層13的附著量為4~120 μ g/cm2。在此，說明一下用附著量進行定義的理由。例如，在用熒光X線膜厚計測量B層13的厚度的情況下，由于形成在A層14與其下的B層13之間的合金層，有時所測量的厚度的值會產(chǎn)生誤差。另一方面，在用附著量進行控制的情況下，能不被合金層的形成狀況所左右地進行更準確的品質(zhì)管理。當附著量不足I μ g/cm2時，基材11、C層12與A層形成合金，耐熱性試驗后的接觸電阻變差。為了得到更充分的耐熱性，優(yōu)選附著量為4 μ g/cm2以上。此外，當附著量多時，插入力會變大，將壓入型端子插入到基板時鍍層會變得容易被削去。為了更充分地降低插入力、將壓入型端子插入到基板時使鍍層更不易被削去，做成為330 μ g/cm2以下，更優(yōu)選是180 μ g/cm2以下，進一步優(yōu)選是120 μ g/cm2 以下。
[0065](C 層)
在基材11與B層13之間，需要形成由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成的C層12。通過使用從由N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上的金屬形成C層12，從而能通過形成硬的C層來提高薄膜潤滑效果而充分地降低插入力，C層12防止基材11的構(gòu)成金屬擴散到B層，抑制耐熱性試驗、耐氣體腐蝕性試驗后的接觸電阻增加等，提高耐久性。
[0066]C層12的合金成分可以如下:N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的總和為50質(zhì)量％以上，還包括由從由B、P、Sn、Zn組成的組中選擇的I種或兩種以上。通過使C層12的合金成分為這樣的構(gòu)成，從而通過C層進一步固化而更加提高薄膜潤滑效果、降低插入力，C層12的合金化進一步防止基材11的構(gòu)成金屬擴散到B層，抑制耐熱性試驗、耐氣體腐蝕性試驗后的接觸電阻增加等，提高耐久性。
[0067]C層12的厚度需要是0.05 μ m以上。當C層12的厚度不足0.05 μ m時，由硬的C層造成的薄膜潤滑效果降低而使插入力變大，基材11的構(gòu)成金屬變得容易擴散到B層，耐熱性試驗、耐氣體腐蝕性試驗后的接觸電阻增加等,耐久性變差。
[0068]C層12的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的附著量需要為0.03mg/cm2以上。在此，說明一下用附著量進行定義的理由。例如，在用熒光X線膜厚計測量C層12的厚度的情況下，由于與A層14、B層13以及基材11等形成的合金層，有時所測量的厚度的值會產(chǎn)生誤差。另一方面，在用附著量進行控制的情況下，能不被合金層的形成狀況所左右地進行更準確的品質(zhì)管理。當附著量不足0.03mg/cm2時，由硬的C層造成的薄膜潤滑效果會降低而使插入力變大，基材11的構(gòu)成金屬變得容易擴散到B層，耐熱性試驗、耐氣體腐蝕性試驗后的接觸電阻增加等，耐久性變差。
[0069](熱處理)
也可以在形成A層14之后，實施熱處理，達到使耐晶須性進一步提高、插入力更低、將壓入型端子插入到基板時使鍍層更不易被削去以及使耐熱性提高的目的。通過熱處理，A層14與B層13變得容易形成合金層，使耐晶須性提高，將壓入型端子插入到基板時使鍍層變得更不易被削去，此外，使耐熱性提高，通過使Sn的膠著力進一步變小而使插入力降低。另外，雖然對該熱處理沒有限定，但是，關于熱處理的溫度和時間，優(yōu)選在溫度:50~500°C、時間:12小時以內(nèi)的范圍進行。當溫度不足50°C時，因為溫度低，所以A層14和B層13難以形成合金層。此外，當溫度超過500°C時，存在基材11、C層12擴散到B層13和A層14而使接觸電阻變高的情況。當熱處理時間超過12小時時，存在基材11、C層12擴散到B層13和A層14而使接觸電阻變高的情況。
[0070](后處理)
也可以在A層14上或在A層14上實施熱處理之后，實施后處理，從而達到使插入力更低、將壓入型端子插入到基板時使鍍層更不易被削去以及使耐熱性提高的目的。通過后處理，潤滑性提高而使插入力進一步降低、鍍層不易被削去，此外，可抑制A層與B層的氧化而提高耐熱性、耐氣體腐蝕性等耐久性。作為具體的后處理，有使用抑制劑(inhibitor)的磷酸鹽處理、潤滑處理、硅烷偶聯(lián)處理等。另外，對該后處理沒有限定。
[0071]〈 金屬材料的特性〉
優(yōu)選從A層14的表面測量的維氏硬度為HvlOO以上。當從A層14的表面測量的維氏硬度為HvlOO以上時，通過硬的A層使薄膜潤滑效果提高、插入力降低。另一方面，優(yōu)選從A層14的表面測量的維氏硬度為HvlOOO以下。當從A層14的表面測量的維氏硬度為HvlOOO以下時，彎曲加工性提高，在對本發(fā)明的壓入型端子進行模壓成形的情況下，在成形的部分不易產(chǎn)生裂痕，可抑制耐氣體腐蝕性降低。
[0072]優(yōu)選從A層14的表面測量的壓入硬度為100MPa以上。在此，所謂從A層14的表面測量的壓入硬度，是通過超微小硬度試驗對A層的表面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。當A層14的表面的壓入硬度為100MPa以上時，通過硬的A層使薄膜潤滑效果提高、插入力降低。另一方面，優(yōu)選從A層14的表面測量的維氏的壓入硬度為1000MPa以下。當A層14的表面的壓入硬度為1000MPa以下時，彎曲加工性提高，在對本發(fā)明的壓入型端子進行模壓成形的情況下，在成形的部分不易產(chǎn)生裂痕，可抑制耐氣體腐蝕性降低。
[0073]優(yōu)選A層14的表面的算術(shù)平均高度(Ra)為0.1 μπι以下。當A層14的表面的算術(shù)平均高度(Ra)為0.1 μ m以下時，因為比較容易腐蝕的凸部會變少而變得平滑，所以耐氣體腐蝕性會提高。
[0074]優(yōu)選A層14的表面的最大高度(Rz)為Iym以下。當A層14的表面的最大高度(Rz) Slym以下時，因為比較容易腐蝕的凸部會變少而變得平滑，所以耐氣體腐蝕性會提聞。
[0075]優(yōu)選A層14的表面的反射濃度為0.3以上。當A層14的表面的反射濃度為0.3以上時，因為比較容易腐蝕的凸部會變少而變得平滑，所以，耐氣體腐蝕性會提高。
[0076]優(yōu)選C層12的截面的維氏硬度為Hv300以上。當C層12的截面的維氏硬度為Hv300以上時，通過C層進一步固化而進一步提高薄膜潤滑效果、降低插入力。另一方面，優(yōu)選C層12的截面的維氏硬度為HvlOOO以下。當C層12的截面的維氏硬度為HvlOOO以下時，彎曲加工性提高，在對本發(fā)明的壓入型端子進行模壓成形的情況下，在成形的部分不易產(chǎn)生裂痕,可抑制耐氣體腐蝕性降低。
[0077]優(yōu)選C層12的截面的維氏硬度與C層12的厚度滿足下式:
維氏硬度(Hv)≥一376.22Ln (厚度 μ m) + 86.411。
[0078]當C層12的截面的維氏硬度與C層12的厚度滿足上式時，通過C層進一步固化而進一步提高薄膜潤滑效果、降低插入力。
[0079]另外，在本發(fā)明中，所謂“Ln (厚度μ m)”，表示厚度(μ m)的自然對數(shù)的數(shù)值。
[0080]優(yōu)選C層12的截面的壓入硬度為2500MPa以上。在此，所謂C層12的截面的壓入硬度，是通過超微小硬度試驗對C層12的截面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。當C層12的截面的壓入硬度為2500MPa以上時，通過C層進一步固化而進一步提高薄膜潤滑效果、降低插入力。另一方面，優(yōu)選C層12的截面的壓入硬度為1000MPa以下。當C層12的截面的壓入硬度為1000MPa以下時，彎曲加工性提高，在對本發(fā)明的電壓入型端子進行模壓成形的情況下，在成形的部分不易產(chǎn)生裂痕，可抑制耐氣體腐蝕性降低。
[0081]優(yōu)選C層12的截面的壓入硬度與C層12的厚度滿足下式:
壓入硬度(MPa)≥一3998.4Ln (厚度 μ m) + 1178.9。
[0082]當C層12的截面的壓入硬度與C層12的厚度滿足上式時，通過C層進一步固化而進一步提高薄膜潤滑效果、降低插入力。
[0083]優(yōu)選在用XPS (X射線光電子譜)進行Depth分析時，示出A層14的Sn或In的原子濃度(at%)的最高值的位置(D1)、示出B層13的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子濃度(at%)的最高值的位置(D2)、示出C層12的N1、Cr、Mn、Fe、Co或Cu的原子濃度(at%)的最高值的位置(D3),從最表面起按Dp D2, D3的順序存在。在從最表面起不按DpD2、D3的順序存在的情況下，得不到充分的耐氣體腐蝕性，當對壓入型端子進行氯氣、二氧化硫、硫化氫氣體等的氣體腐蝕試驗時會腐蝕，存在與氣體腐蝕試驗前相比接觸電阻大為增加的可能性。
[0084]優(yōu)選在用XPS (X射線光電子譜)進行Depth分析時，A層14的Sn或In的原子濃度(at%)的最高值和B層13的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子濃度(at% )的最高值分別為10at%以上、且C層12的N1、Cr、Mn、Fe、Co或Cu的原子濃度(at%)為25at%以上的深度為50nm以上。在A層14的Sn或In的原子濃度(at% )的最高值和B層13的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子濃度(at%)的最高值分別不足10at%、且C層12的N1、Cr、Mn、Fe、Co或Cu的原子濃度(at%)為25at%&上的深度不足50nm的情況下，存在插入力高、耐熱性和耐氣體腐蝕性由于基材成分擴散到A層14或B層13而變差的可能性。
[0085]優(yōu)選在用XPS (X射線光電子譜)進行Depth分析時，在示出A層14的Sn或In的原子濃度(at%)的最高值的位置(D1)與示出C層12的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu或Zn的原子濃度(at%)的最高值的位置(D3)之間，以Inm以上的厚度存在Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir為40at%以上的區(qū)域。當以不足Inm的厚度存在時，例如，在Ag的情況下，存在耐熱性變差的可能性。
[0086]優(yōu)選在用XPS (X射線光電子譜)的Survey測量對A層的表面進行元素分析時，Sn、In為2at%以上。當Sn、In不足2&丨％時，例如，在Ag的情況下，存在耐硫化性變差、接觸電阻大為增加的可能性。此外，例如，在Pd的情況下，存在Pd氧化而使接觸電阻變高的可能性。
[0087]優(yōu)選在用XPS (X射線光電子譜)的Survey測量對A層的表面進行元素分析時，Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os 或 Ir 不足 7at%。當 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os 或 Ir 為 7at% 以上時，例如，在Ag的情況下，存在耐硫化性變差、接觸電阻大為增加的可能性。此外，例如，在Pd的情況下，存在Pd氧化而使接觸電阻變高的可能性。
[0088]優(yōu)選在用XPS (X射線光電子譜)的Survey測量對A層的表面進行元素分析時，O不足50at%。當O為50at%以上時，存在接觸電阻變高的可能性。
[0089]〈壓入型端子的制造方法〉
對本發(fā)明的壓入型端子的制造方法沒有限定。能通過對預先通過模壓成形等做成為壓入型端子形狀的基材進行濕式(電、無電解)鍍覆、干式(濺射、離子鍍覆等)鍍覆等來進行制造。
[0090][實施例]
以下，將本發(fā)明的實施例與比較例一同示出，這些都是為了更好地理解本發(fā)明而提供的，并不打算限定本發(fā)明。
[0091]作為實施例和比較例，在以下的表1~7所示的條件下，分別制作按順序設置基材、C層、B層、A層并根據(jù)情況進行熱處理而形成的樣品。
[0092]在表1示出壓入型端子和通孔規(guī)格，在表2示出C層的制作條件，在表3示出B層的制作條件，在表4示出A層的制作條件，在表5示出熱處理條件。此外，在表6示出在各實施例中使用的各層的制作條件和熱處理的條件，在表7示出在各比較例中使用的各層的制作條件和熱處理的條件。
[0093][表 I]

【權(quán)利要求】
1.一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，耐晶須性優(yōu)秀，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備: 最表層的A層，由Sn、In或它們的合金形成； B層,形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成；以及 C層,形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成， 所述A層的厚度是0.002~0.2 μ m， 所述B層的厚度是0.001~0.3 μ m， 所述C層的厚度是0.05 μ m以上。
2.—種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備: 最表層的A層，由Sn、In或它們的合金形成； B層,形成在A層的 下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成；以及 C層,形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成， 所述A層的厚度是0.002~0.2 μ m， 所述B層的厚度是0.001~0.3 μ m， 所述C層的厚度是0.05 μ m以上。
3.—種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，插入壓入型端子時鍍層不易被削去，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備: 最表層的A層，由Sn、In或它們的合金形成； B層,形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成；以及 C層,形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成， 所述A層的厚度是0.002~0.2 μ m， 所述B層的厚度是0.001~0.3 μ m， 所述C層的厚度是0.05 μ m以上。
4.一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，耐熱性優(yōu)秀，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備:最表層的A層，由Sn、In或它們的合金形成； B層,形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成；以及 C層,形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成， 所述A層的厚度是0.002~0.2 μ m， 所述B層的厚度是0.001~0.3 μ m， 所述C層的厚度是0.05 μ m以上。
5.一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，耐晶須性優(yōu)秀，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備: 最表層的A層，由Sn、In或它們的合金形成； B層,形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成；以及 C層,形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成， 所述A層的Sn、In的附著量為I~150 μ g/cm2, 所述 B 層的 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir 的附著量為 I ~330 μ g/cm2， 所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的附著量為0.03mg/cm2以上。
6.一種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，插入力低，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備: 最表層的A層，由Sn、In或它們的合金形成； B層,形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成；以及 C層,形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成， 所述A層的Sn、In的附著量為I~150 μ g/cm2, 所述 B 層的 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir 的附著量為 I ~330 μ g/cm2， 所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的附著量為0.03mg/cm2以上。
7.—種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，插入壓入型端子時鍍層不易被削去，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備: 最表層的A層，由Sn、In或它們的合金形成； B層,形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成；以及C層,形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成， 所述A層的Sn、In的附著量為I~150 μ g/cm2, 所述 B 層的 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir 的附著量為 I ~330 μ g/cm2， 所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的附著量為0.03mg/cm2以上。
8.—種壓入型端子，在裝配于外殼的安裝部的一側(cè)設置有陰性端子連接部，在另一側(cè)設置有基板連接部，通過 將該基板連接部壓入到形成于基板的通孔而裝配到該基板，所述壓入型端子的特征在于，耐熱性優(yōu)秀，其中，至少該基板連接部具有以下的表面構(gòu)造，即，具備: 最表層的A層，由Sn、In或它們的合金形成； B層,形成在A層的下層，由從由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成；以及 C層,形成在B層的下層，由從由N1、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu組成的組中選擇的I種或兩種以上構(gòu)成， 所述A層的Sn、In的附著量為I~150 μ g/cm2, 所述 B 層的 Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir 的附著量為 I ~330 μ g/cm2， 所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的附著量為0.03mg/cm2以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8的任一項所述的壓入型端子，其中， 所述A層的合金成分為:Sn、In或Sn和In的總和為50質(zhì)量％以上，剩余合金成分由從由 Ag、As、Au、B1、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、In、Mn、Mo、N1、Pb、Sb、Sn、W 以及 Zn 組成的組中選擇的I種或兩種以上的金屬構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9的任一項所述的壓入型端子，其中， 所述B層的合金成分為:Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir或Ag和Au和Pt和Pd和Ru和Rh和Os和Ir的總和為50質(zhì)量％以上，剩余合金成分由從由Ag、Au、B1、Cd、Co、Cu、Fe、In、Ir、Mn、Mo、N1、Pb、Pd、Pt、Rh.Ru、Sb、Se、Sn、W、Tl以及Zn組成的組中選擇的I種或兩種以上的金屬構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1~10的任一項所述的壓入型端子，其中， 所述C層的合金成分為:N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu的總和為50質(zhì)量％以上，還包括從由B、P、Sn以及Zn組成的組中選擇的I種或兩種以上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1~11的任一項所述的壓入型端子，其中， 從所述A層的表面測量的維氏硬度為HvlOO以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1~12的任一項所述的壓入型端子，其中， 所述A層的表面的壓入硬度為100MPa以上，該壓入硬度是通過超微小硬度試驗對所述A層的表面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。
14.根據(jù)權(quán)利要求1~13的任一項所述的壓入型端子，其中， 從所述A層的表面測量的維氏硬度為HvlOOO以下，具有高彎曲加工性。
15.根據(jù)權(quán)利要求1~14的任一項所述的壓入型端子，其中， 所述A層的表面的壓入硬度為1000MPa以下，具有高彎曲加工性，該壓入硬度是通過超微小硬度試驗對所述A層的表面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求1~15的任一項所述的壓入型端子，其中， 所述A層的表面的算術(shù)平均高度(Ra)為0.1ym以下，耐氣體腐蝕性優(yōu)秀。
17.根據(jù)權(quán)利要求1~16的任一項所述的壓入型端子，其中， 所述A層的表面的最大高度(Rz)為I μπι以下，耐氣體腐蝕性優(yōu)秀。
18.根據(jù)權(quán)利要求1~17的任一項所述的壓入型端子，其中， 所述A層的表面的反射濃度為0.3以上，耐氣體腐蝕性優(yōu)秀。
19.根據(jù)權(quán)利要求1~18的任一項所述的壓入型端子，其中， 在用XPS (X射線光電子譜)進行Depth分析時，示出所述A層的Sn或In的原子濃度(at%)的最高值的位置(D1X示出所述B層的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子濃度(at%)的最高值的位置(D2)、示出所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co或Cu的原子濃度(at%)的最高值的位置(D3),從最表面起按照DpD2、D3的順序存在。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的壓入型端子，其中， 在用XPS(X射線光電子譜)進行D印th分析時，所述A層的Sn或In的原子濃度(at %)的最高值和所述 B層的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir的原子濃度(at%)的最高值分別為10at%以上、且所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co或Cu的原子濃度(at%)為25%以上的深度為50nm以上。
21.根據(jù)權(quán)利要求1~20的任一項所述的壓入型端子，其特征在于， 所述A層的厚度為0.01~0.1 μ m，插入力低且鍍層被削去得少。
22.根據(jù)權(quán)利要求1~21的任一項所述的壓入型端子，其特征在于， 所述A層的Sn、In的附著量為7~75 μ g/cm2，插入力低且鍍層被削去得少。
23.根據(jù)權(quán)利要求1~22的任一項所述的壓入型端子，其特征在于， 所述B層的厚度為0.005~0.1 μ m，插入力低且鍍層被削去得少。
24.根據(jù)權(quán)利要求1~23的任一項所述的壓入型端子，其特征在于， 所述B層的Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os、Ir的附著量為4~120 μ g/cm2,插入力低且鍍層被削去得少。
25.根據(jù)權(quán)利要求1~24的任一項所述的壓入型端子，其特征在于， 所述C層的截面的維氏硬度為Hv300以上，插入力低且鍍層被削去得少。
26.根據(jù)權(quán)利要求1~25的任一項所述的壓入型端子，其特征在于， 所述C層的截面的維氏硬度與厚度滿足下式: 維氏硬度(Hv)≥一376.22Ln (厚度 μ m) + 86.411， 插入力低且鍍層被削去得少。
27.根據(jù)權(quán)利要求1~26的任一項所述的壓入型端子，其特征在于， 所述下層(C層)的截面的壓入硬度為2500MPa以上，插入力低且鍍層被削去得少，該壓入硬度是通過超微小硬度試驗對所述下層(C層)的截面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。
28.根據(jù)權(quán)利要求1~27的任一項所述的壓入型端子，其特征在于， 所述下層(C層)的截面的壓入硬度與厚度滿足下式: 壓入硬度(MPa)≥一3998.4Ln (厚度 μ m) + 1178.9， 插入力低且鍍層被削去得少，其中，該壓入硬度是通過超微小硬度試驗對所述下層(C層)的截面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。
29.根據(jù)權(quán)利要求1~28的任一項所述的壓入型端子，其中， 所述C層的截面的維氏硬度為HvlOOO以下，具有高彎曲加工性。
30.根據(jù)權(quán)利要求1~29的任一項所述的壓入型端子，其中， 所述下層(C層)的截面的壓入硬度為1000MPa以下，具有高彎曲加工性，其中，該壓入硬度是通過超微小硬度試驗對所述下層(C層)的截面以0.1mN的負荷壓入壓頭進行測量而得到的硬度。
31.根據(jù)權(quán)利要求1~30的任一項所述的壓入型端子，其中， 在用XPS (X射線光電子譜)進行Depth分析時，在示出所述A層的Sn或In的原子濃度(at%)的最高值的位置(D1)與示出所述C層的N1、Cr、Mn、Fe、Co、Cu或Zn的原子濃度(at%)的最高值的位置(D3)之間，以Inm以上的厚度存在Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os或Ir為40at%以上的區(qū)域。
32.根據(jù)權(quán)利要求1~31的任一項所述的壓入型端子，其中， 在用XPS (X射線光電子譜)的Survey測量進行所述A層的表面的元素分析時，Sn、In為2at%以上。
33.根據(jù)權(quán)利要求1~32的任一項所述的壓入型端子，其中， 在用XPS (X射線光電子譜)的Survey測量進行所述A層的表面的元素分析時，Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os 或 Ir 不足 7at%。
34.根據(jù)權(quán)利要求1~33的任一項所述的壓入型端子，其中， 在用XPS (X射線光電子譜)的Survey測量進行所述A層的表面的元素分析時，O不足50at%。
35.根據(jù)權(quán)利要求1~34的任一項所述的壓入型端子，其中， 在所述基板連接部通過表面處理按所述C層、所述B層、所述A層的順序形成表面處理層，此后，在溫度50~500°C下實施時間為12小時以內(nèi)的加熱處理而進行制作。
36.一種電子部件，具備權(quán)利要求1~35的任一項所述的壓入型端子。
【文檔編號】C23C28/02GK104080950SQ201380007720
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年1月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月3日
【發(fā)明者】涉谷義孝, 深町一彥, 兒玉篤志 申請人:Jx日礦日石金屬株式會社