一種擋板及磁控濺射鍍膜設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種擋板及磁控濺射鍍膜設(shè)備，所述擋板包括：基板，基板為一矩形的平面板；設(shè)置于基板上的多個(gè)遮板，多個(gè)遮板為形狀和尺寸均相同的矩形的平面板，多個(gè)遮板均垂直于基板，且平行于基板一組相對的側(cè)面，多個(gè)遮板的長度均等于多個(gè)遮板所平行于的、基板的一組相對的側(cè)面的長度，相鄰兩個(gè)遮板之間的間距相等。在濺射鍍膜時(shí)使玻璃基板垂直于遮板運(yùn)行，基板反射的粒子、運(yùn)動(dòng)到擋板區(qū)域內(nèi)的散射粒子和擋板的基板被濺射出來的粒子大部分由于被遮板阻擋，無法穿越擋板，因此不能沉積到玻璃基板的受光面上，從而減少了薄膜光伏組件鍍背電極過程中的繞鍍現(xiàn)象，提高了光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率，且為激光掃邊等后道工序提供了良好的基礎(chǔ)。
【專利說明】一種擋板及磁控濺射鍍膜設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及磁控濺射【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，涉及一種擋板及磁控濺射鍍膜設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]磁控濺射一種常用的物理氣相沉積方法，在現(xiàn)代工業(yè)鍍膜中被廣泛采用。
[0003]磁控濺射鍍膜設(shè)備包括：真空室、真空系統(tǒng)，陰極靶材、濺射電源、進(jìn)氣系統(tǒng)及擋板等。進(jìn)行鍍膜時(shí)，利用真空系統(tǒng)將真空室中的氣體抽出，是真空室內(nèi)氣壓達(dá)到規(guī)定的真空要求，然后利用進(jìn)氣系統(tǒng)向真空室內(nèi)充入氬氣，之后利用濺射電源給真空室內(nèi)的氬氣加上高壓，使陰陽極間產(chǎn)生輝光放電，極間氬氣分子被離子化而產(chǎn)生帶電電荷，其中的正離子受陰極負(fù)電位的影響加速運(yùn)動(dòng)而撞擊陰極靶材上，從而將其中的原子等粒子濺出，濺出的原子則沉積于位于陽極的基板上而形成薄膜。
[0004]薄膜光伏組件的制作應(yīng)用了磁控濺射鍍膜技術(shù)。在制作薄膜光伏組件的過程中，首先利用 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積）工藝在TCO玻璃（Transparent Conducting Oxide,透明導(dǎo)電氧化物鍍膜玻璃）基板的鍍膜面上鍍一層硅層，然后利用磁控濺射技術(shù)在硅層上鍍背電極。如圖I所示，玻璃基板101鍍膜面朝向靶材（即背電極材料）103，沿方向aa’傳動(dòng)至靶材103的下方，被逐步濺射鍍上被電極材料，為一平面板結(jié)構(gòu)的擋板102設(shè)置于靶材103的正下方，用于遮擋不會(huì)濺射到玻璃基板101上的濺射粒子。
[0005]但是，在背電極的實(shí)際鍍膜過程中發(fā)現(xiàn)，鍍膜會(huì)產(chǎn)生繞鍍現(xiàn)象，即濺射粒子不僅會(huì)沉積在玻璃基板101的鍍膜面上，還會(huì)沉積到玻璃基板101的受光面（即玻璃基板101背向靶材103的一面)上。繞鍍會(huì)使光線透過率下降，進(jìn)而造成薄膜光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率降低,并且會(huì)對后續(xù)激光掃邊工序產(chǎn)生不良影響。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型提供了一種擋板及磁控濺射鍍膜設(shè)備，以減少薄膜光伏組件鍍背電極過程中的繞鍍現(xiàn)象，提高薄膜光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率，為鍍背電極的后道工序提供良好的基礎(chǔ)。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案：
[0008]一種擋板，包括：基板，所述基板為一矩形的平面板；設(shè)置于所述基板上的多個(gè)遮板，所述多個(gè)遮板為形狀和尺寸均相同的矩形的平面板，所述多個(gè)遮板均垂直于所述基板，且平行于所述基板一組相對的側(cè)面，所述多個(gè)遮板的長度均等于所述多個(gè)遮板所平行于的、基板的一組相對的側(cè)面的長度，相鄰兩個(gè)所述遮板之間的間距相等。
[0009]優(yōu)選的，所述多個(gè)遮板的高度均為25?50mm，包括端點(diǎn)值。
[0010]優(yōu)選的，所述多個(gè)遮板的高度均為30mm。
[0011]優(yōu)選的，相鄰兩個(gè)所述遮板之間的間距為3?10mm，包括端點(diǎn)值。[0012]優(yōu)選的，相鄰兩個(gè)所述遮板之間的間距為7mm，包括端點(diǎn)值。
[0013]優(yōu)選的，所述擋板還包括:與所述多個(gè)遮板一一對應(yīng)的多個(gè)連接部，所述多個(gè)連接部均為條狀結(jié)構(gòu)，且長度均與所述遮板的長度相等，相對應(yīng)的所述連接部與所述遮板為一體結(jié)構(gòu)，且呈L型，所述遮板通過貫穿所述連接部的螺栓固定于所述基板上。
[0014]本實(shí)用新型還提供了一種磁控濺射鍍膜設(shè)備，所述磁控濺射鍍膜設(shè)備的擋板為以上任一項(xiàng)所述的擋板。
[0015]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0016]本實(shí)用新型所提供的擋板及磁控濺射鍍膜設(shè)備，通過在基板上垂直設(shè)置多個(gè)遮板，并使多個(gè)遮板均勻且平行的分布。在濺射鍍膜時(shí)，使玻璃基板垂直于遮板運(yùn)行，擋板的基板反射的粒子、運(yùn)動(dòng)到擋板區(qū)域內(nèi)的散射粒子和擋板的基板被濺射出來的粒子大部分由于被遮板阻擋，無法穿越擋板，因此不能沉積到玻璃基板的受光面上，從而減少了薄膜光伏組件鍍背電極過程中的繞鍍現(xiàn)象，提高了玻璃基板的透光率，進(jìn)而提高了光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率，并且，由于玻璃基板的受光面上沉積的材料極大減少，因此也為激光掃邊等后道工序提供了良好的基礎(chǔ)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行薄膜光伏組件背電極鍍膜的示意圖；
[0019]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的擋板的俯視圖；
[0020]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的擋板沿AA’的剖面圖；
[0021]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的磁控濺射鍍膜設(shè)備進(jìn)行薄膜光伏組件背電極鍍膜的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]正如【背景技術(shù)】所述，薄膜光伏組件背電極的鍍膜過程中會(huì)發(fā)生繞鍍現(xiàn)象，對光電轉(zhuǎn)換效率和后道工序產(chǎn)生不良影響。發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，發(fā)生繞鍍主要有三方面的原因:如圖1中A、B和C三種路徑所示，靶材103中濺出的粒子沿路徑A運(yùn)動(dòng)至擋板102上，被反射沉積至玻璃基板101的受光面上；靶材103中濺出的粒子沿路徑B運(yùn)動(dòng)至擋板102上，將擋板102的粒子濺出，從擋板102上濺出的粒子可能會(huì)沉積在玻璃基板101的受光面上；靶材103中濺出的粒子間相互碰撞，發(fā)生散射，可能會(huì)沿路徑C沉積在玻璃基板101的受光面上。由于上述三種情況的存在，因此玻璃基板的受光面上會(huì)被沉積一定量的背電極材料，這對玻璃基板的光線透過率造成不良影響，進(jìn)而使薄膜光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率下降；另外，由于后續(xù)激光掃邊工序中激光會(huì)從受光面進(jìn)入產(chǎn)生高溫，將玻璃基板101鍍膜面上離邊沿IOmm內(nèi)的TCO膜層、硅層和背電極去除掉，繞鍍在受光面上的膜層會(huì)減弱入射激光的能量，造成鍍膜面膜層去除不徹底，因此繞鍍不利于后續(xù)激光掃邊工序的進(jìn)行。
[0023]基于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種擋板，包括:基板，所述基板為一矩形的平面板；設(shè)置于所述基板上的多個(gè)遮板，所述多個(gè)遮板為形狀和尺寸均相同的矩形的平面板，所述多個(gè)遮板均垂直于所述基板，且平行于所述基板一組相對的側(cè)面，所述多個(gè)遮板的長度均等于所述多個(gè)遮板所平行于的、基板的一組相對的側(cè)面的長度，相鄰兩個(gè)所述遮板之間的間距相等。
[0024]本實(shí)用新型實(shí)施例通過提供上述結(jié)構(gòu)的一種擋板作為磁控濺射鍍膜設(shè)備的擋板，在濺射鍍膜時(shí)，使玻璃基板垂直于遮板運(yùn)行，擋板的基板反射的粒子、運(yùn)動(dòng)到擋板區(qū)域內(nèi)的散射粒子和擋板的基板被濺射出來的粒子大部分由于被遮板阻擋，無法穿越擋板，因此不能沉積到玻璃基板的受光面上，從而減少了薄膜光伏組件鍍背電極過程中的繞鍍現(xiàn)象。
[0025]以上是本實(shí)用新型的核心思想，為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0026]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0027]其次，本實(shí)用新型結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本實(shí)用新型實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0028]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種擋板，如圖2和圖3所示，該擋板包括：
[0029]基板301，所述基板301為一矩形的平面板；
[0030]設(shè)置于所述基板301上的多個(gè)遮板302，所述多個(gè)遮板302為形狀和尺寸均相同的矩形的平面板，所述多個(gè)遮板302均垂直于所述基板301，且平行于所述基板301 —組相對的側(cè)面，所述多個(gè)遮板302的長度均等于所述多個(gè)遮板302所平行于的、基板301的一組相對的側(cè)面的長度，相鄰兩個(gè)所述遮板302之間的間距相等。
[0031]需要說明的是，基板301和多個(gè)遮板302的結(jié)構(gòu)均為矩形平面板結(jié)構(gòu)，所述“平面板”具有相對的上表面和下表面，及與上表面和下表面垂直的四個(gè)側(cè)面。其中，上表面和下表面僅僅是為了區(qū)分該組相對的兩個(gè)面而命名的名稱，并不對這兩個(gè)面的具體位置構(gòu)成限定。
[0032]具體的，本實(shí)施例中，多個(gè)遮板設(shè)置于基板的上表面上，且均垂直于基板；若基板301為長方體，則可使遮板平行于基板上表面的兩條長邊，且使遮板的長度等于基板上表面的兩條長邊，遮板設(shè)置于基板上表面時(shí)是橫跨上表面的兩條短邊的。
[0033]遮板與基板的連接方式并不限于鉚接、卡扣、插接等連接方式。本實(shí)施例提供了以下連接方式：本實(shí)施例所述的擋板除包括基板301和遮板302之外，還包括：與所述多個(gè)遮板302——對應(yīng)的多個(gè)連接部303，所述多個(gè)連接部303均為條狀結(jié)構(gòu)，且長度均與所述遮板302的長度相等，相對應(yīng)的所述連接部303與所述遮板302為一體結(jié)構(gòu)，且呈L型，所述遮板302通過貫穿所述連接部303的螺栓304固定于所述基板301上。
[0034]本實(shí)施例中，在基板301上設(shè)置多個(gè)遮板302，其目的是為了阻擋可能會(huì)發(fā)生繞鍍的粒子，因此為了使遮板302能夠最大可能的遮擋繞鍍粒子，需對遮板的高度、間距進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。所述多個(gè)遮板302的高度均為25?50mm，包括端點(diǎn)值，更優(yōu)選為30mm ;相鄰兩個(gè)所述遮板302之間的間距為3?10mm，包括端點(diǎn)值，更優(yōu)選為7mm，包括端點(diǎn)值。[0035]本實(shí)施例還提供了一種磁控濺射鍍膜設(shè)備，所述磁控濺射鍍膜設(shè)備的擋板為以上所述的擋板。
[0036]包含本實(shí)施例所述的擋板的磁控濺射鍍膜設(shè)備在進(jìn)行薄膜光伏組件背電極的鍍膜時(shí)，具體情況如圖4所示:玻璃基板403沿bb’方向被勻速傳送，玻璃基板403為TCO玻璃，一面為鍍膜面，其上具有透明導(dǎo)電氧化物薄膜，與鍍膜面相對的為受光面，其上不具有薄膜，在薄膜光伏組件中，玻璃基板403的鍍膜面朝向組件內(nèi)部，受光面直接與外部環(huán)境接觸，進(jìn)行薄膜光伏組件背電極的鍍膜時(shí)，玻璃基板403的鍍膜面朝向靶材(圖中未示出)。本實(shí)施例所述的擋板正對靶材，位于靶材的正下方，擋板的遮板402與玻璃基板的運(yùn)動(dòng)方向bb’相垂直。
[0037]鍍膜時(shí)，從靶材中濺出的粒子大部分會(huì)沉積到玻璃基板403的鍍膜面上，但也會(huì)有一部分粒子打到擋板(擋板包括遮板402和基板401)上。假設(shè)相鄰遮板402之間的間距為w,遮板402的高度為h,則Θ =arctan (w/2h),只有當(dāng)粒子的入射角度小于或等于Θ時(shí)，粒子不會(huì)被遮板402阻擋(如圖4，當(dāng)粒子的入射角度等于Θ時(shí)，粒子沿路徑cc’到達(dá)玻璃基板403的受光面上)，而入射角大于Θ的粒子就會(huì)被遮板402阻擋，無法到達(dá)玻璃基板403的受光面，因此就不會(huì)發(fā)生繞鍍。以相鄰遮板之間的間距w為7mm，遮板402的高度h為30mm為例，0=arctan (7/60)，則θ=6.65°，即當(dāng)粒子入射的角度大于6.65°時(shí)，該粒子就不會(huì)沉積到受光面上，而這個(gè)角度是相當(dāng)小的，因此遮板402能將大部分可能會(huì)發(fā)生繞鍍的粒子遮擋住。
[0038]本實(shí)施例所提供的擋板及磁控濺射鍍膜設(shè)備，通過在基板上設(shè)置多個(gè)平行排列的遮板，并使遮板與鍍膜時(shí)玻璃基板的運(yùn)動(dòng)方向垂直，使遮板能夠遮擋大部分被擋板的基板反射的粒子、基板上被濺出的粒子和散射粒子，從而減少了粒子在玻璃基板受光面的沉積，增強(qiáng)了光線透過率，提高了薄膜光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)為后道的激光掃邊工序等提供了良好的基礎(chǔ)。
[0039]雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本實(shí)用新型技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種擋板，其特征在于，包括： 基板，所述基板為一矩形的平面板； 設(shè)置于所述基板上的多個(gè)遮板，所述多個(gè)遮板為形狀和尺寸均相同的矩形的平面板，所述多個(gè)遮板均垂直于所述基板，且平行于所述基板一組相對的側(cè)面，所述多個(gè)遮板的長度均等于所述多個(gè)遮板所平行于的、基板的一組相對的側(cè)面的長度，相鄰兩個(gè)所述遮板之間的間距相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的擋板，其特征在于，所述多個(gè)遮板的高度均為25?50mm，包括端點(diǎn)值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擋板，其特征在于，所述多個(gè)遮板的高度均為30mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的擋板，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述遮板之間的間距為3?IOmm,包括端點(diǎn)值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的擋板，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述遮板之間的間距為7mm，包括端點(diǎn)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的擋板，其特征在于，還包括：與所述多個(gè)遮板一一對應(yīng)的多個(gè)連接部，所述多個(gè)連接部均為條狀結(jié)構(gòu)，且長度均與所述遮板的長度相等，相對應(yīng)的所述連接部與所述遮板為一體結(jié)構(gòu)，且呈L型，所述遮板通過貫穿所述連接部的螺栓固定于所述基板上。
7.—種磁控濺射鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述磁控濺射鍍膜設(shè)備的擋板為權(quán)利要求I?6任一項(xiàng)所述的擋板。
【文檔編號(hào)】C23C14/35GK203530420SQ201320693931
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月5日
【發(fā)明者】彭柱根, 伍能, 羅洪娜, 李先林, 王策 申請人:海南漢能光伏有限公司