一種在鐵基led引線支架表面沉積銅+鎢復(fù)合涂層的工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種在鐵基LED引線支架表面沉積銅+鎢復(fù)合涂層的工藝，它是利用磁控濺射鍍或多弧離子鍍或射頻濺射鍍技術(shù)，在鐵基引線支架表面首先沉積一定厚度的純銅，之后，再沉積一層純鎢，形成銅+鎢復(fù)合涂層。該技術(shù)可替代原來電鍍銅，再電鍍銀的引線支架，具有導(dǎo)電、散熱、防氧化、防潮、可焊性等方面的優(yōu)良性能，涂層附著力好，制造成本低，徹底解決了電鍍存在的環(huán)境污染問題。
【專利說明】—種在鐵基LED引線支架表面沉積銅+鎢復(fù)合涂層的工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于表面工程【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是一種在鐵基LED引線支架表面沉積銅+鎢復(fù)合涂層的工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]引線支架是LED制造中關(guān)鍵的原件之一，在LED產(chǎn)品中起到導(dǎo)電、散熱、焊接和支持晶片的多重效能，并且通過焊接金線與芯片相連，在LED產(chǎn)品中具有關(guān)鍵作用。銅引線支架具有優(yōu)異的導(dǎo)電、散熱性能，但是材料成本較高。鐵基引線支架在產(chǎn)業(yè)化方面具有巨大的成本效益，但是在導(dǎo)電、散熱、防氧化、防潮、可焊性等方面不及銅引線支架，為了滿足LED制造要求，在鐵基引線支架表面電鍍銅和銀，但是存在著成本高、鍍層附著力低、電鍍生產(chǎn)存在環(huán)境污染等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是為克服現(xiàn)存在問題，而提供一種新型LED引線支架，在鐵基引線支架上沉積銅+鎢復(fù)合薄膜，改善鐵基引線支架導(dǎo)電性、散熱性、防氧化性、防潮、可焊性和有環(huán)境污染等方面的缺陷。鐵基LED引線支架表面沉積銅+鎢復(fù)合涂層還具有涂層附著力強，機械強度優(yōu)良，沒有環(huán)境污染問題等優(yōu)點。
[0004]實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:
一種在鐵基LED引線支架表面沉積銅+鎢復(fù)合涂層的工藝，它是利用磁控濺射鍍或多弧離子鍍或射頻濺射鍍技術(shù)，在鐵基引線支架表面首先沉積一定厚度的純金屬銅作為過渡層，之后再沉積一層鎢，形成銅+鎢的復(fù)合薄膜。
[0005]具體包括如下步驟:
(1)將鐵基引線支架放進丙酮和酒精的混合液中進行超聲波清洗；
(2)放入磁控濺射沉積設(shè)備中，抽真空達到極限后，通入高純Ar氣，開啟偏壓電源使Ar氣電離，對引線支架表面進行清理；
(3 )開啟沉積濺射電源，該電源可以是磁控濺射或多弧離子鍍或射頻濺射鍍電源，沉積一層純銅作為過渡層；
(4)最后在表面再沉積一層純金屬鶴層；
(5)工藝完成后在真空中隨爐冷卻至60°C以下，取出引線支架。
[0006]步驟(2)中所述的清理工件表面的工藝參數(shù)為:極限真空度10_，10_3Pa，工作氣壓
0.1~10Pa，負偏壓-70(T-1000V，清理溫度~300°C，清理時間10~30min。沉積銅層厚度0.1 ~0.6 u m0
[0007]步驟(3 )中，沉積電源可是多弧離子鍍電源或者磁控濺射電源或射頻濺射電源。
[0008]本發(fā)明的創(chuàng)新點是:采用價格低廉的鐵基材料代替銅，用價格便宜的金屬鎢替代昂貴的金屬銀，具有一定的新穎性和實用性；采用磁控濺射鍍或多弧離子鍍或射頻濺射鍍等先進的表面工程技術(shù)代替污染較嚴重的電鍍工藝，可大大減少環(huán)境污染。【具體實施方式】
[0009]以下通過具體實施例來進一步說明本發(fā)明
引線支架的基材為20鋼，在酒精和丙酮的混合液中進行超聲波清洗半小時以上。
[0010]將清洗后的引線支架吹干，懸掛在自制的試樣臺上，置于真空室的轉(zhuǎn)架上，工件架公轉(zhuǎn)的同時自轉(zhuǎn)。
[0011]關(guān)閉真空室門后，極限真空度抽至10_3Pa，通入Ar氣至5Pa，用-700V偏壓清洗游標卡尺IOmin ;清洗后，基體溫度升高至200°C，工作氣壓0.8Pa，偏壓-200V，直流電源3A，先沉積純銅過渡層，沉積時間為IOmin ；
隨后開啟鎢靶的直流磁控濺射電源，沉積鎢薄膜，沉積時間為50min ;結(jié)束之后隨爐冷卻，鐵基引線支架表面即可獲得銅+鎢復(fù)合薄膜，經(jīng)測試，產(chǎn)品整體具有良好的導(dǎo)電性、散熱性、防氧化性、防潮和可焊性。
【權(quán)利要求】
1.一種在鐵基LED引線支架表面沉積銅+鎢復(fù)合涂層的工藝，其特征是:包括如下步驟: (1)將鐵基引線支架放進丙酮和酒精的混合液中進行超聲波清洗； (2)放入磁控濺射沉積設(shè)備中，抽真空達到極限后，通入高純Ar氣，開啟偏壓電源使Ar氣電離，對引線支架表面進行清理； (3 )開啟沉積濺射電源，該電源可以是磁控濺射或多弧離子鍍或射頻濺射鍍電源，沉積一層純銅作為過渡層； (4)最后在表面再沉積一層純金屬鶴層； (5)工藝完成后在真空中隨爐冷卻至60°C以下，取出引線支架。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征是:步驟(2)中所述的清理工件表面的工藝參數(shù)為:極限真空度10_4~10_3Pa，工作氣壓0.1~lOPa，負偏壓_70(T-1000V，清理溫度~300°C，清理時間10~30min,沉積銅層厚度0.1~0.6 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其特征是:步驟(3)中，沉積電源可是多弧離子鍍電源或者磁控濺射電源或射頻濺射電源。
4.用權(quán)利要求1-3之一所述的工藝制備的表面沉積銅+鎢復(fù)合涂層和鐵基LED引線支架。
【文檔編號】C23C14/34GK103643203SQ201310572296
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年11月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月15日
【發(fā)明者】高原, 韋文竹, 王成磊, 張焱, 吳煒欽, 陸小會, 張光耀 申請人:桂林電子科技大學(xué)