一種高精度掩模板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高精度掩模板的制作方法，包括通過蝕刻工藝蝕刻金屬基板制作掩模板的蝕刻步驟，金屬基板包括蝕刻面和非蝕刻面，蝕刻面包括蝕刻區(qū)域和非蝕刻區(qū)域，非蝕刻區(qū)域包括非蝕刻區(qū)域一和非蝕刻區(qū)域二，蝕刻區(qū)域是由其外側非蝕刻區(qū)域一和其內側非蝕刻區(qū)域二圍成的封閉區(qū)域；在蝕刻步驟中，非蝕刻區(qū)域和非蝕刻面設有保護膜，蝕刻區(qū)域的金屬與蝕刻液反應形成通孔，通孔使非蝕刻區(qū)域二與非蝕刻區(qū)域一脫離，在蝕刻區(qū)域及其內側的非蝕刻區(qū)域二處形成蒸鍍孔。通過本發(fā)明所提供的方法制作的掩模板，在制作大尺寸蒸鍍孔的掩模板時，將制作大尺寸的蒸鍍孔轉化為制作小尺寸的通孔，從而提高大尺寸蒸鍍孔掩模板的精度。
【專利說明】一種高精度掩模板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一掩模板的制作方法，具體涉及一種OLED蒸鍍用掩模板的制作方法。
【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二極管(Org anic Light-Emitting Diode ；0LED)顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅動、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點，與液晶顯示器相比，OLED顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應速度可達到液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，OLED顯示器具有廣闊的應用前景，逐漸成為未來20年成長最快的新型顯示技術。
[0003]OLED結構中的有機層材料的制作需要用到蒸鍍用的掩模板，傳統(tǒng)用蝕刻方法制作掩模板，如圖1~7所示，包括:
貼膜步驟:如圖1所示，將膜11壓貼或涂覆到金屬基板10的兩側；
曝光步驟:如圖2所示，將金屬基板10進行雙面曝光，非蝕刻面的膜曝光形成保護膜22，蝕刻面的非蝕刻區(qū)域的膜曝光形成保護膜20，蝕刻面的蝕刻區(qū)域的膜不曝光，形成未曝光膜區(qū)域21 ；
顯影步驟:如圖3~4所示，將未曝光膜區(qū)域21的膜通過顯影步驟除去，露出金屬基板上的蝕刻區(qū)域31，保護膜20和保護膜22繼續(xù)保留，圖3所示為顯影后的平面結構示意圖，圖4所示為圖3中沿A-A方向的截面示意圖；
蝕刻步驟:如圖5所示，蝕刻后在金屬基板的蝕刻區(qū)域31處形成蒸鍍孔51 ；
脫膜步驟:如圖6~7所示，將保護膜20和保護膜22通過脫模步驟脫掉，如圖6所示為脫膜后的平面結構示意圖，即掩模板整體平面結構示意圖，掩模板60包括掩模板本體62以及掩模板本體上的蒸鍍孔51，圖7所示為圖6中沿B-B方向的截面示意圖。
[0004]傳統(tǒng)通過上述蝕刻方法制作掩模板，制作小尺寸蒸鍍孔(蒸鍍孔尺寸L小于IOOym )的掩模板時蒸鍍孔精度很高，但是制作大尺寸蒸鍍孔(蒸鍍孔尺寸L大于100 μ m)的掩模板時，由于蒸鍍孔蝕刻量變大，蒸鍍孔的精度不高，如圖7所示，預設的蒸鍍孔51的尺寸為L，實際制作的蒸鍍孔的尺寸LI要比預設的尺寸L偏大或偏小(圖7所示為比預設的尺寸偏大)，蒸鍍孔的精度不高，從而影響蒸鍍質量。
[0005]本發(fā)明主要是針對以上問題提出一種掩模板的制作方法，較好的解決以上所述問題。

【發(fā)明內容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種高精度掩模板的制作方法，在制作大尺寸蒸鍍孔(蒸鍍孔尺寸大于100 μ m )的掩模板時可以有效提高掩模蒸鍍孔的精度，從而
提高蒸鍍質量。
[0007]根據本發(fā)明的一方面，提供了一種高精度掩模板的制作方法，包括通過蝕刻工藝蝕刻金屬基板制作掩模板的蝕刻步驟，其特征在于:
所述金屬基板包括蝕刻面和非蝕刻面，所述蝕刻面包括蝕刻區(qū)域和非蝕刻區(qū)域，所述非蝕刻區(qū)域包括非蝕刻區(qū)域一和非蝕刻區(qū)域二，所述蝕刻區(qū)域是由其外側非蝕刻區(qū)域一和其內側非蝕刻區(qū)域二圍成的封閉區(qū)域；
在所述蝕刻步驟中，所述非蝕刻區(qū)域和所述非蝕刻面設有保護膜，所述蝕刻區(qū)域的金屬與蝕刻液反應形成通孔，所述通孔使所述非蝕刻區(qū)域二與所述非蝕刻區(qū)域一脫離，在所述蝕刻區(qū)域及其內側的非蝕刻區(qū)域二處形成蒸鍍孔。
[0008]進一步地，在蝕刻步驟之前還包括貼膜步驟、曝光步驟、顯影步驟。
[0009]進一步地，在曝光步驟中，將非蝕刻區(qū)域的膜曝光形成保護膜，蝕刻區(qū)域的膜未曝光形成未曝光膜區(qū)域。
[0010]進一步地，顯影步驟將未曝光膜區(qū)域的膜去除露出蝕刻區(qū)域的金屬，非蝕刻區(qū)域的所述保護膜繼續(xù)保留。
[0011]進一步地，非蝕刻面的保護膜通過貼膜步驟和曝光步驟形成。
[0012]進一步地，非蝕刻面的所述保護膜通過在非蝕刻面墊一層防止蝕刻液與非蝕刻面的金屬反應的墊板形成。
[0013]
進一步地，蝕刻區(qū)域的寬度為5~80 μ m。
[0014]進一步地，金屬基板為具有鐵`磁性能的材料。
[0015]優(yōu)選地,金屬基板為因瓦合金。
[0016]根據本發(fā)明的另一方面，提供了一種掩模板，所述掩模板包括掩模板本體及所述掩模板本體上的蒸鍍孔，其特征在于，所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，沿所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上所述蒸鍍孔的邊緣線呈碗狀，所述蒸鍍面的蒸鍍孔大于所述ITO面的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面呈30°~60°夾角。
[0017]本發(fā)明的有益效果在于，通過本方法制作掩模板，在制作大尺寸蒸鍍孔的掩模板時(蒸鍍孔尺寸大于100 μ m ),將制作大尺寸的蒸鍍孔轉化為制作小尺寸的通孔,減小蝕刻量，從而提高大尺寸蒸鍍孔掩模板的精度。
[0018]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從下面結合附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為金屬基板貼膜后的截面示意圖；
圖2所示為現有技術中完成曝光步驟的截面示意圖；
圖3所示為現有技術中完成顯影步驟的平面結構意圖；
圖4所示為圖3中沿A-A方向的截面示意圖；
圖5所示為現有技術中完成蝕刻步驟的截面示意圖；
圖6所示為現有技術中完成脫膜步驟的平面結構示意圖；
圖7所示為圖6中沿B-B方向的截面示意圖；圖8所示為本發(fā)明完成曝光步驟的截面示意圖；
圖9所示為本發(fā)明完成顯影步驟的平面結構示意圖；
圖10所示為圖9中沿C-C方向的截面示意圖；
圖11所示為本發(fā)明完成蝕刻步驟的截面示意圖；
圖12所示為本發(fā)明完成脫膜步驟的平面結構示意圖；
圖13所示為圖12中沿D-D方向的截面示意圖；
圖1中，10為金屬基板，11為膜；
圖2中，20為蝕刻面非蝕刻區(qū)域的膜曝光后形成的保護膜，21為未曝光膜區(qū)域，22為非蝕刻面的膜曝光后形成的保護膜；
圖3中，31為蝕刻區(qū)域，A-A為待解剖觀測方向；
圖5中，50為蒸鍍孔；
圖6中，60為掩模板整體，61為掩模板本體，B-B為待解剖觀測方向；
圖7中，L為預設蒸鍍孔的尺寸，LI為實際蒸鍍孔的尺寸；
圖8中，80為非蝕刻區(qū)域一的保護膜，81為未曝光膜區(qū)域，82為非蝕刻區(qū)域二的保護膜，83為非蝕刻面的保護膜；
圖9中，90為露出的蝕刻區(qū)域的金屬，L2為蝕刻區(qū)域的寬度，C-C為待解剖觀測方向； 圖11中，110為對應蝕刻區(qū)域的通孔；
圖12中，120為掩模板整體，121為蒸鍍孔，122為掩模板本體，D-D為待解剖觀測方向； 圖13中，I為蒸鍍面，2為ITO面，Θ為蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角；
【具體實施方式】
[0020]下面將參照附圖來描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對本發(fā)明的限制。
[0021]根據本發(fā)明的實施例，參考圖1、圖8~圖13所示，提供了一種高精度掩模板的制作方法，包括通過蝕刻工藝蝕刻金屬基板10制作掩模板的蝕刻步驟，其特征在于:
所述金屬基板10包括蝕刻面和非蝕刻面，所述蝕刻面包括蝕刻區(qū)域和非蝕刻區(qū)域，所述非蝕刻區(qū)域包括非蝕刻區(qū)域一和非蝕刻區(qū)域二，所述蝕刻區(qū)域是由其外側非蝕刻區(qū)域一和其內側非蝕刻區(qū)域二圍成的封閉區(qū)域；
在所述蝕刻步驟中，所述非蝕刻區(qū)域(對應保護膜80區(qū)域和保護膜82區(qū)域)和所述非蝕刻面設有保護膜，所述蝕刻區(qū)域的金屬與蝕刻液反應形成通孔，所述通孔使所述非蝕刻區(qū)域二與所述非蝕刻區(qū)域一脫離，在所述蝕刻區(qū)域及其內側的非蝕刻區(qū)域二處形成蒸鍍孔121。
[0022]另外，根據本發(fā)明公開的一種高精度掩模板的制作方法還具有如下附加技術特征:
根據本發(fā)明的實施例，一種高精度掩模板制作方法的具體步驟如圖1、圖8~圖13所示，包括:
貼膜步驟:如圖1所示，將膜11壓貼或涂覆到金屬基板10的兩面；
曝光步驟:如圖8所示，將金屬基板10的非蝕刻面的膜曝光形成保護膜83，金屬基板10的蝕刻面的非蝕刻區(qū)域的膜曝光形成保護膜，非蝕刻區(qū)域的保護膜包括對應非蝕刻區(qū)域一的保護膜80和對應非蝕刻區(qū)域二的保護膜82，蝕刻面對應蝕刻區(qū)域的膜不曝光形成未曝光膜區(qū)域81 ；
顯影步驟:如圖9~圖10所示，將未曝光膜區(qū)域81的膜通過顯影步驟去除露出金屬基板的蝕刻區(qū)域90，保護膜80和保護膜82以及保護膜83繼續(xù)保留，圖9所示為顯影后的平面結構示意圖，圖10所示為圖9中沿C-C方向的截面示意圖，如圖9所述,蝕刻區(qū)域90是由其外側非蝕刻區(qū)域一(與保護膜80對應的區(qū)域)和其內側非蝕刻區(qū)域二(與保護膜82對應的區(qū)域)圍成的封閉區(qū)域；
蝕刻步驟:如圖11所示，蝕刻區(qū)域90的金屬與蝕刻液反應形成通孔110，通孔110使非蝕刻區(qū)域二 (與保護膜82對應的區(qū)域)與非蝕刻區(qū)域一(與保護膜80對應的區(qū)域)脫離，在蝕刻區(qū)域90及其內側的非蝕刻區(qū)域二 (與保護膜82對應的區(qū)域)處形成蒸鍍孔121 ；
脫膜步驟:如圖12~圖13所示，將保護膜80、保護膜82和保護膜83通過脫模步驟脫掉，如圖12所示為脫膜后的平面結構示意圖，即掩模板整體平面結構示意圖，掩模板120包括掩模板本體122以及掩模板本體上的蒸鍍孔121，圖13所示為圖12中沿D-D方向的截面示意圖，I為蒸鍍面(即蝕刻步驟前金屬基板10的蝕刻面)，2為ITO面(即蝕刻步驟前金屬基板10的非蝕刻面)，蒸鍍孔121是在蝕刻區(qū)域90及其內側的非蝕刻區(qū)域二(與保護膜82對應的區(qū)域)處將非蝕刻區(qū)域二從金屬基板10上移除形成。
[0023]根據本發(fā)明的一些實施例，非蝕刻面的保護膜83通過貼膜步驟和曝光步驟形成，或者通過在蝕刻步驟之前將金屬基板的非蝕刻面貼一層防止蝕刻液與非蝕刻面的金屬反應的保護膜，或在非蝕刻面墊一層防止蝕刻液與非蝕刻面的金屬反應的墊板形成(墊板不與蝕刻液反應)，所述墊板可以為非金屬，例如塑料墊板。
[0024]根據本發(fā)明的一些`實施例，蝕刻區(qū)域90的寬度L2為5~80 μ m，如圖9~圖10所
/Jn ο
[0025]根據本發(fā)明的一些實施例，金屬基板10為具有鐵磁性能的材料。
[0026]優(yōu)選地，金屬基板10為因瓦合金。
[0027]根據本發(fā)明的另一方面，提供一種通過上述所述方法制作的掩模板，如圖12~圖13所示，包括掩模板本體122及所述掩模板本體上的蒸鍍孔121，其特征在于，所述掩模板120包括蒸鍍面和ITO面，沿所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上所述蒸鍍孔的邊緣線呈碗狀，所述蒸鍍面的蒸鍍孔大于所述ITO面的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面的夾角Θ的范圍為30~60°。
[0028]通過本方法制作掩模板，在制作大尺寸(蒸鍍孔尺寸大于100 μ m )蒸鍍孔的掩模板時，將制作大尺寸的蒸鍍孔轉化為制作小尺寸的通孔110，減小蝕刻量，在很大程度上提高了掩模板蒸鍍孔的精度，并且掩模板述蒸鍍孔121的孔壁與掩模板本體122的板面呈30~60°夾角，可以減小蒸鍍時蒸鍍孔121的孔壁對有機材料的遮擋，在很大程度上提高了掩模板的質量。
[0029]盡管參照本發(fā)明的多個示意性實施例對本發(fā)明的【具體實施方式】進行了詳細的描述，但是必須理解，本領域技術人員可以設計出多種其他的改進和實施例，這些改進和實施例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內。具體而言，在前述公開、附圖以及權利要求的范圍之內，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進，而不會脫離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進，其范圍由所附權利要求及其等同 物限定。
【權利要求】
1.一種高精度掩模板的制作方法，包括通過蝕刻工藝蝕刻金屬基板制作掩模板的蝕刻步驟，其特征在于: 所述金屬基板包括蝕刻面和非蝕刻面，所述蝕刻面包括蝕刻區(qū)域和非蝕刻區(qū)域，所述非蝕刻區(qū)域包括非蝕刻區(qū)域一和非蝕刻區(qū)域二，所述蝕刻區(qū)域是由其外側非蝕刻區(qū)域一和其內側非蝕刻區(qū)域二圍成的封閉區(qū)域； 在所述蝕刻步驟中，所述非蝕刻區(qū)域和所述非蝕刻面設有保護膜，所述蝕刻區(qū)域的金屬與蝕刻液反應形成通孔，所述通孔使所述非蝕刻區(qū)域二與所述非蝕刻區(qū)域一脫離，在所述蝕刻區(qū)域及其內側的非蝕刻區(qū)域二處形成蒸鍍孔。
2.根據權利要求1所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，在所述蝕刻步驟之前還包括貼膜步驟、曝光步驟、顯影步驟。
3.根據權利要求2所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，在所述曝光步驟中，將所述非蝕刻區(qū)域的膜曝光形成所述的保護膜，所述蝕刻區(qū)域的膜未曝光形成未曝光膜區(qū)域。
4.根據權利要求3所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述顯影步驟將所述未曝光膜區(qū)域的膜去除露出所述的蝕刻區(qū)域的金屬，所述非蝕刻區(qū)域的所述保護膜繼續(xù)保留。
5.根據權利要求1或2所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述非蝕刻面的所述保護膜通過所述貼膜步驟和所述曝光步驟形成。
6.根據權利要求1或2所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述非蝕刻面的所述保護膜通過在所述非蝕刻面墊一層防止所述蝕刻液與所述非蝕刻面的金屬反應的墊板形成。`
7.根據權利要求1所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述蝕刻區(qū)域的寬度為5~80 μ m。
8.根據權利要求1所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述金屬基板為具有鐵磁性能的材料。
9.根據權利要求8所述的高精度掩模板的制作方法，其特征在于，所述金屬基板為因瓦合金。
10.一種掩模板，包括掩模板本體及所述掩模板本體上的蒸鍍孔，其特征在于，所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，沿所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上所述蒸鍍孔的邊緣線呈碗狀，所述蒸鍍面的蒸鍍孔大于所述ITO面的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面呈30°~60°夾角。
【文檔編號】C23C14/24GK103556113SQ201310523657
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年10月30日 優(yōu)先權日:2013年10月30日
【發(fā)明者】魏志凌, 高小平, 潘世珎, 劉學明 申請人:昆山允升吉光電科技有限公司