一種掩模板及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，其特征在于：所述蒸鍍孔在所述ITO面設(shè)有凹槽，在所述蒸鍍孔的中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈碗狀。本發(fā)明還公開了一種通過蝕刻和激光切割混合工藝制作所述掩模板的方法。本發(fā)明所提供的掩模板，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30°～60°夾角，蒸鍍時(shí)可以減小蒸鍍孔的孔壁對(duì)蒸鍍材料的遮擋，蒸鍍孔在ITO面設(shè)有凹槽可以防止掩模板蒸鍍孔的邊緣變形劃傷沉積基板。
【專利說明】一種掩模板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種掩模板及其制作方法，具體涉及一種OLED蒸鍍用的掩模板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode ；0LED)顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示器相比，OLED顯示器不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達(dá)到液晶顯示器的1000倍，其制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器。因此，OLED顯示器具有廣闊的應(yīng)用前景，逐漸成為未來20年成長(zhǎng)最快的新型顯示技術(shù)。
[0003]OLED結(jié)構(gòu)中的有機(jī)層材料的制作需要用到蒸鍍用的掩模板，傳統(tǒng)通過蝕刻工藝制作掩模板，蒸鍍之前需要將掩模板拉網(wǎng)固定到掩?？蛏?，拉網(wǎng)固定之后掩模板具有一定的張力。掩模板蒸鍍孔的截面示意圖如圖1所示，I為掩模板的ITO面(即與沉積基板接觸的一面)，2為掩模板的蒸鍍面(即面向蒸鍍?cè)吹囊幻?，11為掩模板的蒸鍍孔，蒸鍍孔11的截面為碗狀，由于蒸鍍孔11的邊緣比較薄，掩模板具有一定的張力之后蒸鍍孔的邊緣容易翹起，如圖1中的翹起部分12所示，蒸鍍孔邊緣翹起的部分12在蒸鍍過程中會(huì)劃傷沉積基板，從而影響顯示器的質(zhì)量，而且通過蝕刻工藝制作的掩模板蒸鍍孔11的尺寸不好控制。
[0004]本發(fā)明主要是針對(duì)以上問題提出一種掩模板及其制作方法，較好的解決以上所述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種掩模板及其制作方法，使在蒸鍍過程中盡量減少蒸鍍孔壁對(duì)蒸鍍材料的遮擋，并且可以防止掩模板蒸鍍孔邊緣翹起劃傷沉積基板。
[0006]本發(fā)明提供一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，其特征在于:所述蒸鍍孔在所述ITO面設(shè)有凹槽，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈碗狀。
[0007]進(jìn)一步地，蒸鍍面的所述蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30°~60°夾角。
[0008]進(jìn)一步地，ITO面的凹槽的側(cè)壁與掩模板本體的板面呈60°~90°夾角。
[0009]進(jìn)一步地，掩模板蒸鍍面的厚度為10~50 μ m。
[0010]進(jìn)一步地，凹槽的深度為2~30 μ m。
[0011]進(jìn)一步地，掩模板的總厚度為12~80 μ m。
[0012]本發(fā)明還提供一種制作上述所述掩模板的方法，包括蝕刻步驟和激光半刻步驟，其特征在于:
金屬基板通過所述蝕刻步驟在與所述蒸鍍孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成蒸鍍面開口，在所述蒸鍍面開口中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面開口的邊緣線呈碗狀；
所述激光半刻步驟在所述ITO面與所述蒸鍍面開口對(duì)應(yīng)的周邊區(qū)域進(jìn)行激光半刻形成所述的凹槽，所述凹槽與所述蒸鍍面開口聯(lián)通形成貫穿所述掩模板本體的所述蒸鍍孔。
[0013]進(jìn)一步地，激光半刻步驟中激光頭的激光發(fā)射路線與掩模板本體板面之間的夾角調(diào)整范圍為60°~90°。
[0014]進(jìn)一步地，激光半刻步驟中半刻的深度為2~30 μ m。
[0015]進(jìn)一步地，金屬基板的厚度為12~80 μ m。
[0016]進(jìn)一步地，蝕刻步驟形成的蒸鍍面開口為貫穿所述掩模板本體的通孔或?yàn)槊た住?br> [0017]
本發(fā)明的有益效果在于，掩模板上蒸鍍孔的中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈碗狀，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面呈30°~60°夾角，可以減小蒸鍍孔的孔壁對(duì)蒸鍍材料的遮擋，同時(shí)蒸鍍孔ITO面的凹槽可以起到防止刮傷沉積基板，從而提聞顯不器的質(zhì)量。
[0018]本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中掩模板蒸鍍孔的截面示意圖；
圖2所示為本發(fā)明掩模板ITO面的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3所示為圖2中沿A-A方向的截面示意圖；
圖4所示為圖3中30部分的結(jié)構(gòu)放大示意圖；
圖5所示為圖3中30部分的另一種結(jié)構(gòu)放大示意圖；
圖6所示為本發(fā)明掩模板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖7和圖8所示為圖6中60部分放大示意圖；
圖9所示為本發(fā)明完成貼膜步驟的截面示意圖；
圖10所示為本發(fā)明完成曝光的截面示意圖；
圖11所示為本發(fā)明完成顯影的截面示意圖；
圖12所示為本發(fā)明完成蝕刻步驟的截面示意圖；
圖13所示為本發(fā)明完成脫膜步驟的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖14所示為圖13中沿D-D方向的截面示意圖；
圖15所示為本發(fā)明激光半刻步驟的截面示意圖；
圖16和圖17所示為本發(fā)明激光半刻步驟的截面放大示意圖。
[0020]圖18所示為本發(fā)明完成蝕刻步驟的一種截面示意圖；
圖19所示為本發(fā)明完成脫膜步驟的一種截面示意圖；` 圖20所示為本發(fā)明激光半刻步驟的一種截面示意圖；
圖1中，I為ITO面，2為蒸鍍面，11為掩模板的蒸鍍孔，12為蒸鍍孔邊緣翹起部分；
圖2中，20為掩模板本體，21為蒸鍍孔，22為掩模板，23為ITO面的凹槽，A-A為待解剖觀測(cè)方向；
圖3中，3為ITO面，4為蒸鍍面，30為待放大觀測(cè)部分；
圖4中，Θ為蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角，tl為掩模板的厚度，t2為掩模板ITO面凹槽的深度，t3為掩模板蒸鍍面的厚度；
圖5中，β為ITO面凹槽的側(cè)壁與掩模板本體板面的夾角；
圖6中，60待放大觀測(cè)部分，61為掩模圖案；
圖7中，B-B為待解剖觀測(cè)方向；
圖8中，C-C為待解剖觀測(cè)方向；
圖9中，90為金屬基板，91為膜；
圖10中，100和101為曝光步驟形成的保護(hù)膜；
圖11中，110為露出的金屬基板區(qū)域；
圖12中，120為蒸鍍面開口(為通孔)；
圖13中，D-D為待解剖觀測(cè)方向； 圖15中，150為激光頭；
圖16中，α為激光半刻步驟中激光頭的激光發(fā)射路線與掩模板本體板面之間的夾角； 圖18中，180為蒸鍍面開口(為盲孔)。
[0021]
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面將參照附圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0023]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，參考圖2~圖8所示，提供了一種掩模板，掩模板22包括掩模板本體20及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔21，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，所述掩模板包括蒸鍍面4和ITO面3，其特征在于:所述蒸鍍孔21在所述ITO面設(shè)有凹槽23，在所述蒸鍍孔的中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈碗狀。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，參考圖2~圖4所示為大尺寸蒸鍍孔(蒸鍍孔尺寸大于100 μ m)的掩模板，圖2所不為掩模板ITO面的平面結(jié)構(gòu)不意圖，20為掩模板本體,21為蒸鍍孔，23為蒸鍍孔在ITO面的凹槽，蒸鍍孔21以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體20上，圖3所示為圖2中沿A-A方向截面示意圖，3為ITO面，4為蒸鍍面，30部分放大示意圖如圖4~圖5所示。
[0025]如圖4~圖5所示，在蒸鍍孔21中心軸線所在的截面上，蒸鍍面蒸鍍孔的邊緣線呈碗狀，Θ為蒸鍍面蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體20的板面的夾角，Θ角的范圍為30°~60°，ITO面的凹槽的側(cè)壁與掩模板本體的板面的夾角β為60°~90°，蒸鍍孔21以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體20上，與沉積基板的有機(jī)膜沉積區(qū)域相適應(yīng)。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，參考圖6~圖8所示為小尺寸蒸鍍孔(蒸鍍孔尺寸小于100 μ m)的掩模板，圖6所示為掩膜板整體平面結(jié)構(gòu)示意圖，掩模圖案61以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體20上，蒸鍍孔21以陣列的方式設(shè)置在掩模板22的掩模圖案61上，蒸鍍孔21與沉積基板的蒸鍍區(qū)域相適應(yīng)。[0027]圖7所不為圖6中60部分掩模圖案的一種放大不意圖，圖6中蒸鍍孔21為小開口以陣列的方式設(shè)置在掩模板本體20上，沿B-B方向的截面放大示意圖如圖4或圖5所示。
[0028]圖8所示為圖6中掩模圖案的另一種排布方式的放大示意圖，圖8中蒸鍍孔21為長(zhǎng)條狀的開口，沿C-C方向的截面放大示意圖如圖4或圖5所示。
[0029]另外，根據(jù)本發(fā)明公開的一種掩模板還具有如下附加技術(shù)特征:
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖4~圖5所示，掩模板蒸鍍面的厚度t3為10~50 μ m。
[0030]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖4~圖5所示，ITO面凹槽的深度t2為2~30 μ m。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例,如圖4~圖5所不,掩模板的總厚度t為12~80 μ m。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，參考圖9~圖20所示，提供了一種制作上述所述掩模板的方法，包括蝕刻步驟和激光半刻步驟，其特征在于:
金屬基板10通過蝕刻步驟在與蒸鍍孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成蒸鍍面開口，在蒸鍍面開口中心軸線所在的截面上，蒸鍍面開口的邊緣線呈碗狀；
激光半刻步驟在ITO面與蒸鍍面開口對(duì)應(yīng)的周邊區(qū)域進(jìn)行激光半刻形成的凹槽23，凹槽與蒸鍍面開口聯(lián)通形成貫穿掩模板本體的蒸鍍孔21。
[0033]本發(fā)明提供的制作掩模板方法的具體步驟如圖9~17所示，包括: 貼膜步驟:如圖9所示，將 膜91壓貼或涂覆到金屬基板90的兩側(cè)；
曝光步驟:如圖10所示，將金屬基板90蝕刻面對(duì)應(yīng)非開口區(qū)域的膜曝光形成保護(hù)膜100，對(duì)應(yīng)開口區(qū)域的膜不曝光，金屬基板90非蝕刻面的膜曝光形成保護(hù)膜101 ；
顯影步驟:如圖11所示，將對(duì)應(yīng)開口區(qū)域未曝光的膜通過顯影步驟除去，露出金屬基板區(qū)域110，保護(hù)膜100和保護(hù)膜101繼續(xù)保留；
蝕刻步驟:如圖12所示，蝕刻步驟中蝕刻液與露出的金屬基板區(qū)域110的金屬反應(yīng)，形成對(duì)應(yīng)蒸鍍孔的蒸鍍面開口 120 (蒸鍍面開口 120為通孔)，在蒸鍍面開口 120的中心軸線所在的截面上，蒸鍍面開口的邊緣線呈碗狀；
脫膜步驟:如圖13~圖14所示，將保護(hù)膜100和保護(hù)膜101除去，即形成掩模板本體20以及掩模板本體上的通孔120，圖13所示為完成脫模步驟的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖14所示為圖13中沿D-D方向的截面示意圖。
[0034]激光半刻步驟:如圖15所示為激光半刻步驟截面示意圖，在ITO面與蒸鍍面開口120對(duì)應(yīng)的周邊區(qū)域進(jìn)行激光半刻形成凹槽23，圖16~圖17所示為激光半刻步驟的放大截面示意圖。
[0035]圖16所示激光頭150的激光發(fā)射路線與掩模板本體板面垂直，即激光頭150的激光發(fā)射路線與掩模板本體板面之間的夾角α為90°。
[0036]圖17所示激光頭150的激光發(fā)射路線與掩模板本體板面之間的夾角調(diào)整范圍α為 60。~90°。
[0037]另外，根據(jù)本發(fā)明公開的一種制作掩模板的方法還具有如下附加技術(shù)特征:
根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖16~圖17所示，激光半刻步驟中半刻的深度t2為2~
30 μ m0
[0038]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，如圖16~圖17所示，掩模板本體20的厚度tl為12~80 μ m0
[0039]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，蝕刻步驟形成的蒸鍍面開口為貫穿掩模板本體20的通孔120，如圖12所示，激光半刻步驟在ITO面與蒸鍍面開口對(duì)應(yīng)的周邊區(qū)域進(jìn)行激光半刻形成凹槽，凹槽與蒸鍍面開口聯(lián)通形成貫穿掩模板本體的蒸鍍孔21，脫膜步驟以及激光半刻步驟如圖14~圖17所示。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，蝕刻步驟形成的蒸鍍面開口為盲孔180，如圖18~圖19所示，激光半刻步驟在ITO面與蒸鍍面開口對(duì)應(yīng)的周邊區(qū)域進(jìn)行激光半刻形成凹槽23，凹槽與蒸鍍面開口聯(lián)通形成貫穿掩模板本體的蒸鍍孔21，如圖20所示。
[0041]通過本發(fā)明所提供的掩模板，掩模板上蒸鍍孔21的中心軸線所在的截面上，蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈碗狀，蒸鍍面的蒸鍍孔的孔壁與掩模板本體的板面的夾角Θ為30°~60°，蒸鍍時(shí)可以減小蒸鍍孔的孔壁對(duì)蒸鍍材料的遮擋，同時(shí)蒸鍍孔ITO面的凹槽23可以起到防止刮傷沉積基板，從而提高顯示器的質(zhì)量。
[0042]盡管參照本發(fā)明的多個(gè)示意性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行了詳細(xì)的描述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多種其他的改進(jìn)和實(shí)施例，這些改進(jìn)和實(shí)施例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會(huì)脫離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。`
【權(quán)利要求】
1.一種掩模板，包括掩模板本體及形成在所述掩模板本體上的蒸鍍孔，所述蒸鍍孔貫穿所述掩模板本體，所述掩模板包括蒸鍍面和ITO面，其特征在于:所述蒸鍍孔在所述ITO面設(shè)有凹槽，在所述蒸鍍孔中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面的蒸鍍孔的邊緣線呈碗狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述蒸鍍面的所述蒸鍍孔的孔壁與所述掩模板本體的板面呈30°~60°夾角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述ITO面的所述凹槽的側(cè)壁與所述掩模板本體的板面呈60°~90°夾角。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板蒸鍍面的厚度為10~.50 μ m0
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述凹槽的深度為2~30μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板的總厚度為12~80μπι。
7.一種制作權(quán)利要求1~6任意一項(xiàng)權(quán)利要求所述掩模板的方法，包括蝕刻步驟和激光半刻步驟，其特征在于: 金屬基板通過所述蝕刻步驟在與所述蒸鍍孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成蒸鍍面開口，在所述蒸鍍面開口中心軸線所在的截面上，所述蒸鍍面開口的邊緣線呈碗狀； 所述激光半刻步驟在所述ITO面與所述蒸鍍面開口對(duì)應(yīng)的周邊區(qū)域進(jìn)行激光半刻形成所述的凹槽，所述凹槽與所述蒸鍍面開口聯(lián)通形成貫穿所述掩模板本體的所述蒸鍍孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作掩模板的方法，其特征在于，所述激光半刻步驟中激光頭的激光發(fā)射路線與所述掩模板本體板面之間的夾角調(diào)整范圍為60°~90°。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作掩模板的方法，其特征在于，所述金屬基板的厚度為.12~80 μ m，所述激光半刻步驟中半刻的深度為2~30 μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作掩模板的方法，其特征在于，所述蝕刻步驟形成的所述蒸鍍面開口為貫穿所述掩模板本體的通孔或?yàn)槊た住?br> 【文檔編號(hào)】C23C14/24GK103556111SQ201310523483
【公開日】2014年2月5日 申請(qǐng)日期:2013年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月30日
【發(fā)明者】魏志凌, 高小平, 潘世珎, 張煒平 申請(qǐng)人:昆山允升吉光電科技有限公司