一種沉積與尾氣處理一體化設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種沉積與尾氣處理一體化設(shè)備，包括位于設(shè)備下部，用于進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的中溫?zé)峤鉅t以及位于設(shè)備上部，對(duì)殘余尾氣進(jìn)行熱解并同時(shí)防止熱解產(chǎn)物冷凝的高溫解熱爐，高溫解熱爐與真空系統(tǒng)相連通，中溫?zé)峤鉅t和高溫?zé)峤鉅t為一體化結(jié)構(gòu)，沉積時(shí)中溫?zé)峤鉅t與高溫解熱爐氣壓均在1000Pa以下；中溫?zé)峤獾臍堄辔矚庵苯舆M(jìn)入高溫?zé)峤鈪^(qū)進(jìn)行二次分解，爐體內(nèi)溫度梯度過(guò)度，不會(huì)導(dǎo)致中溫?zé)峤猱a(chǎn)物在兩個(gè)爐中間轉(zhuǎn)移過(guò)程冷凝。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種沉積與尾氣處理一體化設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相沉積設(shè)備，特別是涉及一種具有沉積與尾氣處理一體化的化學(xué)氣相沉積設(shè)備，屬于高溫?zé)崽幚碓O(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)氣相沉積爐是利用化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition, CVD)的原理，將氣態(tài)反應(yīng)物質(zhì)加熱到一定的工藝溫度下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在沉積爐內(nèi)生成固態(tài)物質(zhì)沉積在固態(tài)基體表面。碳化硅材料具有許多優(yōu)異的機(jī)械和物理化學(xué)性能，如高的比強(qiáng)度和比模量、低密度、耐高溫、抗氧化、半導(dǎo)體特性等，因而在高溫結(jié)構(gòu)及微電子領(lǐng)域備受關(guān)注。CVD是適合制備高質(zhì)量碳化硅薄膜的一種工業(yè)化技術(shù)。在進(jìn)行CVD制備涂層工藝時(shí)，要求沉積爐內(nèi)必須非常潔凈，如果沉積爐有雜質(zhì)存在會(huì)影響最終涂層質(zhì)量。
[0003]目前，市場(chǎng)上大多數(shù)CVD爐是在真空爐基礎(chǔ)上改造而成，沉積爐與真空泵直接連通，在沉積時(shí)，整個(gè)爐腔溫度統(tǒng)一，在進(jìn)行一次涂層沉積后，常常有部分初始反應(yīng)物以及熱解產(chǎn)物發(fā)生冷凝而留于爐體與管道之中，初始反應(yīng)物大部分是一種易燃，有燃燒爆炸危險(xiǎn)的有毒物質(zhì)。因此沉積一定次數(shù)后，管道內(nèi)需要經(jīng)常清理，避免爆炸危險(xiǎn)發(fā)生。同時(shí)，沉積會(huì)造成部分粉塵進(jìn)入真空泵內(nèi)，污染真空泵油，真空泵也需要經(jīng)常清理。因此，在生產(chǎn)過(guò)程中，工人勞動(dòng)強(qiáng)度提高，成本也相應(yīng)增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是提供一種沉積與尾氣處理一體化設(shè)備。
[0005]一種沉積與尾氣處理一體化設(shè)備，其特征在于包括位于設(shè)備下部，用于進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的中溫?zé)峤鉅t以及位于設(shè)備上部，對(duì)殘余尾氣進(jìn)行熱解并同時(shí)防止熱解產(chǎn)物冷凝的高溫解熱爐，高溫解熱爐與真空系統(tǒng)相連通，中溫?zé)峤鉅t和高溫?zé)峤鉅t為一體化結(jié)構(gòu)，沉積時(shí)中溫?zé)峤鉅t與高溫解熱爐氣壓均在1`000Pa以下。
[0006]其中:
[0007]中溫?zé)峤鉅t采用石墨電阻加熱，沉積時(shí)的溫度范圍為800°C~1600°C。
[0008]高溫解熱爐采用石墨感應(yīng)加熱，工作時(shí)溫度范圍為1800°C~2500°C。
[0009]真空系統(tǒng)由兩臺(tái)并聯(lián)工作的真空泵組成。
[0010]本發(fā)明中主要優(yōu)點(diǎn)是:(I)不需要單獨(dú)的尾氣處理設(shè)備；(2)爐內(nèi)清理次數(shù)大幅度減少，減少人力成本；(3)真空泵油中粉塵顆粒含量減少，延長(zhǎng)了真空泵油使用時(shí)間，節(jié)約成本；(4)制備的涂層質(zhì)量好。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本發(fā)明的沉積與尾氣處理一體化設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖【具體實(shí)施方式】[0012]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定。
[0013]參見(jiàn)圖1，圖1是本發(fā)明的沉積與尾氣處理一體化設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖。所述的設(shè)備主要包括用于進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的中溫?zé)峤鉅t11、對(duì)殘余尾氣進(jìn)行熱解并同時(shí)防止熱解產(chǎn)物冷凝的高溫解熱爐12、與所述的高溫?zé)峤鉅t12連通的真空系統(tǒng)13。所述的中溫?zé)峤鉅t11采用電阻絲加熱，沉積時(shí)的溫度范圍為800-1600°C。所述的高溫?zé)峤鉅t12采用感應(yīng)加熱，工作時(shí)溫度范圍為1800-2500°C。所述的中溫?zé)峤鉅t11和高溫?zé)峤鉅t12為一體化結(jié)構(gòu)。所述的真空系統(tǒng)13由兩臺(tái)并聯(lián)工作的真空泵組成。沉積時(shí)中溫?zé)峤鉅t11與高溫?zé)峤鉅t12氣壓均在1000Pa以下。
[0014] 上述僅為本發(fā)明的單個(gè)【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的設(shè)計(jì)構(gòu)思并不局限于此，凡利用此構(gòu)思對(duì)本發(fā)明進(jìn)行非實(shí)質(zhì)性的改動(dòng)，均應(yīng)屬于侵犯本發(fā)明保護(hù)的范圍的行為。但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何形式的簡(jiǎn)單修改、等同變化與改型，仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種沉積與尾氣處理一體化設(shè)備，其特征在于包括位于設(shè)備下部，用于進(jìn)行化學(xué)氣相沉積的中溫?zé)峤鉅t以及位于設(shè)備上部，對(duì)殘余尾氣進(jìn)行熱解并同時(shí)防止熱解產(chǎn)物冷凝的高溫解熱爐，高溫解熱爐與真空系統(tǒng)相連通，中溫?zé)峤鉅t和高溫?zé)峤鉅t為一體化結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述的中溫?zé)峤鉅t采用石墨電阻加熱，沉積時(shí)的溫度范圍為800°C~1600°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述的高溫解熱爐采用石墨感應(yīng)加熱，工作時(shí)溫度范圍為1800°C~2500°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述的真空系統(tǒng)由兩臺(tái)并聯(lián)工作的真空泵組成。`
【文檔編號(hào)】C23C16/44GK103726029SQ201310412182
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月11日
【發(fā)明者】陳照峰, 劉勇 申請(qǐng)人:太倉(cāng)派歐技術(shù)咨詢(xún)服務(wù)有限公司