包括防沉積單元的薄膜沉積裝置及其去除沉積物的方法
【專利摘要】提供了包括防沉積單元的薄膜沉積裝置和該裝置的去除沉積物的方法。該方法包括：從薄膜沉積裝置的腔室分離包括至少一個防沉積板和耦合到至少一個防沉積板的外表面上的變形單元的防沉積單元；以及從防沉積板去除成膜層。
【專利說明】包括防沉積單元的薄膜沉積裝置及其去除沉積物的方法
[0001] 相關(guān)專利申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年02月13日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2013-0015535號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請的全文通過引用并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的方面涉及包括可以輕易地去除其上的沉積物的防沉積單元的薄膜沉積裝置，以及從該薄膜沉積裝置去除沉積物的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]通常，包括薄膜晶體管(TFT)的有機發(fā)光顯示裝置可用于如數(shù)碼相機、視頻攝像機、便攜式攝像機、便攜式信息終端、超薄型筆記本電腦、智能電話、柔性顯示裝置或平板個人電腦的移動設(shè)備的顯示器中，或者可用在如超薄電視的電氣和電子產(chǎn)品中。
[0005]有機發(fā)光顯示裝置可以包括:第一電極、第二電極和在第一電極與第二電極之間的有機發(fā)光層。有機發(fā)光裝置可以包括:用于保護形成在基板上的有機發(fā)光層的封裝層。
[0006]可以使用多種方法中的任意方法形成有機發(fā)光層和封裝層。例如，可以通過使用薄膜沉積裝置的沉積法形成有機發(fā)光層和封裝層。這種情況下，如有機材料的沉積用原料不僅會被沉積在腔室中有機發(fā)光顯示裝置的所需區(qū)域，而且還會被沉積在腔室中的其他區(qū)域。
[0007]為了解決該問題，防沉積板可以被提供在腔室中。然而，當通過使用沉積用原料反復(fù)執(zhí)行成膜時(例如，多于1000次)，成膜層將以幾毫米的厚度形成在防沉積板上。相應(yīng)地，由于成膜層導(dǎo)致防沉積板必須被更換。并且，形成在厚的防沉積層上的成膜層可能脫落，由此在沉積過程中產(chǎn)生顆粒。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明實施方式提供了包括可以輕易地去除在沉積過程中形成在其上的沉積物的防沉積單元的薄膜沉積裝置，以及從該薄膜沉積裝置去除沉積物的方法。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一方面，所提供的薄膜沉積裝置，包括:腔室；沉積單元，設(shè)置在腔室中被配置為將原料沉積在基板上；以及防沉積單元，設(shè)置在腔室中，包括至少一個防沉積板和耦合到防沉積板的一個表面上的變形單元。
[0010]至少一個防沉積板可以包括金屬板。
[0011]變形單元可以包括形狀記憶合金。
[0012]變形單元可以具有線形狀并且可以與防沉積板的一個表面接觸。
[0013]至少一個防沉積板可以包括第一防沉積板和第二防沉積板，并且變形單元可以被設(shè)置在第一防沉積板與第二防沉積板的相對的表面之間。
[0014]變形單元可以具有線形狀。
[0015]變形單元的外表面可以與第一防沉積板和第二防沉積板的相對的表面接觸。[0016]防沉積單元可以被設(shè)置在腔室與成膜層待形成的與成膜區(qū)域之間。
[0017]根據(jù)奔放買那個的一方面，提供去除薄膜沉積裝置的沉積物的方法，該方法包括:從薄膜沉積裝置的腔室分離包括至少一個防沉積板和耦合到至少一個防沉積板的外表面的變形單元的防沉積單元；以及從防沉積板去除成膜層。
[0018]至少一個防沉積板可以包括第一防沉積板和第二防沉積板，并且變形單元可以被設(shè)置在第一防沉積板與第二防沉積板的相對的表面之間。
[0019]變形單元可以包括形狀記憶合金。
[0020]變形單元可以具有線形狀，并且變形單元的外表面可以與第一防沉積板和第二防沉積板的相對的表面接觸。
[0021]從防沉積板去除成膜層的步驟可以包括:將防沉積單元載入到恒溫槽中；分離成膜層部分與防沉積單元之間的界面；通過使用氣體吹掃工藝從防沉積單元去除成膜層；以及從恒溫槽取出防沉積單元。
[0022]恒溫槽可以被維持在高于或等于使變形單元變形的溫度。
[0023]該方法進一步包括:在取出防沉積單元之后執(zhí)行洗滌工藝和烘干工藝。
[0024]該方法進一步包括:將防沉積單元安裝在腔室中；以及將源自設(shè)置在腔室中的沉積單元的沉積用原料沉積到基板上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]通過參照附圖詳細描述示例性實施方式，本發(fā)明的上述和其他特征和方面將變得更加清楚，其中:
[0026]圖1為示出根據(jù)本發(fā)明一實施方式的薄膜沉積裝置的剖視圖；
[0027]圖2為圖1所示的薄膜沉積裝置的俯視圖；
[0028]圖3為示出根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的薄膜沉積裝置的剖視圖
[0029]圖4A為示出成膜層被形成在防沉積單元上的狀態(tài)的剖視圖；
[0030]圖4B為示出圖4A所示的防沉積單元被變形狀態(tài)的剖視圖；
[0031]圖5為示出從防沉積單元去除成膜層的工藝的流程圖；以及
[0032]圖6為示出通過使用根據(jù)本發(fā)明一實施方式的薄膜沉積裝置制造的有機發(fā)光顯示裝置的一個子像素的剖視圖。
【具體實施方式】
[0033]雖然本發(fā)明允許多種變更和眾多實施方式，但是將在附圖中示出并且在說明書中詳細描述特定實施方式。然而，這并不旨在將本發(fā)明限制到這些特定實施方式，并且應(yīng)當明確，不脫離本發(fā)明的精神和技術(shù)范圍的所有變更、等同物和替代物都包括在本發(fā)明中。本發(fā)明的描述中，當某些相關(guān)技術(shù)的詳細說明不必要地混淆本發(fā)明時將被省略。
[0034]如本文中使用的“第一”、“第二”、“首要的”、“次要的”或諸如此類的用語并不表示任何順序、數(shù)量或重要性，而是用于區(qū)分一個元件、區(qū)域、組件、層或部分與另一個元件、區(qū)域、組件、層或部 分。
[0035]本文中使用的術(shù)語，僅以區(qū)分特定實施方式的目的使用并且不旨在限制。除非語境中另有明確說明，如本文中使用的單數(shù)形式“a”、“an”和“the”旨在包括復(fù)數(shù)形式。應(yīng)當進一步理解，本文中使用的用語“包含(includes)”、“包含有(including)” “包括(comprises)”和“包括有(comprising)”是表示所述特征、整數(shù)、步驟、操作、組件、部件和/或群的存在，并不是表示排除一個或多個其他特征、整數(shù)、步驟、操作、組件、部件和/或群的存在或添加。
[0036]下面將參照示出本發(fā)明示例性實施方式的附圖更加完整地描述本發(fā)明。相同或相似的元件將被標記為相同或相似的附圖標記。
[0037]圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施方式的薄膜沉積裝置100的剖視圖。圖2為圖1所示的薄膜沉積裝置100的俯視圖。
[0038]參照圖1和圖2，薄膜沉積裝置100包括腔室110。腔室110提供將反應(yīng)空間與外部環(huán)境的隔離的合適(或預(yù)定)的空間；以及門130，其中用于從腔室外向腔室110內(nèi)傳送基板120的傳送裝置(未示出)可以通過該門130進入。門130可以被提供在腔室110的一偵U。門130的位置和大小不受限制。
[0039]進氣單元140被設(shè)置在腔室110的上部，并且排氣單元150被設(shè)置在腔室110的下部并與進氣單元140相對。
[0040]進氣單元140可以包括進氣口(或孔)141和連接到進氣口 141的噴頭142。作為沉積用原料的氣體 通過進氣口 141從腔室110外注入到腔室110內(nèi)，并且通過噴頭142噴射(例如，均勻噴射)到成膜區(qū)域A。
[0041]噴頭142可以包括以一定間隔被排列在噴頭142底表面的多個噴射口(或孔)143，并且噴射口 143將氣體均勻分布到成膜區(qū)域A，由此提升沉積到基板120上的薄膜層(例如，有機層)的均勻性。
[0042]根據(jù)本發(fā)明其他實施方式，噴頭142的噴射口 143可以不以一定間隔排列，和/或可以不提供噴頭142。
[0043]排氣單元150可以被設(shè)置在腔室110的下部以與進氣單元140相對。排氣單元150可以包括:排氣口(或孔)151，氣體通過排氣口 151被排出到腔室110外；以及真空泵152，被連接到排氣口 151并且在腔室110中維持合適(或預(yù)定)的真空度。
[0044]如上所述，因為進氣單元140和排氣單元150被布置在腔室110的上部和下部以彼此相對，所以在腔室110中形成從腔室的上部到腔室的下部的氣流(例如，細氣流)。
[0045]只要進氣單元140和排氣單元150彼此相對，進氣單元140和排氣單元150可以以多種方式進行排列。在這種情況下，形成在腔室110中的氣流可以以進氣單元140和排氣單元150彼此相對的方向形成。
[0046]成膜單元160被設(shè)置在進氣單元140和排氣單元150之間，成膜單元160包括開口掩膜162和卡盤161，其中基板120被安裝在該卡盤161上。
[0047]當供給的氣體相互反應(yīng)時，如有機層的薄膜層被形成在被布置在卡盤161上的基板120上。當沿著基板120的外邊緣提供開口掩膜162以將薄膜層均勻地沉積到基板120時，薄膜層被形成在開口掩膜162內(nèi)，并且形成薄膜層的區(qū)域為成膜區(qū)域A。
[0048]盡管在圖2中成膜區(qū)域A具有方形形狀，但是實施方式并不限制于此，并且根據(jù)成膜目的，成膜區(qū)域A可以具有多種其他形狀中的任意形狀。
[0049]因為在其上安裝有基板120的卡盤161可以包括用于向基板120供給熱能的加熱器(未示出)，并且被布置在卡盤161下方的升降單元163可以豎直移動基板120，所以通過調(diào)節(jié)進氣單元140與基板120之間的空間可以調(diào)節(jié)氣體反應(yīng)的空間。
[0050]成膜單元160可以設(shè)置(或布置)在與進氣單元140和排氣單元150彼此相對的方向垂直(或基本垂直)方向上，以均勻地沉積薄膜層，但是實施方式并不限制于此。
[0051]當成膜單元160設(shè)置(或布置)在與進氣單元140和排氣單元150彼此相對的方向垂直(或基本垂直)的方向上時，從噴頭142噴射的氣體可以被均勻地噴射到基板120上，噴射到基板120上的一部分氣體可以進行反應(yīng)并沉積到基板120上，并且未沉積的一部分氣體可以通過設(shè)置(或布置)在腔室110的下部的排氣單元150排出到腔室外。
[0052]通過使用沉積工藝，如有機層的薄膜層可以被沉積在基板120上的合適(或所需)區(qū)域中。
[0053]在這種情況下，為了防止腔室110中的氣體將膜形成在腔室110的不需要區(qū)域(例如，基板120以外的區(qū)域)中，提供了防沉積單元170。
[0054]為了在執(zhí)行多次成膜工藝之后去除形成在防沉積單元170上的成膜層，防沉積單元170包括第一防沉積板171、第二防沉積板172和設(shè)置(或布置)在第一防沉積板171與第二防沉積板172之間的變形單元173。
[0055]第一防沉積板171和第二防沉積板172中的每個可以由如薄金屬板的彈性材料形成。只要材料為彈性材料，第一防沉積板171和第二防沉積板172中的每個可以由多種其他材料(例如，薄金屬板以外的其他材料)中的任意材料形成。
[0056]雖然在圖2的實施方式中第一防沉積板171和第二防沉積板172示出為具有圓筒形狀，但是第一防沉積板171和第二防沉積板172根據(jù)其在腔室110中的位置可以具有多種其他形狀中的任意形狀。
[0057]雖然防沉積單元170被設(shè)置(或布置)在腔室110與基板120上的成膜區(qū)域A之間以圍繞成膜區(qū)域A，但是實施方式并不限制于此。防沉積單元170可以選擇性地被形成在腔室110中。例如，防沉積單元170可以被提供在腔室110的內(nèi)壁以平坦化。
[0058]變形單元173被提供在第一防沉積板171與第二防沉積板172之間。變形單元173可以包括由于外部應(yīng)力能量導(dǎo)致變形的材料。例如，變形單元173可以由如鈦合金的形狀記憶合金形成。在一個實施方式中，通過熱源供給使變形單元173變形的應(yīng)力能量。變形單元173可以具有線形狀。
[0059]雖然變形單元173已被描述為由具有線形狀的形狀記憶合金(其可以位于第一防沉積板171與第二防沉積板172之間)形成，但是變形單元173可以由多種其他材料中的任意材料形成，只要該材料能夠由于外部應(yīng)力能量導(dǎo)致變形。
[0060]圖3為根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的薄膜沉積裝置300的剖視圖。
[0061]參照圖3，薄膜沉積裝置300包括腔室310。門330可以被提供在腔室310的一側(cè)，其中用于從腔室外向腔室310內(nèi)傳送基板的傳送裝置(未示出)通過門330進入。
[0062]卡盤361被布置在腔室310的上部?；?20被安裝在卡盤361的一個表面上。在基板3 20被安裝到卡盤361上之后，可以使用用于將基板320固定到卡盤361的固定單元(未示出)。固定單元可以為多種類型中的任意一種，例如真空抽吸單元、夾、壓力單元或粘合材料。
[0063]沉積單元340被布置在腔室310的下部。沉積單元340可以包括坩堝341和噴嘴342。如有機原料的沉積用原料被接收在坩堝341中。可以圍繞坩堝341布置用于加熱沉積用原料的如加熱器(未示出)的加熱單元。
[0064]噴嘴342被連接到坩堝341并且提供沉積用原料流通過的路徑。沉積用原料被蒸發(fā)以流向基板320，由此在基板320上形成如有機層的薄膜層。
[0065]驅(qū)動單元350被連接到沉積單元340。驅(qū)動單元350用于在彼此相反的第一方向(X1方向)或第二方向(X2方向)上移動沉積單元340。
[0066]在一個實施方式中，驅(qū)動單兀350可以被連接到基板320以在第一方向(X1方向)或第二方向(X2方向)上移動卡盤361。
[0067]在如上所述構(gòu)成的薄膜沉積裝置300中，沉積用原料通過噴嘴342被沉積在基板320上，以在基板320上形成薄膜層。例如，儲存在坩堝341中的有機單體通過噴嘴342從坩堝341噴射到基板320。到達基板320的有機單體被固化，并且之后，薄膜層被形成在基板320上。
[0068]提供防沉積單元370以防止沉積用原料(其可散布在腔室110中)在腔室310中設(shè)置基板320的位置以外的區(qū)域形成膜。為了去除形成在防沉積單元370的表面上的如有機層的成膜層，防沉積單元370可以包括第一防沉積板371、第二防沉積板372和設(shè)置在第一防沉積板371與第二防沉積板372之間的變形單元373。
[0069]第一防沉積板371和第二防沉積板372中的每個可以由彈性金屬板形成，并且變形單元373可以具有線形狀并可以由能夠由于外部應(yīng)力能量導(dǎo)致變形的形狀記憶合金形成。
[0070]圖4A為示出成膜層被形成在圖1所示的防沉積單元170上的狀態(tài)的剖視圖。圖4B為示出圖4A所示的防沉積單元170被變形狀態(tài)的剖視圖。
[0071]參照圖4A，防沉積單元170包括第一防沉積板171和與第一防沉積板171相對的第二防沉積板172。
[0072]第一防沉積板171的第一表面174為形成膜的表面。成膜層410可以形成在第一表面174上。成膜層410可以為包括固化劑的液體有機材料，可以為這樣的成膜材料，其首先形成在第一表面174上以具有液態(tài)有機相，并且進行后續(xù)工藝，例如，紫外線固化工藝以具有固相。
[0073]與第一防沉積板171的第一表面174相反的第二防沉積板172的第二表面175，為可以被連接到待保護表面或腔室110中的壁上的表面。
[0074]變形單元173被提供在第一防沉積板171與第二防沉積板172之間。變形單元173可以由如鈦合金的形狀記憶合金形成，形狀記憶合金可以由于如通過熱源提供的外部應(yīng)力能量導(dǎo)致輕易變形。
[0075]變形單元173可以具有線形狀。變形單元173的外周面與第一防沉積板171和第二防沉積板172接觸(例如，直接接觸)。
[0076]在這種情況下，在反復(fù)執(zhí)行沉積過程時，例如多于1000次時，形成在第一表面174上的成膜層410可以形成為數(shù)毫米的厚度。當成膜層410達到特定(或預(yù)定)厚度時，可能需要去除成膜層410。在一個實施方式中，因為第一防沉積板171的第一表面174為金屬表面并且成膜層410由有機材料形成，所以當外部應(yīng)力能量被施加到第一表面174與成膜層410之間的粘合力時可以輕易去除成膜層410。
[0077]參照圖4B，外部應(yīng)力能量被施加到第一防沉積板171與第二防沉積板172之間的變形單元173，以使得第一防沉積板171的第一表面174和第二防沉積板172的第二表面175變形(例如，瞬間變形)，由此輕易地去除形成在第一表面174上的成膜層410。
[0078]例如，當應(yīng)力能量被施加到變形單元173上時，變形單元173可以在一個方向上彎曲(或以其他方式變形)。相應(yīng)地，與變形單元173的外周面接觸的第一防沉積板171和第二防沉積板172中的每個可以變形，由此在成膜層410中形成斷裂C。
[0079]可以通過熱源提供使變形單元173變形的應(yīng)力能量?？梢酝ㄟ^應(yīng)用環(huán)境的熱能量形成應(yīng)力能量以安排變形單元173的內(nèi)部能量，并且由此使第一防沉積板171和第二防沉積板172變形。
[0080]為了在完成變形之后回到原來狀態(tài)，可以去除熱源。隨著熱源被去除，變形單元173的應(yīng)力能量被去除，并且由此第一防沉積板171和第二防沉積板172的每個被恢復(fù)到它的原來狀態(tài)。相應(yīng)地，因為第一防沉積板171和第二防沉積板172被彈性恢復(fù)，所以第一防沉積板171和第二防 沉積板172可以由如金屬板的彈性材料形成。
[0081]參照圖5，圖5為示出了從防沉積單元去除成膜層的工藝的流程圖。
[0082]將使用圖1所示的薄膜沉積裝置100說明從防沉積單元170去除成膜層410的方法。
[0083]在操作SlO中，包括第一防沉積板171、第二防沉積板172和設(shè)置在第一防沉積板171與第二防沉積板172之間的變形單元173的防沉積單元170被安裝到腔室110中。在操作S20中，基板120通過腔室110 —側(cè)的門130被提供到卡盤161上，并且在基板上執(zhí)行有機沉積工藝(例如，高速有機沉積工藝)。還可以執(zhí)行固化工藝。
[0084]當有機沉積工藝被反復(fù)執(zhí)行(例如，執(zhí)行數(shù)百次至數(shù)千次)時，在第一防沉積板171的第一表面174上的成膜層410的厚度增加。在操作S30中，當成膜層410的厚度達到特定厚度(例如，數(shù)毫米)時，真空腔室110被維持在大氣壓狀態(tài)，并且從腔室100分離具有多階結(jié)構(gòu)的防沉積單元170。
[0085]在操作S40中，在其上形成有成膜層410的防沉積單元170被載入到恒溫槽中。在這種情況下，恒溫槽被維持在高于或等于使變形單元173變形的溫度。在一個實施方式中，恒溫槽被維持在120°。
[0086]根據(jù)一個實施方式，當恒溫槽中的防沉積單元170的溫度達到合適溫度(例如，100° )時，變形單元173在一個方向上變形。例如，當變形單元173變形時，均與變形單元173的外周面接觸的第一防沉積板171和第二防沉積板172在相同方向上彎曲。
[0087]在操作S50中，當?shù)谝环莱练e板171和第二防沉積板172變形時，在成膜層410中形成斷裂C，并且成膜層410與第一防沉積板171的界面可以彼此分離，其中成膜層410可以被厚厚地形成在第一防沉積板171的第一表面174上。
[0088]在操作S60中，形成在第一防沉積板171的第一表面174上的成膜層410被去除，例如，通過高壓氣體吹掃工藝去除。
[0089]在操作S70中，恒溫槽被維持在合適溫度(例如，30° )，并且當防沉積單元170的溫度達到合適溫度(例如，30° )時，從恒溫槽取出防沉積單元170。
[0090]在操作S80中，例如通過執(zhí)行用于去除例如由于第一防沉積板171的第一表面174上的范德華力導(dǎo)致仍殘留著的成膜層410的洗滌工藝和烘干工藝，可以從防沉積單元170完全去除成膜層410。[0091]如上所述，在不使用化學(xué)洗滌和物理表面處理的情況下，可以輕易地去除在防沉積單元170表面上形成(例如，較厚地形成)的成膜層。
[0092]圖6為說明根據(jù)本發(fā)明一實施方式的用于制造有機發(fā)光顯示裝置600的方法的剖視圖。
[0093]可作為陽極的第一電極610被形成在基板601上，并且像素限定膜619可以被形成在第一電極610上。像素限定膜619可以被形成為不覆蓋第一電極610的上表面的至少一個區(qū)域。
[0094]有機發(fā)光層620可以被形成在第一電極610上。
[0095]可作為陰極的第二電極630可以被形成在有機發(fā)光層620上。
[0096]第一無機封裝層651、第一有機封裝層661、第二無機封裝層652、第二有機封裝層662、第三無機封裝層653、第三有機封裝層663和第四無機封裝層654可以被形成在第二電極630上。雖然在圖6中未示出，但是緩沖層可以被形成在第二電極630和第一無機封裝層651上。
[0097]詳細地，第一無機封裝層651可以被形成在第二電極630上。通過使用圖1所示的沉積裝置100或圖3所示的沉積裝置300，第一有機封裝層661可以被形成在第一無機封裝層651上。
[0098]相應(yīng)地，防止了如有機材料的雜質(zhì)材料從有機單體被引入到有機發(fā)光層620，尤其是，未被第二電極630和第一無機封裝層651覆蓋的有機發(fā)光層620的表面。
[0099]通過使用無機封裝層和有機封裝層被層疊在第二電極630上的層疊結(jié)構(gòu)，有機發(fā)光顯示裝置600有效地保護有機發(fā)光層620、第一電極610和第二電極630。
[0100]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的包括防沉積單元的薄膜沉積裝置和該裝置的去除沉積物的方法，通過使用包括變形單元的多階防沉積結(jié)構(gòu)可以輕易地去除在防沉積單元上形成的成膜層。
[0101 ] 雖然已參照示例性實施方式示出并描述本發(fā)明，但是本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，在不脫離由所附權(quán)利要求書定義的本發(fā)明的精神和范圍以及它們的等同物的情況下可以對附圖所示的實施方式的形式和細節(jié)進行多種改變。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜沉積裝置，包括: 腔室； 沉積單元，設(shè)置在所述腔室中并且被配置為將原料沉積到基板上；以及防沉積單元，設(shè)置在所述腔室中，并且包括至少一個防沉積板和耦合到所述防沉積板的一個表面上的變形單元。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中， 所述至少一個防沉積板包括金屬板。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中， 所述變形單元包括形狀記憶合金。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中， 所述變形單元具有線形狀并且與所述防沉積板的所述一個表面接觸。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中， 所述至 少一個防沉積板包括第一防沉積板和第二防沉積板，并且， 所述變形單元被設(shè)置在所述第一防沉積板與所述第二防沉積板的相對的表面之間。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜沉積裝置，其中， 所述變形單元具有線形狀。
7.如權(quán)利要求5所述的薄膜沉積裝置，其中， 所述變形單元的外表面與所述第一防沉積板和所述第二防沉積板的相對的表面接觸。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜沉積裝置，其中， 所述防沉積單元被設(shè)置在所述腔室與成膜區(qū)域之間，成膜層待形成在所述成膜區(qū)域中。
9.一種去除薄膜沉積裝置的沉積物的方法，所述方法包括: 從所述薄膜沉積裝置的腔室分離防沉積單元，所述防沉積單元包括至少一個防沉積板和耦合到所述至少一個防沉積板的外表面上的變形單元；以及從所述防沉積板去除成膜層。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中， 所述至少一個防沉積板包括第一防沉積板和第二防沉積板，并且， 所述變形單元被設(shè)置在所述第一防沉積板與所述第二防沉積板的相對的表面之間。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中， 所述變形單元包括形狀記憶合金。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中， 所述變形單元具有線形狀，并且所述變形單元的外表面與所述第一防沉積板和所述第二防沉積板的相對的表面接觸。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述從所述防沉積板去除所述成膜層的步驟包括: 將所述防沉積單元載入到恒溫槽中； 分離所述成膜層的多個部分與所述防沉積單元之間的界面； 通過使用氣體吹掃工藝從所述防沉積單元去除所述成膜層；以及 從所述恒溫槽取出所述防沉積單元。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述恒溫槽被維持在高于或等于使所述變形單元變形的溫度。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，進一步包括:在取出所述防沉積單元之后執(zhí)行洗滌工藝和烘干工藝。
16.如權(quán)利要求9所述的方法，進一步包括:將所述防沉積單元安裝在所述腔室中；以及通過設(shè)置在所述腔室中的沉積單元將沉積用原料沉積到基板上。
【文檔編號】C23C14/22GK103981489SQ201310412327
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2013年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月13日
【發(fā)明者】許明洙, 金善浩, 趙喆來, 朱儇佑 申請人:三星顯示有限公司