濺射靶材及氧化金屬薄膜的制作方法
【專利摘要】一種濺射靶材，包含一種氧化金屬組成物，包括氧化銦、氧化鋅及氧化錫，基于銦、鋅及錫的原子總含量100at.%計，銦的原子含量范圍為60至80at.%，鋅的原子含量范圍為10至25at.%，錫的原子含量范圍為1至20at.%，且鋅的原子含量大于錫的原子含量，本發(fā)明濺射靶材所形成的金屬氧化物薄膜的結晶溫度不小于250℃，且其電阻率不大于5×10-4Ω·cm，且透光率不小于85%，并具備良好的蝕刻特性。
【專利說明】濺射靶材及氧化金屬薄膜
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及靶材及氧化金屬薄膜，特別是涉及一種濺射靶材及氧化金屬薄膜。該氧化金屬薄膜可應用于透明電極材料或透明氧化物半導體材料等領域。
【背景技術】
[0002] 透明導電薄膜，特別是其中透明且可導電的氧化金屬薄膜，較一般金屬薄膜而言透光率佳，而廣泛地應用于光電【技術領域】，例如:在照明【技術領域】中的有機/無機發(fā)光二極管燈的電極；或在顯示器的【技術領域】中作為液晶顯示器的內(nèi)部連線、觸控面板的電極，及主動型有機發(fā)光二極管顯不器的電極與傳輸電路。
[0003]通常，上述的氧化金屬薄膜的形成過程是準備一個濺射靶材，并以濺射的方式先整面性地形成于平坦的基板表面，或已圖案化的結構表面，再對該氧化金屬薄膜進行黃光、微影、蝕刻等制程，后根據(jù)需求制作出預定圖案的氧化金屬薄膜。目前，最常使用的濺射靶材為銦錫氧化物(ITO)，并在濺射后制作出以銦錫氧化物所構成的銦錫氧化物薄膜。
[0004]但傳統(tǒng)銦錫氧化物中的銦為稀有金屬之一，在地球中的儲藏量有限，使用者無不擔憂銦原料是否有枯竭的一天。且，銦錫氧化物薄膜在非晶態(tài)時的薄膜電阻率約為7Χ10_4Ω.cm，必需在結晶化后電阻率始有明顯下降的效果，約為2Χ10_4Ω.cm。
[0005]因此，對于有低電阻率需求的產(chǎn)品，一般會使用結晶化后的銦錫氧化物薄膜，但事實上，銦錫氧化物薄膜卻因為結晶化而衍生表面不平坦，及在弱酸中不容易蝕刻的問題。除此之外，未經(jīng)結晶化的銦錫氧化物薄膜雖具有平坦的表面，及在弱酸中易于蝕刻的特性，但除了電阻率偏高之外，卻又衍生在后制程的鋁蝕刻劑中容易被腐蝕的問題。因此，所屬【技術領域】的研究人士積極發(fā)展替代傳統(tǒng)銦錫氧化物濺射靶材的材料，目的為降低銦的使用量，并能維持金屬氧化物薄膜的均勻度、透光率、穩(wěn)定度以及制程中的蝕刻特性，為學界及業(yè)界努力研究及發(fā)展的重點之一。
[0006]日本專利公開案JP2011190542號揭示一個銦鋅錫濺射靶材，主要是通過提升該濺射靶材的密度，并配合錫與鋅間的比值(錫/鋅)大于I時，將減少濺射靶材的突起物(nodule)的產(chǎn)生，既而降低該濺射靶材異常放電的機率。
[0007]然而，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，上述日本專利公開案的JP2011190542號所揭示的濺射靶材雖然可降低自身異常放電的機率，小幅改善濺射靶材在濺射時的穩(wěn)定度，卻未能同步提升該濺射靶材所形成的氧化金屬薄膜結晶溫度，導致該氧化金屬薄膜的結晶溫度低，也造成結晶化的氧化金屬薄膜的蝕刻速率不穩(wěn)定的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種經(jīng)濺射而制得在非結晶態(tài)就具備低電阻率、結晶溫度高且蝕刻特性佳的氧化金屬薄膜的濺射靶材。
[0009]此外，本發(fā)明的另一目的，是為了提供一種在非結晶態(tài)就具備低電阻率、結晶溫度高且蝕刻特性佳的氧化金屬薄膜。[0010]于是，本發(fā)明濺射靶材，包含一種氧化金屬組成物，包括氧化銦、氧化鋅及氧化錫，基于銦、鋅及錫的原子總含量IOOat.%計，銦的原子含量范圍為60至80at.%，鋅的原子含量范圍為10至25at.%，錫的原子含量范圍為I至20at.%，且鋅的原子含量大于錫的原子含量。
[0011]較佳地，前述濺射靶材，其中該鋅原子含量與錫原子含量間比值大于I且小于2。
[0012]較佳地，前述濺射靶材，其中該氧化金屬組成物不含以銦、鋅及氧所構成的六方晶層狀化合物。
[0013]較佳地，前述濺射靶材，其中該氧化金屬組成物包括一個主體，以及一個成份比例異于該主體的副成份。
[0014]較佳地，前述濺射靶材，其中該主體為由銦、鋅、錫及氧所構成的晶相為方鐵錳礦結構。
[0015]較佳地，前述濺射靶材，其中該副成份為由銦、鋅、錫及氧所構成的化合物，且副成份中銦的原子含量百分比小于主體中銦的原子含量百分比。
[0016]較佳地，前述濺射靶材，其中該副成份為由銦、鋅、錫及氧所構成的化合物，且副成份中鋅的原子含量百分比大于主體中鋅的原子含量百分比。
[0017]較佳地,前述派射祀材,其中該氧化金屬組成物的絕對密度不小于6g/cm3。
[0018]再者，本發(fā)明氧化金屬薄膜由上述的濺射靶材所形成，其薄膜結晶溫度在250°C以上。
[0019]較佳地，前述氧化金屬薄膜的電阻率不大于5X 10_4 Ω.cm,且透光率不小于85%。
[0020]本發(fā)明的有益效果在于:利用本發(fā)明濺射靶材經(jīng)濺射所形成的氧化金屬薄膜的結晶溫度，較鋅的原子含量范圍大于錫的原子含量范圍的濺射靶材并經(jīng)濺射所形成的氧化金屬薄膜的結晶溫度高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本發(fā)明派射祀材的具體實施例1以掃貓式電子顯微鏡(Scanning ElectronMicroscope,以下簡稱SEM)進行電子束掃描該具體實施例的表面并分析背向散射電子所產(chǎn)生的信號圖(back-scattering electron,以下簡稱 BSE)；
[0022]圖2是一 BSE圖，并以箭頭說明具體實施例1的含有異于主體的副成份；
[0023]圖3是X射線衍射儀(X-ray diffraction,以下簡稱XRD)測量圖，說明以XRD測量具體實施例1時，僅測得單相結構；
[0024]圖4 是橫截面穿透式電子顯微鏡(cross-sectional transmission electronmicroscopy,以下簡稱XTEM)測量圖，說明具體實施例1的副成份為異于主體的單晶的晶相結構；
[0025]圖5是一 XTEM圖，說明具體實施例1的主體的晶相結構；
[0026]圖6是一 XTEM圖，說明具體實施例1的副成份的晶相結構；
[0027]圖7是一 BSE圖，說明將以能量散射光譜儀(Energy Dispersive Spectrometer,以下簡稱EDS)分析具體實施例1的成份比例；
[0028]圖8 — EDS圖，說明具體實施例1的成份比例；
[0029]圖9是本發(fā)明濺射靶材的具體實施例2的BSE圖；[0030]圖10是具體實施例2的XRD測量圖；
[0031 ] 圖11 一 EDS圖，說明具體實施例2的成份比例。
【具體實施方式】
[0032]下面結合附圖及實施例對本發(fā)明進行詳細說明:
[0033]本發(fā)明濺射靶材包含一氧化金屬組成物。
[0034]該氧化金屬組成物包括氧化銦、氧化鋅及氧化錫。
[0035]在該氧化金屬組成物中，當銦、鋅及錫的原子總含量以IOOat.%計時，銦的原子含量范圍為60至80at.%，鋅的原子含量范圍為10至25at.%，錫的原子含量范圍為I至20at.%，且其中，鋅的原子含量大于錫的原子含量。
[0036]較佳地，在該氧化金屬組成物中，鋅的原子含量與錫的原子含量間的比例大于I且小于2。
[0037]另一方面，該氧化金屬組成物包括一個主體，及一個含量異于該主體的副成份。該主體是以銦、鋅、錫、氧所構成的化合物，且該主體的晶相屬于方鐵錳礦結構(Bixbyite)；除此之外，當該氧化金屬組成物整體的鋅的原子含量大于錫的原子含量，配合鋅的原子含量與錫的原子含量間的比值大于I且小于2時，該主體及該副成份皆不含六方層狀化合物。
[0038]該副成份為以銦、鋅、錫、氧 所構成的化合物，且該副成份中銦的原子含量百分比小于主體中銦的原子含量百分比。
[0039]本發(fā)明濺射靶材主要經(jīng)由混合粉末、壓制成型，及燒結制成而制得。
[0040]其中，當以X射線衍射儀(X-ray diffraction,以下簡稱XRD)測量時，本發(fā)明濺射靶材的氧化金屬組成物僅測得單晶相結構；然而，當以掃瞄式電子顯微鏡(ScanningElectron Microscope,以下簡稱SEM)進行電子束掃描本發(fā)明派射祀材的氧化金屬組成物的表面并分析背向散射電子(back-scattering electron,以下簡稱BSE)所產(chǎn)生的信號，其顯示氧化金屬組成物除了主體外，還包括異于該主體的副成份所構成的二次相。再進一步地，當通過橫截面穿透式電子顯微鏡(cross-sectional transmission electronmicroscopy,以下簡稱XTEM)測量時,發(fā)現(xiàn)該主體的晶相屬于方鐵猛礦結構,更發(fā)現(xiàn)該副成份不屬于方鐵錳礦結構。且需說明的是，由于方鐵錳礦結構為所屬【技術領域】中具有通常知識者所熟知，在此不再多加贅述。
[0041]通過BSE與XTEM的分析結果可以了解，本發(fā)明濺射靶材確實至少含有該主體及該副成份，且當鋅的原子含量與錫的原子含量間的比值大于I且小于2時，該副成份非為六方晶層狀化合物。XRD分析該氧化金屬組成物為方鐵錳礦結構，并且比對TEM-DP數(shù)據(jù)后，確認方鐵錳礦結構的XRD信號來自主體結構。
[0042]再者，當以能量散射光譜儀(Energy Dispersive Spectrometer,以下簡稱EDS)分別分析該主體與該副成份所含有的成份顯示，該主體含有的金屬包含銦、鋅及錫，該副成份也含有銦、鋅及錫，但該主體與該副成份間的各種金屬的原子含量不同；再配合測量得知的晶相結構可以得知，該氧化金屬組成物除了主體外，還含有成份比例異于該主體的成份比例的副成份。
[0043]較佳地，當該氧化金屬組成物中，銦的原子含量范圍大于60且小于80at.%，鋅的原子含量范圍為大于10且小于25at.%,錫的原子含量范圍為10至15at.%時,且鋅的原子含量與錫的原子含量間的比值大于I且小于2時，該較佳實施例濺射靶材具有不含六方層狀化合物的更為穩(wěn)定的晶相結構。
[0044]本發(fā)明的主要功效在于，該濺射靶材的氧化金屬組成物的原子含量在特定范圍，配合鋅的原子含量范圍大于錫的原子含量范圍，則利用該濺射靶材經(jīng)濺射所形成的氧化金屬薄膜的結晶溫度，較鋅的原子含量范圍大于錫的原子含量范圍的濺射靶材并經(jīng)濺射所形成的氧化金屬薄膜的結晶溫度高。故，本發(fā)明通過該氧化金屬薄膜的高結晶溫度的特性，使得該氧化金屬薄膜在后續(xù)通過一般回火(約220°C )的制程后，不易結晶化，進而避免結晶化后結晶區(qū)域的蝕刻特性差的問題。
[0045]再者，由于使用不含六方晶層狀化合物的濺射靶材進行濺射法時，該濺射靶材的電性較佳，可進一步地避免電阻率高的六方晶層狀化合物產(chǎn)生的“異常放電”的問題，既而避免異常放電所造成的“濺射形成氧化金屬薄膜在一個基板的同時，多余的微小凸粒也附著在該基板上”的缺點，進而提升濺射形成氧化金屬薄膜的優(yōu)良率。因此，通過上述較佳的不含六方層狀化合物的濺射靶材，再經(jīng)濺射形成的氧化金屬薄膜也具備質量更優(yōu)良的結晶溫度與蝕刻特性、穩(wěn)定的電性，及高透光性，進而供氧化金屬薄膜更適合應用于光電【技術領域】。
[0046]其次，由于六方晶層狀化合物的結構與氧化金屬組成物的主體的晶相結構差異較大，當濺射靶材中非同時含有晶相結構為方鐵錳礦結構的主體及六方晶層狀化合物時，也可進一步地避免該濺射靶材在燒結制程后會產(chǎn)生裂靶的問題。因此，本發(fā)明通過鋅的原子含量與錫的原子含量間的比值大于I且小2，進一步將濺射靶材的主體與副成份的晶相結構相似化，可大幅降低裂靶的機率。
[0047]本發(fā)明濺射靶材的氧化金屬組成物的鋅的原子含量大于錫的原子含量，除了可以提高后續(xù)濺射形成氧化金屬薄膜的結晶溫度，而使氧化金屬薄膜不易結晶外，還可進一步地抑制濺射靶材產(chǎn)生小突起 (nodule)的問題；另外，本發(fā)明濺射靶材經(jīng)濺射形成的氧化金屬薄膜相對蝕刻劑為草酸而言，蝕刻速率較高，較容易被蝕刻，而可減少蝕刻及圖案化氧化金屬薄膜的時間。
[0048]特別地，本發(fā)明濺射靶材的氧化金屬組成物的密度不小于6g/cm3，也可避免“當靶材密度低于6g/cm3時，在濺射過程中常會因為靶材孔洞的存在而容易造成異常放電”的問題，既而顯著地提升氧化金屬薄膜的制程優(yōu)良率及借由濺射法形成均勻度高且質量佳的氧化金屬薄膜，適合應用在照明或顯示器【技術領域】。
[0049]以下為本發(fā)明濺射靶材的具體實施例1~5及比較例的制作過程。
[0050]《具體實施例1》
[0051]制作該具體實施例1所使用的原料是:高純度(>99.9%)的氧化銦3.986Kg、氧化錫0.645Kg以及氧化鋅0.37Kg等三種金屬氧化物粉末。
[0052]首先，進行球型粉末形成階段。將這三種金屬氧化物粉末依照比例混合入10~50公升的球磨桶或是100公升的球磨機；接著，加入氧化鋯球與金屬氧化物混合粉末進行連續(xù)8小時以上的球磨。其中，加入氧化鋯球的目的是使混合粉末在球磨過程中分散均勻，進而使粉末粒徑大幅降低；此外，氧化鋯球的球徑需配合粉末的原始粒徑與目標粒徑，不適合的球徑會造成效率不足或過度磨耗。繼續(xù)，在球磨的第一階段加入分散劑與純水，以得到低粘度的漿料，該第一階段可以降低粉體粒徑，使金屬氧化物粉末均勻分散，并在后制程中不易分離；再來，在球磨的第二階段時，加入粘結劑，得到高粘度漿料，使粉體與粘結劑均勻分散，并于胚件成形時提供優(yōu)異的粘結力，且易于燒結成形。接著，進行造粒步驟，其是使用噴霧干燥機等設備進行，造粒之后粉末形態(tài)需為完整扎實的圓球顆粒，而可促進粉末的流動性，并助于后續(xù)階段的進行，且特別地，造粒完成后的粉體粒徑大約是20~100微米。再者，為了確保粉末的均勻性，造粒完成后，以150mesh (目)的篩網(wǎng)過篩，配合使用搖篩機，過濾大顆粒粉末及雜質，并將過篩后的粉末保存于真空保存桶中，以避免吸水氣，導致成型困難的問題。
[0053]其次，進行靶材成型階段。先將造粒后的粉末倒入涂有脫模劑的模具中，其中，模具的尺寸視欲制作的靶材尺寸規(guī)格而定，再者，該脫模劑通常是長碳鏈化合物，適合于作為脫模劑的可以為油酸、高分子蠟、聚乙烯醇，及甲基纖維素等；接著，進行預壓:對填有粉末的模具分段加壓至200~1200kg/cm2，并加熱30~50°C，使高分子粘結劑產(chǎn)生作用，而增加粉末的流動性，并且能夠達到更好的結合能力，且預壓后脫模將粉末轉換得到相對密度為50~65%的生胚靶材，特別地，又以液壓成型的方式得到更為致密的生胚與強化強度，以利后續(xù)得到高密度靶材；還可借由控制冷液壓成型機的升壓降壓速度，使生胚不會翹曲，達到所要求的密度；又，生胚密度越高，后續(xù)燒結效率將會越高。
[0054]繼續(xù)，進行燒結階段。此階段在充滿氧氣的高溫燒結爐中進行；其中，氧氣通常與空氣、氬氣，或是氮氣混合 使用，通氧氣的用途是可以防止結構缺陷，而得到高相對密度的靶材，且相對密度介于85~99.99%間。繼續(xù)，在燒結進行時，高溫燒結爐的腔體溫度自室溫升溫到100°C，并持溫數(shù)小時，以去除生胚中的水氣；接著，再慢速升溫到700°C，并持溫數(shù)小時，以去除生胚中的高分子粘結劑。又，該種去除生胚中的高分子粘結劑的過程稱為脫蠟，并在適當?shù)目諝饬鲌鲅h(huán)帶動的條件下，將因高熱而由生胚表面揮發(fā)出來的粘結劑帶至爐外，再經(jīng)由廢氣處理裝置處理后排至大氣，而形成靶材粗胚。在脫臘過程非常重要，必須將生胚中的高分子完全去除，否則容易造成后續(xù)成型的靶材內(nèi)部殘留碳，而使靶材在濺射的使用過程中在靶材表面產(chǎn)生許多凸粒(nodule)，導致后續(xù)所形成的氧化金屬薄膜均勻性不佳；接著，將腔體升溫到900°C，進行靶材素燒預燒結，可以增強靶材粗胚的剛性。接下來，將腔體慢速升溫到1100°C，由于在這階段靶材粗胚會開始收縮，因此溫度控制非常重要，升溫速度要控制得當，避免靶材粗胚收縮過快而造成破裂、龜裂等燒結不佳的狀況；接著再慢速升溫到1300~1600°C，并停留數(shù)小時，最高溫度的選擇要視欲得到的結構或是生成相而定，溫度選擇對于靶材電阻率有很大的影響。再來，將腔體降溫到1100°C，此時，要以非常慢速的程溫控制降溫，避免造成靶材各部分降溫不均勻而破裂，繼續(xù)，再降溫到室溫，此時，可以使用爐冷的方式，或是風車程溫控制快速降溫的方式，以形成濺射靶材。
[0055]最后，進行靶材加工階段。先利用水刀或線切割設備，將濺射靶材依所需求尺寸進行切割，基于靶材硬度高，所以切割設備的耐用性、切割效率及切割損失量都應納入考慮范圍。又，因為燒結后的靶材表面粗糙，部分氧化物可能揮發(fā)，且有些許翹曲現(xiàn)象，還需再利用平面磨床搭配立式磨床進行表面研磨，并利用導角機進行導角，加工完后，濺射靶材表面平整，即完成濺射靶材的制作。
[0056]《具體實施例2》
[0057]該具體實施例2與該具體實施例1的制作方法相似，其不同處在于該具體實施例2所使用的原料是:高純度(>99.9%)的氧化銦3.662Kg、氧化錫0.85Kg以及氧化鋅0.49Kg等三種金屬氧化物粉末。
[0058]《具體實施例3》
[0059]該具體實施例3與該具體實施例1的制作方法相似，其不同處在于該具體實施例3所使用的原料是:高純度(>99.9%)的氧化銦3.415Kg、氧化錫0.777Kg以及氧化鋅0.807Kg等三種金屬氧化物粉末。
[0060]《具體實施例4》
[0061]該具體實施例4與該具體實施例1的制作方法相似，其不同處在于該具體實施例4所使用的原料是:高純度(>99.9%)的氧化銦4.047Kg、氧化錫0.488Kg以及氧化鋅0.465Kg等三種金屬氧化物粉末。
[0062]《具體實施例5》
[0063]該具體實施例5與該具體實施例1的制作方法相似，其不同處在于該具體實施例5所使用的原料是:高純度(>99.9%)的氧化銦4.155Kg、氧化錫0.205Kg以及氧化鋅0.637Kg等三種金屬氧化物粉末。
[0064]《比較例》
[0065]該比較例與該具體實施例1的制作方法相似，其不同處在于該比較例所使用的原料是:高純度(>99.9%)的氧化銦4.046Kg、氧化錫0.620Kg以及氧化鋅0.335Kg等三種金屬氧化物粉末。
[0066]< 分析 >
[0067]以下為具體實施例1~5 與比較例濺射靶材的各項分析結果，及具體實施例1~5與比較例經(jīng)濺射法在一個基板上形成厚度為IOOnm的氧化金屬薄膜的各項分析過程。
[0068][濺射靶材]
[0069]〔成份分析〕
[0070]以EDS測量及計算具體實施例1~5與比較例的主體及副成份的成份含量。
[0071]〔晶相結構分析〕
[0072]以BSE測量具體實施例1~5與比較例。
[0073]以XRD測量具體實施例1~5與比較例，觀察其繞射角度的變化，以確認主體的晶相結構；配合以XTEM測量具體實施例1~5與比較例，確認主體副成份的晶相結構是否含有六方層狀合化物。
[0074]〔密度分析〕
[0075]以阿基米德方法分析絕對密度。
[0076]〔電阻率分析〕
[0077]以四點探針分析該濺射靶材的電阻率。
[0078][氧化金屬薄膜]
[0079]〔電阻率分析〕
[0080]以四點探針分析該氧化金屬薄膜的導電率。
[0081]〔透光率分析〕
[0082]以UV-vis薄膜穿透率分析該氧化金屬薄膜的透光率(光波長400~800nm)。
[0083]〔結晶溫度分析〕
[0084]將一個受測薄膜由低溫至高溫進行退火，再以XRD判斷在各退火溫度的階段是否發(fā)生結晶化，借以測得薄膜產(chǎn)生結晶化的溫度。
[0085]〔蝕刻特性分析〕
[0086]需先說明的是，一般制程中是以草酸進行銦錫氧化物薄膜的蝕刻，并以硝酸、醋酸以及磷酸配成鋁蝕刻劑進行鋁導線的蝕刻，其中硝酸、醋酸以及磷酸的比例依各廠商技術而有差異。
[0087]本蝕刻特性分析以硝酸5%、醋酸5%、磷酸80%與水10%配成一鋁蝕刻劑。分別以草酸以及該鋁蝕刻劑對具體實施例2濺射靶材所形成的成非晶態(tài)的薄膜進行蝕刻特性的測試，并且與非晶態(tài)銦錫氧化物薄膜(a-1TO薄膜)、結晶態(tài)銦錫氧化物薄膜(c-1TO薄膜)以及非晶態(tài)銦鋅氧化物薄膜U-1ZO薄膜)比較蝕刻特性。
[0088]<分析結果>
[0089]下表1為蝕刻特性測試結果，具體實施例2濺射靶材所形成的氧化金屬薄膜具有“在草酸中容易蝕刻”的特性，且在鋁蝕刻劑中的蝕刻速率與結晶態(tài)銦錫氧化物相當，明顯較非晶態(tài)銦錫氧化物以及非晶態(tài)銦鋅氧化物緩慢。表示具體實施例2的成非晶態(tài)的金屬氧化物薄膜在草酸中容易被蝕刻，而不易被鋁蝕刻劑蝕刻，具備良好的蝕刻特性。
[0090]表1
【權利要求】
1.一種濺射靶材，其特征在于:該濺射靶材包含:一種氧化金屬組成物，包括氧化銦、氧化鋅及氧化錫，基于銦、鋅及錫的原子總含量IOOat.%計，銦的原子含量范圍為60至80at.%，鋅的原子含量范圍為10至25at.%，錫的原子含量范圍為I至20at.%，且鋅的原子含量大于錫的原子含量。
2.如權利要求1所述的濺射靶材，其特征在于:該鋅原子含量與錫原子含量間比值大于I且小于2。
3.如權利要求2所述的濺射靶材，其特征在于:該氧化金屬組成物不含以銦、鋅及氧所構成的六方晶層狀化合物。
4.如權利要求1所述的濺射靶材，其特征在于:該氧化金屬組成物包括一個主體，以及一個成份比例異于該主體的副成份。
5.如權利要求4所述的濺射靶材，其特征在于:該主體為由銦、鋅、錫及氧所構成的晶相為方鐵猛礦結構。
6.如權利要求4所述的濺射靶材，其特征在于:該副成份為由銦、鋅、錫及氧所構成的化合物，且副成份中銦的原子含量百分比小于主體中銦的原子含量百分比。
7.如權利要求4所述的濺射靶材，其特征在于:該副成份為由銦、鋅、錫及氧所構成的化合物，且副成份中鋅的原子含量百分比大于主體中鋅的原子含量百分比。
8.如權利要求1所述的濺射靶材，其特征在于:該氧化金屬組成物的絕對密度不小于6g/cm3。
9.一種氧化金屬薄膜，其特征在于:該氧化金屬薄膜是由權利要求1所述的濺射靶材所形成，其薄膜結晶溫度在250°C以上。
10.如權利要求9所述的氧化金屬薄膜，其特征在于:該氧化金屬薄膜的電阻率不大于5 X 10-4 Ω.cm,且透光率不小于85%。
【文檔編號】C23C14/34GK103540895SQ201310280288
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年7月4日 優(yōu)先權日:2012年7月10日
【發(fā)明者】盧明昌, 郭芝吟, 尹新淳, 張智詠 申請人:光洋應用材料科技股份有限公司