復(fù)合式遮罩及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種復(fù)合式遮罩及其制造方法，所述復(fù)合式遮罩包含一遮罩本體與一耐腐蝕沉積層，遮罩本體以其蝕刻孔與耐腐蝕沉積層中的耐蝕鍍膜孔結(jié)合而為該復(fù)合式遮罩的鍍膜區(qū)孔位，所述復(fù)合式遮罩制造方法主要是于一基材兩側(cè)以光微影手段分別形成一具有反向?qū)?yīng)圖案特性的第一光刻膠圖案層及第二光刻膠圖案層，再于基材具有第一光刻膠圖案層的一側(cè)以沉積手段形成一耐腐蝕沉積層，另通過第二光刻膠圖案層對基材單方向蝕刻，而使基材形成具有貫穿蝕刻孔的遮罩本體，再去除第一、第二光刻膠圖案層，以制成一包含遮罩本體與耐腐蝕沉積層的復(fù)合式遮罩，借此結(jié)合蝕刻加工速度快與耐蝕沉積層鍍膜孔的高尺寸精準(zhǔn)度，而提供一種極具產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值的復(fù)合式遮罩。
【專利說明】復(fù)合式遮罩及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種遮罩，尤指一種應(yīng)用于如濺鍍工藝或蒸鍍等鍍膜沉積工藝領(lǐng)域的 復(fù)合式遮罩及其制造方法的發(fā)明。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前顯示器產(chǎn)品主要是朝向全彩化、高分辨率化以及大面積化等趨勢發(fā)展，如使 用小分子有機(jī)電激發(fā)光材料的OLED顯示器，必須利用熱蒸鍍（thermal evaporation)等方 式鍍膜沉積于其基材預(yù)定位置形成多層特定圖形的有機(jī)膜，并在其量產(chǎn)化的制造過程中， 為了避免不同鍍膜材料間的相互污染，必須使用多腔體的真空設(shè)備與應(yīng)用不同圖形的遮罩 來進(jìn)行不同材料的鍍膜工藝。
[0003] 前述顯示器面板的鍍膜工藝中，鍍膜的質(zhì)量受遮罩的圖形、孔徑尺寸以及定位精 準(zhǔn)度等影響大，因此，具有高精度的金屬遮罩為其鍍膜工藝中必要的對象。目前蒸鍍用高精 度金屬遮罩的制造技術(shù)，概有精密蝕刻與精密電鑄等兩種，其中精密蝕刻成形的遮罩具有 制造速度快以及精密蝕刻的遮罩本體強(qiáng)度佳等特點(diǎn)，但是，遮罩中蝕刻成形的鍍膜區(qū)孔位 的圖形、孔徑尺寸等精度控制不易；至于精密電鑄成形的遮罩雖可達(dá)到鍍膜區(qū)孔位圖形、孔 徑尺寸等高精度的控制，但是需要相當(dāng)厚度的精密電鑄遮罩的制作耗時，且電鑄遮罩易因 其材質(zhì)特性而易于張網(wǎng)作業(yè)時受拉伸而變形等，故目前精密電鑄制作的遮罩與前述精密蝕 亥IJ制作的遮罩，各有其制造及使用優(yōu)缺點(diǎn)，未能達(dá)到較佳的產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種復(fù)合式遮罩及制造方法，解決現(xiàn)有精密電鑄遮罩尺寸 精準(zhǔn)度佳但本體強(qiáng)度不足的問題，以及精密蝕刻遮罩強(qiáng)度佳但尺寸不易精確控制的問題。
[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種復(fù)合式遮罩，其包含：
[0006] -遮罩本體，其包含一被鍍物面與一鍍物面分別位于相對的兩側(cè)，且具有至少一 自鍍物面延伸至被鍍物面的蝕刻孔；以及
[0007] -耐腐蝕沉積層，是固著于遮罩本體的被鍍物面，所述耐腐蝕沉積層相應(yīng)于蝕刻 孔處形成耐蝕鍍膜孔，以相連通的蝕刻孔與耐蝕鍍膜孔結(jié)合為復(fù)合式遮罩的鍍膜區(qū)孔位。
[0008] 如上所述的復(fù)合式遮罩中，所述遮罩本體的材料為鐵基合金。
[0009] 如上所述的復(fù)合式遮罩中，所述耐腐蝕沉積層為化學(xué)鎳鍍層。
[0010] 如上所述的復(fù)合式遮罩中，所述遮罩本體的材料為鐵基合金，所述耐腐蝕沉積層 為化學(xué)鎳鍍層。
[0011] 如上所述的復(fù)合式遮罩中，所述遮罩本體的厚度為〇. 〇2mm?0. 25mm，所述耐腐蝕 沉積層的厚度為1 μ m?30 μ m。
[0012] 本發(fā)明還提供一種復(fù)合式遮罩制造方法，其包含以下步驟：
[0013] 提供一基材；
[0014] 以光微影手段于基材相對的兩側(cè)表面分別形成圖案化的第一光刻膠圖案層與第 二光刻膠圖案層，成形于基材一側(cè)的第一光刻膠圖案層具有至少一圖案化凸起區(qū)塊，成形 于基材另一側(cè)的第二光刻膠圖案層具有相應(yīng)于圖案化凸起區(qū)塊的圖案化孔位；
[0015] 以沉積手段于基材具有第一光刻膠圖案層的一側(cè)表面形成一耐腐蝕沉積層，并使 圖案化凸起區(qū)塊位于所述耐腐蝕沉積層中顯露于外；
[0016] 以精密蝕刻手段自基材一側(cè)的第二光刻膠圖案層的圖案化孔位朝第一光刻膠圖 案層方向進(jìn)行單方向的蝕刻，并通過第二光刻膠圖案層上的圖案化孔位處形成貫穿基材且 相對于第一光刻膠圖案層的圖案化凸起區(qū)塊位置的蝕刻孔，使位于耐腐蝕沉積層與第二光 刻膠圖案層之間的基材形成一遮罩本體；以及
[0017] 去除遮罩本體兩側(cè)第一光刻膠圖案層與第二光刻膠圖案層，耐腐蝕沉積層于去除 的第一光刻膠圖案層的圖案化凸起區(qū)塊處形成連通蝕刻孔的耐蝕鍍膜孔，借以制成包含有 遮罩本體與耐腐蝕沉積層的復(fù)合式遮罩，遮罩本體的蝕刻孔與耐腐蝕沉積層的耐蝕鍍膜孔 結(jié)合，為該復(fù)合式遮罩的鍍膜區(qū)孔位。
[0018] 如上所述的復(fù)合式遮罩制造方法中，以光微影手段于基材相對的兩側(cè)表面分別形 成圖案化第一光刻膠圖案層與第二光刻膠圖案層步驟中，其是于基材兩側(cè)表面分別形成第 一光刻膠膜與第二光刻膠膜，次以相異特定圖案的第一光掩膜、第二光掩膜分別對第一光 刻膠膜、第二光刻膠膜進(jìn)行曝光與顯影工藝，使顯影后的第一光刻膠膜、第二光刻膠膜分別 而形成所述圖案化第一光刻膠圖案層與第二光刻膠圖案層。
[0019] 如上所述的復(fù)合式遮罩制造方法中，所述基材選用鐵基合金，所述以精密蝕刻手 段自基材第二光刻膠圖案層的一側(cè)朝第一光刻膠圖案層方向進(jìn)行單方向的蝕刻步驟中，是 選用氯化鐵蝕刻液，于沉積手段于基材具有第一光刻膠圖案層的一側(cè)表面形成一耐腐蝕沉 積層的步驟中，所述沉積手段是使用無電電鍍沉積手段，于基材表面形成無電鍍鎳鍍層作 為耐腐蝕沉積層。
[0020] 本發(fā)明可達(dá)成的有益功效是，利用遮罩本體中以單方向蝕刻手段形成蝕刻孔，另 于遮罩本體另一側(cè)事先形成一耐腐蝕沉積層，耐腐蝕沉積層中成形有耐蝕鍍膜孔，以耐蝕 鍍膜孔與連通的蝕刻孔結(jié)合為該復(fù)合式遮罩的鍍膜區(qū)孔位。由于耐腐蝕沉積層可承受基材 蝕刻時所使用蝕刻液的長時間浸泡侵蝕，使該耐腐蝕沉積層的耐蝕鍍膜孔并不會因后續(xù)蝕 刻工藝而改變其孔位形狀與尺寸，而且，利用光微影手段在基材被鍍物面形成第一光刻膠 圖案層的過程后，由于該耐腐蝕沉積層具有近乎100%的表面覆蓋率與反向表面復(fù)制性，因 此，只要能完善設(shè)計(jì)與控制基材被鍍物面形成第一光刻膠圖案層的尺寸與精度，則可以確 保該復(fù)合式遮罩的耐腐蝕沉積層的鍍膜區(qū)孔位的形狀與尺寸精度，另可確保該復(fù)合式遮罩 應(yīng)用于被鍍物的鍍膜沉積工藝中形成的鍍膜品質(zhì)與精度。
[0021] 另一方面，本發(fā)明復(fù)合式遮罩的耐腐蝕沉積層是結(jié)合相異材質(zhì)的遮罩本體，借由 遮罩本體的強(qiáng)化，使該復(fù)合式遮罩能解決現(xiàn)有全電鑄形成的遮罩易受拉伸而變形的問題， 且一并解決全蝕刻遮罩鍍膜區(qū)孔位的圖形、孔徑尺寸與定位精度不足的問題；再者，由于后 續(xù)基材蝕刻時，無需非常精準(zhǔn)地控制蝕刻孔位的尺寸精度，該遮罩本體蝕刻孔的蝕刻作業(yè) 將變?yōu)橄鄬唵?，可大幅提升全蝕刻遮罩的生產(chǎn)良率，相較于全電鑄遮罩亦具有大幅縮減 工時的功效。
[0022] 以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023] 圖1是本發(fā)明復(fù)合式遮罩的一較佳實(shí)施例的立體示意圖。
[0024] 圖2是圖1所示復(fù)合式遮罩較佳實(shí)施例的剖面示意圖。
[0025] 圖3是本發(fā)明復(fù)合式遮罩制造方法的一較佳實(shí)施例的流程示意圖。
[0026] 圖4是圖3中以蝕刻手段經(jīng)由第二光刻膠圖案層的對應(yīng)孔使基材形成自鍍物面延 伸至被鍍物面的蝕刻孔的剖面示意圖。
[0027] 圖5是圖2所示復(fù)合式遮罩實(shí)際應(yīng)用于鍍膜沉積設(shè)備中的剖面示意圖。
[0028] 其中，附圖標(biāo)記：
[0029] 1遮罩本體
[0030] IA 基材
[0031] 10蝕刻孔
[0032] 11被鍍物面
[0033] 12鍍物面
[0034] 2耐腐蝕沉積層
[0035] 20耐蝕鍍膜孔
[0036] 3第一光刻膠圖案層
[0037] 3A第一光刻膠膜
[0038] 30圖案化凸起區(qū)塊
[0039] 4第二光刻膠圖案層
[0040] 4A第二光刻膠膜
[0041] 40圖案化孔位
[0042] 5第一光掩膜
[0043] 6第二光掩膜
[0044] 7沉積材料源
[0045] 8被鍍物

【具體實(shí)施方式】
[0046] 以下配合圖式及本發(fā)明的較佳實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所 采取的技術(shù)手段。
[0047] 本發(fā)明是包含一復(fù)合式遮罩以及一復(fù)合式遮罩制造方法，如圖1及圖2所示，是公 開本發(fā)明復(fù)合式遮罩的一較佳實(shí)施例，該復(fù)合式遮罩是包含一遮罩本體1以及一耐腐蝕沉 積層2。
[0048] 如圖1及圖2所示，所述遮罩本體1是選用低膨脹系數(shù)的材料所制成為佳，如鐵鎳 合金（Invar)等鐵基合金材料，不易因?qū)嵤┑沫h(huán)境溫度改變而產(chǎn)生變形，確保遮罩本體形 狀的穩(wěn)定性，所述鐵鎳合金材質(zhì)的遮罩本體1厚度以〇. 〇2mm?0. 25mm為佳。若基于成本 考慮或由于鐵鎳合金（Invar)板材不易獲得的緣故，亦可采用膨脹系數(shù)較鐵鎳合金為高的 不銹鋼材料板材替換代之。
[0049] 所述遮罩本體1包含有一被鍍物面11與一鍍物面12,該被鍍物面11與鍍物面12 分別位于遮罩本體1相對的兩側(cè)，且該遮罩本體1中蝕刻形成至少一個自鍍物面12延伸至 被鍍物面11的蝕刻孔10,該遮罩本體1于蝕刻孔10孔壁部位需具有足夠的強(qiáng)度，而不易因 實(shí)施環(huán)境的施加應(yīng)力或溫度改變而產(chǎn)生變形的功用，所述遮罩本體的蝕刻孔的數(shù)量、位置、 圖形以及尺寸等，是依被鍍物鍍膜沉積工藝的需求而決定。
[0050] 如圖1及圖2所示，所述耐腐蝕沉積層2的材質(zhì)需具備可承受遮罩本體1于蝕刻 成形蝕刻孔10所使用蝕刻液的浸蝕，所述耐腐蝕沉積層2可以電鍍、電鑄、化學(xué)鍍膜、物理 濺鍍或蒸鍍等各種沉積手段成形于遮罩本體1的被鍍物面11 ;當(dāng)遮罩本體1為鐵基合金材 料時，如鐵鎳合金（INVAR)等，遮罩本體1蝕刻成形蝕刻孔10所使用的蝕刻液可選用氯化 鐵（FeCl 3)系列蝕刻液，此時，可以使用無電電鍍鎳（Electroless Nickel Plating)手段于 遮罩本體1的被鍍物面11上形成化學(xué)組成為Ni-P或Ni-B的化學(xué)鎳鍍層作為所述耐腐蝕 沉積層2,所述耐腐蝕沉積層2可于氯化鐵（FeCl 3)蝕刻液環(huán)境下，承受至少30分鐘以上的 浸蝕，而不影響其原有尺寸精確度；所述的耐腐蝕沉積層2不需要太厚，基本只要能完整復(fù) 制出原第一光刻膠圖案層3上的圖案化凸起區(qū)塊30的尺寸及精度即可，一般而言，所述耐 腐蝕沉積層2的厚度為1 μ m?30 μ m皆可滿足其尺寸穩(wěn)定性的強(qiáng)度需求，可視配合使用的 第一光刻膠圖案層3的厚度來調(diào)整使用。前述中，成形于遮罩本體1上耐腐蝕沉積層2尚 需與被鍍物面11間具有較佳附著性，使耐腐蝕沉積層2不易自遮罩本體1的被鍍物面11 上剝離。
[0051] 如圖1及圖2所示，所述耐腐蝕沉積層2中相應(yīng)于蝕刻孔10處形成耐蝕鍍膜孔20， 以相連通的蝕刻孔10與耐蝕鍍膜孔20結(jié)合為復(fù)合式遮罩的鍍膜區(qū)孔位，如圖2所示的鍍 膜區(qū)孔位的耐蝕鍍膜孔20是相應(yīng)于被鍍物鍍膜沉積工藝所預(yù)定的鍍膜圖形、位置及尺寸， 而遮罩本體1的蝕刻孔10因蝕刻成形之故，而呈現(xiàn)大于且接近耐蝕鍍膜孔20的形狀。
[0052] 為實(shí)現(xiàn)前述復(fù)合式遮罩，本發(fā)明進(jìn)一步提出的復(fù)合式遮罩制造方法，如圖3所示， 所述復(fù)合式遮罩制造方法是包含以下步驟：
[0053] 提供一基材1A，所述基材IA的材料可選用鐵鎳合金（Invar)，或以不銹鋼材取代， 該基材IA相對的兩側(cè)界定為一被鍍物面11與一鍍物面12 ;
[0054] 以光微影手段于基材IA的被鍍物面11、鍍物面12分別形成已圖案化第一光刻膠 圖案層3與第二光刻膠圖案層4,其中，形成于基材IA被鍍物面11的第一光刻膠圖案層3 具有至少一凸起狀的圖案化凸起區(qū)塊30,而形成于基材IA鍍物面12的第二光刻膠圖案層 4具有至少一凹陷狀的圖案化孔位40,所有第一光刻膠圖案層3的圖案化凸起區(qū)塊30與 第二光刻膠圖案層4的圖案化孔位40,皆呈現(xiàn)倆倆相互對應(yīng)形態(tài)而具有反向?qū)?yīng)圖案的特 性，也就是說，所有第一光刻膠圖案層3上的每一圖案化凸起區(qū)塊30,皆具有其位于第二光 刻膠圖案層4上的相對應(yīng)的圖案化孔位40,反之亦然，所述第一光刻膠圖案層3與第二光刻 膠圖案層4的光刻膠材料及其厚度是依基材IA使用的材料與基材厚度來決定，所述第一光 刻膠圖案層3與后續(xù)待成形的耐腐蝕沉積層2兩者厚度越接近越好，其中以厚度相等最佳， 于本較佳實(shí)施例中，所述第一光刻膠圖案層3厚度約15 μ m ;
[0055] 以沉積手段于基材IA的被鍍物面11形成一耐腐蝕沉積層2,并使第一光刻膠圖案 層3中的圖案化凸起區(qū)塊30位于耐腐蝕沉積層2中顯露于外，亦即圖案化凸起區(qū)塊30位 于耐腐蝕沉積層2中呈等高的型態(tài)，或者，圖案化凸起區(qū)塊30凸出于耐腐蝕沉積層2表面 的型態(tài)，于本較佳實(shí)施例中，所述耐腐蝕沉積層2厚度約為2 μ m?15 μ m，而此時，由于基 材IA的被鍍物面11將完全地被第一光刻膠圖案層3中的圖案化凸起區(qū)塊30,以及包圍于 其外的耐腐蝕沉積層2所遮護(hù)，二者皆可確?；腎A的被鍍物面11在后續(xù)蝕刻過程中不 受蝕刻液腐蝕，并形成厚度較厚（約15 μ m)的第一光刻膠圖案層3中的圖案化凸起區(qū)塊30 以凸起狀位于耐腐蝕沉積層2中；在沉積過程開始前，基材IA的鍍物面12需要簡易的整面 遮護(hù)處理，以保護(hù)在其上的第二光刻膠圖案層4,并于沉積過程結(jié)束后立即將其解除復(fù)原；
[0056] 以精密蝕刻手段經(jīng)由第二光刻膠圖案層4的圖案化孔位40對基材IA單方向蝕 亥IJ，使基材IA中形成自鍍物面12延伸至被鍍物面11的蝕刻孔10,蝕刻孔10位于被鍍物 面11的一端對應(yīng)于第一光刻膠圖案層3圖案化凸起區(qū)塊30,使位于耐腐蝕沉積層2與第二 光刻膠圖案層4之間的基材IA形成遮罩本體1，如圖4所示，所述蝕刻孔10因蝕刻成形不 易控制之故，所述蝕刻孔10鄰接第一光刻膠圖案層3圖案化凸起區(qū)塊30的一端，可呈現(xiàn)稍 大于第一光刻膠圖案層3圖案化凸起區(qū)塊30的形態(tài)，而不會影響整體復(fù)合式遮罩的使用效 能；以及
[0057] 去除第一光刻膠圖案層3與第二光刻膠圖案層4,耐腐蝕沉積層2因第一光刻膠 圖案層3的去除而其中形成耐蝕鍍膜孔20,借此，制成一包含有遮罩本體1與耐腐蝕沉積 層2的復(fù)合式遮罩，所述復(fù)合式遮罩中，遮罩本體1的蝕刻孔10與耐腐蝕沉積層2的耐蝕 鍍膜孔20連通結(jié)合，為該復(fù)合式遮罩的鍍膜區(qū)孔位，所述整體復(fù)合式遮罩在后續(xù)鍍膜使用 上的尺寸精度，則完全取決于耐腐蝕沉積層2上的耐蝕鍍膜孔20的位置精度與尺寸公差精 確度。
[0058] 如圖3所示，所述以光微影手段于基材IA的被鍍物面11以及鍍物面12分別形成 已圖案化第一光刻膠圖案層3與第二光刻膠圖案層4的步驟，所述光微影手段可為黃光微 影手法，其中是于基材IA被鍍物面11、鍍物面12分別形成第一光刻膠膜3A、第二光刻膠 膜4A，所述第一光刻膠膜3A與第二光刻膠膜4A的光刻膠材料可為正光刻膠或負(fù)光刻膠， 其中，該第一光刻膠膜3A的厚度略大于或等于耐腐蝕沉積層2的預(yù)定厚度，且二者厚度越 接近越好，如果兩者的厚度能夠相等最佳，一般而言，所述耐腐蝕沉積層2的厚度為1 μ m? 30 μ m皆可滿足其尺寸穩(wěn)定性的強(qiáng)度需求，第一光刻膠膜3A厚度則依所述耐腐蝕沉積層2 的厚度而調(diào)整，于本較佳實(shí)施例中，所述耐腐蝕沉積層2的厚度為2 μ m?15 μ m，第一光刻 膠膜3A的厚度約15 μ m，其次，使用相異特定圖案的第一光掩膜5、第二光掩膜6分別對第 一光刻膠膜3A、第二光刻膠膜4A進(jìn)行曝光、顯影等工藝后，顯影后的第一光刻膠膜3A、第二 光刻膠膜4A分別形成所述已圖案化第一光刻膠圖案層3與第二光刻膠圖案層4,其中成形 于基材IA被鍍物面11的第一光刻膠圖案層3具有至少一相應(yīng)于預(yù)定鍍膜區(qū)孔位的圖案化 凸起區(qū)塊30,基材IA被鍍物面11相對于圖案化凸起區(qū)塊30外圍部位顯露于外，第二光刻 膠圖案層4覆蓋于基材IA鍍物面12且第二光刻膠圖案層4中形成相應(yīng)于圖案化凸起區(qū)塊 30位置的圖案化孔位40,亦即所有第一光刻膠圖案層3的圖案化凸起區(qū)塊30與第二光刻 膠圖案層4的凹陷狀圖案化孔位40,皆呈現(xiàn)倆倆相互對應(yīng)形態(tài)。
[0059] 前述以沉積手段于基材IA的被鍍物面11形成一耐腐蝕沉積層2的步驟中，所述 的沉積手段可選用電鍍、無電電鍍、電鑄等各種沉積手段，于基材IA的被鍍物面11形成耐 腐蝕沉積層2時，所述第一光刻膠圖案層3的圖案化凸起區(qū)塊30是位于耐腐蝕沉積層2中； 在沉積過程開始前，基材IA的鍍物面12需要簡易的整面遮護(hù)處理，以保護(hù)在其上的第二光 刻膠圖案層4,并于沉積過程結(jié)束后立即將其解除復(fù)原。之后，進(jìn)行以精密蝕刻手段經(jīng)由第 二光刻膠圖案層4的圖案化孔位40對基材IA進(jìn)行單方向蝕刻而成形具有蝕刻孔10的遮罩 本體1的步驟，再進(jìn)行后續(xù)去除第一光刻膠圖案層3與第二光刻膠圖案層4的步驟，使耐腐 蝕沉積層2于原先圖案化凸起區(qū)塊30區(qū)域形成一相對形狀的凹陷狀耐蝕鍍膜孔20,本發(fā)明 于所述以沉積手段于基材IA的被鍍物面11形成一耐腐蝕沉積層2的步驟中，基于材料特 性選擇一可以承受后續(xù)基材IA蝕刻時用蝕刻液腐蝕的特定沉積工藝手段，或是可調(diào)整沉 積工藝參數(shù)，使所得的沉積層具有耐蝕刻液腐蝕的特性，即可在基材IA具有第一光刻膠圖 案層3的被鍍物面11形成一耐腐蝕沉積層2 ;以最常見的鐵（Fe)基金屬遮罩為例，如鎳基 合金（Invar)、SUS系列不銹鋼等，最常用的即為氯化鐵（FeCl3)蝕刻液，而實(shí)驗(yàn)證實(shí)，以無 電電鍍沉積法所得的Ni-P化學(xué)鎳鍍層所構(gòu)成耐腐蝕沉積層2,即具有可在氯化鐵（FeCl 3) 蝕刻液中承受長達(dá)30分鐘，而不損其孔位邊緣平整性與尺寸精確度的耐蝕刻特性。
[0060] 借由前公開的復(fù)合式遮罩應(yīng)用于蒸鍍或?yàn)R鍍等鍍膜沉積設(shè)備中，如圖5及圖2所 示，是將該復(fù)合式遮罩設(shè)置于沉積材料源7與被鍍物8之間，并使該復(fù)合式遮罩的耐腐蝕沉 積層2朝向被鍍物，遮罩本體1朝向沉積材料源7,當(dāng)進(jìn)行蒸鍍或?yàn)R鍍等鍍膜沉積工藝時，沉 積材料源7經(jīng)由熱蒸發(fā)或高能量離子撞擊產(chǎn)生的沉積材料中原子或分子解離后，解離的沉 積材料原子或分子中的一部分能通過該復(fù)合式遮罩中的鍍膜區(qū)孔位，而于被鍍物8表面預(yù) 定位置形成鍍膜，其中復(fù)合式遮罩的鍍膜區(qū)孔位鄰近被鍍物8 -側(cè)為耐腐蝕沉積層2的耐 蝕鍍膜孔20,耐腐蝕沉積層2的耐蝕鍍膜孔20具有高精密度圖形、尺寸特性，被鍍物8上的 鍍膜圖案尺寸精度完全由本發(fā)明復(fù)合式遮罩中的耐蝕鍍膜孔20來決定，故使通過復(fù)合式 遮罩的鍍膜區(qū)孔位而沉積于被鍍物表面形成鍍膜具有高精準(zhǔn)度的圖形與尺寸，使被鍍物的 鍍膜沉積工藝具有良好質(zhì)量。
[0061] 當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形 都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種復(fù)合式遮罩，其特征在于，其包含： 一遮罩本體，其包含一被鍍物面與一鍍物面分別位于相對的兩側(cè)，且具有至少一自鍍 物面延伸至被鍍物面的蝕刻孔；以及 一耐腐蝕沉積層，是固著于遮罩本體的被鍍物面，所述耐腐蝕沉積層相應(yīng)于蝕刻孔處 形成耐蝕鍍膜孔，以相連通的蝕刻孔與耐蝕鍍膜孔結(jié)合為復(fù)合式遮罩的鍍膜區(qū)孔位。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式遮罩，其特征在于，所述遮罩本體的材料為鐵基合金。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式遮罩，其特征在于，所述耐腐蝕沉積層為化學(xué)鎳鍍層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式遮罩，其特征在于，所述遮罩本體的材料為鐵基合金， 所述耐腐蝕沉積層為化學(xué)鎳鍍層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的復(fù)合式遮罩，其特征在于，所述遮罩本體的厚度 為0. 02mm?0. 25mm，所述耐腐蝕沉積層的厚度為1 μ m?30 μ m。
6. -種復(fù)合式遮罩制造方法，其特征在于，其包含以下步驟： 提供一基材； 以光微影手段于基材相對的兩側(cè)表面分別形成圖案化的第一光刻膠圖案層與第二光 刻膠圖案層，成形于基材一側(cè)的第一光刻膠圖案層具有至少一圖案化凸起區(qū)塊，成形于基 材另一側(cè)的第二光刻膠圖案層具有相應(yīng)于圖案化凸起區(qū)塊的圖案化孔位； 以沉積手段于基材具有第一光刻膠圖案層的一側(cè)表面形成一耐腐蝕沉積層，并使圖案 化凸起區(qū)塊位于所述耐腐蝕沉積層中顯露于外； 以精密蝕刻手段自基材一側(cè)的第二光刻膠圖案層的圖案化孔位朝第一光刻膠圖案層 方向進(jìn)行單方向的蝕刻，并通過第二光刻膠圖案層上的圖案化孔位處形成貫穿基材且相對 于第一光刻膠圖案層的圖案化凸起區(qū)塊位置的蝕刻孔，使位于耐腐蝕沉積層與第二光刻膠 圖案層之間的基材形成一遮罩本體；以及 去除遮罩本體兩側(cè)第一光刻膠圖案層與第二光刻膠圖案層，耐腐蝕沉積層于去除的 第一光刻膠圖案層的圖案化凸起區(qū)塊處形成連通蝕刻孔的耐蝕鍍膜孔，借以制成包含有遮 罩本體與耐腐蝕沉積層的復(fù)合式遮罩，遮罩本體的蝕刻孔與耐腐蝕沉積層的耐蝕鍍膜孔結(jié) 合，為該復(fù)合式遮罩的鍍膜區(qū)孔位。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的復(fù)合式遮罩制造方法，其特征在于，以光微影手段于基材相 對的兩側(cè)表面分別形成圖案化第一光刻膠圖案層與第二光刻膠圖案層步驟中，其是于基材 兩側(cè)表面分別形成第一光刻膠膜與第二光刻膠膜，次以相異特定圖案的第一光掩膜、第二 光掩膜分別對第一光刻膠膜、第二光刻膠膜進(jìn)行曝光與顯影工藝，使顯影后的第一光刻膠 膜、第二光刻膠膜分別而形成所述圖案化第一光刻膠圖案層與第二光刻膠圖案層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的復(fù)合式遮罩制造方法，其特征在于，所述基材選用鐵基合 金，所述以精密蝕刻手段自基材第二光刻膠圖案層的一側(cè)朝第一光刻膠圖案層方向進(jìn)行單 方向的蝕刻步驟中，是選用氯化鐵蝕刻液，于沉積手段于基材具有第一光刻膠圖案層的一 側(cè)表面形成一耐腐蝕沉積層的步驟中，所述沉積手段是使用無電電鍍沉積手段，于基材表 面形成無電鍍鎳鍍層作為耐腐蝕沉積層。
【文檔編號】C23C18/32GK104213072SQ201310214662
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月31日
【發(fā)明者】李訓(xùn)杰, 李仲仁, 酈唯誠, 趙勤孝 申請人:旭暉應(yīng)用材料股份有限公司