成膜裝置制造方法
【專利摘要】成膜裝置具有：設(shè)有安裝有靶的安裝面的多個(gè)靶電極、及使所述基板保持在相對(duì)于所述多個(gè)靶電極的位置的基板支架、可旋轉(zhuǎn)地設(shè)在所述多個(gè)靶電極及所述基板支架之間且具有旋轉(zhuǎn)時(shí)相對(duì)于所述安裝面的多個(gè)開(kāi)口的第1擋板構(gòu)件、及所述第1擋板構(gòu)件的2個(gè)面之中被配置于所述靶電極側(cè)的一個(gè)面上的所述第1擋板構(gòu)件的開(kāi)口之間的第1分離部、及配置于所述第1擋板構(gòu)件及所述靶電極之間的第2分離部。驅(qū)動(dòng)第1擋板構(gòu)件使所述第1分離部及所述第2分離部相互接近，以便在所述第1分離部及所述第2分離部之間形成非直路徑的方式，驅(qū)動(dòng)第1檔板構(gòu)件使所述第1分離部及所述第2分離部相互分離以便使所述第1擋板旋轉(zhuǎn)。
【專利說(shuō)明】成膜裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明是有關(guān)于成膜裝置，例如具體地有關(guān)于在單一室內(nèi)具備材料不同的多個(gè)靶電極的、且利用旋轉(zhuǎn)擋板裝置通過(guò)噴濺形成多層膜的多靶噴濺成膜裝置中污染的防止和減少。
【背景技術(shù)】
[0002]多靶噴濺成膜裝置(例如專利文獻(xiàn)I)中可以在一個(gè)成膜室內(nèi)通過(guò)從基板上的底層至頂層不中斷地連續(xù)進(jìn)行噴濺形成所需的多層膜。
[0003]為了進(jìn)行多層膜的噴濺成膜，在專利文獻(xiàn)I的成膜裝置中，在一個(gè)室內(nèi)將復(fù)數(shù)不同材料的靶配置于室頂部，換句話說(shuō)，即在膜形成于其上的基板的上方空間中，且設(shè)有供選擇在噴濺成膜中使用的靶的擋板裝置。此擋板裝置具有彼此獨(dú)立旋轉(zhuǎn)的雙層擋板的構(gòu)造，2個(gè)擋板中的各個(gè)擋板具有形成于所需位置的所需數(shù)量的開(kāi)口，以便可從基板側(cè)看見(jiàn)所選擇的靶。
[0004]通過(guò)旋轉(zhuǎn)擋板裝置遮蔽不成膜材料的靶，并使被噴濺成膜的材料的靶從基板可通過(guò)開(kāi)口看見(jiàn)。旋轉(zhuǎn)擋板裝置具有從基板所見(jiàn)幾乎圓形狀的2個(gè)擋板，此2個(gè)擋板可以獨(dú)立旋轉(zhuǎn)。選擇在噴濺成膜中使用的靶，由旋轉(zhuǎn)擋板裝置將各擋板旋轉(zhuǎn)，使在成膜中需使用的材料的靶通過(guò)開(kāi)口面對(duì)基板。
[0005]按照特定順序選擇在成膜中使用的不同材料的多個(gè)靶進(jìn)行噴濺成膜時(shí)，如果在靶間發(fā)生污染成膜的性能有可能下降。需要用于將性能良好的多層膜堆積在基板上確實(shí)防止污染發(fā)生的技術(shù)。
[0006]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2011-001597號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明要解決的課題
[0010]按照特定的順序選擇在成膜中使用的不同材料的多個(gè)靶進(jìn)行噴濺成膜時(shí)，如果靶間發(fā)生污染，成膜的性能可能下降。需要用于為了將性能良好的多層膜堆積在基板上而確實(shí)防止污染發(fā)生的技術(shù)。
[0011]鑒于上述的課題，本發(fā)明的目的是提供一種成膜裝置，在I個(gè)室內(nèi)具備多個(gè)靶且通過(guò)噴濺形成多層膜，且由旋轉(zhuǎn)擋板裝置選擇靶，該成膜裝置構(gòu)造成可以減少在靶間污染的發(fā)生。
[0012]用以解決課題的手段
[0013]本發(fā)明的成膜裝置具有:設(shè)有安裝有靶的安裝面的多個(gè)靶電極、及使所述基板保持在相對(duì)于所述多個(gè)靶電極的位置的基板支架、可旋轉(zhuǎn)地設(shè)在所述多個(gè)靶電極及所述基板支架之間且具有旋轉(zhuǎn)時(shí)相對(duì)于所述安裝面的多個(gè)開(kāi)口的第I擋板構(gòu)件、所述第I擋板構(gòu)件的2個(gè)面之中配置于所述靶電極側(cè)的一個(gè)面中的所述第I擋板構(gòu)件的開(kāi)口及開(kāi)口之間的第I分離部、及配置于所述第I擋板構(gòu)件及所述靶電極之間的第2分離部，其中驅(qū)動(dòng)所述第I擋板構(gòu)件使前述第I分離部及前述第2分離部相互接近以便在所述第I分離部及所述第2分離部之間形成非直路徑，驅(qū)動(dòng)前述第I檔板使前述第I分離部及前述第2分離部相互分離以便使所述第I擋板旋轉(zhuǎn)。
[0014]發(fā)明的效果
[0015]本發(fā)明提供一種成膜裝置，其在I個(gè)室內(nèi)具備多個(gè)靶且通過(guò)噴濺形成多層膜，其中由旋轉(zhuǎn)擋板裝置進(jìn)行靶的選擇，該成膜裝置構(gòu)造成減少靶間污染的發(fā)生。
[0016]本發(fā)明的其他的特征及優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)參照附圖的以下的說(shuō)明會(huì)更明顯。另外，在附圖中，對(duì)于相同或同樣的部件給予了相同的參照符號(hào)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]附圖是被包含在說(shuō)明書(shū)中，并構(gòu)成其一部分，且是為了顯示本發(fā)明的實(shí)施例，并用于與其記載一起說(shuō)明本發(fā)明的原理。
[0018]圖1示出本發(fā)明的第I實(shí)施例的成膜裝置的豎直剖面圖。
[0019]圖2示出構(gòu)成本發(fā)明的第I實(shí)施例的擋板裝置的各構(gòu)件的立體圖。
[0020]圖3示出構(gòu)成本發(fā)明的第I實(shí)施例的擋板裝置的各構(gòu)件從上方所見(jiàn)的示意圖。
[0021]圖4A示出圖3的1-1剖面圖。
[0022]圖4B示出圖3的I1-1I剖面圖。
[0023]圖5示出本發(fā)明的第I實(shí)施例的擋板裝置的立體圖。
[0024]圖6示出形成于本發(fā)明的第I實(shí)施例的擋板裝置的非直路徑(indirect path)部分的剖面圖。
[0025]圖7A示出本發(fā)明的第2實(shí)施例的擋板裝置的剖面圖。
[0026]圖7B示出本發(fā)明的第2實(shí)施例的擋板裝置的剖面圖。
[0027]圖8示出本發(fā)明的第2實(shí)施例的擋板裝置的立體圖。
[0028]圖9A示出本發(fā)明的第3實(shí)施例的擋板裝置的剖面圖。
[0029]圖9B示出本發(fā)明的第3實(shí)施例的擋板裝置的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下，依據(jù)【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的最佳的實(shí)施例。以下說(shuō)明的構(gòu)件、配置等只是將發(fā)明具體化的一例并非限定本發(fā)明的范圍，當(dāng)然可以根據(jù)本發(fā)明的精神進(jìn)行各種改變。本發(fā)明的成膜裝置的適用不限定于濺射裝置，本發(fā)明可適用于在真空容器內(nèi)由擋板裝置選擇蒸鍍材料的各種PVD裝置。
[0031](第I實(shí)施例)
[0032]依據(jù)圖1~6說(shuō)明本發(fā)明的第I實(shí)施例的成膜裝置。圖1是本發(fā)明的第I實(shí)施例的成膜裝置的豎直剖面圖。成膜裝置I包括真空容器，在真空容器51的內(nèi)部設(shè)有4個(gè)靶電極35~38 (36,37未示出)的濺射成膜裝置，還包括保持基板W的基板支架3和可以將給定的靶T暴露在基板W的擋板裝置4。擋板裝置4配置于靶T及基板W之間的位置處。
[0033]在圖1中，用于將成膜裝置I的內(nèi)部成為所需的真空狀態(tài)的真空排氣單元、朝靶電極35~38供給電力的單元、通過(guò)閘門閥GV將基板支架3上的基板W交換的基板搬運(yùn)裝置、生成例如處理氣體導(dǎo)入單元的等離子的單元未示出。
[0034]基板支架3可旋轉(zhuǎn)地設(shè)在成膜裝置I的底面部的中央，可以將基板W保持在水平狀態(tài)下。朝基板W上噴濺成膜時(shí)，基板W是被保持在旋轉(zhuǎn)狀態(tài)下。4個(gè)靶電極35~38，是在傾斜狀態(tài)下被安裝在成膜裝置I的真空容器51的頂部52。
[0035]靶電極支架61是被設(shè)在構(gòu)成真空容器51的上部的頂部52。靶電極支架61，是具有4個(gè)用于將靶電極保持的安裝部61a的構(gòu)件。靶電極支架61也有作為真空容器51的蓋的功能。在本實(shí)施例中，安裝部61a雖是與頂部52—體地構(gòu)成，但是也可以在真空容器51的一部分設(shè)置安裝部61a。
[0036]由安裝部61a保持的靶電極，可以將被黏著的用于成膜處理的給定成膜物質(zhì)的靶T朝向基板W的方向保持。將保持靶電極的靶T的部分作為靶安裝面。
[0037]圖1只有圖示位于剖面中的2個(gè)靶電極。在被傾斜設(shè)置的各靶電極35~38上，靶T被配置成可以相面對(duì)于被水平配置于靶電極下方的基板W的上面。靶T被黏著有成膜處理所使用的成膜材料。
[0038]在此，靶T及基板相面對(duì)的狀態(tài)也包含:靶電極朝向基板周邊定向的狀態(tài)、和如圖1所示使靶T的噴濺面傾斜朝向基板34的狀態(tài)。且形成于基板的多層膜裝置的例子包括LED、MRAM、TMR頭、進(jìn)階(改良型)GMR等。根據(jù)所形成的多層膜裝置的膜構(gòu)成來(lái)改變被安裝于成膜裝置I的靶電極的靶的種類。
[0039]在此，依據(jù)圖2~6說(shuō)明擋板裝置4的構(gòu)造。圖2示出構(gòu)成擋板裝置4的構(gòu)件之中的上部遮蔽板13、第I擋板15和第2擋板17的立體圖。圖3示出構(gòu)成擋板裝置4的構(gòu)件之中的上部遮蔽板13、第I擋板15和第2擋板17從上方所見(jiàn)的示意圖。在圖3中，為使從分離部(第2分離部)71及分離部(第I分離部)72的上方所見(jiàn)的位置關(guān)系明確，而將從上方看不見(jiàn)的分離部71用虛線表示。
[0040]擋板裝置4包括作為主要的構(gòu)成要素的上部遮蔽板(遮蔽構(gòu)件)13、第I擋板(第I擋板構(gòu)件)15、第2擋板(第2擋板構(gòu)件)17。第I擋板15及第2擋板17構(gòu)成雙層旋轉(zhuǎn)的擋板。由擋板裝置4將各擋板(15、17)定位在預(yù)定位置,在被分別安裝于4個(gè)祀電極35~38的多個(gè)靶T之一被用于飛濺成膜，該靶T可以面臨基板W。
[0041]上部遮蔽板13是被安裝于靶電極支架61的構(gòu)件，防止膜附著于靶電極支架61。未配置上部遮蔽板13的情況下靶電極支架61的基板側(cè)的表面與第I擋板15相面對(duì)。第I擋板15及第2擋板17構(gòu)成雙層旋轉(zhuǎn)的擋板。應(yīng)該明白上部遮蔽板13、第I擋板15和第2擋板17皆在上方具有凸的彎曲形狀。
[0042]上部遮蔽板(遮蔽構(gòu)件)13是設(shè)在靶電極支架61的基板支架3側(cè)的防附著遮蔽板，可以防止從靶T噴濺的物質(zhì)附著在靶電極支架61。如上所述，靶電極支架61中形成4個(gè)安裝部61a。安裝部61a各個(gè)保持有靶電極C。各靶電極C具有安裝有靶T的面(安裝面)，上部遮蔽板13在相面對(duì)于靶電極的靶安裝面的區(qū)域中分別形成有開(kāi)口 13a。在相面對(duì)于第I檔板15的上部遮蔽板13的2個(gè)面之中的一個(gè)面上，在上部遮蔽板13的兩個(gè)開(kāi)口 13a之間設(shè)有分離部71。分離部71，例如可以是凸部。
[0043]第I擋板(第I擋板構(gòu)件)15是在上部遮蔽板13的基板支架3側(cè)上可旋轉(zhuǎn)設(shè)置的擋板，通過(guò)使旋轉(zhuǎn)軸15b旋轉(zhuǎn)可以控制第I擋板15的旋轉(zhuǎn)角度。第I擋板15在相面對(duì)于2個(gè)靶電極的靶安裝面的區(qū)域中形成有開(kāi)口 15a。第I擋板15的2個(gè)開(kāi)口 15a形成于關(guān)于旋轉(zhuǎn)軸15b對(duì)稱的位置。
[0044]通過(guò)第I驅(qū)動(dòng)裝置21驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)軸15b。第I驅(qū)動(dòng)裝置21構(gòu)成為使旋轉(zhuǎn)軸15b相對(duì)于靶電極支架61旋轉(zhuǎn)并上下移動(dòng)，因此可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)軸15b使第I擋板15旋轉(zhuǎn)并上下移動(dòng)。第I驅(qū)動(dòng)裝置21例如可包含使旋轉(zhuǎn)軸15b旋轉(zhuǎn)及上下移動(dòng)的馬達(dá)及用于控制馬達(dá)的控制器。第I驅(qū)動(dòng)裝置21能夠通過(guò)使旋轉(zhuǎn)軸15b朝上下方向移動(dòng)而可以控制上部遮蔽板13及第I擋板15之間的距離。在第I擋板15的2個(gè)面之中相面對(duì)于上部遮蔽板13的一個(gè)面上，在第I擋板15的兩個(gè)開(kāi)口 15a之間設(shè)有分離部72。分離部72例如可以是U形部。各U形部，如第6圖所示，包含:被平行配置的2個(gè)凸部72a (雙層的凸部72a)、及由2個(gè)凸部72a夾持的底部72b。
[0045]第2擋板(第2擋板構(gòu)件)17是可旋轉(zhuǎn)地設(shè)在第I擋板15的基板支架3側(cè)的擋板，通過(guò)旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)軸17b可以控制第2擋板17的旋轉(zhuǎn)角度?？煽刂频男D(zhuǎn)軸15b及旋轉(zhuǎn)軸17b獨(dú)立于彼此旋轉(zhuǎn)。第2擋板17在相面對(duì)于3個(gè)靶電極的靶安裝面的區(qū)域分別形成有開(kāi)口17a。且，第2擋板17的3個(gè)開(kāi)口 17a之中形成于關(guān)于旋轉(zhuǎn)軸17b對(duì)稱的位置中的2個(gè)開(kāi)口可以配置成與第I擋板15的2個(gè)開(kāi)口 15a相面對(duì)。
[0046]第2擋板17的開(kāi)口 17a的數(shù)量不限定于3個(gè)，但是優(yōu)選具有等于或大于第I擋板15的開(kāi)口 15a的數(shù)量的開(kāi)口。同樣地，第I擋板15的開(kāi)口 15a的數(shù)量也可以是3個(gè)以上。
[0047]旋轉(zhuǎn)軸17b由第2驅(qū)動(dòng)裝置22驅(qū)動(dòng)。第2驅(qū)動(dòng)裝置22構(gòu)成為使旋轉(zhuǎn)軸17b相對(duì)于靶電極支架61旋轉(zhuǎn)及上下移動(dòng)，因而可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)軸17b使第2擋板17旋轉(zhuǎn)及上下移動(dòng)。第2驅(qū)動(dòng)裝置22例如可包含:使旋轉(zhuǎn)軸17b旋轉(zhuǎn)及上下移動(dòng)的馬達(dá)、及用于控制馬達(dá)的控制器。當(dāng)旋轉(zhuǎn)軸17b 及旋轉(zhuǎn)軸15b以同一速度同時(shí)上下移動(dòng)時(shí)，第I擋板15及第2擋板17之間的間隙不變。
[0048]在本實(shí)施例中，分離部71是朝向第I擋板15從上部遮蔽板15突出的4個(gè)線狀部分。各分離部71配置于相鄰接的開(kāi)口 13a之間的位置。換言之，設(shè)置多個(gè)分離部71以通過(guò)2個(gè)分離部71將各開(kāi)口 13a夾持。多個(gè)分離部71從上部遮蔽板13的中心徑向延伸。在本實(shí)施例中，分離部71被安裝于上部遮蔽板13，但是在不具有上部遮蔽板13的構(gòu)造中，在容器51或靶電極支架61上附接有分離部71。而且，為了可以在開(kāi)口 13a的整個(gè)圓周形成非直路徑，圍繞各開(kāi)口 13a設(shè)置分尚部71。
[0049]每個(gè)分離部72，如前所述，包含朝向上部遮蔽板13 (靶電極側(cè))從第I擋板15突出的雙層凸部72a。分離部72配置在各開(kāi)口 15a的圓周方向的相對(duì)側(cè)。換言之，由2個(gè)分離部72夾持各開(kāi)口 15a。雙層凸部72a例如被構(gòu)造成將2個(gè)板狀構(gòu)件平行地配置，通過(guò)使一板狀構(gòu)件塑性變形以具有U形剖面，或由其他方法構(gòu)成。
[0050]在本實(shí)施例中，附接多個(gè)分離部72以便從第I擋板15的旋轉(zhuǎn)軸15b的中心徑向延伸，但是提供分離部72以包圍各開(kāi)口 15a以便圍繞開(kāi)口 15a的整個(gè)四周形成非直路徑。
[0051]通過(guò)將第I檔板15上升使構(gòu)成分離部71的凸部插入包含在分離部72中的雙層凸部72a的間隙中，可以由分離部71及分離部72形成非直路徑。圖3中的符號(hào)80a、80b、80c是顯示第I擋板15、第2擋板17的旋轉(zhuǎn)角度的基準(zhǔn)位置的標(biāo)記。
[0052]依據(jù)圖4A~6說(shuō)明本實(shí)施例的特征構(gòu)造。圖4A是通過(guò)圖3的1_1線的擋板裝置4的剖面圖，圖4B是通過(guò)圖3的I1-1I線的擋板裝置4的剖面圖。圖5是包含通過(guò)I1-1I線的擋板裝置4的剖面的立體圖(斜視剖面圖)，圖6是形成非直路徑部分的剖面圖。在圖
4、5中將靶電極35~38之中給定的靶電極由符號(hào)C表示，將給定的靶由符號(hào)T (Tl~T4)表示。為了簡(jiǎn)略說(shuō)明，靶電極支架61、上部遮蔽板13、第I擋板15、第2擋板17皆圖示為彼此平行地構(gòu)成。
[0053]圖4A示出只有位于左側(cè)的一靶T被進(jìn)行噴濺成膜時(shí)第I擋板15及第2擋板17的配置。具體而言，第I檔板15的開(kāi)口 15a在相面對(duì)的一靶T的位置中，第一檔板15靠近相面對(duì)于另一靶T的位置。在分別相對(duì)于靶T的位置在第2擋板17上敞開(kāi)開(kāi)口 17a。 [0054]由第2驅(qū)動(dòng)裝置22驅(qū)動(dòng)的第I擋板15位于上下方向的位置包含可旋轉(zhuǎn)位置(下方位置，即接近基板支架3的位置)及禁止旋轉(zhuǎn)位置(上方位置，即接近遮蔽板63的位置)。第I擋板15在配置于可旋轉(zhuǎn)位置(下方位置)的狀態(tài)下，即使當(dāng)?shù)贗擋板15旋轉(zhuǎn)時(shí)，分離部71及分離部72也不會(huì)彼此接觸，第I擋板15可以位于任意的旋轉(zhuǎn)位置。另一方面，第I擋板15在配置于禁止旋轉(zhuǎn)位置(上方位置)的狀態(tài)下，當(dāng)?shù)贗擋板15旋轉(zhuǎn)時(shí)分離部與分離部71接觸，所以無(wú)法使第I擋板15旋轉(zhuǎn)。
[0055]圖4A、4B、5顯示第I擋板15及第2擋板17配置于可旋轉(zhuǎn)的位置(接近基板支架位置)、分離部71及分離部72彼此成為預(yù)定距離以上的分離狀態(tài)。該預(yù)定距離是分離部71及分離部72在上下方向(分離部71及分離部72彼此接近或分離的方向)分離，但不形成后述的通路73的位置關(guān)系。
[0056]但是如圖6所示，在將第I擋板15朝禁止旋轉(zhuǎn)位置(接近上部遮蔽板63的位置)移動(dòng)的狀態(tài)下，將構(gòu)成分離部71的凸部的先端插入包含在分離部72中的雙層凸部72a之間的間隙中，由分離部71及分離部72形成非直路徑。即，由分離部71及分離部72形成非直路徑，可以減少?gòu)腎個(gè)靶T噴濺的原子通過(guò)上部遮蔽板13及第I擋板15的間隙到達(dá)其他的靶T的情況出現(xiàn)。
[0057]在此，依據(jù)圖6說(shuō)明非直路徑。非直路徑，是形成于分離部72及分離部71之間的具有至少I個(gè)彎曲部的間隙。例如，噴濺粒子當(dāng)通過(guò)時(shí)除非朝與擋板的旋轉(zhuǎn)軸平行的方向移動(dòng)否則無(wú)法通過(guò)的通路73形成非直路徑。換言之，當(dāng)防止噴濺粒子直進(jìn)地通過(guò)分離部72及分離部71之間的間隙時(shí)，該間隙構(gòu)成非直路徑。在一實(shí)例中，通路73的寬度73W是1_。通路73的寬度73W變狹窄，或通路73的距離73L變長(zhǎng)時(shí)，噴濺粒子的防止通過(guò)效果變高。
[0058]在非直路徑的部分中，因?yàn)榱Ｗ涌梢酝ㄟ^(guò)的空間狹窄，所以噴濺的粒子超越非直路徑的部分的移動(dòng)是困難的。且，非直路徑不必具有錯(cuò)綜復(fù)雜的構(gòu)造。且可以理解的是，當(dāng)分離部71及分離部72皆是具有單純的凸?fàn)罨虬鍫顦?gòu)件并將這些構(gòu)件接近地配置時(shí)，形成于這些構(gòu)件間的間隙構(gòu)成防止噴濺粒子通過(guò)的部分，這種情況也可稱為“形成非直路徑”。
[0059]為了由分離部71及分離部72形成非直路徑，應(yīng)控制將第I擋板15上升時(shí)(閉鎖位置)的旋轉(zhuǎn)位置。在本實(shí)施例中，為了檢出第I擋板15的旋轉(zhuǎn)位置，檢出標(biāo)記80a、80b (參照?qǐng)D3)彼此一致的位置的第I擋板15的旋轉(zhuǎn)角度，且作為基準(zhǔn)位置在將第I擋板15驅(qū)動(dòng)的第I驅(qū)動(dòng)裝置21的控制器中存貯該檢出位置。例如，通過(guò)使用具有檢出旋轉(zhuǎn)角度功能的馬達(dá)作為驅(qū)動(dòng)第I擋板15的第I驅(qū)動(dòng)裝置21的馬達(dá)可以檢出第I擋板15的旋轉(zhuǎn)角度。
[0060]為了形成非直路徑，需要分離部71及分離部72處于彼此不接觸的位置關(guān)系較佳。這是因?yàn)榉蛛x部71及分離部72彼此接觸的后果是可能會(huì)產(chǎn)生顆粒。在本實(shí)施例中，形成分離部72的雙層凸部72a之間的間隙以具有比分離部71的凸部的厚度更大的尺寸。且，在形成非直路徑時(shí)，設(shè)定第I擋板15的上下方向的位置使構(gòu)成分離部71的凸部的先端不接觸包含在分離部72中的雙層凸部72a之間的底部72b。
[0061]依據(jù)本實(shí)施例，可以由分離部71及分離部72在上部遮蔽板13及第I擋板15之間的間隙中形成非直路徑。因此，可以有效地防止從I個(gè)靶T噴濺的原子通過(guò)上部遮蔽板13及第I擋板15之間的間隙并到達(dá)其他的靶T (污染)。
[0062]由所述分離部71及分離部72所形成的上述非直路徑形成于上部遮蔽板13及第I擋板15之間，借助于從擋板裝置4將第2擋板17去除的構(gòu)造，可以防止出現(xiàn)相鄰接的靶間的污染。
[0063]分離部71及分離部72只要可以防止粒子的移動(dòng)，不限于本實(shí)施例所記載的構(gòu)造。例如，當(dāng)然也可以將分離部72及分離部71的配置相反。且，在將第I擋板15上升時(shí)可以用它們的開(kāi)口彼此嵌合地形成的2個(gè)U形構(gòu)件置換分離部72及分離部71。
[0064]進(jìn)一步，當(dāng)?shù)贗擋板15上升時(shí)可以用形成作為非直路徑的間隙的2個(gè)凸部置換分離部72及分離部71。在由2個(gè)凸部置換分離部72及分離部71的情況下，需要在第I擋板15上升時(shí)形成沿著與第I擋板15的旋轉(zhuǎn)軸平行的方向延伸的間隙。
[0065]第2實(shí)施例
[0066]依據(jù)圖7A、7B、8說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施例的成膜裝置。圖7A是相當(dāng)于通過(guò)圖3的1-1線的擋板裝置54 的剖面圖，圖7B是相當(dāng)于通過(guò)圖3的I1-1I線的擋板裝置54的剖面圖。圖8是包含通過(guò)相當(dāng)于I1-1I線的剖面的擋板裝置54的立體圖(斜視剖面圖)。對(duì)于與第I實(shí)施例同樣的構(gòu)件、配置等給予同一符號(hào)并省略其詳細(xì)的說(shuō)明。
[0067]在本實(shí)施例的擋板裝置54中，包含凸部的分離部82設(shè)在第I擋板(第I擋板構(gòu)件)65，包含U形部的分離部81 (第2凸部)設(shè)在靶電極支架61側(cè)。包含凸部的分離部82也朝第2擋板(第2擋板構(gòu)件)67側(cè)延伸。具體而言，在本實(shí)施例中，在包圍靶電極C的靶T的部分形成有包含U形部的分離部81。在本實(shí)施例中，可以使第2擋板67相對(duì)于第I擋板65上升。
[0068]當(dāng)?shù)贗擋板65上升時(shí)，包含設(shè)在第I擋板65上的凸部的分離部82，插入包含U形部的相應(yīng)分離部81的間隙中。且，當(dāng)?shù)?擋板67相對(duì)于第I擋板65上升時(shí)，包含朝第I擋板65的第2擋板67延伸的凸部的分離部82的下端部插入第2擋板67的開(kāi)口 17a中。因此，可以減少?gòu)陌蠺噴濺的粒子進(jìn)入第I擋板65及第2擋板67之間的空間。
[0069]分離部81可以形成在安裝于陰極電極T的遮蔽板。這減少可能引起污染的粒子進(jìn)入第I擋板65的上部側(cè)的情況，即使將上部遮蔽板63去除仍可以有效地防止污染。且朝下方延長(zhǎng)的分離部82減少粒子進(jìn)入第I擋板65及第2擋板67之間的間隙的情況出現(xiàn)。進(jìn)一步，粒子擴(kuò)大的范圍變狹窄所以維修容易。
[0070](第3實(shí)施例)
[0071]依據(jù)圖9A、9B說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施例的成膜裝置。圖9A是相當(dāng)于通過(guò)圖3的1-1線的擋板裝置64的剖面圖，圖9B是相當(dāng)于通過(guò)圖3的I1-1I線的擋板裝置64的剖面圖。對(duì)于與第I實(shí)施例同樣的構(gòu)件、配置等給予同一符號(hào)并省略其詳細(xì)的說(shuō)明。在本實(shí)施例的擋板裝置64中，在第2擋板67的多個(gè)開(kāi)口之中的一部分的開(kāi)口安裝有蓋體75。
[0072]當(dāng)將第2擋板67相對(duì)于第I擋板65上升時(shí)，可以由蓋體75塞住不使用的靶T2的基板支架側(cè)上的開(kāi)口。因此，可以減少?gòu)幕逯Ъ軅?cè)的空間飛來(lái)的粒子附著在靶T2上。依據(jù)本實(shí)施例，不只可減少粒子進(jìn)入第I擋板65的上部側(cè)或第I擋板65及第2擋板67之間的間隙，也可以防止來(lái)自基板支架側(cè)的粒子附著在靶T2上。因此，防止污染的效果非常明顯。
[0073]本發(fā)明并非限制于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)，可進(jìn)行各式各樣的變更及變形。因此，本發(fā)明的范圍，是如以下的申請(qǐng)專利范圍。
[0074]本發(fā)明要求日本專利申請(qǐng)?zhí)朜0.2011-196790、申請(qǐng)日2011年9月9日的優(yōu)先權(quán)，該申請(qǐng)整個(gè)被本文參引。
[0075]【主要組件符號(hào)說(shuō)明】
[0076]Τ, T2:靶
[0077]GV:閘門閥 [0078]W:基板
[0079]1:成膜裝置
[0080]3:基板支架
[0081]4、54、64:擋板裝置
[0082]13、63:上部遮蔽板(遮蔽構(gòu)件)
[0083]15、65:第I擋板(第I擋板構(gòu)件)
[0084]17、67:第2擋板(第2擋板構(gòu)件)
[0085]21:第I驅(qū)動(dòng)裝置
[0086]22:第2驅(qū)動(dòng)裝置
[0087]35~38:C靶電極
[0088]51:容器
[0089]52:頂部
[0090]61:靶電極支架
[0091]63a、65a、67a:開(kāi)口
[0092]71,81:分離部
[0093]72、82:分離部
[0094]75:蓋體
【權(quán)利要求】
1.一種成膜裝置，其特征為，具有: 設(shè)有安裝有靶的安裝面的多個(gè)靶電極； 構(gòu)造成將基板保持在與所述多個(gè)靶電極相對(duì)的位置的基板支架； 可旋轉(zhuǎn)地設(shè)在所述多個(gè)靶電極及所述基板支架之間且具有旋轉(zhuǎn)時(shí)相面對(duì)于所述安裝面的多個(gè)開(kāi)口的第I擋板構(gòu)件； 所述第I擋板構(gòu)件的2個(gè)面之中的一個(gè)面上被配置于所述靶電極側(cè)的面上的所述第I擋板構(gòu)件的開(kāi)口之間的第I分離部；及 被配置于所述第I擋板構(gòu)件及所述靶電極之間的第2分離部， 其中，驅(qū)動(dòng)所述第I擋板構(gòu)件使所述第I分離部及所述第2分離部相互接近，以便在所述第I分離部及所述第2分離部之間形成非直路徑，驅(qū)動(dòng)所述第I擋板構(gòu)件使所述第I分離部及所述第2分離部相互分離，以便使所述第I擋板旋轉(zhuǎn)。
2.如權(quán)利要求第I項(xiàng)的成膜裝置，其中， 進(jìn)一步具有設(shè)在所述多個(gè)靶電極及所述第I擋板構(gòu)件之間的遮蔽構(gòu)件， 其中所述遮蔽構(gòu)件具有與所述靶電極的數(shù)量等同數(shù)量的開(kāi)口， 所述第2分離部配置于所述遮蔽構(gòu)件的開(kāi)口之間。
3.如權(quán)利要求第I或2項(xiàng)的成膜裝置，其中，` 進(jìn)一步具有可旋轉(zhuǎn)地設(shè)在所述第I擋板構(gòu)件及所述基板支架之間的第2擋板構(gòu)件，其中所述第2擋板構(gòu)件具有開(kāi)口，當(dāng)所述第I擋板構(gòu)件或所述第2擋板構(gòu)件旋轉(zhuǎn)時(shí)這些開(kāi)口與所述第I擋板構(gòu)件的開(kāi)口相對(duì)。
4.如權(quán)利要求第3項(xiàng)的成膜裝置，其中， 進(jìn)一步具有可安裝在所述第2擋板構(gòu)件的開(kāi)口的蓋體。
5.如權(quán)利要求第1-4項(xiàng)的成膜裝置，其中， 所述第I分離部及所述第2分離部皆包含凸部，在形成所述非直路徑的狀態(tài)下，所述第I分離部的凸部及所述第2分離部的凸部沿著與所述第I擋板的旋轉(zhuǎn)軸平行的方向形成通道。
6.如權(quán)利要求第1-4項(xiàng)的成膜裝置，其中， 所述第I分離部及所述第2分離部中的一個(gè)包含2個(gè)凸部及由所述2個(gè)凸部夾持的底部，以及 所述第I分離部及所述第2分離部中的另一個(gè)包含凸部，在所述非直路徑形成時(shí)該凸部插入所述2個(gè)凸部之間。
【文檔編號(hào)】C23C14/34GK103635603SQ201280031319
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月9日
【發(fā)明者】梶原雄二, 安松保志, 小長(zhǎng)和也 申請(qǐng)人:佳能安內(nèi)華股份有限公司