專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)層沉積設(shè)備和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的多個(gè)方面涉及一種有機(jī)層沉積設(shè)備和一種通過(guò)利用該有機(jī)層沉積設(shè)備來(lái)制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示裝置與其他顯示裝置相比具有較大的視角、較好的對(duì)比度特性和較快的響應(yīng)速度，因此作為下一代顯示裝置而備受關(guān)注。有機(jī)發(fā)光顯示裝置通常具有包括陽(yáng)極、陰極及置于陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)射層的堆 疊結(jié)構(gòu)。當(dāng)分別從陽(yáng)極和陰極注入的空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合而發(fā)光時(shí)，這樣的裝置顯示有顏色的圖像。然而，利用這種結(jié)構(gòu)難以實(shí)現(xiàn)高的發(fā)光效率，因此包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等的中間層可以額外地置于發(fā)射層和每個(gè)電極之間。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的不容易制造例如大尺寸的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和/或用于制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)層沉積裝置的問(wèn)題和/或其他問(wèn)題，根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的多個(gè)方面在于提供一種有機(jī)層沉積設(shè)備和一種利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該有機(jī)層沉積設(shè)備可以容易地制造，可以應(yīng)用于以簡(jiǎn)單的方式大規(guī)模地制造大型顯示裝置，并且提高了制造產(chǎn)率和沉積效率。根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例，提供了一種有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括靜電吸盤(pán)，支撐基板；沉積單元，包括保持一定真空的室以及有機(jī)層沉積組件，有機(jī)層沉積組件在由靜電吸盤(pán)支撐的基板上沉積至少一層有機(jī)層；第一輸送器單元，穿過(guò)所述室并且將支撐基板的靜電吸盤(pán)移動(dòng)到沉積單元中，其中，第一輸送器單元包括引導(dǎo)單元，引導(dǎo)單元包括接納構(gòu)件，以使靜電吸盤(pán)與第一輸送器單元分隔開(kāi)的同時(shí)使靜電吸盤(pán)可沿著一定的方向移動(dòng)，其中，基板與有機(jī)層沉積組件分隔開(kāi)，基板或有機(jī)層沉積組件被構(gòu)造成在沉積過(guò)程中相對(duì)于另一者移動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)層沉積設(shè)備還包括裝載單元，將基板固定到靜電吸盤(pán)；卸載單元，使已經(jīng)完成沉積的基板與靜電吸盤(pán)分離。第一輸送器單元可以被構(gòu)造為將靜電吸盤(pán)順序地移動(dòng)到裝載單元、沉積單元和卸載單元。有機(jī)層沉積設(shè)備還可以包括第二輸送器單元，使與基板分離的靜電吸盤(pán)從卸載單元返回到裝載單元。在一個(gè)實(shí)施例中，引導(dǎo)單元包括驅(qū)動(dòng)單元，產(chǎn)生移動(dòng)靜電吸盤(pán)的驅(qū)動(dòng)力；磁懸浮軸承，使靜電吸盤(pán)懸浮在接納構(gòu)件上方而不與接納構(gòu)件接觸地移動(dòng)。驅(qū)動(dòng)單元可以包括線(xiàn)性電機(jī)。線(xiàn)性電機(jī)可以包括設(shè)置在靜電吸盤(pán)的一側(cè)的磁軌和設(shè)置在接納構(gòu)件中的線(xiàn)圈。磁懸浮軸承可以包括設(shè)置在靜電吸盤(pán)一側(cè)的側(cè)部磁懸浮軸承和設(shè)置在靜電吸盤(pán)上的上部磁懸浮軸承，驅(qū)動(dòng)單元可以設(shè)置在靜電吸盤(pán)的一側(cè)。磁懸浮軸承可以包括從由電磁體、永磁體、超導(dǎo)磁體和它們的組合組成的組中選擇的磁體。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)層沉積設(shè)備還包括間隙傳感器，測(cè)量接納構(gòu)件與靜電吸盤(pán)之間的間隙。所述有機(jī)層沉積設(shè)備還可以包括由間隙傳感器控制的磁懸浮軸承，以提供使靜電吸盤(pán)懸浮在接納構(gòu)件上方的磁力。磁懸浮軸承可以包括設(shè)置在靜電吸盤(pán)一側(cè)的側(cè)部磁懸浮軸承和設(shè)置在靜電吸盤(pán)上的上部磁懸浮軸承。間隙傳感器可以包括第一間隙傳感器，測(cè)量靜電吸盤(pán)與第一輸送器單元之間的沿著第一方向的間隙；第二間隙傳感器，測(cè)量靜電吸盤(pán)與第一傳感器單元之間的沿著與第一方向交叉的第二方向的間隙。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)層沉積設(shè)備還包括第一磁懸浮軸承，使靜電吸盤(pán)懸浮而與第一輸送器單兀沿著第一方向分隔開(kāi)；第二磁懸浮軸承，使靜電吸盤(pán)懸浮而與第一輸送器單元沿著與第一方向交叉的第二方向分隔開(kāi)。在一個(gè)實(shí)施例中，接納構(gòu)件包括接納靜電吸盤(pán)的相對(duì)的側(cè)部的接納槽。 在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)層沉積組件包括設(shè)置在所述室中的多個(gè)有機(jī)層沉積組件。在一個(gè)實(shí)施例中，所述室包括彼此互連的第一室和第二室，有機(jī)層沉積組件包括設(shè)置在第一室和第二室中的每個(gè)室中的多個(gè)有機(jī)層沉積組件。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)層沉積組件包括沉積源，被構(gòu)造為排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)并且包括多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設(shè)置成與沉積源噴嘴單元面對(duì)并分隔開(kāi)，具有多個(gè)圖案化縫隙，并且比基板小。根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例，提供了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板，具有至少40英寸的尺寸；利用上述有機(jī)層沉積設(shè)備形成在基板上的具有線(xiàn)性圖案的至少一層有機(jī)層。在一個(gè)實(shí)施例中，所述至少一層有機(jī)層包括發(fā)射層(EML)。所述至少一層有機(jī)層還可以包括從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(TIL)和它們的組合組成的組中選擇的層。在一個(gè)實(shí)施例中，所述至少一層有機(jī)層具有不均勻的厚度。根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例，提供了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括利用上述有機(jī)層沉積設(shè)備形成的具有不均勻的厚度的至少
一層有機(jī)層。根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括下述步驟利用靜電吸盤(pán)支撐基板；利用穿過(guò)保持一定真空的室的第一輸送器單元將支撐基板的靜電吸盤(pán)輸送到所述室中；在基板或有機(jī)層沉積組件相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)，利用設(shè)置在所述室中的有機(jī)層沉積組件在基板上沉積至少一層有機(jī)層，其中，在使靜電吸盤(pán)與第一輸送器單元分隔開(kāi)的同時(shí)，利用第一輸送器單元使靜電吸盤(pán)在所述室中移動(dòng)，其中，基板與有機(jī)層沉積組件分隔開(kāi)。在一個(gè)實(shí)施例中，輸送靜電吸盤(pán)的步驟包括使靜電吸盤(pán)懸浮而與第一輸送器單元分隔開(kāi)。輸送靜電吸盤(pán)的步驟可以包括由驅(qū)動(dòng)單元產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)力以使靜電吸盤(pán)移動(dòng)；通過(guò)磁懸浮軸承使靜電吸盤(pán)懸浮地移動(dòng)而不與第一輸送器單元接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，輸送靜電吸盤(pán)的步驟包括通過(guò)間隙傳感器(621、622)測(cè)量第一輸送器單元與靜電吸盤(pán)之間的間隙。輸送靜電吸盤(pán)的步驟可以包括通過(guò)間隙傳感器控制磁懸浮軸承來(lái)提供磁力；在磁力的作用下使靜電吸盤(pán)懸浮地移動(dòng)而不與第一輸送器單元接觸。磁懸浮軸承可以包括設(shè)置在靜電吸盤(pán)一側(cè)的側(cè)部磁懸浮軸承和設(shè)置在靜電吸盤(pán)上的上部磁懸浮軸承。測(cè)量間隙的步驟可以包括通過(guò)第一氣隙傳感器測(cè)量靜電吸盤(pán)與第一輸送器單元之間的沿著第一方向的間隙；通過(guò)第二氣隙傳感器測(cè)量靜電吸盤(pán)與第一輸送器單元之間的沿著與第一方向交叉的第二方向的間隙。在磁力的作用下使靜電吸盤(pán)懸浮地移動(dòng)而不與第一輸送器單元接觸的步驟可以包括通過(guò)第一磁懸浮軸承使靜電吸盤(pán)與第一輸送器單元沿著第一方向分隔開(kāi)；通過(guò)第二磁懸浮軸承使靜電吸盤(pán)與第一輸送器單元沿著與第一方向交叉的第二方向分隔開(kāi)。[0022]在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括在沉積有機(jī)層之后，利用第一輸送器單元將已經(jīng)完成沉積的基板從所述室中取出；將基板與靜電吸盤(pán)分離；通過(guò)設(shè)置在所述室外部的第二輸送器單元使與基板分離的靜電吸盤(pán)返回，以利用靜電吸盤(pán)支撐另一基板。在一個(gè)實(shí)施例中，沉積組件包括設(shè)置在所述室中的多個(gè)有機(jī)層沉積組件，順序地利用多個(gè)有機(jī)層沉積組件執(zhí)行沉積。在一個(gè)實(shí)施例中，所述室包括彼此互連的第一室和第二室，有機(jī)層沉積組件包括設(shè)置在第一室和第二室中的每個(gè)室中的多個(gè)有機(jī)層沉積組件，其中，對(duì)在第一室和第二室之間移動(dòng)的基板連續(xù)地執(zhí)行沉積。在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)層沉積組件包括沉積源，被構(gòu)造為排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)并且包括多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設(shè)置成與沉積源噴嘴單元面對(duì)并分隔開(kāi)，具有多個(gè)圖案化縫隙，并且比基板小。在一個(gè)實(shí)施例中，第一輸送器單元包括引導(dǎo)單元，包括接納構(gòu)件，使靜電吸盤(pán)可沿著一定的方向移動(dòng)；線(xiàn)性電機(jī)，產(chǎn)生移動(dòng)靜電吸盤(pán)的驅(qū)動(dòng)力；磁懸浮軸承，使靜電吸盤(pán)懸浮而與接納構(gòu)件分隔開(kāi)。線(xiàn)性電機(jī)可以包括設(shè)置在靜電吸盤(pán)一側(cè)的磁軌和設(shè)置在接納構(gòu)件中的線(xiàn)圈。磁懸浮軸承可以包括設(shè)置在靜電吸盤(pán)一側(cè)的側(cè)部磁懸浮軸承和設(shè)置在靜電吸盤(pán)上的上部磁懸浮軸承，驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在靜電吸盤(pán)的一側(cè)。根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例，提供了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板，具有至少40英寸的尺寸；利用上述方法在基板上形成的具有線(xiàn)性圖案的至少一層有機(jī)層。根據(jù)本實(shí)用新型的另一實(shí)施例，提供了一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括利用上述方法在基板上形成的具有不均勻的厚度的至少一層有機(jī)層。

通過(guò)參照附圖來(lái)詳細(xì)地描述本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例，本實(shí)用新型的以上和其他特征和方面將變得更加清楚，在附圖中圖I是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備的示意性結(jié)構(gòu)圖；圖2是圖I的有機(jī)層沉積設(shè)備的修改示例的結(jié)構(gòu)圖；圖3是靜電吸盤(pán)的示例的示圖；圖4是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第一輸送器單元的剖視圖；圖5是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第二輸送器單元的剖視圖；[0035]圖6是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的圖I的有機(jī)層沉積設(shè)備中的有機(jī)層沉積組件的示意性切開(kāi)透視圖；圖7是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的圖6的有機(jī)層沉積組件的示意性側(cè)面剖視圖；圖8是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的圖6的有機(jī)層沉積組件的XZ平面的示意性剖視圖；圖9是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的示意性切開(kāi)透視圖；圖10是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的示意性透視圖；圖11是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件的示意性透視圖；圖12是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的通過(guò)利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖；圖13是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的基板上的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層的平面圖；圖14是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的沿著圖13中的I-I線(xiàn)截取的基板上的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層的剖視圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)地描述本實(shí)用新型的實(shí)施例，在附圖中示出了本實(shí)用新型實(shí)施例的示例。然而，本實(shí)用新型可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例；相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)將是徹底的和完整的，并且這些實(shí)施例將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本實(shí)用新型的構(gòu)思。圖I是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備的示意性結(jié)構(gòu)圖。圖2示出了圖I的有機(jī)層沉積設(shè)備的修改示例。圖3是靜電吸盤(pán)600的示例的示圖。參照?qǐng)D1，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備包括裝載單元710、沉積單元730、卸載單兀720、第一輸送器單兀610和第二輸送器單兀620。裝載單元710可以包括第一架(rack) 712、傳輸機(jī)器人714、傳輸室716和第一翻轉(zhuǎn)室718。沒(méi)有被施加沉積材料的多個(gè)基板500堆疊在第一架712上。傳輸機(jī)器人714從第一架712拾取多個(gè)基板500中的一個(gè)基板500，將該基板500設(shè)置在由第二輸送器單元620傳送的靜電吸盤(pán)600上，并且將設(shè)置有基板500的靜電吸盤(pán)600移動(dòng)到傳輸室716中。第一翻轉(zhuǎn)室718與傳輸室716相鄰地設(shè)置。第一翻轉(zhuǎn)室718包括第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人719，第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人719翻轉(zhuǎn)靜電吸盤(pán)600，然后將靜電吸盤(pán)600裝載到沉積單元730的第一輸送器單兀610上。參照?qǐng)D3，靜電吸盤(pán)600可以包括嵌入在靜電吸盤(pán)600的主體601中的電極602。這里，主體601由陶瓷形成，電極602被供電。隨著向電極602施加高電壓，靜電吸盤(pán)600可以將基板500固定在主體601的表面上。返回參照?qǐng)DI，傳輸機(jī)器人714將多個(gè)基板500中的一個(gè)基板500放置在靜電吸盤(pán)600的表面上，其上設(shè)置有基板500的靜電吸盤(pán)600被裝載到傳輸室716中。第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人719翻轉(zhuǎn)靜電吸盤(pán)600，使得基板500在沉積單元730中被上下顛倒。卸載單元720被構(gòu)造為按與上述的裝載單元710的方式相反的方式進(jìn)行操作。具體地講，第二翻轉(zhuǎn)室728中的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人729將已經(jīng)穿過(guò)沉積單元730的靜電吸盤(pán)600(此時(shí)在靜電吸盤(pán)600上設(shè)置有基板500)翻轉(zhuǎn)，然后將其上設(shè)置有基板500的靜電吸盤(pán)600移動(dòng)到排出室726中。然后，排出機(jī)器人724將其上設(shè)置有基板500的靜電吸盤(pán)600從排出室726取出，將基板500與靜電吸盤(pán)600分開(kāi)，然后將基板500裝載到第二架722上。與基板500分開(kāi)的靜電吸盤(pán)600經(jīng)第二輸送器單元620返回到裝載單元710中。然而，本實(shí)用新型不限于以上描述。例如，當(dāng)在靜電吸盤(pán)600上設(shè)置基板500時(shí)，基板500可以被固定到靜電吸盤(pán)600的底表面上，然后被移動(dòng)到沉積單元730中。在這種情況下，例如，不使用第一翻轉(zhuǎn)室718、第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人719、第二翻轉(zhuǎn)室728和第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人729。沉積單元730可以包括至少一個(gè)沉積室。如圖I所示，沉積單元730可以包括第一室731。在圖I示出的實(shí)施例中，第一有機(jī)層沉積組件至第四有機(jī)層沉積組件100、200、300和400可以設(shè)置在第一室731中。雖然圖I示出的是在第一室731中安裝了共四個(gè)有機(jī)層沉積組件，即，第一有機(jī)層沉積組件100至第四有機(jī)層沉積組件400，但是可以安裝在 第一室731中的有機(jī)層沉積組件的總數(shù)可以根據(jù)沉積材料和沉積條件而變化。在沉積工藝期間，將第一室731保持在真空狀態(tài)。在圖2示出的有機(jī)層沉積設(shè)備中，沉積單元730可以包括相互連接的第一室731和第二室732。在圖2示出的實(shí)施例中，第一有機(jī)層沉積組件100和第二有機(jī)層沉積組件200可以設(shè)置在第一室731中，第三有機(jī)層沉積組件300和第四有機(jī)層沉積組件400可以設(shè)置在第二室732中。在其他實(shí)施例中，有機(jī)層沉積系統(tǒng)可以包括不止兩個(gè)室。在圖I示出的實(shí)施例中，通過(guò)第一輸送器單元610，至少可以將其上設(shè)置有基板500的靜電吸盤(pán)600移動(dòng)到沉積單元730，或者可以將其上設(shè)置有基板500的靜電吸盤(pán)600順序地移動(dòng)到裝載單元710、沉積單元730和卸載單元720。在卸載單元720中與基板500分開(kāi)的靜電吸盤(pán)600被第二輸送器單元620移回到裝載單元710。圖4是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第一輸送器單元610的剖視圖。第一輸送器單兀610移動(dòng)固定地支撐基板的靜電吸盤(pán)600。第一輸送器單兀610可以包括框架611、下板613、第一引導(dǎo)單元614和片支撐件615?？蚣?11形成第一輸送器單元610的基體?？蚣?11可以基本上為空盒的形式。下板613形成框架611的下側(cè)。沉積源10可以設(shè)置在下板613上?？蚣?11和下板613可以形成為隨后可以組合在一起的分開(kāi)的單元。在一個(gè)實(shí)施例中，框架611和下板613整體化地(初始地)形成為一體。雖然未示出，但是沉積源10在其上的下板613可以形成為卡盒狀結(jié)構(gòu)以從框架611中取出，這樣可以利于沉積源10的更換。片支撐件615可以形成為從框架611的內(nèi)側(cè)壁突出。片支撐件615可以支撐圖案化縫隙片150。片支撐件615可以引導(dǎo)通過(guò)沉積源噴嘴排放的沉積材料直直地移動(dòng)，而不沿X軸方向流動(dòng)。第一引導(dǎo)單元614可以設(shè)置在框架611上，并且可以引導(dǎo)靜電吸盤(pán)600沿一定的方向移動(dòng)。第一引導(dǎo)單兀614設(shè)置成穿過(guò)沉積單兀730的第一室731。第一引導(dǎo)單元614接納靜電吸盤(pán)600的相對(duì)的邊緣，以引導(dǎo)靜電吸盤(pán)600的移動(dòng)。第一引導(dǎo)單元614可以包括分別設(shè)置在靜電吸盤(pán)600上下的第一接納構(gòu)件614a和第二接納構(gòu)件614b以及連接第一接納構(gòu)件614a和第二接納構(gòu)件614b的連接構(gòu)件614c。第一接納構(gòu)件614a、第二接納構(gòu)件614b和連接構(gòu)件614c —起限定接納槽614d。靜電吸盤(pán)600的一側(cè)被容納在接納槽614d中并且沿著接納槽614d移動(dòng)。驅(qū)動(dòng)單元616設(shè)置在連接構(gòu)件614c的位于接納槽614d中的側(cè)部處，以對(duì)應(yīng)于靜電吸盤(pán)600的一側(cè)，側(cè)部磁懸浮軸承618設(shè)置成對(duì)應(yīng)于靜電吸盤(pán)600的與驅(qū)動(dòng)單元616相對(duì)(遠(yuǎn)離驅(qū)動(dòng)單元616背向)的另一側(cè)，以使靜電吸盤(pán)600懸浮在接納構(gòu)件的上方。在一個(gè)實(shí)施例中，側(cè)部磁懸浮軸承618包括從由電磁體、永磁體、超導(dǎo)磁體和它們的組合組成的組中選擇的磁體。這里，驅(qū)動(dòng)單元616可以是線(xiàn)性電機(jī)。線(xiàn)性電機(jī)相對(duì)于現(xiàn)有的滑動(dòng)導(dǎo)向系統(tǒng)具有低的摩擦系數(shù)，并且線(xiàn)性電機(jī)以幾乎不存在位置誤差的方式具有非常高水平的位置定位。用作驅(qū)動(dòng)單元616的線(xiàn)性電機(jī)可以包括線(xiàn)圈616a和磁軌616b。線(xiàn)圈616a設(shè)置在第一引導(dǎo)單元614的連接構(gòu)件614c的一側(cè)上，磁軌616b設(shè)置在靜電吸盤(pán)600的側(cè)部以對(duì)應(yīng)于線(xiàn)圈616a。由于在移動(dòng)的靜電吸盤(pán)600上設(shè)置的是磁軌616b而不是線(xiàn)圈616a,所以可以在 無(wú)需供電的情況下驅(qū)動(dòng)靜電吸盤(pán)600。側(cè)部磁懸浮軸承618設(shè)置在第一引導(dǎo)單元614的連接構(gòu)件614c處(上)，以對(duì)應(yīng)于靜電吸盤(pán)600的與驅(qū)動(dòng)單元616相對(duì)的另一側(cè)。側(cè)部磁懸浮軸承618提供靜電吸盤(pán)600和第一引導(dǎo)單元614之間的間隙，從而允許靜電吸盤(pán)600以不與第一引導(dǎo)單元614接觸且沿著第一引導(dǎo)單元614的方式移動(dòng)。上部(頂部)磁懸浮軸承617可以設(shè)置在第二接納構(gòu)件614b處(上)，以位于靜電吸盤(pán)600上方。上部磁懸浮軸承617使靜電吸盤(pán)600能夠以與第一接納構(gòu)件614a和第二接納構(gòu)件614b距恒定的間隔而不與第一接納構(gòu)件614a和第二接納構(gòu)件614b接觸的方式沿著第一引導(dǎo)單元614移動(dòng)。雖然未示出，但是可以在第一接納構(gòu)件614a處(上)設(shè)置磁懸浮軸承以與靜電吸盤(pán)600的底側(cè)對(duì)應(yīng)。在一個(gè)實(shí)施例中，上部磁懸浮軸承617包括從由電磁體、永磁體、超導(dǎo)磁體和它們的組合組成的組中選擇的磁體。第一引導(dǎo)單元614還可以包括間隙傳感器621。間隙傳感器621可以測(cè)量靜電吸盤(pán)600與第一引導(dǎo)單元614之間的間隙。參照?qǐng)D4，間隙傳感器621可以設(shè)置在第一接納構(gòu)件614a處(上)，以對(duì)應(yīng)于靜電吸盤(pán)600的底側(cè)。第一接納構(gòu)件614a處(上)的間隙傳感器621可以測(cè)量第一接納構(gòu)件614a與靜電吸盤(pán)600之間的間隙。間隙傳感器622可以設(shè)置在側(cè)部磁懸浮軸承618上。設(shè)置在側(cè)部磁懸浮軸承618上的間隙傳感器622可以測(cè)量靜電吸盤(pán)600的側(cè)部與側(cè)部磁懸浮軸承618之間的間隙。然而，本實(shí)用新型的各個(gè)方面不限于此。間隙傳感器622可以設(shè)置在連接構(gòu)件614c上。上部磁懸浮軸承617和側(cè)部磁懸浮軸承618的磁力根據(jù)由間隙傳感器621和622測(cè)量的間隙而改變，從而實(shí)時(shí)調(diào)整靜電吸盤(pán)600與第一引導(dǎo)單元614之間的間隙。通過(guò)利用上部(頂部)磁懸浮軸承617和側(cè)部磁懸浮軸承618與間隙傳感器621和622的反饋控制可以使靜電吸盤(pán)600精確地移動(dòng)。圖5是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的第二輸送器單元620的剖視圖。 第二輸送器單元620可以包括第二引導(dǎo)單元634，第二引導(dǎo)單元634用于移動(dòng)基板500已經(jīng)被移走的靜電吸盤(pán)600。第二引導(dǎo)單元634可以包括第一接納構(gòu)件614a、第二接納構(gòu)件614b和連接構(gòu)件614c。靜電吸盤(pán)600被容納在由第一接納構(gòu)件614a、第二接納構(gòu)件614b和連接構(gòu)件614c限定的接納槽614d中，并且沿著接納槽614d移動(dòng)。驅(qū)動(dòng)單元616設(shè)置在連接構(gòu)件614c處(上)，以對(duì)應(yīng)于靜電吸盤(pán)600的一側(cè)。驅(qū)動(dòng)單元616產(chǎn)生使靜電吸盤(pán)600沿著第二引導(dǎo)單元634移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)力。驅(qū)動(dòng)單元616可以是線(xiàn)性電機(jī)，線(xiàn)性電機(jī) 可以包括設(shè)置在連接構(gòu)件614c上的線(xiàn)圈616a和設(shè)置在靜電吸盤(pán)600的一側(cè)上以對(duì)應(yīng)于線(xiàn)圈616a的磁軌616b。側(cè)部磁懸浮軸承618設(shè)置在第一引導(dǎo)單元614的連接構(gòu)件614c處(上)，以對(duì)應(yīng)于靜電吸盤(pán)600的與驅(qū)動(dòng)單元616相對(duì)的另一側(cè)。上部磁懸浮軸承617可以設(shè)置在第二接納構(gòu)件614b處(上)，以位于靜電吸盤(pán)600上方。上部(頂部)磁懸浮軸承617和側(cè)部磁懸浮軸承618提供靜電吸盤(pán)600與第一引導(dǎo)單元614之間的間隙，從而使靜電吸盤(pán)600以不與第一引導(dǎo)單元614接觸且沿著第一引導(dǎo)單元614的方式移動(dòng)。第二輸送器單元620還可以包括用來(lái)測(cè)量靜電吸盤(pán)600與第二引導(dǎo)單元634之間的間隙的間隙傳感器621和622。間隙傳感器621可以設(shè)置在第一接納構(gòu)件614a處(上)，以對(duì)應(yīng)于靜電吸盤(pán)600的底側(cè)。間隙傳感器622可以設(shè)置在側(cè)部磁懸浮軸承618上，以對(duì)應(yīng)于靜電吸盤(pán)600的側(cè)部。在下文中，將對(duì)上面描述的有機(jī)層沉積設(shè)備的有機(jī)層沉積組件100的實(shí)施例進(jìn)行描述。圖6是圖I的有機(jī)層沉積設(shè)備中的有機(jī)層沉積組件100的示意性切開(kāi)透視圖，圖7是圖6中示出的有機(jī)層沉積組件100的剖視圖，圖8是圖6中示出的有機(jī)層沉積組件100的剖視平面圖。參照?qǐng)D6至圖8，根據(jù)本實(shí)用新型當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100包括沉積源
110、沉積源噴嘴單元120、障礙板組件130和圖案化縫隙片150。盡管為了便于解釋在圖6至圖8中未示出，但是有機(jī)層沉積組件100的所有組件可以設(shè)置于保持在適當(dāng)真空度的室內(nèi)。將室保持在適當(dāng)?shù)恼婵?，以使沉積材料能夠在有機(jī)層沉積組件100中基本上沿著直線(xiàn)移動(dòng)。在圖I的設(shè)置有有機(jī)層沉積組件100的室731內(nèi)，通過(guò)靜電吸盤(pán)600傳送構(gòu)成將要沉積沉積材料115的沉積目標(biāo)的基板500。基板500可以為用于平板顯示器的基板。用于制造多個(gè)平板顯示器的諸如母玻璃的大基板可以用作基板500。在實(shí)施例中，基板500或有機(jī)層沉積組件100可以相對(duì)于另一者移動(dòng)。例如，如圖6所示，基板500可以相對(duì)于有機(jī)層沉積組件100沿著箭頭A的方向移動(dòng)。在傳統(tǒng)的使用精細(xì)金屬掩模(FMM)的沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸大于或等于基板的尺寸。因此，在對(duì)較大的基板執(zhí)行沉積時(shí)不得不增加FMM的尺寸。然而，難以制造大的FMM，并且難以將FMM延展為與圖案精確對(duì)準(zhǔn)。為了克服這樣的問(wèn)題，在根據(jù)本實(shí)用新型當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100中，可以在有機(jī)層沉積組件100或基板500相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。換言之，可以在設(shè)置為面對(duì)有機(jī)層沉積組件100的基板500沿Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地執(zhí)行沉積。換言之，在基板500沿圖6中的箭頭A的方向移動(dòng)的同時(shí)以?huà)呙璧姆绞絹?lái)執(zhí)行沉積。雖然在圖6中將基板500示出為在執(zhí)行沉積時(shí)在室731 (圖I)中沿Y軸方向移動(dòng)，但是本實(shí)用新型不限于此?？梢栽谟袡C(jī)層沉積組件100沿Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，而基板500是固定的。因此，在根據(jù)本實(shí)用新型當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100中，圖案化縫隙片150可以明顯地小于在傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM。換言之，在有機(jī)層沉積組件100中，在基板500沿Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地，S卩，以?huà)呙璧姆绞綀?zhí)行沉積。因此，圖案化縫隙片150的在Y軸方向上的長(zhǎng)度可以明顯小于基板500的在Y軸方向上的長(zhǎng)度。這里，圖案化縫隙片150的在X軸方向上的寬度與基板500的在X軸方向上的寬度基本上彼此相等。然而，即使圖案化縫隙片150的在X軸方向上的寬度小于基板500的在X軸方向上的寬度，也可以在基板500或有機(jī)層沉積組件100相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)以?huà)呙璧姆绞綄?duì)整個(gè)基板500執(zhí)行沉積。如上所述，由于圖案化縫隙片150可以形成為明顯地比在傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM小，所以制造用在本實(shí)用新型中的圖案化縫隙片150相對(duì)容易。換言之，與使用較 大的FMM的傳統(tǒng)的沉積方法相比，在包括蝕刻和其他后續(xù)工藝(諸如精確延展工藝、焊接工藝、移動(dòng)工藝和清潔工藝)的所有的工藝中，使用比在傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM小的圖案化縫隙片150更加方便。這對(duì)制造相對(duì)大的顯示裝置更為有利。為了如上所述在有機(jī)層沉積組件100或基板500相對(duì)于另一者移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，有機(jī)層沉積組件100和基板500可以相互分開(kāi)設(shè)定的距離或預(yù)定的距離。后面將對(duì)此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。包含并加熱沉積材料115的沉積源110設(shè)置在室的與基板500設(shè)置所處的(其上設(shè)置有基板500的)側(cè)部相對(duì)的側(cè)部處(上)。沉積源110包括填充有沉積材料115的坩堝112和圍繞坩堝112的冷卻阻擋件
111。冷卻阻擋件111減少或防止來(lái)自坩堝112的熱輻射到外部，即，減少或防止來(lái)自坩堝112的熱輻射到室(例如，室731和/或室732)中。冷卻阻擋件111可以包括加熱坩堝112的加熱器。沉積源噴嘴單元120設(shè)置在沉積源110的側(cè)部處，具體地講，設(shè)置在沉積源110的面對(duì)基板500的側(cè)部處。沉積源噴嘴單元120包括在X軸方向上按相等的間隔布置的多個(gè)沉積源噴嘴121。在沉積源110中汽化的沉積材料115穿過(guò)沉積源噴嘴單元120的沉積源噴嘴121朝向基板500，基板500是將要在其上沉積沉積材料115的沉積目標(biāo)。障礙板組件130設(shè)置在沉積源噴嘴單元120的側(cè)部處。障礙板組件130包括多個(gè)障礙板131和覆蓋障礙板131的側(cè)部的障礙板框架132。多個(gè)障礙板131可以在X軸方向上以相等的間隔彼此平行地布置。此外，每個(gè)障礙板131可以平行于圖4中的YZ平面布置，并且每個(gè)障礙板131可以具有矩形形狀。如上所述布置的多個(gè)障礙板131將沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間S (見(jiàn)圖8)。在根據(jù)本實(shí)用新型當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100中，如圖5所示，沉積空間被障礙板131分為分別與排放沉積材料115所通過(guò)的沉積源噴嘴121對(duì)應(yīng)的子沉積空間S。障礙板131可以分別設(shè)置在相鄰的沉積源噴嘴121之間。換言之，每個(gè)沉積源噴嘴121可以設(shè)置在兩個(gè)相鄰的障礙板131之間。沉積源噴嘴121可以位于兩個(gè)相鄰的障礙板131之間的中點(diǎn)處。然而，本實(shí)用新型不限于這種結(jié)構(gòu)。例如，多個(gè)沉積源噴嘴121可以設(shè)置在兩個(gè)相鄰的障礙板131之間。在這種情況下，多個(gè)沉積源噴嘴121也可以分別位于兩個(gè)相鄰的障礙板131之間的中點(diǎn)處。如上所述，由于障礙板131將沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間S，所以通過(guò)每個(gè)沉積源噴嘴121排放的沉積材料115并不與通過(guò)另一沉積源噴嘴121排放的沉積材料115混合，而是穿過(guò)圖案化縫隙151而沉積在基板500上。換言之，障礙板131引導(dǎo)通過(guò)沉積源噴嘴121排放的沉積材料115直直地移動(dòng)，即，沿著Z軸方向流動(dòng)。如上所述，通過(guò)安裝障礙板131使沉積材料115受迫或引導(dǎo)沉積材料115以直直地移動(dòng)，從而與不安裝障礙板的情形相比，可以在基板500上形成更小的陰影區(qū)域。因此，有機(jī)層沉積組件100和基板500可以彼此分開(kāi)設(shè)定的距離或預(yù)定的距離，如后面將詳細(xì)描述的。后面將對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)的描述。圖案化縫隙片150和在其中結(jié)合圖案化縫隙片150的框架155設(shè)置在沉積源110和基板500之間。類(lèi)似于窗口框架，框架155可以形成為具有格子形狀。圖案化縫隙片150包括沿X軸方向布置的多個(gè)圖案化縫隙151。圖案化縫隙151沿著Y軸方向延伸。已經(jīng)在沉積源110中汽化并穿過(guò)沉積源噴嘴121的沉積材料115穿過(guò)圖案化縫隙片150朝向基板500?！0094]圖案化縫隙片150可以由金屬薄膜形成。圖案化縫隙片150固定到框架155，從而向圖案化縫隙片150施加拉力?？梢酝ㄟ^(guò)將圖案化縫隙片150蝕刻為條紋圖案來(lái)形成圖案化縫隙151。圖案化縫隙151的數(shù)量可以等于將要形成在基板500上的沉積圖案的數(shù)量。此外，障礙板組件130和圖案化縫隙片150可以設(shè)置成彼此分開(kāi)設(shè)定的距離或預(yù)定的距離?？蛇x擇地，障礙板組件130和圖案化縫隙片150可以通過(guò)(經(jīng)由)連接構(gòu)件135連接。如上所述，根據(jù)本實(shí)用新型當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100在相對(duì)于基板500移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。為了使有機(jī)層沉積組件100相對(duì)于基板500移動(dòng)，可以使圖案化縫隙片150與基板500分隔開(kāi)設(shè)定的距離或預(yù)定的距離。此外，為了防止在圖案化縫隙片150和基板500彼此分隔開(kāi)時(shí)在基板500上形成相對(duì)大的陰影區(qū)域，將障礙板131布置在沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間，以使沉積材料150受迫或引導(dǎo)沉積材料115沿直線(xiàn)方向移動(dòng)。因此，急劇減少了可能形成在基板500上的陰影區(qū)域的尺寸。在使用FMM的普通的沉積方法中，利用與基板緊密接觸的FMM來(lái)執(zhí)行沉積以防止在基板上形成陰影區(qū)域。然而，當(dāng)與基板緊密接觸地使用FMM時(shí)，這種接觸會(huì)造成缺陷，例如形成在基板上的圖案上的劃痕。另外，在普通的沉積方法中，由于掩模不能相對(duì)于基板移動(dòng)，所以掩模的尺寸不得不與基板的尺寸相同。因此，掩模的尺寸隨著顯示裝置變得更大而增大。然而，制造這種大的掩模并不容易。為了克服這種和/或其他問(wèn)題，在根據(jù)本實(shí)用新型當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100中，將圖案化縫隙片150設(shè)置成與基板500分隔開(kāi)設(shè)定的距離或預(yù)定的距離，這樣通過(guò)安裝障礙板131可以有助于減小形成在基板500上的陰影區(qū)域的尺寸。通過(guò)安裝障礙板131可以減小或最小化基板500上的陰影區(qū)域。利用具有上述結(jié)構(gòu)的任何適合的有機(jī)層沉積設(shè)備，可以形成諸如有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)層(參照?qǐng)D10中的有機(jī)層63)的薄膜。圖9是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件800的示意性切開(kāi)透視圖。參照?qǐng)D9，根據(jù)本實(shí)用新型當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備800包括沉積源810、沉積源噴嘴單元820、第一障礙板組件830、第二障礙板組件840和圖案化縫隙片850。例如，沉積源810包括填充有沉積材料815的坩堝812和圍繞坩堝812的冷卻阻擋件811。沉積源810、第一障礙板組件830和圖案化縫隙片850的結(jié)構(gòu)與參照?qǐng)D6描述的實(shí)施例中的沉積源、第一障礙板組件和圖案化縫隙片的結(jié)構(gòu)相同，因此，在此將不提供對(duì)其的詳細(xì)描述。當(dāng)前實(shí)施例與前面實(shí)施例的不同之處在于第二障礙板組件840設(shè)置在第一障礙板組件830的側(cè)部。第二障礙板組件840包括多個(gè)第二障礙板841和覆蓋第二障礙板841的側(cè)部的第二障礙板框架842。多個(gè)第二障礙板841可以沿著X軸方向以相等的間隔彼此平行地布置。另外，在圖9中，每個(gè)第二障礙板841可以形成為平行于YZ平面延伸，即，垂直于X軸方向延伸。如上所述布置的多個(gè)第一障礙板831和多個(gè)第二障礙板841劃分沉積源噴嘴單元820和圖案化縫隙片850之間的空間。沉積空間被第一障礙板831和第二障礙板841分為分別與排放沉積材料815所通過(guò)的沉積源噴嘴821對(duì)應(yīng)的子沉積空間。 第二障礙板841可以設(shè)置成分別對(duì)應(yīng)于第一障礙板831。換言之，第二障礙板841可以分別設(shè)置成平行于第一障礙板831且與第一障礙板831在同一平面上。每對(duì)對(duì)應(yīng)的第一障礙板831和第二障礙板841可以位于同一平面上。雖然第一障礙板831和第二障礙板841分別示出為在X軸方向上具有相同的厚度，但是本實(shí)用新型的多個(gè)方面不限于此。換言之，需要與圖案化縫隙851精確對(duì)準(zhǔn)的第二障礙板841可以形成得相對(duì)薄，而不需要與圖案化縫隙851精確對(duì)準(zhǔn)的第一障礙板831可以形成得相對(duì)厚。這使得制造有機(jī)層沉積組件更為容易。圖10是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件900的示意性透視圖。參照?qǐng)D10，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備900包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920和圖案化縫隙片950。具體地講，沉積源910包括坩堝912，填充有沉積材料915 ;冷卻阻擋件911，圍繞坩堝912 ;加熱器，可以位于冷卻阻擋件911中。加熱器加熱坩堝912以使容納在坩堝912中的沉積材料915汽化，從而使汽化的沉積材料915移動(dòng)到沉積源噴嘴單元920。具有平面形狀的沉積源噴嘴單元920設(shè)置在沉積源910的側(cè)部。沉積源噴嘴單元920包括沿Y軸方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴921。圖案化縫隙片950和框架955進(jìn)一步設(shè)置在沉積源910和基板500之間。圖案化縫隙片950包括沿X軸方向布置的多個(gè)圖案化縫隙951。此外，沉積源910和沉積源噴嘴單元920可以通過(guò)第一連接構(gòu)件935連接到圖案化縫隙片950。圖10的當(dāng)前實(shí)施例與前面實(shí)施例的不同之處在于多個(gè)沉積源噴嘴在沉積源噴嘴單元920中的布置，現(xiàn)在將對(duì)此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。沉積源噴嘴單元920設(shè)置在沉積源910的側(cè)部處，具體地講，設(shè)置在沉積源910的面對(duì)基板500的側(cè)部處。沉積源噴嘴單元920包括可以沿Y軸方向(S卩，基板500的掃描方向)按相等的間隔布置的多個(gè)沉積源噴嘴921。在沉積源910中汽化的沉積材料915穿過(guò)沉積源噴嘴單元920朝向基板500。如上所述，當(dāng)沉積源噴嘴單元920包括沿Y軸方向(SP，基板500的掃描方向)布置的多個(gè)沉積源噴嘴921時(shí)，由排放通過(guò)圖案化縫隙片950的圖案化縫隙951的沉積材料形成的圖案的尺寸受沉積源噴嘴921之一的尺寸的影響(這是因?yàn)檠豖軸方向僅有一行沉積源噴嘴)，因此可能沒(méi)有在基板500上形成陰影區(qū)域。此外，因?yàn)槎鄠€(gè)沉積源噴嘴921沿基板500的掃描方向布置，所以即使沉積源噴嘴921之間存在流量差異，也可以補(bǔ)償該差異并且可以保持沉積均勻性恒定。[0110]圖11是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件900'的示意性透視圖。參照?qǐng)D11，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備900'包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920和圖案化縫隙片950。當(dāng)前實(shí)施例與前面實(shí)施例的不同之處在于形成在沉積源噴嘴單元920上的多個(gè)沉積源噴嘴921以設(shè)定的角度或預(yù)定的角度傾斜。具體地講，沉積源噴嘴921可以包括沿各行布置的沉積源噴嘴921a和921b。沉積源噴嘴921a和921b可以沿各自的行布置成以“Z”字形圖案交替。沉積源噴嘴921a和921b可以相對(duì)于XZ平面傾斜設(shè)定的角度或預(yù)定的角度。因此，在本實(shí)用新型的當(dāng)前實(shí)施例中，沉積源噴嘴921a和921b布置成彼此以設(shè)定的角度或預(yù)定的角度傾斜。第一行的沉積源噴嘴921a和第二行的沉積源噴嘴921b可以?xún)A斜成相互面對(duì)。即，沉積源噴嘴單元920的左部的第一行沉積源噴嘴921a可以?xún)A斜成面向·圖案化縫隙片950的右側(cè)部分，沉積源噴嘴單元920的右部的第二行沉積源噴嘴921b可以?xún)A斜成面向圖案化縫隙片950的左側(cè)部分。由于根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備900'的結(jié)構(gòu)，使得可以將沉積材料915的沉積調(diào)整成減小在基板500的中心和端部之間的厚度變化并改善沉積膜的厚度均勻性。另外，還可以提聞沉積材料915的利用效率。圖12是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的通過(guò)利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。參照?qǐng)D12，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置形成在基板500上?；?00可以由諸如玻璃、塑料或金屬的透明材料形成。諸如緩沖層的絕緣層31形成在基板500的整個(gè)表面上。薄膜晶體管(TFT)40、電容器50和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)設(shè)置在絕緣層31上，如圖12所示。這里，電容器50包括第一電容器電極51和第二電容器電極52。半導(dǎo)體有源層41以設(shè)定的圖案或預(yù)定的圖案形成在絕緣層31的上表面上。柵極絕緣層32形成為覆蓋半導(dǎo)體有源層41。半導(dǎo)體有源層41可以包含p型或n型半導(dǎo)體材料。TFT 40的柵電極42形成在柵極絕緣層32的對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體有源層41的區(qū)域中。層間絕緣層33形成為覆蓋柵電極42。例如通過(guò)例如干蝕刻來(lái)蝕刻層間絕緣層33和柵極絕緣層32，以形成暴露半導(dǎo)體有源層41的一些部分的接觸孔。此外，層間絕緣層33形成(被圖案化)為處于第一電容器電極51和第二電容器電極52之間。源/漏電極43形成在層間絕緣層33上，以通過(guò)接觸孔接觸半導(dǎo)體有源層41。鈍化層34形成為覆蓋源/漏電極43，并且被蝕刻為暴露漏電極43的一部分。絕緣層(未示出)可進(jìn)一步形成在鈍化層34上，以使鈍化層34平坦化。此外，OLED 60隨著電流流動(dòng)通過(guò)發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光來(lái)顯示設(shè)定的圖像信息或預(yù)定的圖像信息。OLED 60包括設(shè)置在鈍化層34上的第一電極61。第一電極61電連接到TFT 40的漏電極43。像素限定層35形成為覆蓋第一電極61。開(kāi)口 65形成在像素限定層35中，然后，包括發(fā)射層的有機(jī)層63形成在由開(kāi)口 65限定的區(qū)域中。第二電極62形成在有機(jī)層63上。限定獨(dú)立的像素的像素限定層35由有機(jī)材料形成。像素限定層35還使基板500的形成有第一電極61的區(qū)域的表面平坦化，具體地講，使鈍化層34的表面平坦化。第一電極61和第二電極62彼此絕緣，并且分別向包括發(fā)射層的有機(jī)層63施加極性相反的電壓，以誘導(dǎo)發(fā)光。包括發(fā)射層(EML)的有機(jī)層63可以由低分子量有機(jī)材料或高分子量有機(jī)材料形成。當(dāng)使用低分子量有機(jī)材料時(shí)，有機(jī)層63 (包括發(fā)射層)可以具有包括從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)射層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)組成的組中選擇的至少一層的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)?？捎玫挠袡C(jī)材料的示例可以包括銅酞菁(CuPc)、N，N’ - 二(萘-I-基)-N, N，- 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)、三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)等。在形成這種有機(jī)層之后，可以通過(guò)與形成有機(jī)層63所使用的沉積方法相同的沉積方法來(lái)形成第二電極62。 第一電極61可以起著陽(yáng)極的作用，并且第二電極62可以起著陰極的作用。可選擇地，第一電極61可以起著陰極的作用，并且第二電極62可以起著陽(yáng)極的作用。第一電極61可以被圖案化為對(duì)應(yīng)于獨(dú)立的像素區(qū)域，第二電極62可以形成為覆蓋所有的像素。第一電極61可以形成為透明電極或反射電極。透明電極可以由氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZ0)、氧化鋅(ZnO)和/或氧化銦(In2O3)形成。反射電極可以通過(guò)以下步驟形成由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的混合物形成反射層；在反射層上形成ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的層?？梢酝ㄟ^(guò)例如濺射形成層，然后通過(guò)例如光刻將該層圖案化，來(lái)形成第一電極61。第二電極62也可以形成為透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌O62形成為透明電極時(shí)，第二電極62起著陰極的作用。為此，可以通過(guò)在包括發(fā)射層的有機(jī)層63的表面上沉積諸如鋰(1^)、鈣(0&)、氟化鋰/鈣(1^ 八^)、氟化鋰/鋁(1^ /^1)、鋁(41)、銀(48)、鎂(1%)或它們的混合物的功函數(shù)低的金屬，并由ITO、IZO、ZnO或In2O3等在所述金屬上形成輔助電極層或匯流電極線(xiàn)，來(lái)形成這樣的透明電極。當(dāng)?shù)诙姌O62形成為反射電極時(shí)，可以通過(guò)在有機(jī)層63的整個(gè)表面上沉積由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物來(lái)形成反射電極?？梢允褂门c上述的用來(lái)形成包括發(fā)射層的有機(jī)發(fā)射層63的沉積方法相同的沉積方法來(lái)形成第二電極62。還可以在第二電極62上形成保護(hù)層64。形成在第二電極62上的保護(hù)層64可以在從非像素區(qū)域去除有機(jī)層63時(shí)起著掩模的作用，并且同時(shí)保護(hù)第二電極62。圖13是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的形成在基板500上的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層63B、63G和63R的平面圖。參照?qǐng)D13，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的基板500具有至少40英寸的尺寸(這里，指基板的對(duì)角線(xiàn)的尺寸為至少40英寸)，有機(jī)層63B、63G和63R形成為具有線(xiàn)性圖案。即，有機(jī)層63B、63G和63R形成為具有包括第一或藍(lán)色(B)條紋63B、第二或綠色(G)條紋63G和第三或紅色(R)條紋63R的多個(gè)線(xiàn)性條紋。利用根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的上述有機(jī)層沉積設(shè)備中的任一適合的有機(jī)層沉積設(shè)備來(lái)形成有機(jī)層63B、63G和63R的線(xiàn)性圖案。這里，有機(jī)層63B、63G和63R可以包括用來(lái)發(fā)射藍(lán)色(B)、綠色(G)或紅色(R)光的發(fā)射層(EML)。例如，第一條紋或藍(lán)色(B)條紋63B包括用來(lái)發(fā)射藍(lán)光的發(fā)射層(EML)，第二條紋或綠色(G)條紋63G包括用來(lái)發(fā)射綠光的發(fā)射層(EML)，第三條紋或紅色(R)條紋63R包括用來(lái)發(fā)射藍(lán)光的發(fā)射層(EML)。另外，有機(jī)層63B、63G和63R還均可以包括從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)和它們的組合組成的組中選擇的層。圖14是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的沿著圖13中的I-I線(xiàn)截取的形成在基板上的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層的剖視圖。現(xiàn)在參照?qǐng)D14，有機(jī)層在基板500上形成為具有不均勻的厚度。即，有機(jī)層的在基板500上的第一部分P1被示出為具有厚度或高度h，有機(jī)層的在基板500上的第二部分P2被示出為具有厚度或高度h2，有機(jī)層的在基板500上的第三部分P3被示出為具有厚度或高度h3，有機(jī)層的在基板500上的第四部分P4被示出為具有厚度或高度h4，有機(jī)層的在基板500上的第五部分P5被示出為具有厚度或高度h5。這里，厚度h大于厚度h2，厚度h2大于厚度h3，厚度h3大于厚度h4，厚度h4大于厚度h5。另外，第一部分P1、第二部分P2、第三部分P3、第四部分P4或第五部分P5可以是第一條紋63B、第二條紋63G或第三條紋63R。BP,在一個(gè)實(shí)施例中，第五部分P5是第一條紋63B的剖面部分，第四部分P4是第二條紋63G的剖面部分，第三部分P3是第三條紋63R的剖面部分。這里，利用根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的上述有機(jī)層沉積設(shè)備中任一適合的有機(jī)層沉 積設(shè)備來(lái)形成厚度不均勻的有機(jī)層Pp P2、P3、P4和P5。另外，適合的有機(jī)層沉積設(shè)備包括被構(gòu)造為包括圖案化縫隙片150的有機(jī)層沉積組件。即，如圖14所示，利用有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片150在基板500上形成有機(jī)層。這里，圖案化縫隙片150被設(shè)置成與基板500分隔開(kāi)并且尺寸比基板500的尺寸小。另夕卜，在根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的在基板500上沉積有機(jī)層時(shí)，圖案化縫隙片150或基板500被構(gòu)造成相對(duì)于另一者移動(dòng)。這樣，在基板500上將有機(jī)層形成為具有如圖13所述的線(xiàn)性圖案，和/或形成為具有如圖14所示的非均勻厚度。鑒于上述，可以應(yīng)用根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備來(lái)形成有機(jī)TFT的有機(jī)層或無(wú)機(jī)層，以及來(lái)形成各種適合材料的層。另外，如上所述，根據(jù)本實(shí)用新型多個(gè)方面的有機(jī)層沉積設(shè)備可以容易地制造，并且可以簡(jiǎn)單地應(yīng)用于批量制造大型顯示裝置。有機(jī)層沉積設(shè)備可以提高制造產(chǎn)率和沉積效率。雖然已經(jīng)參照本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例具體地示出并描述了本實(shí)用新型，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離由權(quán)利要求所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，可以在此做出各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。
權(quán)利要求1.一種有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括 靜電吸盤(pán)，支撐基板； 沉積單元，包括保持一定真空的室以及有機(jī)層沉積組件，有機(jī)層沉積組件在由靜電吸盤(pán)支撐的基板上沉積至少一層有機(jī)層；以及 第一輸送器單元，穿過(guò)所述室并且將支撐基板的靜電吸盤(pán)移動(dòng)到沉積單元中， 其中，第一輸送器單元包括引導(dǎo)單元，引導(dǎo)單元包括接納構(gòu)件，以使在靜電吸盤(pán)與第一輸送器單元分隔開(kāi)的同時(shí)使靜電吸盤(pán)能夠沿著一定的方向移動(dòng)， 其中，基板與有機(jī)層沉積組件分隔開(kāi)，基板或有機(jī)層沉積組件被構(gòu)造成在沉積過(guò)程中相對(duì)于另一者移動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，所述有機(jī)層沉積設(shè)備還包括 裝載單元，將基板固定到靜電吸盤(pán)； 卸載單元，使已經(jīng)完成沉積的基板與靜電吸盤(pán)分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，第一輸送器單元被構(gòu)造為將靜電吸盤(pán)順序地移動(dòng)到裝載單元、沉積單元和卸載單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，所述有機(jī)層沉積設(shè)備還包括第二輸送器單元，以使與基板分離的靜電吸盤(pán)從卸載單元返回到裝載單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，引導(dǎo)單元包括 驅(qū)動(dòng)單元，產(chǎn)生移動(dòng)靜電吸盤(pán)的驅(qū)動(dòng)力； 磁懸浮軸承，使靜電吸盤(pán)懸浮在接納構(gòu)件上方而不與接納構(gòu)件接觸地移動(dòng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，驅(qū)動(dòng)單元包括線(xiàn)性電機(jī)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，線(xiàn)性電機(jī)包括設(shè)置在靜電吸盤(pán)的一側(cè)處的磁軌和設(shè)置在接納構(gòu)件中的線(xiàn)圈。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，磁懸浮軸承包括設(shè)置在靜電吸盤(pán)一側(cè)處的側(cè)部磁懸浮軸承和設(shè)置在靜電吸盤(pán)上的上部磁懸浮軸承，驅(qū)動(dòng)單元設(shè)置在靜電吸盤(pán)的一側(cè)處。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，磁懸浮軸承包括從由電磁體、永磁體、超導(dǎo)磁體和它們的組合組成的組中選擇的磁體。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，所述有機(jī)層沉積設(shè)備還包括間隙傳感器，以測(cè)量接納構(gòu)件與靜電吸盤(pán)之間的間隙。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，所述有機(jī)層沉積設(shè)備還包括由間隙傳感器控制的磁懸浮軸承，以提供使靜電吸盤(pán)懸浮在接納構(gòu)件上方的磁力。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，磁懸浮軸承包括設(shè)置在靜電吸盤(pán)一側(cè)處的側(cè)部磁懸浮軸承和設(shè)置在靜電吸盤(pán)上的上部磁懸浮軸承。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，間隙傳感器包括第一間隙傳感器，測(cè)量靜電吸盤(pán)與第一輸送器單元之間的沿著第一方向的間隙；第二間隙傳感器，測(cè)量靜電吸盤(pán)與第一傳感器單元之間的沿著與第一方向交叉的第二方向的間隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，所述有機(jī)層沉積設(shè)備還包括 第一磁懸浮軸承，使靜電吸盤(pán)懸浮而與第一輸送器單兀沿著第一方向分隔開(kāi)；第二磁懸浮軸承，使靜電吸盤(pán)懸浮而與第一輸送器單兀沿著與第一方向交叉的第二方向分隔開(kāi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，接納構(gòu)件包括接納靜電吸盤(pán)的相對(duì)的側(cè)部的接納槽。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，有機(jī)層沉積組件包括設(shè)置在所述室中的多個(gè)有機(jī)層沉積組件。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，所述室包括彼此互連的第一室和第二室，有機(jī)層沉積組件包括設(shè)置在第一室和第二室中的每個(gè)室中的多個(gè)有機(jī)層沉積組件。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其特征在于，有機(jī)層沉積組件包括 沉積源，被構(gòu)造為排放沉積材料； 沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)處并且包括多個(gè)沉積源噴嘴； 圖案化縫隙片，設(shè)置成與沉積源噴嘴單元面對(duì)并分隔開(kāi)，具有多個(gè)圖案化縫隙，并且比基板小。
19.一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括 基板，具有至少40英寸的尺寸；以及 利用根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)層沉積設(shè)備形成在基板上的所述至少一層有機(jī)層，具有線(xiàn)性圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述至少一層有機(jī)層包括發(fā)射層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述至少一層有機(jī)層還包括從由空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和它們的組合組成的組中選擇的層。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述至少一層有機(jī)層具有不均勻的厚度。
23.一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括 利用根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)層沉積設(shè)備形成的所述至少一層有機(jī)層，具有不均勻的厚度。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種有機(jī)層沉積設(shè)備和一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括靜電吸盤(pán)，固定地支撐作為沉積目標(biāo)的基板；沉積單元，包括保持一定真空的室以及有機(jī)層沉積組件，有機(jī)層沉積組件用來(lái)在由靜電吸盤(pán)固定地支撐的基板上沉積有機(jī)層；第一輸送器單元，用來(lái)將固定地支撐基板的靜電吸盤(pán)移動(dòng)到沉積單元中，其中，第一輸送器單元穿過(guò)室的內(nèi)部，第一輸送器單元包括引導(dǎo)單元，引導(dǎo)單元具有接納構(gòu)件，用來(lái)使靜電吸盤(pán)可沿著一定的方向移動(dòng)。根據(jù)本實(shí)用新型的有機(jī)層沉積設(shè)備可以容易地制造，可以應(yīng)用于以簡(jiǎn)單的方式大規(guī)模地制造大型顯示裝置，并且提高了制造產(chǎn)率和沉積效率。
文檔編號(hào)C23C14/50GK202786403SQ201220319909
公開(kāi)日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月4日
發(fā)明者張錫洛, 南命佑, 康熙哲, 金鐘憲, 洪鐘元, 蔣允豪 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司