專利名稱：制造基板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造基板的方法，該基板具有平的、光滑的、基本上無缺陷的表面，一般是合成石英玻璃或硅基板，在現(xiàn)代技術(shù)中用作光掩模、納米壓印模具和液晶濾色片。
背景技術(shù)：
在將在精密設(shè)備例如半導(dǎo)體集成電路等中引入的組件的制造中，經(jīng)常使用例如光刻法或納米壓印法等的現(xiàn)代技術(shù)。在這種技術(shù)的使用之中，重要的是基板在表面上具有盡可能少的缺陷。例如，如果光刻法中用作曝光模型的光掩模存在缺陷，就有形成有缺陷的圖案的危險，因為缺陷會直接地轉(zhuǎn)移到圖案上。為了適應(yīng)在最近的EUV印刷技術(shù)中存在的圖案超小型化的需要，作為模型的基板也被要求具有平的、光滑的、基本上沒有缺陷的表面。用作光掩模和液晶濾片的合成石英玻璃基板必須具有高的平整度、高光滑度和低缺陷。其在準(zhǔn)備用于后續(xù)工藝之前，經(jīng)受的幾個再次表面處理的步驟包括研磨和拋光步驟。研磨步驟的目的是從晶錠上除去由切割引起的應(yīng)變。拋光步驟的目的是時基板進行鏡面加工，以使其表面的平整度和形狀得到改善。最終拋光步驟是用具有小顆粒尺寸的膠體二氧化硅磨料拋光該基板，獲得具有平的、光滑表面和不存在顯微缺陷的基板。例如，專利文獻I描述了一種獲得最少缺陷基板的方法，其中最終拋光步驟包括使用拋光襯墊的拋光步驟，拋光襯墊具有由酯類樹脂和小顆粒尺寸的膠體二氧化硅制成的拉毛層。專利文獻2公開了一種研磨大尺寸基板的方法，其使用具有溝槽的研磨平臺，具有溝槽以允許漿料的流速。進一步，專利文獻3描述了一種拋光基底以減少缺陷的方法，其中最終拋光步驟中使用發(fā)泡聚氨酯麂皮拋光襯墊，襯墊具有拉毛層，該拉毛層上提供有預(yù)定深度的溝槽。合成石英玻璃基板不僅適合于ArF準(zhǔn)分子激光器光刻技術(shù)，而且也適合于被要求在表面上具有最小缺陷數(shù)的EUV光刻法。在大尺寸基板的情況下，通常難以提供漿料供給，要求漿料充分地分布在基板上以保證基板表面的缺陷數(shù)最小。盡管專利文獻I的方法作為一般的工藝，制造線寬下至45nm的光掩模基板還是令人滿意的，但其難以制造無缺陷的、主直徑級別為40nm的超低缺陷基板。即使可以制造這種超低缺陷的基板，生產(chǎn)率也是非常低的。只要拋光襯墊和漿料是新鮮的，這兩者可能在最終拋光步驟中完全有能力勝任，但是如果有一個開始退化，拋光條件的平衡就迅速被打破了。尤其是在大尺寸基板中，漿料稠化和凝膠導(dǎo)致漿料可能不能散布在整個基板上，導(dǎo)致基板表面上產(chǎn)生更多的缺陷和基板不能長期使用。盡管專利文獻2的方法在使?jié){料散布在整個基板上的方面是有效的，但某些因素可能會導(dǎo)致研磨后的基板平整度惡化，例如因為研磨平臺本身具有溝槽，研磨平臺隨著時間流逝會發(fā)生變形的現(xiàn)象?？梢灶A(yù)期，通過專利文獻3的方法可以制造具有最小缺陷數(shù)的基板，只要研磨襯墊保持新鮮。因為在拋光襯墊的連續(xù)工作過程中會出現(xiàn)拉毛層磨損、溝槽形狀變形和槽深度減小的情況，看起來難以通過一種方式就獲得最少缺陷的基板。
引用列表專利文獻I JP-A2007-213020 (W02007072890)專利文獻2 JP-A2007-054944專利文獻3 JP-A2004-25546
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種制備具有平的、光滑的、基本上無缺陷的基板的方法，一般是合成石英玻璃或硅基板，用作1C、光掩模和大尺寸液晶顯示基板，其中對最終拋光步驟做出改性以使缺陷數(shù)最小，并且使基板表面具有高平整度。通過使用拋光襯熱和漿料拋光基板表面，制造基板。關(guān)注構(gòu)成拋光襯墊拉毛層的基礎(chǔ)樹脂，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過利用具有由基礎(chǔ)樹脂制成的拉毛層的拋光；墊獲得了更好的結(jié)果，基礎(chǔ)樹脂包括至少三種樹脂，其中包括醚類樹脂，優(yōu)選地包括必要的醚類樹脂，以及進一步包括至少兩種樹脂，這兩種樹脂包括酯類樹脂和聚碳酸酯樹酯。通過使用這種設(shè)計的拋光襯墊，可以拋光所有不同尺寸的基板，使其在表面上可具有最小缺陷數(shù)和高平整度。一方面，本發(fā)明提供了一種制造基板的方法，包括使用拋光襯墊和拋光漿料對基板表面拋光的步驟，拋光襯墊具有由基礎(chǔ)樹脂制成的多孔的拉毛層，基礎(chǔ)樹脂包括至少三種樹脂，其中包括醚類樹脂，拉毛層與基板表面相接觸。在一個優(yōu)選實施方案中，用于制備拉毛層的基礎(chǔ)樹脂包括醚類樹脂，以及進一步的至少二種樹脂，包括酯類樹脂和聚碳酸酯樹酯。在一個優(yōu)選實施方案中，拋光漿料包含膠體微粒，更優(yōu)選是二氧化硅，二氧化鈰或者二氧化鋯的膠體微粒。

在一個優(yōu)選實施方案中，拋光步驟是最終拋光步驟。在一個優(yōu)選實施方案中，基板是合成石英玻璃或者娃基板。發(fā)明的有益效果根據(jù)本發(fā)明，可制得在表面上具有最小缺陷數(shù)和高平整度的基板。其它的優(yōu)點包括延長的拋光襯墊使用壽命，成本降低和生產(chǎn)率提高。
具體實施例方式通過用樹脂浸潰無紡織物的支承體，以用樹脂來填充無紡織物支承體，同時在該支承體表面形成樹脂層，從而制造拋光襯墊。將該樹脂層稱為“拉毛層”。在本發(fā)明的一個實施方案中，拋光襯墊包括拉毛層，其由基礎(chǔ)樹脂組合物制成，該基礎(chǔ)樹脂組合物包括至少三種樹脂，其中包括醚類樹脂，優(yōu)選至少三種樹脂包括醚類樹脂，酯類樹脂和聚碳酸酯樹酯，和該拉毛層具有大量的孔。首先要說明的是，為什么在拉毛層的基礎(chǔ)樹脂組合物中醚類樹脂是必要的。當(dāng)通過拋光襯墊對基板拋光時，由于在襯墊和基板之間的摩擦而放出拋光熱量。該拋光熱量使?jié){料中的水分蒸發(fā)，漿料中的磨料顆粒易于凝聚成為大的顆粒，其可能導(dǎo)致基板表面產(chǎn)生劃傷。作為漿料中水分蒸發(fā)的結(jié)果，漿料也失去了流動性，增大了襯墊和基板之間的摩擦阻力，導(dǎo)致拉毛層磨損。人們相信，如果醚類樹脂用于拉毛層，拋光襯墊會在使?jié){料在拉毛層中的適當(dāng)保持方面有提高，恰當(dāng)?shù)卦诶珜拥目字?，因為醚類樹脂中的氧和漿料中的水分子容易接近。這允許使?jié){料在拋光襯墊和基板之間有足夠供給，防止了由于拋光熱量的磨料顆粒的凝聚和拉毛層磨損。對于被伴隨地送入到拋光步驟中的拋光漿料，例如裝載有膠體微粒的拋光漿料，通常加入添加劑以提高磨料顆粒的分散性。某些添加劑可造成拋光漿料向堿性或酸性方面的明顯轉(zhuǎn)移，而可能引起堿輔助或者酸輔助水解，導(dǎo)致拉毛層的失效。在這種情況的同時，如果將具有耐化學(xué)性的醚類樹脂用于該拉毛層中，盡管有水分子進入，但由于醚的部分缺少羥基而不發(fā)生水解。因此即使拋光襯墊支承體的聚氨酯部分水解，與包含酯類樹脂的拉毛層等相比，包含醚類樹脂的拉毛層仍保持耐化學(xué)性和抗水解性。另一方面，如果由只由醚類樹脂單獨組成的基礎(chǔ)樹脂組合物制成拉毛層，該拉毛層耐受機械剪切力能力弱。盡管拉毛層理想地應(yīng)該具有可直接滲透至表面的孔，但在只由醚類樹脂單獨地可形成這種理想拉毛層之前，也必須在此醚類樹脂中加入大量的表面活性齊U。然而，如果加入了大量的表面活性劑，表面活性劑易于與可能粘附在基板表面上的磨料顆粒結(jié)合，增加突起的缺陷。此外，因為在拉毛層形成步驟中產(chǎn)生了許多的小氣泡，拉毛層的樹脂部分具有低密度和是可變形的。還因為醚類樹脂對熱水的抗性較差，因此產(chǎn)生了問題:如果漿料的溫度由于拋光熱量導(dǎo)致局部升高，醚類樹脂的主鏈在局部的高溫中會被水分子斷開，導(dǎo)致拉毛層的失效。此外，通過親核置換反應(yīng)，醚鍵部分具有成酸分裂的可能性，因此產(chǎn)生了問題，如果使用PH值是約I的酸性膠體二氧化硅磨料，在正常溫度的拋光條件下醚樹脂可能會分解，即拉毛層可能失效。為了克服上述問題，用酯類樹脂混合醚類樹脂是有效的。與單獨使用醚類樹脂相t匕，酯類樹脂的加入彌補了機械剪切性能，減少了在拉毛層形成步驟中表面活性劑的加入量，便于形成垂直的延伸孔，增大了樹脂拉毛層的密度。因為通過改變了制成酯類樹脂的單體的結(jié)構(gòu)，酯類樹脂可在耐化學(xué)性方面有所改進，酯類樹脂結(jié)合醚類樹脂保證了拉毛層在一定拋光壽命內(nèi)具有耐化學(xué)性。醚/酯類樹脂共混物在如增加負(fù)載和增加旋轉(zhuǎn)速度等強力的拋光條件下的耐磨性和機械剪切力相對不足。為了補償耐久性，建議進一步混合聚碳酸酯樹酯。該所得拉毛層具有增加的機械強度。S卩，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)通過在具有高漿料停留性的樹脂中任選地加入改性的耐堿性樹脂，可同時防止由附隨進入拋光步驟的拋光漿料引起的堿輔助或者酸輔助水解導(dǎo)致的拉毛層退化和拋光襯墊的磨損。通過使用具有由基礎(chǔ)樹脂組合物制成的拉毛層的拋光；墊，可拋光基板得到在表面上具有最小缺陷數(shù)和高平整度，其中基礎(chǔ)樹脂組合物包括必要的醚類樹脂和二種或更多的其它樹脂。另外，拉毛層在機械剪切力和耐堿性或耐酸性方面也有改進，拋光襯墊的使用壽命延長。制備拉毛層的該基礎(chǔ)樹脂組合物中包括必要的醚類樹脂和兩種或更多種的其它樹脂，一般是酯類樹脂和聚碳酸酯樹酯。根據(jù)情況也可以選擇加入任何其它的樹脂。合適的在此可用醚類樹脂包括聚亞烷基醚，如聚六亞甲基醚和聚苯醚。合適的在此可用酯類樹脂包括二醇類脂肪酸聚酯，如聚丁二酸亞乙酯，聚琥珀酸亞丁酯和聚己二酸亞乙基酯。合適的此處可用的聚碳酸酯樹酯包括聚碳酸亞烷基酯，如聚碳酸亞乙基酯和聚碳酸亞己基酯。這些樹脂是市售可獲得的。優(yōu)選混合樹脂以形成拉毛層形成樹脂組合物，以致該樹脂組合物可包括55-85wt%的醚類樹脂，10-35wt%的酯類樹脂,5_10wt%的聚碳酸酯樹酯和任選的其它樹脂，包括聚氨酯樹脂。在上述范圍之外，該拉毛層可能不具有期望的耐堿性或耐酸性，或者耐受機械剪切力的能力弱。盡管拋光襯墊的無紡支承物的種類并無特別限定，但優(yōu)選由聚酯和聚酰胺組成的無紡支承物?？赏ㄟ^任何已知的方法制造拋光襯墊。例如，將醚類樹脂，酯類樹脂，聚碳酸酯樹酯和任選的樹脂溶于相容的溶劑中，如N，N-二甲基甲酰胺，二甲亞砜，四氫呋喃或二甲基乙酰胺。在溶液中加入非離子型或者陰離子型表面活性劑。用溶液處理無紡支承物，以使支承物在其中浸透和在該支承物表面形成樹脂層。水洗樹脂層以溶出其中的表面活性齊U。最終對樹脂層表面進行拋光和調(diào)整，形成拉毛層。人們注意到拉毛層一般的厚度是400-550 μ m,但厚度無特別限定。支承物的厚度一般是l_2mm。當(dāng)拉毛層包含孔時，孔優(yōu)選自襯墊表面具有250_600nm的深度，更優(yōu)選300-500nm?？咨钚∮?50nm時可能無法保持足夠量的拋光漿料，會不良地影響拋光速率。如果孔深大于600nm，拉毛層很可能變形，導(dǎo)致拋光的基板的平整度降低。開孔的尺寸(或直徑)，作為主直徑優(yōu)選是在25_70μπι的范圍內(nèi)，更優(yōu)選35-60 μ m。如果開孔尺寸小于25微米，那么磨料顆?？赡懿贿M入孔中，對拋光速率有負(fù)面影響。如果開孔尺寸超過70 μ m，可能不能確保將磨料顆粒捕獲在孔內(nèi)。此處可用的拋光襯墊具有拉毛層，如果需要可以加有溝槽。在拋光大尺寸基板時，與小尺寸基板如形成光掩模的合成石英基板相比，漿料難以鋪展在整個基板上。在此情況下，通過使用加有溝槽的拋光襯墊保證了漿料至基板的足量供給。溝槽的形狀可以是例如V型、U型等。可以選擇溝槽的合適間距，取決于拋光條件，優(yōu)選在15-40_范圍內(nèi)。在此范圍之外，具有間距較窄的溝槽的襯墊可能會變形，經(jīng)常導(dǎo)致拋光基板的平整度變差或擾亂形狀；間距較寬的溝槽設(shè)置在提供足量的漿料供給方面可能效率低下。在拋光步驟中被附隨送入的漿料是基于以膠體微粒形式的磨料顆粒。磨料顆粒優(yōu)選地具有5-2000nm的初始粒度，更優(yōu)選10_1500nm，甚至更優(yōu)選20_1200nm。在此范圍外，較小的磨料顆粒尺寸有益于提供基板表面高的平整度，但對拋光之后的清潔有負(fù)面影響，因為較小的顆粒可能粘附在基板表面上。相反地，較大尺寸的磨料顆?？捎行г黾訏伖馑俾屎鸵虼藴p少拋光時間，由此可以預(yù)期在生產(chǎn)率方面的提高，但會使拋光基板的表面粗糙度惡化，因此在最終拋光步驟中使用通常是不合適的。作為膠體磨料，可以使用市售可獲得的產(chǎn)品，也可使用在去離子水中的固體磨料顆粒漿料。膠體二氧化硅漿料的實例包括Fuj imi公司的COMPOL ~50,COMPOL-8O，COMPOL-120 和 C0MP0L-EXIII，Nissan 化學(xué)工業(yè)有限公司的 ST-XL，ST-YL 和 ST-ZL，杜邦的Syton 和Fuso化學(xué)有限公司的GP系列。膠體二氧化鈰漿料的實例包括Showa DenkoK.K.的NX系列，Mitsui Mining&Smelting有限公司的Mirek 系列。膠體二氧化錯衆(zhòng)料的實例包括Daiichi Kigenso Kagaku Kogyo有限公司的氧化錯系列和穩(wěn)定氧化錯系列，和Ferro 公司的Zyrox 系列。使用上述拋光襯墊和上述拋光漿料拋光基板的工藝的優(yōu)點是拋光襯墊的壽命延長了，使用高靈敏度探傷儀可檢測到的尺寸的缺陷的數(shù)量減少了，拋光基板的表面平整度也提聞了。 將通過本發(fā)明的方法拋光的基板一般包括合成石英玻璃基板和硅基板，其可在半導(dǎo)體相關(guān)電子材料，尤其是作為光掩模，納米壓印模具，LC濾色器和磁性設(shè)備中使用。盡管對基板的尺寸無特別限定，適合拋光的基板包括正方形的基板，如5平方英寸的基板和6平方英寸的基板，圓形的玻璃基板，如直徑6英寸和8英寸的晶片，以及大尺寸基板，如尺寸G8 (1220 X 1400mm)和 GlO (1620 X 1780mm)等?；逶诮?jīng)受本發(fā)明的方法之前可作適當(dāng)處理。例如合成石英玻璃晶錠在經(jīng)受本發(fā)明的方法之前經(jīng)過成型，退火，切割，倒角，研磨和鏡面精加工拋光處理。在此意義上，將本發(fā)明的方法用在如此加工處理的基板上作為最終拋光步驟。本發(fā)明的拋光方法一般是在間歇式雙面拋光機上進行的。對于大尺基板，可使用單面拋光機。拋光方法可與另一拋光技術(shù)相結(jié)合進行，如單晶片拋光。優(yōu)選地拋光壓力在60-140gf/cm2范圍，拋光容差在2-8 μ m范圍。實施例下述實施例用作說明，而不是對本發(fā)明做出限制。實施例1切片出平方英寸和6.35mm厚)的合成石英玻璃基板坯料，在雙面行星運動研磨機上研磨后，在雙面行星運動拋光機上粗拋光，得到起始基板。利用拋光襯墊和漿料對起始基板拋光。拋光襯墊具有由基礎(chǔ)樹脂組合物制成的拉毛層，基礎(chǔ)樹脂組合物由三種樹脂組成:65wt%的醚類樹脂、30wt%的酯類樹脂和5被％的聚碳酸酯樹酯，以及具有大量孔，平均開孔尺寸50 μ m。拋光漿料是膠體二氧化硅的水分散體,SiO2濃度為40wt% (Fujimi公司制造,粒度76.8nm)。在100gf/cm2的壓力下進行拋光至拋光容差(至少2μπι)，足以去除由粗拋光步驟引起的損傷。拋光后續(xù)清潔和干燥步驟。使用激光共焦光學(xué)高靈敏度缺陷檢測系統(tǒng)(Lasertec公司)檢測基板的缺陷，發(fā)現(xiàn)平均具有1.1個主直徑級別為40nm或更大的缺陷。基板的表面粗糙度(Rms)是0.12nm。實施例2如實施例1的方法，使用切割的硅晶片(直徑8英寸，1.0mm厚)實驗，得到起始基板。如實施例1地進行拋光，除了拋光壓力是50gf/cm2?；谙嗨频姆治?，基板平均具有
1.3個主直徑級別為40nm或更大的缺陷,表面粗糙度(Rms)是0.14nm。比較例I起始基板與實施例1相同。在和實施例1相同的條件下進行拋光，除了拋光襯墊具有由酯類樹脂單獨制成的拉毛層，還含有大量孔，平均開孔尺寸50 μ m?；谙嗨频姆治?，基板具有平均5.7個主直徑級別為40nm或更大的缺陷，表面粗糙度(Rms)是0.20nm。比較例2起始基板與實施例1相同。在和實施例1相同的條件下進行拋光，除了拋光襯墊具有由聚碳酸酯樹酯單獨制成的拉毛層，還含有大量孔，平均開孔尺寸50μπι?；谙嗨频姆治觯寰哂衅骄?5個主直徑級別為40nm或更大的缺陷，表面粗糙度(Rms)0.22nm。實施例3
將切割(6平方英寸和6.35mm厚)的合成石英玻璃基板坯料在雙面行星運動研磨機上研磨，在雙面行星運動研磨機上粗拋光，得到起始基板。將起始基板在與實施例1相同的條件下拋光，除了實施例1的拋光襯墊具有U型槽，間距30mm，拋光漿料是膠體二氧化硅的水分散體，SiO2濃度40wt% (Fuso化學(xué)有限公司，粒度23nm)。在拋光、清潔和干燥之后，使用激光共焦光學(xué)高靈敏度缺陷檢測系統(tǒng)(Lasertec公司)檢測基板的缺陷，發(fā)現(xiàn)平均具有0.4個主直徑級別為40nm或更大的缺陷。基板的表面粗糙度(Rms)是0.08nm。實施例4在雙面行星運動研磨機上研磨已切割的晶片(直徑6英寸，厚0.775mm)，在雙面行星運動拋光機上粗拋光，得到起始基板。使用實施例3的拋光襯墊和使用S i02濃度20wt %的膠體二氧化硅水分散體(Fuso化學(xué)有限公司，粒度93.5nm)作為拋光漿料，在80gf/cm2的拋光壓力下拋光起始基板。在拋光、清潔和干燥之后，基板表面粗糙度(Rms)為0.15nm。沒有檢到由拋光引起的缺陷，如刮痕或凹點。實施例5將切割(G6尺寸，800X960mm)的合成石英玻璃基板坯料在雙面行星運動研磨機上研磨，在雙面行星運動拋光機上粗拋光，得到起始基板。利用拋光襯墊和拋光漿料對起始基板拋光。拋光襯墊具有由基礎(chǔ)樹脂組合物制成的拉毛層，基礎(chǔ)樹脂組合物由三種樹脂組成:65wt%的醚類樹脂、30wt%的酯類樹脂和5wt%的聚碳酸酯樹酯，以及含有大量孔，平均開孔尺寸50 μ m,和加有間距30mm的U型槽。拋光漿料是膠體二氧化硅的水分散體，SiO2濃度40wt% (Nissan化學(xué)工業(yè)有限公司，粒度78.0nm)。拋光壓力90gf/cm2，拋光容差是IOym0在拋光、清潔和干燥之后，使用反射性高靈敏度缺陷檢測系統(tǒng)(Lasertec公司)檢測基板的缺陷，發(fā)現(xiàn)平均具有O個主直徑級別為0.22 μ m或更大的缺陷。基板的表面粗糙度(Rms)是 0.17nm。實施例6起始基板和拋光襯墊與實施例5相同。使用拋光襯墊在相同的條件下拋光多個基板300小時。制作使用拋光襯墊操作5小時，100小時，200小時和300小時的基板樣品。在使用反射性高靈敏度缺陷檢測系統(tǒng)(Iasertec公司)檢測缺陷之前，腐蝕基板樣品至IOnm的深度。在使用襯墊操作5小時的情況下，主直徑級別為0.22 μ m或更大的缺陷的數(shù)量平均是2個，操作300小時的情況下也是如此。在基板樣品之中，殘留的表面粗糙度(Rms)是
0.17nm。實施例7將切割的(G8尺寸，1220X 1400mm)制造光掩模的合成石英玻璃基板坯料在單面振蕩運動研磨機上研磨，并在單面振蕩運動拋光機上粗拋光，得到起始基板。使用與實施例5相同的拋光襯墊和SiO2濃度40wt%的膠體二氧化硅水分散體(Nissan化學(xué)工業(yè)有限公司，粒度78.0nm)作為拋光漿料拋光起始基板。拋光壓力是80gf/cm2，拋光容差是10 μ m。在拋光、清潔和干燥之后，使用反射性高靈敏度缺陷檢測系統(tǒng)(Lasertec公司)檢測基板缺陷，發(fā)現(xiàn)主直徑級別為0.22 μ m或更大的缺陷平均是2個?；灞砻娲植诙?Rms)0.15nm。實施例8起始基板和拋光襯墊與實施例7相同。使用拋光襯墊在相同的條件下拋光多個基板200小時。制作使用拋光襯墊操作5小時，40小時，100小時和200小時的基板樣品。在使用高靈敏度反射性缺陷檢測系統(tǒng)(Iasertec公司)檢測缺陷之前，腐蝕基板樣品至IOnm的深度。在使用襯墊操作5小時的情況下，主直徑級別為0.22 μ m或更大的缺陷的數(shù)量平均是15個，操作200小時的情況下也是如此。在基板樣品之中，殘留的表面粗糙度(Rms)是 0.15nm。比較例3起始基板與實施例5相同。在與實施例5相同的條件下進行拋光，除了拋光襯墊具有由酯類樹脂單獨制成的拉毛層，并含有大量孔，平均開孔尺寸50 μ m?；陬愃频姆治?，基板平均具有5個主直徑級別為0.22 μ m或更大的缺陷，表面粗糙度(Rms) 0.20nm。比較例4起始基板與實施例6相同。在與實施例6相同的條件下進行拋光，除了拋光襯墊具有由酯類樹脂單獨制成的拉毛層，并含有大量孔，平均開孔尺寸50μπι。使用反射式高靈敏度缺陷檢測系統(tǒng)檢測基板樣品缺陷。使用襯墊操作時間5小時下，主直徑級別為0.22 μ m或更大的缺陷的平均數(shù)是10個；操作200小時下是20個，操作300小時及之后是超過30個?；灞砻娲植诙?Rms)0.22nm。比較例5起始基板與實施例7相同。在與實施例7相同的條件下進行拋光，除了拋光襯墊具有由酯類樹脂單獨制成的拉毛層，并含有大量孔，平均開孔尺寸50 μ m?；陬愃频姆治?，基板平均具有15個主直徑級別為0.22 μ m或更大的缺陷，表面粗糙度(Rms)0.18nm。比較例6起始基板與實施例8相同。在與實施例8相同的條件下進行拋光，除了拋光襯墊具有由酯類樹脂單獨制成的拉毛層，并含有大量孔，平均開孔尺寸50μπι。使用反射式高靈敏度缺陷檢測系統(tǒng)檢測基板樣品的缺陷。使用襯墊操作5小時下，主直徑級別為0.22μπι或更大的缺陷的平均數(shù)是30個；操作40小時下是500個，操作100小時下及之后超過5000個。基板表面粗糙度(Rms)0.20nm。
權(quán)利要求
1.一種制造基板的方法，包括使用拋光襯墊和拋光漿料拋光基板表面的步驟，所述拋光襯墊具有由基礎(chǔ)樹脂制成的多孔拉毛層，基礎(chǔ)樹脂包括至少三種樹脂，其中包括醚類樹月旨，拉毛層和基板表面相接觸。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中制造拉毛層的基礎(chǔ)樹脂包括醚類樹脂，和至少另外兩種樹脂，其中包括酯類樹脂和聚碳酸酯樹酯。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中拋光漿料是包含膠體微粒的拋光漿料。
4.如權(quán)利要求3的方法，其中膠體微粒是二氧化硅，二氧化鈰或二氧化鋯的膠體微粒。
5.如權(quán)利要求1的方法，其中拋光步驟是最終拋光步驟。
6.如權(quán)利要求1的方法，其中基板是合成石英玻璃基板或硅基板。
全文摘要
通過送入漿料和使用拋光襯墊拋光基板表面來制造基板。拋光襯墊具有與基板表面相接觸的多孔拉毛層，拉毛層由基礎(chǔ)樹脂制成，基礎(chǔ)樹脂包括至少三種樹脂，一般是醚類樹脂，酯類樹脂和聚碳酸酯樹酯。拋光基板具有非常平的表面和最小的缺陷數(shù)。
文檔編號B24B29/02GK103144012SQ20121059915
公開日2013年6月12日 申請日期2012年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者松井晴信, 原田大實, 渡部厚, 上田修平, 竹內(nèi)正樹 申請人:信越化學(xué)工業(yè)株式會社