三銀低輻射玻璃及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種三銀低輻射玻璃及其制備方法。三銀低輻射玻璃包括玻璃基底及依次形成于該玻璃基底上的第一復(fù)合介質(zhì)層、第一底部保護(hù)層、第一紅外反射層、第一上部保護(hù)層、第二復(fù)合介質(zhì)層、第二底部保護(hù)層、第二紅外反射層、第二上部保護(hù)層、第三復(fù)合介質(zhì)層、第三底部保護(hù)層、第三紅外反射層、第三上部保護(hù)層、第四復(fù)合介質(zhì)層與頂部保護(hù)層。上述三銀低輻射玻璃具有能進(jìn)行鋼化處理的優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】三銀低輻射玻璃及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種節(jié)能玻璃，尤其是一種三銀低輻射玻璃及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的三銀低輻射玻璃通常是采用真空磁控濺射法生產(chǎn)，其一般包括玻璃基底以及依次形成于玻璃基底上的第一電介質(zhì)組合層、第一銀層、第一阻擋層、第二電介質(zhì)組合層、第二銀層、第二阻擋層、第三電介質(zhì)組合層、第三銀層、第三阻擋層與第四電介質(zhì)組合層。
[0003]第一電介質(zhì)組合層、第二電介質(zhì)組合層、第三電介質(zhì)組合層或第四電介質(zhì)組合層一般是由金屬或非金屬的氧化物或氮化物形成，例如氧化鈦(Ti02)、鋅錫氧化物(ZnSnOx)、氧化錫(Sn02)、氧化鋅(ZnO)、氧化娃(Si02)、氧化鉭(Ta205)、氧化秘(Bi02)、氧化招(A1203)、鋅鋁氧化物(ΑΖ0)、氧化鈮(Nb2O5)或氮化硅(Si3N4)15
[0004]第一阻擋層、第二阻擋層或第三阻擋層一般是由金屬、金屬氧化物或金屬氮化物來形成，也可以是合金、合金氧化物或合金氮化物來形成，例如ΑΖ0、鈦(Ti)、鎳鉻合金(NiCr),鎳鉻氧化物(NiCrOx)或鎳鉻氮化物(NiCrNx)。
[0005]出于安全性的考慮，三銀低輻射玻璃在實(shí)際應(yīng)用中要求鋼化處理，然而現(xiàn)有的三銀低輻射玻璃的膜層結(jié)構(gòu)不耐高溫，在68(T720°C溫度范圍內(nèi)的鋼化處理過程中膜層容易遭到破壞，而導(dǎo)致低輻射玻璃功能喪失。因此，在實(shí)際生產(chǎn)中，現(xiàn)有的三銀低輻射玻璃只能先對(duì)玻璃基底進(jìn)行鋼化，然后再在鋼化后的玻璃基底上鍍膜。但先玻璃基底鋼化后鍍膜的制備方式有如下缺點(diǎn):難以實(shí)現(xiàn)彎弧鍍膜、生產(chǎn)效率低、加工成本高及運(yùn)輸成本高等。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]鑒于上述狀況，有必要提供一種能進(jìn)行鋼化處理的三銀低輻射玻璃及其制備方法。
[0007]本發(fā)明提供一種三銀低輻射玻璃，其包括玻璃基底及依次形成于該玻璃基底上的第一復(fù)合介質(zhì)層、第一底部保護(hù)層、第一紅外反射層、第一上部保護(hù)層、第二復(fù)合介質(zhì)層、第二底部保護(hù)層、第二紅外反射層、第二上部保護(hù)層、第三復(fù)合介質(zhì)層、第三底部保護(hù)層、第三紅外反射層、第三上部保護(hù)層、第四復(fù)合介質(zhì)層與頂部保護(hù)層。
[0008]該第一復(fù)合介質(zhì)層、該第二復(fù)合介質(zhì)層、該第三復(fù)合介質(zhì)層與該第四復(fù)合介質(zhì)層分別包含鋅鋁氧化物。
[0009]該第一復(fù)合介質(zhì)層、該第二復(fù)合介質(zhì)層、該第三復(fù)合介質(zhì)層與該第四復(fù)合介質(zhì)層分別由多層介質(zhì)層組合而成，且在該第一復(fù)合介質(zhì)層、該第二復(fù)合介質(zhì)層、該第三復(fù)合介質(zhì)層與該第四復(fù)合介質(zhì)層中對(duì)應(yīng)與第一底部保護(hù)層、第一上部保護(hù)層、第二底部保護(hù)層、第二上部保護(hù)層、第三底部保護(hù)層、第三上部保護(hù)層或頂部保護(hù)層相接觸的介質(zhì)層是由鋅鋁氧化物形成。
[0010]該第一復(fù)合介質(zhì)層的厚度為15?45nm,該第二復(fù)合介質(zhì)層的厚度為55?80nm、該第三復(fù)合介質(zhì)層的厚度為55?80nm,該第四復(fù)合介質(zhì)層的厚度為25?40nm。
[0011]該第一紅外反射層、該第二紅外反射層與該第三紅外反射層分別是由銅銀合金形成，且在銅銀合金中，銀與銅的質(zhì)量比為1:廣100:1。
[0012]該第一紅外反射層的厚度為8?15nm，該第二紅外反射層的厚度為9?17nm，該第三紅外反射層的厚度為l(T20nm。
[0013]該第一紅外反射層的厚度小于該第二紅外反射層的厚度，該第二紅外反射層的厚度小于該第三紅外反射層的厚度。
[0014]該第一底部保護(hù)層、該第一上部保護(hù)層、該第二底部保護(hù)層、該第二上部保護(hù)層、該第三底部保護(hù)層與該第三上部保護(hù)層分別是由鎳鈦合金形成，且在鎳鈦合金中，鎳與鈦的質(zhì)量比為1:廣10:1。
[0015]該第一底部保護(hù)層、該第一上部保護(hù)層、該第二底部保護(hù)層、該第二上部保護(hù)層、該第三底部保護(hù)層與該第三上部保護(hù)層的厚度分別為0.5?5nm。
[0016]本發(fā)明還提供一種三銀低輻射玻璃的制備方法，其包括提供玻璃基底；通過旋轉(zhuǎn)陰極，中頻交流電源磁控濺射在該玻璃基底上沉積第一復(fù)合介質(zhì)層；通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第一復(fù)合介質(zhì)層上沉積第一底部保護(hù)層；通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第一底部保護(hù)層上沉積第一紅外反射層；通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第一紅外反射層上沉積第一上部保護(hù)層；通過旋轉(zhuǎn)陰極、中頻交流電源磁控濺射在該第一上部保護(hù)層上沉積第二復(fù)合介質(zhì)層；通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第二復(fù)合介質(zhì)層上沉積第二底部保護(hù)層；通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第二底部保護(hù)層上沉積第二紅外反射層；通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第二紅外反射層上沉積第二上部保護(hù)層；通過旋轉(zhuǎn)陰極、中頻交流電源磁控濺射在該第二上部保護(hù)層上沉積第三復(fù)合介質(zhì)層；通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第三復(fù)合介質(zhì)層上沉積第三底部保護(hù)層；通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第三底部保護(hù)層上沉積第三紅外反射層；通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第三紅外反射層上沉積第三上部保護(hù)層；通過旋轉(zhuǎn)陰極、中頻交流電源磁控濺射在該第三上部保護(hù)層上沉積第四復(fù)合介質(zhì)層；及通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第四復(fù)合介質(zhì)層上沉積頂部保護(hù)層。
[0017]上述三銀低輻射玻璃的第一底部保護(hù)層、第一上部保護(hù)層、第二底部保護(hù)層、第二上部保護(hù)層、第三底部保護(hù)層及第三上部保護(hù)層可以防止第一紅外反射層、第二紅外反射層與第三紅外反射層中的金屬在鋼化時(shí)被氧化或硫化，使上述三銀低輻射玻璃可以進(jìn)行鋼化處理，從而可改進(jìn)現(xiàn)有的三銀低輻射玻璃難以實(shí)現(xiàn)彎弧鍍膜、生產(chǎn)效率低、加工成本高及運(yùn)輸成本聞等缺點(diǎn)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的三銀低輻射玻璃示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的三銀低輻射玻璃作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。[0020]請(qǐng)參見圖1，本發(fā)明實(shí)施例的三銀低輻射玻璃100包括玻璃基底10與依次形成于玻璃基底10上的第一復(fù)合介質(zhì)層11、第一底部保護(hù)層12、第一紅外反射層13、第一上部保護(hù)層14、第二復(fù)合介質(zhì)層15、第二底部保護(hù)層16、第二紅外反射層17、第二上部保護(hù)層18、第三復(fù)合介質(zhì)層19、第三底部保護(hù)層20、第三紅外反射層21、第三上部保護(hù)層22、第四復(fù)合介質(zhì)層23與頂部保護(hù)層24。
[0021]具體在本實(shí)施例中，第一復(fù)合介質(zhì)層11、第二復(fù)合介質(zhì)層15、第三復(fù)合介質(zhì)層19與第四復(fù)合介質(zhì)層23可分別包含鋅鋁氧化物(ΑΖ0)。例如，第一復(fù)合介質(zhì)層11、第二復(fù)合介質(zhì)層15、第三復(fù)合介質(zhì)層19與第四復(fù)合介質(zhì)層23分別由多層介質(zhì)層組合而成，且在第一復(fù)合介質(zhì)層11、第二復(fù)合介質(zhì)層15、第三復(fù)合介質(zhì)層19與第四復(fù)合介質(zhì)層23中對(duì)應(yīng)與第一底部保護(hù)層12、第一上部保護(hù)層14、第二底部保護(hù)層16、第二上部保護(hù)層18、第三底部保護(hù)層20、第三上部保護(hù)層22或頂部保護(hù)層24相接觸的介質(zhì)層是由鋅鋁氧化物形成；而其他層可由金屬或非金屬的氧化物或氮化物來形成“列如了叫^…沾^沾^沾^叫^⑷^Bi02、Al203、AZ0、Nb205或Si3N4來形成。鋅鋁氧化物形成的介質(zhì)層可保護(hù)第一紅外反射層13、第二紅外反射層17與第三紅外反射層21中，例如可以防止第一紅外反射層13、第二紅外反射層17與第三紅外反射層21中的銀與銅在鋼化時(shí)被氧化或硫化；鋅鋁氧化物形成的介質(zhì)層還可用以調(diào)節(jié)整個(gè)膜層透過色的b*值(b*值為CIELAB顏色空間的參數(shù)值，表示黃藍(lán)度)，從而便于得到所需的外觀顏色或透過色。鋅鋁氧化物形成的介質(zhì)層的厚度可為15~25nm。此外，第一復(fù)合介質(zhì)層11的厚度可為15~45nm,第二復(fù)合介質(zhì)層15的厚度可為55、0nm,第三復(fù)合介質(zhì)層19的厚度可為55~80nm,第四復(fù)合介質(zhì)層23的厚度可為25~40nm。[0022]第一紅外反射層13、第二紅外反射層17與第三紅外反射層21可分別是由銅銀合金形成，且在銅銀合金中，銀與銅的質(zhì)量比可為1:廣100:1。采用銅銀合金來形成第一紅外反射層13、第二紅外反射層17或第三紅外反射層21不僅可提高整個(gè)膜層的抗氧化性能、耐摩擦性能，而且銅對(duì)可見光特定波段的吸收還有利于使整個(gè)膜層的透過色更加中性。此外，第一紅外反射層13的厚度可為8~15nm，第二紅外反射層17的厚度可為9~17nm，第三紅外反射層21的厚度可為l(T20nm ;并且較佳的是使第一紅外反射層13的厚度小于第二紅外反射層17的厚度，第二紅外反射層17的厚度小于第三紅外反射層21的厚度。
[0023]第一底部保護(hù)層12、第一上部保護(hù)層14、第二底部保護(hù)層16、第二上部保護(hù)層18、第三底部保護(hù)層20及第三上部保護(hù)層22可用于對(duì)應(yīng)防止第一紅外反射層13、第二紅外反射層17與第三紅外反射層21在鋼化過程中被氧化或者硫化。第一底部保護(hù)層12、第一上部保護(hù)層14、第二底部保護(hù)層16、第二上部保護(hù)層18、第三底部保護(hù)層20及第三上部保護(hù)層22可分別由鎳鈦合金形成，且在鎳鈦合金中，鎳與鈦的質(zhì)量比可為1:廣10:1。第一底部保護(hù)層12、第一上部保護(hù)層14、第二底部保護(hù)層16、第二上部保護(hù)層18、第三底部保護(hù)層20及第三上部保護(hù)層22的厚度分別為0.5~5nm。通過調(diào)節(jié)第一底部保護(hù)層12、第一上部保護(hù)層14、第二底部保護(hù)層16、第二上部保護(hù)層18、第三底部保護(hù)層20及第三上部保護(hù)層22的厚度可能控制玻璃基底10的玻璃面和膜層中膜面的可見光反射率和透過率，從而易于滿足市場(chǎng)對(duì)室內(nèi)反射率、室外反射率和透過率的多樣化需求。
[0024]頂部保護(hù)層18應(yīng)具有良好的抗劃傷、耐擦拭性能，從而對(duì)整個(gè)膜層起保護(hù)作用。頂部保護(hù)層18的材料可為氧化鋯(ZrO2),其厚度可為5~15nm。
[0025]上述三銀低輻射玻璃100的第一底部保護(hù)層12、第一上部保護(hù)層14、第二底部保護(hù)層16、第二上部保護(hù)層18、第三底部保護(hù)層20及第三上部保護(hù)層22可以防止第一紅外反射層13、第二紅外反射層17與第三紅外反射層21中的金屬在鋼化時(shí)被氧化或硫化；例如采用特定材料形成的第一底部保護(hù)層12、第一上部保護(hù)層14、第二底部保護(hù)層16、第二上部保護(hù)層18、第三底部保護(hù)層20及第三上部保護(hù)層22可以確保68(T720°C溫度范圍內(nèi)進(jìn)行鋼化時(shí)，可以防止第一紅外反射層13、第二紅外反射層17與第三紅外反射層21中的銅或銀被氧化或硫化，從而可改進(jìn)現(xiàn)有的三銀低輻射玻璃難以實(shí)現(xiàn)彎弧鍍膜、生產(chǎn)效率低、力口工成本高及運(yùn)輸成本高等缺點(diǎn)。
[0026]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種上述三銀低輻射玻璃100的制備方法，其首先是提供玻璃基底10。玻璃基底10可被清洗干凈、烘干，并置于真空腔室鍍膜區(qū)域。
[0027]接著，通過旋轉(zhuǎn)陰極，中頻交流電源磁控濺射在玻璃基底10上沉積第一復(fù)合介質(zhì)層11。
[0028]接著，通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在第一復(fù)合介質(zhì)層11上沉積第一底部保護(hù)層12 ；
[0029]接著，通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在第一底部保護(hù)層12上沉積第一紅外反射層13 ；
[0030]接著，通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在第一紅外反射層13上沉積第一上部保護(hù)層14 ；
[0031]接著，通過旋轉(zhuǎn)陰極、中頻交流電源磁控濺射在第一上部保護(hù)層14上沉積第二復(fù)合介質(zhì)層15 ；
[0032]接著，通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在第二復(fù)合介質(zhì)層15上沉積第二底部保護(hù)層16 ；
[0033]接著，通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在第二底部保護(hù)層16上沉積第二紅外反射層17 ；
[0034]接著，通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在第二紅外反射層17上沉積第二上部保護(hù)層18 ；
[0035]接著，通過旋轉(zhuǎn)陰極、中頻交流電源磁控濺射在第二上部保護(hù)層18上沉積第三復(fù)合介質(zhì)層19 ；
[0036]接著，通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在第三復(fù)合介質(zhì)層19上沉積第三底部保護(hù)層20 ；
[0037]接著，通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在第三底部保護(hù)層20上沉積第三紅外反射層21 ；
[0038]接著，通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在第三紅外反射層21上沉積第三上部保護(hù)層22 ；
[0039]接著，通過旋轉(zhuǎn)陰極、中頻交流電源磁控濺射在第三上部保護(hù)層22上沉積第四復(fù)合介質(zhì)層23 ;及
[0040]接著，通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在第四復(fù)合介質(zhì)層23上沉積頂部保護(hù)層24。
[0041]具體實(shí)施例
[0042]實(shí)施例1[0043]一種三銀低輻射玻璃，膜層結(jié)構(gòu)從玻璃基底向外依次是:玻璃基底/Si3N4 (16nm)/AZO (16nm) /NiTi (1.5nm) /AgCu (12nm) /NiTi (1.5nm) /AZO (18nm) /Si3N4 (33nm) /AZO (18nm) /NiTi (1.5nm) /AgCu (13.5nm) /NiTi (1.5nm) /AZO (18nm) /Si3N4 (50nm) /AZO (18nm)/NiTi (1.5nm)/AgCu (15nm)/NiTi (1.5nm)/AZ0 (18nm)/Si3N4 (24nm)/Zr02(IOnm)
[0044]其中，第一復(fù)合介質(zhì)層由Si3N4和AZO形成,厚度分別為16nm和18nm ;第一底部保護(hù)層由NiTi形成,厚度為Inm ;第一紅外反射層由AgCu形成,厚度為12nm ;第一底頂保護(hù)層由NiTi形成,厚度為Inm ;第二復(fù)合介質(zhì)層由AZ0、Si3N4、AZ0形成,厚度分別為18nm、33nm、18nm ;第二底部保護(hù)層由NiTi形成，厚度為1.5nm ;第二紅外反射層由AgCu形成，厚度為13.5nm ;第二頂部保護(hù)層由NiTi形成，厚度為1.5nm ;第三復(fù)合介質(zhì)層由AZ0、Si3N4、、ΑΖ0形成，厚度分別為18nm、50nm、18nm ;第三底部保護(hù)層由NiTi形成，厚度為2nm ;第三紅外反射層由AgCu形成,厚度為15nm ;第三頂部保護(hù)層由NiTi形成,厚度為2nm ;第四復(fù)合介質(zhì)層由Si3N4和AZO形成，厚度分別為18nm和24nm ;頂部保護(hù)層由ZrO2形成，厚度為10nm。
[0045]制備可鋼化三銀低輻射玻璃的方法步驟依次是:
[0046](I)將玻璃基底清洗干凈并吹干，置于真空濺射區(qū)；
[0047](2)在玻璃基底上采用磁控濺射的方式沉積Si3N4層，所用靶材為Si旋轉(zhuǎn)靶，電源為中頻電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w；
[0048](3)在Si3N4層上面采用磁控濺射的方式沉積AZO層，所用靶材為陶瓷AZO旋轉(zhuǎn)靶，電源為中頻電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為純氬氣或者氬氣和氧氣的混合氣體；
[0049](4)在AZO層上面采用磁控濺射的方式沉積NiTi層，所用靶材為NiTi平面靶，電源為直流加脈沖電源，功率為f 10KW，工藝氣體為純氬氣；
[0050](5)在NiTi層上面采用磁控濺射的方式沉積AgCu層，所用靶材為AgCu平面靶，電源為直流加脈沖電源，功率為f 10KW，工藝氣體為純氬氣；
[0051](6)在AgCu層上面采用磁控濺射的方式沉積NiTi層，所用靶材為NiTi平面靶，電源為直流加脈沖電源，功率為f 10KW，工藝氣體為純氬氣；
[0052](7)在NiTi層上面采用磁控濺射的方式沉積AZO層，所用靶材為陶瓷AZO旋轉(zhuǎn)靶，電源為中頻電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為純氬氣或者氬氣和氧氣的混合氣體；
[0053](8)在AZO層上面采用磁控濺射的方式沉積Si3N4層，所用靶材為Si旋轉(zhuǎn)靶，電源為中頻電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w；
[0054](9)在Si3N4層上面采用磁控濺射的方式沉積AZO層，所用靶材為陶瓷AZO旋轉(zhuǎn)靶，電源為中頻電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為純氬氣或者氬氣和氧氣的混合氣體；
[0055](10)在AZO層上面采用磁控濺射的方式沉積NiTi層，所用靶材為NiTi平面靶，電源為直流加脈沖電源，功率為f 10KW，工藝氣體為純氬氣；
[0056](11)在NiTi層上面采用磁控濺射的方式沉積AgCu層，所用靶材為AgCu平面靶，電源為直流加脈沖電源，功率為f 10KW，工藝氣體為純氬氣；
[0057](12)在AgCu層上面采用磁控濺射的方式沉積NiTi層，所用靶材為NiTi平面靶，電源為直流加脈沖電源，功率為f 10KW，工藝氣體為純氬氣；
[0058](13)在NiTi層上面采用磁控濺射的方式沉積AZO層，所用靶材為陶瓷AZO旋轉(zhuǎn)靶，電源為中頻電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為純氬氣或者氬氣和氧氣的混合氣體；[0059](14)在AZO層上面采用磁控濺射的方式沉積Si3N4層，所用靶材為Si旋轉(zhuǎn)靶，電源為中頻電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w；
[0060](15)在Si3N4層上面采用磁控濺射的方式沉積AZO層，所用靶材為陶瓷AZO旋轉(zhuǎn)靶，電源為中頻電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為純氬氣或者氬氣和氧氣的混合氣體；
[0061](16)在AZO層上面采用磁控濺射的方式沉積NiTi層，所用靶材為NiTi平面靶，電源為直流加脈沖電源，功率為f 10KW，工藝氣體為純氬氣；
[0062](17)在NiTi層上面采用磁控濺射的方式沉積AgCu層，所用靶材為AgCu平面靶，電源為直流加脈沖電源，功率為f 10KW，工藝氣體為純氬氣；
[0063](18)在AgCu層上面采用磁控濺射的方式沉積NiTi層，所用靶材為NiTi平面靶，電源為直流加脈沖電源，功率為f 10KW，工藝氣體為純氬氣；
[0064](19)在NiTi層上面采用磁控濺射的方式沉積AZO層，所用靶材為陶瓷AZO旋轉(zhuǎn)靶，電源為中頻電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為純氬氣或者氬氣和氧氣的混合氣體；
[0065](20)在AZO層上面采用磁控濺射的方式沉積Si3N4層，所用靶材為Si旋轉(zhuǎn)靶，電源為中頻電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w；
[0066](21)在Si3N4層上面米用磁控派射的方式沉積ZrO2層,所用祀材為金屬Zr平面靶，電源為直流加脈沖電源，功率為1(T100KW，工藝氣體為氬氣和氧氣的混合氣體。
[0067]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種三銀低輻射玻璃，其包括玻璃基底，其特征在于，該三銀低輻射玻璃還包括依次形成于該玻璃基底上的第一復(fù)合介質(zhì)層、第一底部保護(hù)層、第一紅外反射層、第一上部保護(hù)層、第二復(fù)合介質(zhì)層、第二底部保護(hù)層、第二紅外反射層、第二上部保護(hù)層、第三復(fù)合介質(zhì)層、第三底部保護(hù)層、第三紅外反射層、第三上部保護(hù)層、第四復(fù)合介質(zhì)層與頂部保護(hù)層。
2.如權(quán)利要求1所述的三銀低輻射玻璃，其特征是:該第一復(fù)合介質(zhì)層、該第二復(fù)合介質(zhì)層、該第三復(fù)合介質(zhì)層與該第四復(fù)合介質(zhì)層分別包含鋅鋁氧化物。
3.如權(quán)利要求1所述的三銀低輻射玻璃，其特征是:該第一復(fù)合介質(zhì)層、該第二復(fù)合介質(zhì)層、該第三復(fù)合介質(zhì)層與該第四復(fù)合介質(zhì)層分別由多層介質(zhì)層組合而成，且在該第一復(fù)合介質(zhì)層、該第二復(fù)合介質(zhì)層、該第三復(fù)合介質(zhì)層與該第四復(fù)合介質(zhì)層中對(duì)應(yīng)與第一底部保護(hù)層、第一上部保護(hù)層、第二底部保護(hù)層、第二上部保護(hù)層、第三底部保護(hù)層、第三上部保護(hù)層或頂部保護(hù)層相接觸的介質(zhì)層是由鋅鋁氧化物形成。
4.如權(quán)利要求1所述的三銀低輻射玻璃，其特征是:該第一復(fù)合介質(zhì)層的厚度為15~45nm,該第二復(fù)合介質(zhì)層的厚度為55~80nm、該第三復(fù)合介質(zhì)層的厚度為55~80nm,該第四復(fù)合介質(zhì)層的厚度為25~40nm。
5.如權(quán)利要求1所述的三銀低輻射玻璃，其特征是:該第一紅外反射層、該第二紅外反射層與該第三紅外反射層分別是由銅銀合金形成，且在銅銀合金中，銀與銅的質(zhì)量比為1:1~100:1。
6.如權(quán)利要求1所述的三銀低輻射玻璃，其特征是:該第一紅外反射層的厚度為8~15nm，該第二紅外反射層的厚度為9~17nm，該第三紅外反射層的厚度為l(T20nm。
7.如權(quán)利要求6所述的三銀低輻射玻璃，其特征是:該第一紅外反射層的厚度小于該第二紅外反射層的厚度，該第二紅外反射層的厚度小于該第三紅外反射層的厚度。
8.如權(quán)利要求1所述的三銀低輻射玻璃，其特征是:該第一底部保護(hù)層、該第一上部保護(hù)層、該第二底部保護(hù)層、該第二上部保護(hù)層、該第三底部保護(hù)層與該第三上部保護(hù)層分別是由鎳鈦合金形成，且在鎳鈦合金中，鎳與鈦的質(zhì)量比為1:廣10:1。
9.如權(quán)利要求1所述的三銀低輻射玻璃，其特征是:該第一底部保護(hù)層、該第一上部保護(hù)層、該第二底部保護(hù)層、該第二上部保護(hù)層、該第三底部保護(hù)層與該第三上部保護(hù)層的厚度分別為0.5~5nm。
10.一種三銀低輻射玻璃的制備方法，其包括以下步驟: 提供玻璃基底； 通過旋轉(zhuǎn)陰極，中頻交流電源磁控濺射在該玻璃基底上沉積第一復(fù)合介質(zhì)層； 通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第一復(fù)合介質(zhì)層上沉積第一底部保護(hù)層； 通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第一底部保護(hù)層上沉積第一紅外反射層； 通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第一紅外反射層上沉積第一上部保護(hù)層； 通過旋轉(zhuǎn)陰極、中頻交流電源磁控濺射在該第一上部保護(hù)層上沉積第二復(fù)合介質(zhì)層； 通過平面陰極，直流或者直流 加脈沖電源磁控濺射在該第二復(fù)合介質(zhì)層上沉積第二底部保護(hù)層；通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第二底部保護(hù)層上沉積第二紅外反射層； 通過平面陰極，直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第二紅外反射層上沉積第二上部保護(hù)層； 通過旋轉(zhuǎn)陰極、中頻交流電源磁控濺射在該第二上部保護(hù)層上沉積第三復(fù)合介質(zhì)層；通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第三復(fù)合介質(zhì)層上沉積第三底部保護(hù)層； 通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第三底部保護(hù)層上沉積第三紅外反射層； 通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第三紅外反射層上沉積第三上部保護(hù)層； 通過旋轉(zhuǎn)陰極、中頻交流電源磁控濺射在該第三上部保護(hù)層上沉積第四復(fù)合介質(zhì)層；及 通過平面陰極、直流或者直流加脈沖電源磁控濺射在該第四復(fù)合介質(zhì)層上沉積頂部保護(hù)層。
【文檔編號(hào)】C23C14/08GK103879080SQ201210562775
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月21日
【發(fā)明者】崔平生, 曾小綿, 唐晶, 呂宜超, 王小峰 申請(qǐng)人:中國(guó)南玻集團(tuán)股份有限公司