專利名稱：采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe - 5.5～6.5 wt.% Si - 0.3～1.0wt.% Al 合 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制備Fe-Si薄板的方法，更特別地說(shuō)，是指一采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積法制備高性能的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板的方法。
背景技術(shù)：
目前，國(guó)際上關(guān)于Fe-6. 5wt%Si薄板基本上采用化學(xué)氣相沉積方法與軋制法制備?；瘜W(xué)氣相沉積方法是在真空室中弓I入硅烷氣體，通過(guò)加熱使硅烷氣體分解后，在進(jìn)行了適當(dāng)前處理的硅鋼板上沉積一定量的硅；然后再通過(guò)熱處理，獲得均勻的Fe-6. 5wt%Si薄板。軋制法則是直接對(duì)Fe-6. 5wt%Si的鑄錠進(jìn)行熱、冷多次軋制，獲得所需厚度的薄板。由于Fe-6. 5wt%Si自身的脆性以及軋制工藝上的限制，軋制法制備的Fe-6. 5wt%Si薄板厚度一般很難低于O. 30mm，且成本較高。因此，目前商品化的Fe_6. 5wt%Si薄板基本上采用化學(xué)氣相沉積方法制備，其厚度一般為O. 10 O. 35mm。
化學(xué)氣相沉積方法制備的Fe-6. 5wt%Si薄板具有成本低、厚度可達(dá)O. 10mm、適用于批量化生產(chǎn)等特點(diǎn)，但也存在有表面質(zhì)量差、易引入雜質(zhì)而降低磁性能、設(shè)備壽命低、需要環(huán)保處理等問(wèn)題。
物理氣相沉積技術(shù)具有鍍膜成分純度高、工藝可控性強(qiáng)、清潔無(wú)污染以及易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化連續(xù)生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，特別是在環(huán)境保護(hù)方面，物理氣相沉積技術(shù)具有化學(xué)氣相沉積技術(shù)無(wú)可比擬的優(yōu)越性。公告號(hào)CN 1944706A公開了一種采用磁控濺射物理氣相沉積法制備Fe-6. 5wt%Si薄板的方法。但是磁控濺射法存在沉積速率較低，在工業(yè)化連續(xù)生產(chǎn)過(guò)程中鍍膜工效較差，為提高工效不得不大量增加磁控靶數(shù)量，導(dǎo)致設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，制備成本較高。而本發(fā)明多弧離子鍍法鍍膜沉積速率是磁控濺射鍍膜技術(shù)的10倍以上，能夠顯著提高生產(chǎn)效率，減少靶頭數(shù)量設(shè)置。熔鑄硅靶材中摻加一定含量的鋁組份不僅能夠提高靶材的電導(dǎo)率利于鍍膜，而且在擴(kuò)散過(guò)程中將硅鋁原子同時(shí)滲入高硅鋼基體中，能夠顯著改善高硅鋼材料的塑韌性能，有利于高硅鋼薄板表面平整等后續(xù)處理以及沖裁成鐵芯零件等加工。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板方法。本發(fā)明的方法沉積速率快、工作效率高，制備過(guò)程質(zhì)量可控、節(jié)能環(huán)保無(wú)污染，因此極其適合工業(yè)化應(yīng)用。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案為一種采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板的方法,其主要特點(diǎn)在于步驟為
(I).選取厚度為O. I O. 35mm的低硅鋼帶作基板，并做以下預(yù)處理
用4 8%稀鹽酸清洗3 8分鐘，去除銹跡；然后使用濃度3 5%、溫度60 80°C碳酸鈉堿液清洗，去除油跡；清水漂洗；使用無(wú)水乙醇超聲波清洗，吹干待用；
(2).選取硅鋁合金靶材熔鑄080 0100 mm X 35 50 _硅鋁合金靶材，其中Si-8 20%A1，待用；
(3).將經(jīng)步驟(I)處理后的低硅鋼帶安裝在多弧離子鍍?cè)O(shè)備的基片臺(tái)上作為陽(yáng)極；再將步驟(2)的硅鋁合金靶裝入多弧離子鍍弧頭之中，作為陰極；
抽真空度至2X10_3 8X10_4Pa后，通入氬氣使多弧離子鍍中的壓力穩(wěn)定在0.2 O. 8Pa范圍；
調(diào)節(jié)多弧離子鍍共沉積條件
預(yù)熱低硅鋼帶至200°C 500°C ；
放電電壓15V 20V、電流50A 80A、沉積速率為3 5 μ m/min ；
在該條件下進(jìn)行低硅鋼帶表面硅鋁薄膜沉積，沉積時(shí)間5 15分鐘，制備得到鍍膜鋼帶；
(4).將經(jīng)步驟(3)處理后的鍍膜鋼帶進(jìn)行1100 1250°C高溫?cái)U(kuò)散處理，擴(kuò)散時(shí)間10 60min,即得到斷面成分分布均勻的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板材料。
所述的采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 1.Owt. %A1合金薄板的方法，在步驟(3)中，通過(guò)將多個(gè)相同組份的硅鋁靶材分別放在多弧離子鍍膜機(jī)中對(duì)立安裝的多個(gè)弧頭上，低硅鋼帶從中間穿過(guò)，實(shí)現(xiàn)寬幅基板雙面同步快速連續(xù)鍍膜處理。
所述的采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板的方法，在步驟(3)中，低硅鋼帶表面沉積硅鋁膜厚度為10 50 μ m。
所述的采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板的方法，其特征在于在步驟(2)中，選取硅鋁合金靶材的Al含量在 8 20wt%。
本發(fā)明的有益效果本發(fā)明采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si-0. 3 I. Owt. %A1合金薄板方法,在工藝上可以連續(xù)地、可控地進(jìn)行滲娃增娃處理。通過(guò)對(duì)多弧離子鍍膜機(jī)中多個(gè)弧頭靶位的選取，可以任意進(jìn)行單面和/或雙面Si的沉積，同時(shí)也可對(duì)沉積速率進(jìn)行調(diào)節(jié)，其沉積工藝操作簡(jiǎn)單。
在本發(fā)明中，選擇冷軋低硅鋼為滲硅基板，其Si含量為2 3. 5wt%。選取不同 Si含量的低硅鋼為滲硅基板進(jìn)行多次滲硅實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明，經(jīng)本發(fā)明的方法處理后，能獲得 Fe-5. 5 6. 5wt. %Si-0. 3 I. Owt. %A1 合金薄板。
具體實(shí)施方式
以下對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例I : 一種采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si-0. 3 I. Owt. %A1合金薄板方法，其步驟為
步驟I.選取厚度為O. I O. 35mm的低娃鋼帶作基板,并做以下預(yù)處理
(I) 4 8%稀鹽酸清洗3 8分鐘，去除銹跡；
(2)濃度3 5%、溫度60 80°C碳酸鈉堿液清洗清洗5 10分鐘，去除油跡；
(3)清水漂洗；
(4)無(wú)水乙醇超聲波清洗，吹干待用；
步驟2.選取硅鋁合金靶材
熔鑄080 0100 mm X 35 5 mm娃鋁(Si-8 20%Α1)合金靶材，待用；
步驟3.將經(jīng)步驟I處理后的低硅鋼帶安裝在多弧離子鍍?cè)O(shè)備的基片臺(tái)上作為陽(yáng)極；再將步驟2的硅鋁合金靶裝入多弧離子鍍弧頭之中，作為陰極；
抽真空度至2Χ10_3 8X10_4Pa后，通入氬氣使多弧離子鍍中的壓力穩(wěn)定在0.2 O. 8Pa范圍；
調(diào)節(jié)多弧離子鍍共沉積條件
預(yù)熱低硅鋼帶至200°C 500°C ；
放電電壓15V 20V、電流50A 80A、沉積速率為3 5 μ m/min ；
在該條件下進(jìn)行低硅鋼帶表面硅鋁薄膜沉積，沉積時(shí)間5 15分鐘，制備得到鍍膜鋼帶；
步驟4.將經(jīng)步驟3處理后的鍍膜鋼帶進(jìn)行1100 1250°C高溫?cái)U(kuò)散處理，擴(kuò)散時(shí)間10 60min,即得到斷面成分分布均勻的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板材料。
所述的采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 1.Owt. %A1合金薄板方法，在步驟3中，通過(guò)將多個(gè)相同組份的硅鋁靶材分別放在多弧離子鍍膜機(jī)中對(duì)立安裝的多個(gè)弧頭上，低硅鋼帶從中間穿過(guò)，實(shí)現(xiàn)寬幅基板雙面同步快速連續(xù)鍍膜處理。
所述的采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板方法，在步驟3中，低硅鋼帶表面沉積硅鋁膜厚度為10 50 μ m。
所述的采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板方法,在步驟2中，選取娃招合金祀材的Al含量在8 20wt%。
采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1 合金薄板的方法，多弧離子鍍物理氣相沉積方法在真空、電場(chǎng)作用下使Ar氣電離產(chǎn)生電弧，轟擊Si (Al)合金靶材產(chǎn)生高能量Si (Al)離子，沉積到低硅鋼基板表面，形成結(jié)合良好的富Si (Al)膜層；進(jìn)而通過(guò)高溫?cái)U(kuò)散，實(shí)現(xiàn)對(duì)低硅鋼帶的滲硅增硅處理，獲得一種新型的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si-0. 3 I. Owt. %A1合金薄板的制備方法。
本發(fā)明采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I.Owt. %A1合金薄板方法與化學(xué)氣相沉積法比較，多弧離子鍍法具有沉積Si純度高、成分可控；其沉積后的表面質(zhì)量好且均勻；多弧離子鍍滲硅工藝可控性強(qiáng)、環(huán)保性好等特點(diǎn)。
本發(fā)明采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備得到的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si-0. 3 I. Owt. %A1合金薄板具有(I)經(jīng)EDS能譜儀及電子探針微區(qū)分析線掃描檢測(cè)到樣品的Si含量為5. 5 6. 5%, Al含量為O. 3 O. 8%，且Si、Al含量沿截面呈現(xiàn)均勻分布，；(2)合金薄板的軟磁性能 B8=L 12 I. 25T，Hc=O. 2 I. OOe, P10750=O. 51 O. 76W/ kg, Ρ 0/400=6 · 65 12. 7W/kg。
實(shí)施例2多弧離子鍍氣相沉積單面滲硅
步驟I :選取低硅鋼基板
選取200mmX 200mm，厚O. 35mm, Si含量為3. 0wt%的低硅鋼帶作基板，先用濃度為4%的稀鹽酸清洗3 8分鐘，去除銹跡；再用濃度5%、溫度60°C碳酸鈉溶液清洗清洗5 10分鐘，去除油跡；然后用清水漂洗；再用無(wú)水乙醇超聲波清洗，吹干待用。
步驟2 :選取硅鋁合金靶材
選取080 mm X 35 _娃鋁(Si-10%A1)合金靶材，待用；
步驟3 :將經(jīng)步驟I處理后的低硅鋼帶安裝在多弧離子鍍膜機(jī)的基片上作為陽(yáng)極； 再將經(jīng)步驟2處理后的硅鋁合金靶材放入多弧離子鍍膜機(jī)中，作為陰極；
抽真空度至2 X 10_3Pa后，通入氬氣使多弧離子鍍膜機(jī)中的壓力穩(wěn)定在O. 8Pa ；
調(diào)節(jié)多弧離子鍍共沉積條件
預(yù)熱低硅鋼帶至400°C ;
放電電壓20V、電流75A、沉積速率為3. 5 4 μ m/min ；
在該條件下進(jìn)行低硅鋼帶表面硅沉積，制備得到膜層厚度為45 48 μ m的鍍膜鋼帶;
步驟4 :將經(jīng)步驟3處理后的鍍膜鋼帶進(jìn)行1180°C高溫?cái)U(kuò)散，擴(kuò)散時(shí)間為60min， 即得到斷面成分均勻的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板材料。
將上述制備得到的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板經(jīng)EDS能譜儀及電子探針微區(qū)分析線掃描檢測(cè)到樣品的平均Si含量為6. 50wt%,Al含量為O. 4wt%，且成分呈現(xiàn)均勻分布。經(jīng)檢測(cè)其軟磁性能 B8=L 20T,Hc=0. 550e,P10750=O. 72ff/kg,P107400=II. 48W/kg ο
實(shí)施例3多弧離子鍍氣相沉積單面滲硅
步驟I :選取低硅鋼基板
選取200mmX 200mm，厚O. 35mm, Si含量為3. 3wt%的低硅鋼帶作基板，先用濃度為4%的稀鹽酸清洗3 8分鐘，去除銹跡；再用濃度5%、溫度60°C碳酸鈉溶液清洗5 10分鐘，去除油跡；然后用清水漂洗；再用無(wú)水乙醇超聲波清洗，吹干待用。
步驟2 :選取硅鋁合金靶材
熔鑄080 mm X 35 mm娃鋁(Si_15%Al)合金靶材，待用；
步驟3 :將經(jīng)步驟I處理后的低硅鋼帶安裝在多弧離子鍍膜機(jī)的基片上作為陽(yáng)極； 再將經(jīng)步驟2處理后的硅鋁合金靶材放入多弧離子鍍膜機(jī)中，作為陰極；
抽真空度至IX 10_3Pa后，通入氬氣使多弧離子鍍膜機(jī)中的壓力穩(wěn)定在O. 6Pa ；
調(diào)節(jié)多弧離子鍍共沉積條件
預(yù)熱低硅鋼帶至350°C ；
放電電壓18V、電流70A、沉積速率為3 3. 5 μ m/min ；
在該條件下進(jìn)行低硅鋼帶表面硅沉積，制備得到膜層厚度為45 μ m的鍍膜鋼帶；
步驟4 :將經(jīng)步驟3處理后的鍍膜鋼帶進(jìn)行1180°C高溫?cái)U(kuò)散，擴(kuò)散時(shí)間為60min， 即得到斷面成分均勻的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板材料。
將上述制備得到的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板經(jīng)EDS能譜儀及電子探針微區(qū)分析線掃描檢測(cè)到樣品的Si含量為6. 48 6. 51wt%, Al含量為O.5wt%,且成分呈現(xiàn)均勻分布。經(jīng)檢測(cè)其軟磁性能B8=L 21T，Hc=O. 620e, P10750=O. 69ff/kg,P10/400=10 . 85W/kg。實(shí)施例4多弧離子鍍氣相沉積雙面滲硅
步驟I :選取低硅鋼基板
選取200mmX 200mm，厚O. 15mm, Si含量為3. 0wt%的低硅鋼帶作基板，先用濃度為4%的稀鹽酸清洗3 8分鐘，去除銹跡；再用濃度5%、溫度60°C碳酸鈉溶液清洗5 10分鐘，去除油跡；然后用清水漂洗；再用無(wú)水乙醇超聲波清洗，吹干待用。
步驟2 :選取硅鋁合金靶材
熔鑄0100 mm X 50 mm硅鋁(Si-18%A1)合金靶材2件，待用；
步驟3 :將經(jīng)步驟2處理后的2個(gè)硅鋁合金靶材放入多弧離子鍍膜機(jī)正面相對(duì)的兩個(gè)弧頭之中，作為陰極，再將經(jīng)步驟I處理后的低硅鋼帶吊掛在多弧離子鍍膜機(jī)的兩個(gè)正對(duì)靶面中間，作為陽(yáng)極；
抽真空度至8 X 10_4Pa后，通入氬氣使多弧離子鍍膜機(jī)中的壓力穩(wěn)定在O. 4Pa ；
調(diào)節(jié)多弧離子鍍共沉積條件
預(yù)熱低硅鋼帶至200°C ；
放電電壓17V、電流60A、沉積速率為3. O 3. 3 μ m/min ；
在該條件下對(duì)低硅鋼帶雙面進(jìn)行同步硅沉積，制備得到上下兩面膜層厚度均為 12 μ m的鍍膜鋼帶；
步驟4 :將經(jīng)步驟3處理后的鍍膜鋼帶進(jìn)行1180°C高溫?cái)U(kuò)散，擴(kuò)散時(shí)間為20min， 即得到斷面成分均勻的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板材料。
將上述制備得到的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板經(jīng)EDS能譜儀及電子探針微區(qū)分析線掃描檢測(cè)到樣品的Si含量為6. 51wt%,Al含量為O. 8wt%，且成分呈現(xiàn)均勻分布。經(jīng)檢測(cè)其軟磁性能 B8=L 16T,Hc=0. 580e,P10750=O. 58ff/kg,P10/400=7 . 25W/kg。
本發(fā)明采用的對(duì)低硅鋼薄板進(jìn)行雙面同步連續(xù)多弧離子鍍膜及擴(kuò)散方法制備O.I O. 35mm厚的Fe_5. 5 6. 5wt. %Si-0. 3 I. Owt. %A1合金薄板，可以控制在5 IOmin內(nèi)完成滲硅的沉積工序。并且其大面積均勻沉積特性也可以完全滿足Fe-5. 5 6.5wt. %Si-0. 3 I. Owt. %A1薄板的工業(yè)化連續(xù)制備要求，為最終實(shí)現(xiàn)多弧離子鍍法制備 Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1薄板在工業(yè)化上的連續(xù)生產(chǎn)線搭建奠定了很好的基礎(chǔ)。
Fe-6. 5wt%Si硅鋼具有優(yōu)異的軟磁性能，如中高頻鐵損低、磁滯伸縮為零、矯頑力小、磁導(dǎo)率和飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度高等，是一種非常優(yōu)秀的軟磁材料。
本發(fā)明實(shí)施例4方法與CN 1944706A公開了一種米用磁控派射物理氣相沉積法制備Fe-6. 5wt%Si薄板的方法相比，涂鍍富Si膜層速度提高10多倍，工效顯著提高，更為適合工業(yè)化連續(xù)生產(chǎn)。同時(shí)在富Si膜層中摻加一定含量的鋁組份，在擴(kuò)散過(guò)程中硅鋁原子同時(shí)滲入高硅鋼基體，能夠顯著改善高硅鋼材料的塑韌性能，有利于高硅鋼薄板表面平整等后續(xù)處理以及沖裁成鐵芯零件等加工處理。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I.Owt. %A1合金薄板的方法,其特征在于步驟為 (1).選取厚度為O.I O. 35mm的低娃鋼帶作基板,并做以下預(yù)處理用4 8%稀鹽酸清洗3 8分鐘，去除銹跡；然后使用濃度3 5%、溫度60 80°C碳酸鈉堿液清洗，去除油跡；清水漂洗；使用無(wú)水乙醇超聲波清洗，吹干待用； (2).選取硅鋁合金靶材熔鑄080 0100mm X 35 50 mm硅鋁合金靶材，其中Si-8 20%A1，待用； (3).將經(jīng)步驟(I)處理后的低硅鋼帶安裝在多弧離子鍍?cè)O(shè)備的基片臺(tái)上作為陽(yáng)極；再將步驟(2)的硅鋁合金靶裝入多弧離子鍍弧頭之中，作為陰極； 抽真空度至2X 10_3 8X 10_4Pa后，通入氬氣使多弧離子鍍中的壓力穩(wěn)定在O. 2 O.8Pa范圍； 調(diào)節(jié)多弧離子鍍共沉積條件 預(yù)熱低硅鋼帶至200°C 500°C ； 放電電壓15V 20V、電流50A 80A、沉積速率為3 5 μ m/min ； 在該條件下進(jìn)行低硅鋼帶表面硅鋁薄膜沉積，沉積時(shí)間5 15分鐘，制備得到鍍膜鋼帶; (4).將經(jīng)步驟(3)處理后的鍍膜鋼帶進(jìn)行1100 1250°C高溫?cái)U(kuò)散處理，擴(kuò)散時(shí)間10 60min,即得到斷面成分分布均勻的Fe-5. 5 6. 5wt. %Si_0. 3 I. Owt. %A1合金薄板材料。
2.如權(quán)利要求I所述的采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5.5 6. 5wt. %Si-0. 3 I. Owt. %A1合金薄板的方法,其特征在于在步驟(3)中，通過(guò)將多個(gè)相同組份的硅鋁靶材分別放在多弧離子鍍膜機(jī)中對(duì)立安裝的多個(gè)弧頭上，低硅鋼帶從中間穿過(guò)，實(shí)現(xiàn)寬幅基板雙面同步快速連續(xù)鍍膜處理。
3.如權(quán)利要求I所述的采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5.5 6. 5wt. %Si-0. 3 I. Owt. %A1合金薄板的方法,其特征在于在步驟(3)中，低娃鋼帶表面沉積硅鋁膜厚度為10 50 μ m。
4.如權(quán)利要求I所述的采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5.5 6.5wt. %Si-0. 3 I. Owt. %A1合金薄板的方法,其特征在于在步驟(2)中，選取娃招合金革巴材的Al含量在8 20wt%。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制備Fe-Si薄板的方法，更特別地說(shuō)，是指一采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積法制備高質(zhì)量的Fe-5.5～6.5wt.%Si-0.3～1.0wt.%Al合金薄板的方法。一種采用連續(xù)多弧離子鍍物理氣相沉積制備Fe-5.5～6.5wt.%Si-0.3～1.0wt.%Al合金薄板的方法，是以熔鑄硅鋁合金靶為陰極，以低硅鋼帶為陽(yáng)極，采用多弧離子鍍物理氣相沉積法在低硅鋼帶單面或雙面沉積結(jié)合良好的富Si硅鋁膜；然后進(jìn)行高溫?cái)U(kuò)散處理，使Si、Al原子向內(nèi)擴(kuò)散滲入低硅鋼基體，直到鋼帶中的含Si量達(dá)到5.5～6.5wt.%，含Al量達(dá)到0.3～1.0wt.%，獲得具有優(yōu)異軟磁性能的高硅鋼帶材，滿足高性能鐵芯材料使用需求。本發(fā)明的方法沉積速率快、工作效率高，制備過(guò)程質(zhì)量可控、節(jié)能環(huán)保無(wú)污染，因此極其適合工業(yè)化應(yīng)用。
文檔編號(hào)C23C14/14GK102978569SQ20121055139
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月18日
發(fā)明者田廣科, 范多旺, 孔令剛, 馬海林, 范多進(jìn) 申請(qǐng)人:蘭州大成科技股份有限公司, 蘭州交大國(guó)家綠色鍍膜工程中心有限責(zé)任公司