專利名稱：化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及機械領(lǐng)域，尤其涉及一種化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備。
背景技術(shù)：
在制備液晶顯示設(shè)備的顯示模組的過程中，有時會在薄膜晶體管(Thin FilmTransistor,以下簡稱TFT)陣列基板上出現(xiàn)金屬膜斷裂或缺陷的不良點，此時如果遺棄整個顯示模組則會造成較大地浪費，故可以通過化學(xué)氣相沉積(Chemical VaporDeposition,以下簡稱CVD)維修設(shè)備對顯示模組進行維修。使用現(xiàn)有的CVD維修設(shè)備對TFT陣列基板進行維修時，CVD維修設(shè)備中通過惰性氣體噴出六羰基鎢，并通過激光使六羰基鎢分解為鎢粉沉積在TFT陣列基板上對斷裂或缺 陷處進行修復(fù)。在上述對TFT陣列基板進行維修的過程中，在對不良的情況進行檢測時，氣體窗口與TFT陣列基板之間的距離很小，一般小于1mm，此時，在移動X、Y軸查看下一個不良點時，Z軸沒有升起，從而使氣體窗口劃傷TFT陣列基板，對TFT陣列基板造成較大的損傷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種避免劃傷TFT陣列基板的化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案—種化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，包括氣體噴射裝置，所述氣體噴射裝置包括氣體窗口，與儲氣模塊層疊設(shè)置，用于形成并透過氣孔噴出金屬化合物；所述儲氣模塊，連通輔助氣體供應(yīng)管路，用于向基板噴出輔助氣體，其中，所述儲氣模塊的出氣口位于所述氣體噴射裝置的下表面；通光孔，貫通設(shè)置在所述氣體噴射裝置中，用于透過激光；所述氣孔，設(shè)置在透鏡下方的所述通光孔的內(nèi)壁上，用于通過所述氣體窗口噴出的所述金屬化合物；所述透鏡，設(shè)置在所述通光孔內(nèi)，靠近所述通光孔底部，用于對所述激光進行聚焦，分解所述金屬化合物形成金屬沉積物，并沉積于所述基板上；壓敏傳感器，設(shè)置在所述氣體噴射裝置的下表面，用于通過檢測所述輔助氣體碰撞所述基板后反彈回所述氣體噴射裝置的下表面的氣體壓力，確定所述基板與所述氣體噴射裝置之間的距離；控制器，所述控制器與所述壓敏傳感器連接，用于當(dāng)所述壓敏傳感器檢測的所述距離小于所設(shè)置的預(yù)設(shè)值時，則增大所述儲氣模塊的輔助氣體噴出量。本發(fā)明實施例提供的一種CVD維修設(shè)備,通過儲氣模塊所噴出的輔助氣體碰撞基板，并反彈至位于氣體噴射裝置底面的壓敏傳感器，從而檢測TFT陣列基板與氣體噴射裝置之間的距離，當(dāng)基板與氣體噴射裝置之間的距離小于預(yù)設(shè)值時，則可以通過控制器增加所述儲氣模塊所噴出的輔助氣體的氣體量以提升氣體噴射裝置或通過停止氣體噴射裝置橫向移動等方式，避免氣體噴射裝置在移動過程中劃傷基板。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實施例I所述的CVD維修設(shè)備中氣體噴射裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例I所述的CVD維修設(shè)備中氣體噴射裝置的剖視圖；圖3為本發(fā)明實施例I所述的CVD維修設(shè)備進行TFT陣列基板維修的結(jié)構(gòu)示意 圖；圖4為本發(fā)明實施例I所述的CVD維修設(shè)備中通孔傾斜設(shè)置的氣體噴射裝置的剖視圖；圖5為本發(fā)明實施例2所述的CVD維修設(shè)備中氣體噴射裝置的剖視圖；圖6為本發(fā)明實施例3所述的CVD維修設(shè)備中包含電磁閥門的氣體噴射裝置的剖視圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例一種CVD維修設(shè)備進行詳細描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。實施例I一種化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，如圖I所示，包括氣體噴射裝置1，所述氣體噴射裝置I包括氣體窗口 10，與儲氣模塊11層疊設(shè)置，用于形成并透過氣孔15噴出金屬化合物；所述儲氣模塊11，連通輔助氣體供應(yīng)管路12，用于向基板3噴出輔助氣體，其中，所述儲氣模塊11的出氣口 17位于所述氣體噴射裝置I的下表面；通光孔13，貫通設(shè)置在所述氣體噴射裝置I中，用于透過激光；所述氣孔15，設(shè)置在透鏡14下方的所述通光孔13的內(nèi)壁上，用于通過所述氣體窗口 10噴出的所述金屬化合物；所述透鏡14，設(shè)置在所述通光孔13內(nèi)，靠近所述通光孔13底部，用于對所述激光進行聚焦，分解所述金屬化合物形成金屬沉積物，并沉積于所述基板3上；壓敏傳感器16，設(shè)置在所述氣體噴射裝置I的下表面，用于通過檢測所述輔助氣體碰撞所述基板3后反彈回所述氣體噴射裝置I的下表面的氣體壓力，確定所述基板3與所述氣體噴射裝置I之間的距離；控制器(圖中未示出)，所述控制器與所述壓敏傳感器16連接，用于當(dāng)所述壓敏傳感器16檢測的所述距離小于所設(shè)置的預(yù)設(shè)值時，則增大所述儲氣模塊11的輔助氣體噴出量。
所述金屬化合物可以根據(jù)實際的需要進行選取，在此以六羰基鎢進行描述，通過激光的作用，作為金屬化合物的六羰基鎢會形成作為金屬沉積物的鎢金屬的顆粒沉積于基板3表面。所述CVD維修設(shè)備，還包括與所述氣體窗口 10連通的惰性氣體供應(yīng)管路18 ;其中在惰性氣體供應(yīng)管路18中所輸送的惰性氣體可以為氬氣和氮氣等；而為了節(jié)省成本，在輔助氣體供應(yīng)管路12中所輸送的輔助氣體可以為氮氣或干燥空氣。氣體窗口 10和儲氣模塊11中存在一允許惰性氣體和輔助氣體通過的腔室；其中惰性氣體攜帶六羰基鎢從惰性氣體供應(yīng)管道18進入氣體窗口 10的腔室內(nèi)，并從通光孔13內(nèi)壁上的氣孔15噴出，輔助氣體從輔助氣體供應(yīng)管路12進入儲氣模塊11的腔室內(nèi)，并從出氣口 17中噴出。所述CVD維修設(shè)備的控制器，通過所設(shè)定的程序控制氣體噴射裝置I在X、Y軸(圖中未示出)上移動，以到達對應(yīng)的不良點，從而進行基板3上的不良點的維修。 在本發(fā)明的實施場景中，所述儲氣模塊11層疊于所述氣體窗口 10上方，所述基板3為TFT陣列基板30。進一步的，如圖2所示，在所述通光孔13周圍，設(shè)置有至少兩個通孔19 ;所述通孔19與所述儲氣模塊11連通，并連通所述儲氣模塊11的出氣口 17，其中所述通孔19的數(shù)量可以根據(jù)實際的需要進行設(shè)置。在對TFT陣列基板30上的不良點4進行維修時，如圖3所示，控制氣體噴射裝置I移動至檢測到的不良點4的位置；通過惰性氣體供應(yīng)管道18向氣體窗口 10中吹入惰性氣體，例如氬氣，將鎢粉存儲罐(圖中未示出)中的六羰基鎢吹入氣體窗口 10中；進入氣體窗口 10中的六羰基鎢，從透鏡14下方的通光孔13的內(nèi)壁上的氣孔15進入通光孔13中，且進入通光孔13的六羰基鎢位于透鏡14的下方。此時，通過控制CVD維修設(shè)備上的激光器(圖中未示出)，通過擴束、反射、去除干擾等步驟后到達透鏡14，透鏡14對激光進行聚焦，以對六羰基鎢進行分解，獲取鎢金屬的顆粒，從而沉積在需要TFT陣列基板30的不良點4上，對不良點4上所產(chǎn)生的斷裂或缺陷進行維修。在完成一個不良點4的維修后，CVD維修設(shè)備需要將氣體噴射裝置I移動到下一個不良點5進行維修，此時，通過輔助氣體供應(yīng)管道12向儲氣模塊11中通入輔助氣體，并將輔助氣體通過通光孔13周圍的通孔19、出氣口 17噴出；噴出的輔助氣體達到TFT陣列基板30表面，反彈回設(shè)置于氣體噴射裝置I底面的壓敏傳感器16 ;通過壓敏傳感器16對所受的壓力進行的檢測，可以獲知氣體噴射裝置I與TFT陣列基板30之間的距離；當(dāng)該距離小于所設(shè)定的預(yù)設(shè)值時，則表示TFT陣列基板30與氣體噴射裝置I之間的距離過近，在移動氣體噴射裝置I的過程中，容易劃傷TFT陣列基板；當(dāng)CVD維修裝置獲知氣體噴射裝置I與TFT陣列基板30之間的距離過近的情況下，通過控制器可以增加輔助氣體供應(yīng)管路12所吹入的輔助氣體的量，從而增大從儲氣模塊11的出氣口 17噴出的輔助氣體噴出量，從而協(xié)助Z軸抬高氣體噴射裝置I與TFT陣列基板30之間的距離，避免在移動氣體噴射裝置I的過程中因為距離過近而劃傷TFT陣列基板30。或者，所述控制器，還用于當(dāng)所述壓敏傳感器16檢測的所述距離小于所設(shè)置的預(yù)設(shè)值時，停止所述氣體噴射裝置I的移動。即，可以在檢測到氣體噴射裝置I與TFT陣列基板30之間的距離小于預(yù)設(shè)值時，停止氣體噴射裝置I的橫向移動，等待氣體噴射裝置I方向在Z方向上抬起后在進行橫向的移動，從而進一步地避免氣體噴射裝置I的移動劃傷TFT陣列基板30。本發(fā)明實施例提供的一種CVD維修設(shè)備，通過儲氣模塊所噴出的輔助氣體碰撞基板，并反彈至位于氣體噴射裝置底面的壓敏傳感器，從而檢測基板與氣體噴射裝置之間的距離，當(dāng)基板與氣體噴射裝置之間的距離小于預(yù)設(shè)值時，則可以通過增加所述儲氣模塊所噴出的輔助氣體的氣體量以提升氣體噴射裝置或通過停止氣體噴射裝置移動等方式，避免氣體噴射裝置在移動過程中劃傷基板。進一步的，如圖4所示，所述通孔19與所述氣體噴射裝置I的下表面呈銳角向外側(cè)傾斜設(shè)置。因為該通孔19向外側(cè)傾斜設(shè)置，在通過通孔19向外噴出輔助氣體時，氣體從中心向外側(cè)噴出，可以清除落于TFT陣列基板30表面的灰塵，從而使修復(fù)后的TFT陣列基板30更加潔凈。 在原有的CVD維修設(shè)備中，在放置TFT陣列基板30的機臺下方設(shè)置有加熱電阻絲對TFT陣列基板30進行加熱，以保持TFT陣列基板3的溫度高于鎢的結(jié)晶點，完成TFT陣列基板30的不良點的維修。但是當(dāng)外部環(huán)境溫度較低時，TFT陣列基板30的溫度會隨著環(huán)境溫度的下降而下降，此時，鎢的顆粒在沉積時會形成結(jié)晶，導(dǎo)致維修無法進行。為解決上述鎢的結(jié)晶的問題，進一步的，在所述儲氣模塊11的通孔19內(nèi)壁設(shè)置有加熱電阻絲。通過內(nèi)壁上所設(shè)置的加熱電阻絲，在噴出輔助氣體時，對輔助氣體進行加熱；加熱后的輔助氣體噴出后，對環(huán)境溫度進行加熱，從而提高了 CVD維修設(shè)備內(nèi)的溫度，避免了鎢的顆粒的結(jié)晶，提高了維修的成功率。相對應(yīng)的，該加熱電阻絲也可以設(shè)置在儲氣模塊11中的內(nèi)壁上，同樣可以實現(xiàn)對于輔助氣體的加熱以提升CVD維修設(shè)備內(nèi)的溫度，避免了鎢的顆粒的結(jié)晶，提高了維修的成功率。實施例2與實施例I相對應(yīng)，在本實施例的CVD維修設(shè)備中，如圖5所示，所述氣體窗口 10層疊于所述儲氣模塊11上方。此時，在氣體窗口 10下表面的通光孔13邊緣，需要設(shè)置一個向下方呈圓柱環(huán)狀的通光孔13的延伸部130，該延伸部130穿過下方儲氣模塊11的通光孔13，到達氣體噴射裝置I的下表面。其中所述透鏡14位于延伸部130中，并且用于噴出攜帶有六羰基鎢的惰性氣體的氣孔15也同樣的位于通光孔13的延伸部130。此時，儲氣模塊11的出氣口 17直接設(shè)置于儲氣模塊11的本體上，噴出輔助氣體。避免劃傷TFT陣列基板的控制過程以及加熱輔助氣體以提高CVD維修設(shè)備內(nèi)的溫度的方式與實施例I相同，不再贅述。在原有的CVD維修設(shè)備中，在放置TFT陣列基板30的機臺下方設(shè)置有加熱電阻絲對TFT陣列基板30進行加熱，以保持TFT陣列基板30的溫度高于鎢的結(jié)晶點，完成TFT陣列基板30的不良點的維修。但是當(dāng)外部環(huán)境溫度較低時，TFT陣列基板30的溫度會隨著環(huán)境溫度的下降而下降，此時，鎢的顆粒在沉積時會形成結(jié)晶，導(dǎo)致維修無法進行。為解決上述鎢的結(jié)晶的問題，進一步的，在所述儲氣模塊11的通孔19內(nèi)壁設(shè)置有加熱電阻絲。
通過內(nèi)壁上所設(shè)置的加熱電阻絲，在噴出輔助氣體時，對輔助氣體進行加熱；加熱后的輔助氣體噴出后，對環(huán)境溫度進行加熱，從而提高了 CVD維修設(shè)備內(nèi)的溫度，避免了鎢的顆粒的結(jié)晶，提高了維修的成功率。實施例3根據(jù)實施例I和實施例2所述的CVD維修設(shè)備，為了更好地控制儲氣模塊11的輔助氣體噴出量，進一步的，如圖6所示，在所述儲氣模塊11的出氣口 17處設(shè)置有電磁閥門2，所述電磁閥門與所述控制器連接；當(dāng)所述壓敏傳感器16所述氣體噴射裝置I與基板3之間的距離小于預(yù)設(shè)值時，所述控制器控制所述電磁閥門2處于完全打開狀態(tài)；當(dāng)所述壓敏傳感器16所述氣體噴射裝置I與基板3之間的距離大于預(yù)設(shè)值時，所述控制器控制所述電磁閥門2處于半開狀態(tài)。
其中，所述的基板3為實施例I和實施例2中所描述的TFT陣列基板30 ;在維修過程中，當(dāng)所述氣體噴射裝置I與基板之間的距離大于預(yù)設(shè)值時，則屬于正常工作狀態(tài)，此時CVD維修設(shè)備控制電磁閥門22處于半開狀態(tài)，從而正常的向TFT陣列基板30吹輔助氣體，以完成通過CVD維修設(shè)備進行維修的過程。當(dāng)壓敏傳感器16獲知氣體噴射裝置I與TFT陣列基板3之間的距離小于預(yù)設(shè)值時，則CVD維修設(shè)備控制電磁閥門完全打開，以增加CVD維修設(shè)備噴出的輔助氣體的量，此時，因為輔助氣體噴出量增大，從而可以抬升氣體噴射裝置1，從而增加氣體噴射裝置I與TFT陣列基板30之間的距離，避免在移動的過程中，氣體噴射裝置I與TFT陣列基板30之間的距離過近而劃傷TFT陣列基板30，提高了通過CVD維修設(shè)備對TFT陣列基板30進行維修的成功率。另外，在本發(fā)明中，氣體窗口 10所噴出的金屬化合物不僅限于六羰基鎢，也可為其他用于維修的金屬化合物，并且維修的對象也不限于TFT陣列基板30。本發(fā)明實施例提供的一種CVD維修設(shè)備,通過儲氣模塊所噴出的輔助氣體碰撞基板，并反彈至位于氣體噴射裝置底面的壓敏傳感器，從而檢測基板與氣體噴射裝置之間的距離，當(dāng)基板與氣體噴射裝置之間的距離小于預(yù)設(shè)值時，則可以通過增加所述儲氣模塊所噴出的輔助氣體的氣體量以提升氣體噴射裝置或通過停止氣體噴射裝置橫向移動等方式，避免氣體噴射裝置在移動過程中劃傷基板。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，包括氣體噴射裝置，其特征在于，所述氣體噴射裝置包括 氣體窗口，與儲氣模塊層疊設(shè)置，用于形成并透過氣孔噴出金屬化合物； 所述儲氣模塊，連通輔助氣體供應(yīng)管路，用于向基板噴出輔助氣體，其中，所述儲氣模塊的出氣口位于所述氣體噴射裝置的下表面； 通光孔，貫通設(shè)置在所述氣體噴射裝置中，用于透過激光； 所述氣孔，設(shè)置在透鏡下方的所述通光孔的內(nèi)壁上，用于通過所述氣體窗口噴出的所述金屬化合物； 所述透鏡，設(shè)置在所述通光孔內(nèi)，靠近所述通光孔底部，用于對所述激光進行聚焦，分解所述金屬化合物形成金屬沉積物，并沉積于所述基板上； 壓敏傳感器，設(shè)置在所述氣體噴射裝置的下表面，用于通過檢測所述輔助氣體碰撞所述基板后反彈回所述氣體噴射裝置的下表面的氣體壓力，確定所述基板與所述氣體噴射裝置之間的距離； 控制器，所述控制器與所述壓敏傳感器連接，用于當(dāng)所述壓敏傳感器檢測的所述距離小于所設(shè)置的預(yù)設(shè)值時，則增大所述儲氣模塊的輔助氣體噴出量。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，其特征在于，所述控制器，還用于當(dāng)所述壓敏傳感器檢測的所述距離小于所設(shè)置的預(yù)設(shè)值時，停止所述氣體噴射裝置的移動。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，其特征在于，所述儲氣模塊層疊于所述氣體窗口上方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，其特征在于，在所述通光孔周圍，設(shè)置有至少兩個通孔；所述通孔與所述儲氣模塊連通，并連通所述儲氣模塊的出氣口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，其特征在于，所述通孔與所述氣體噴射裝置的下表面之間呈銳角向外側(cè)傾斜設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，其特征在于，在所述儲氣模塊的通孔內(nèi)壁設(shè)置有加熱電阻絲。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備,其特征在于,所述氣體窗口層疊于所述儲氣模塊上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，其特征在于，在所述儲氣模塊的出氣口處設(shè)置有電磁閥門，所述電磁閥門與所述控制器連接； 當(dāng)所述壓敏傳感器檢測到的所述氣體噴射裝置與基板之間的距離小于預(yù)設(shè)值時，所述控制器控制所述電磁閥門處于完全打開狀態(tài)； 當(dāng)所述壓敏傳感器檢測到的所述氣體噴射裝置與基板之間的距離大于所述預(yù)設(shè)值時，所述控制器控制所述電磁閥門處于半開狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，其特征在于，在所述儲氣模塊的內(nèi)壁設(shè)置有加熱電阻絲。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，屬于機械領(lǐng)域，為解決現(xiàn)有技術(shù)中，氣體噴射裝置與基板之間的距離過近而造成的基板劃傷的問題而設(shè)計。一種化學(xué)氣相沉積維修設(shè)備，包括氣體噴射裝置，其包括氣體窗口，與儲氣模塊層疊設(shè)置，用于透過氣孔噴出金屬化合物；儲氣模塊，用于向基板噴出輔助氣體，其中，其出氣口位于氣體噴射裝置下表面；通光孔，貫通設(shè)置在氣體噴射裝置中，用于透過激光；氣孔，設(shè)置在透鏡下方的通光孔的內(nèi)壁上；透鏡，設(shè)置在通光孔內(nèi)，靠近通光孔底部；壓敏傳感器，設(shè)置在氣體噴射裝置的下表面，用于確定基板與所述氣體噴射裝置之間的距離；控制器，所述控制器與所述壓敏傳感器連接，用于控制所述儲氣模塊的輔助氣體噴出量。
文檔編號C23C16/44GK102828166SQ20121030709
公開日2012年12月19日 申請日期2012年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月24日
發(fā)明者汪雯, 劉國全, 李建敏, 鄭杰, 滕飛 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司