專利名稱：濺鍍機及其磁鐵的控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種金屬薄膜的沉積設(shè)備，尤其是一種濺鍍機及其磁鐵的控制方法。
背景技術(shù)：
在液晶顯示面板、等離子顯示面板或是半導(dǎo)體的微型電路的工藝中，為了制作出各形狀的金屬線或是金屬接點，制造者需要將金屬薄膜形成于基板上。一般來說，將金屬薄膜形成于基板上的方法可分為物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,簡稱PVD)方法
以及化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)方法。其中，PVD法主要可分為濺鍍(Sputtering)法、電阻加熱蒸鍍法以及電子鎗加熱蒸鍍法。所謂的濺鍍法，是指于一真空系統(tǒng)中，通入惰性氣體(如氬氣，Argon，簡稱Ar)于一濺鍍機的一腔室內(nèi)。濺鍍機利用磁場或電場產(chǎn)生等離子，等離子游離氬氣中的離子，以使離子轟擊一靶材。當(dāng)靶材被離子轟擊后，靶材表面(正面)的靶材原子脫離濺出并且飛向基板(被濺鍍物)。最后，飛向基板的革巴材原子會附著于基板的表面，以在基板的表面上堆積而形成一層金屬薄膜。一般來說，濺鍍機由一腔室、一承載盤、一靶材載板、一屏蔽以及一磁鐵所構(gòu)成。承載盤用以承載一基板，同時承載板連接一正電極。腔室對應(yīng)于承載盤，屏蔽以及靶材載板設(shè)于腔室內(nèi)。一負(fù)電極則連接載有一靶材的靶材載板。磁鐵設(shè)置于靶材載板上。磁鐵以及靶材分別設(shè)于祀材載板的相對兩表面。磁鐵適于產(chǎn)生磁場線。磁鐵沿著一固定路徑移動，其中此固定路徑為一直線。另外，固定路徑具有一中點以及兩端點。于現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)磁鐵于固定路徑的兩端點間往返移動時，磁鐵于對稱于中繼點的位置上的速度都相同。在進(jìn)行濺鍍的過程中，磁鐵所產(chǎn)生的磁場線用以對靶材表面附近的等離子內(nèi)的電子產(chǎn)生作用力，使電子以螺旋的方式進(jìn)行移動。如此，相較于不具有磁鐵的濺鍍機，具有磁鐵的濺鍍機可提高電子移動時碰撞氬氣的次數(shù)。當(dāng)電子碰撞氬氣的次數(shù)越多時，氬氣的離子數(shù)目也會增加。當(dāng)氬氣的離子數(shù)目增加時，將會有更多的靶材原子被離子轟擊而脫離，而使得更多的靶材原子附著于基板的表面。由上述可得知，藉由磁鐵的磁場線作用，相較于不具有磁鐵的濺鍍機，具有磁鐵的濺鍍機可提升濺鍍機的濺鍍(形成金屬薄膜)速率。但是，于現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)磁鐵沿著固定路徑于靶材載板上移動時，因為磁鐵于兩端點的停留時間較長，容易導(dǎo)致相對于固定路徑兩端點的靶材產(chǎn)生過多的脫離。當(dāng)靶材相對于兩端點之處產(chǎn)生過多的脫離時，靶材即無法繼續(xù)使用，制造者必須更換另一新的靶材以繼續(xù)進(jìn)行濺鍍。從另外一個角度來看，當(dāng)靶材相對于兩端點之處產(chǎn)生過多的脫離時，即表示靶材相對于固定路徑的中點附近之處仍具有足夠的材料以進(jìn)行濺鍍。如此一來，雖然靶材相對于中點附近仍具有可利用的材料，但靶材卻無法繼續(xù)使用而需更換另一新的靶材。是故，現(xiàn)有技術(shù)的磁鐵的控制方法將造成靶材的浪費，進(jìn)而產(chǎn)生增加液晶顯示面板的生產(chǎn)成本的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種濺鍍機及其磁鐵的控制方法，其中濺鍍機的磁鐵具有兩位于同一直線的移動路徑，借以解決現(xiàn)有技術(shù)的濺鍍過程中，靶材的邊緣會產(chǎn)生過多的脫離，進(jìn)而造成生產(chǎn)成本增加的問題。本發(fā)明的一實施例揭露一濺鍍機，其包括一腔室、一靶材載板、一屏蔽、一磁鐵、一驅(qū)動機構(gòu)以及一程序化控制器。腔室具有一腔室開口。靶材載板位于腔室內(nèi)。屏蔽覆蓋腔室開口，屏蔽具有一屏蔽開口，屏蔽開口小于腔室開口，并且屏蔽開口曝露靶材載板。磁鐵位于腔室內(nèi)，并且靶材載板介于屏蔽與磁鐵之間。驅(qū)動機構(gòu)連接于磁鐵，用以驅(qū)動磁鐵于靶材載板上移動。程序化控制器連接于驅(qū)動機構(gòu)，用以經(jīng)由驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動磁鐵沿一第一路徑以及一第二路徑移動，第一路徑具有兩第一端點，第二路徑具有兩第二端點，第一路徑與第二路徑均跨越屏蔽開口，第二路徑的兩第二端點介于第一路徑的兩第一端點之間，并且磁鐵于兩第一端點所占據(jù)的空間不重迭于磁鐵于兩第二端點所占據(jù)的空間。其中，該屏蔽開口包括彼此相對的兩側(cè)緣，該第二路徑由一該側(cè)緣朝向另一該側(cè)緣延伸，該屏蔽開口自該屏蔽的一內(nèi)壁面貫穿該屏蔽，該磁鐵位于一該第二端點時，該磁鐵于該內(nèi)壁面的一正交投影覆蓋一該側(cè)緣，該磁鐵位于另一該第二端點時，該磁鐵于該內(nèi)壁
面的另一正交投影覆蓋另一該側(cè)緣。其中，該驅(qū)動機構(gòu)包括一滑軌，該磁鐵以可滑動的方式配置于該滑軌上，該滑軌定義出該第一路徑以及該第二路徑，其中該第二路徑重迭于該第一路徑；一傳動件，連接于該磁鐵；以及一致動器，連接于該傳動件以及該程序化控制器，用以受該程序化控制器的控制而經(jīng)由該傳動件驅(qū)動該磁鐵沿著該滑軌滑動。其中，更包括一直流電源，該直流電源包括一正極以及一負(fù)極，該屏蔽連接于該正極，該靶材載板連接于該負(fù)極。其中，更包括一接地的環(huán)型擋墻，該屏蔽包括一板體以及一環(huán)型墻體，該屏蔽開口貫穿該板體，該環(huán)型墻體位于該板體上并且環(huán)繞該屏蔽開口，該環(huán)型擋墻圍繞該環(huán)型墻體。其中，該磁鐵于平行于該第一路徑的方向上的寬度小于兩個相鄰的該第一端點與該第二端點的距離。其中，該磁鐵于平行于該第一路徑的方向上的寬度小于兩個相鄰的該第一端點與該第二端點的距離的一半。在本發(fā)明的另一實施例揭露一磁鐵的控制方法，用以在一濺鍍過程中控制一靶材的消耗，此磁鐵的控制方法的步驟包括將靶材配置于一磁鐵與一屏蔽之間，屏蔽與一直流電源的正極連接，并且屏蔽包括一屏蔽開口。使磁鐵于一第一路徑的兩第一端點之間往返，以使部分的靶材自靶材表面脫離，而形成對應(yīng)于兩第一端點的兩第一凹陷，其中第一路徑跨越屏蔽開口。當(dāng)任一兩第一凹陷的深度大于一臨界值時，使磁鐵于一第二路徑的兩第二端點之間往返并且第二路徑不經(jīng)過兩第一端點，以使部分的靶材自靶材表面脫離，而形成對應(yīng)于兩第二端點的兩第二凹陷，其中第二路徑跨越屏蔽開口，兩第二端點介于兩第一端點之間，以使兩第一凹陷與兩第二凹陷彼此間隔一大于零的距離。I.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁鐵的控制方法，其特征在于，該屏蔽開口包括彼此相對的兩側(cè)緣，該第二路徑由一該側(cè)緣朝向另一該側(cè)緣延伸，該屏蔽開口自該屏蔽的一內(nèi)壁面貫穿該屏蔽，該磁鐵位于一該第二端點時，該磁鐵于該內(nèi)壁面的一正交投影覆蓋一該側(cè)緣，該磁鐵位于另一該第二端點時，該磁鐵于該內(nèi)壁面的另一正交投影覆蓋另一該側(cè)緣。其中，該第一路徑具有至少一對中繼點，該對中繼點的位置對稱于該第一路徑的一中點，該磁鐵經(jīng)過該對中繼點的速度不相同。其中，該屏蔽開口包括彼此相對的兩側(cè)緣，該第二路徑由一該側(cè)緣朝向另一該側(cè)緣延伸，該屏蔽開口自該屏蔽的一內(nèi)壁面貫穿該屏蔽，該磁鐵位于一該第二端點時，該磁鐵于該內(nèi)壁面的一正交投影覆蓋一該側(cè)緣，該磁鐵位于另一該第二端點時，該磁鐵于該內(nèi)壁面的另一正交投影覆蓋另一該側(cè)緣。其中，該第一路徑具有至少一對中繼點，該對中繼點的位置對稱于該第一路徑的一中點，該磁鐵經(jīng)過該對中繼點的速度不相同。基于上述的實施例，由于濺鍍機的磁鐵沿第一路徑以及第二路徑相對于靶材移動，其中第二路徑的兩第二端點介于第一路徑的兩第一端點之間，且磁鐵于兩第一端點所占據(jù)的空間不重迭于磁鐵于兩第二端點所占據(jù)的空間。是以，相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，當(dāng)濺鍍機進(jìn)行濺鍍時，濺鍍機可有效利用靶材，以使靶材均勻地脫離，進(jìn)而使靶材原子形成至基板上，同時可避免靶材的浪費,進(jìn)而解決生產(chǎn)成本增加的問題。以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖I為本發(fā)明的一實施例的濺鍍機的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明的一實施例的磁鐵的控制方法的流程圖。圖3為圖I的濺鍍機的磁鐵于濺鍍的過程中沿第一路徑的移動示意圖。圖4為圖I的濺鍍機的磁鐵于濺鍍的過程中沿第二路徑的移動示意圖。圖5為圖I的5-5剖切線的示意圖。圖6為圖I的濺鍍機的滑軌以及磁鐵的示意圖。圖7為圖6的磁鐵的行進(jìn)距離與速度的坐標(biāo)圖。圖8為本發(fā)明的另一實施例的濺鍍機的剖面示意圖。圖9為圖8的9-9剖切線的示意圖。其中，附圖標(biāo)記100 :溉鍍機110:腔室112:腔室開口120 :屏蔽122:屏蔽開口123、124:側(cè)緣125 :板體126 :環(huán)型墻體128:內(nèi)壁面130 :靶材載板132 :冷卻水路140 :磁鐵
150 :驅(qū)動機構(gòu)152 :滑軌154 :傳動件156 :致動器160 :程序化控制器170 :環(huán)型擋墻180 :7承載盤181 :碳板182 :加熱器184 :冷卻水路200 :靶材210、212:第一凹陷220、222:第二凹陷230 :靶材表面240 :銦膠310 :第一路徑312,314 :第一端點320 :第二路徑322、324 :第二端點330 :第三路徑332,334 :第三端點340、342:中繼點350:中點400 :基板510、512 :第一投影區(qū)520,522 :第二投影區(qū)530,532 :第三投影區(qū)Dl :臨界值D2 :距離
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明的實施例揭露一種濺鍍機，濺鍍機適于承載一基板，濺鍍機用對基板進(jìn)行濺鍍工藝，以使一靶材脫離，而使靶材形成至基板上。請參照圖1，圖I為本發(fā)明的一實施例的濺鍍機的剖面示意圖。在本實施例中，濺鍍機100包括一腔室110、一屏蔽120、一靶材載板130、一磁鐵140、一驅(qū)動機構(gòu)150以及一程序化控制器160。腔室110具有一腔室開口 112。靶材載板130適于承載一靶材(未繪示)。另外，靶材載板130對應(yīng)于腔室開口 112。靶材載板130內(nèi)例如設(shè)有一冷卻水路132，冷卻水路132用以冷卻靶材。磁鐵140位于腔室110內(nèi)且設(shè)置于靶材載板130上。另外，靶材載板130介于屏蔽120與磁鐵140之間。在本實施例中，靶材載板130的材質(zhì)為銅，但非用以限定本發(fā)明。屏蔽120覆蓋腔室開口 112。屏蔽120包括一板體125以及一環(huán)型墻體126。板體125具有一內(nèi)壁面128，內(nèi)壁面128面對靶材載板130。環(huán)型墻體126位于板體125上。此外，屏蔽120具有一屏蔽開口 122，屏蔽開口 122自內(nèi)壁面128貫穿屏蔽120的板體125，以使屏蔽開口 122曝露靶材載板130。環(huán)型墻體126環(huán)繞屏蔽開口 122，屏蔽開口 122小于腔室開口 112，屏蔽開口 122包括彼此相對的兩側(cè)緣123、124。驅(qū)動機構(gòu)150連接于磁鐵140。驅(qū)動機構(gòu)150用以驅(qū)動磁鐵140于靶材載板130上移動。于本實施例以及本發(fā)明的部分的其它實施例中，驅(qū)動機構(gòu)150設(shè)于腔室110內(nèi)，且驅(qū)動機構(gòu)150包括一滑軌152、一傳動件154以及一致動器156?；?52設(shè)于靶材載板
130上，而磁鐵140以可滑動的方式配置于滑軌152上，傳動件154連接于磁鐵140。致動器156連接于傳動件154以及程序化控制器160，致動器156用以受程序化控制器160的控制而經(jīng)由傳動件154驅(qū)動磁鐵140沿著滑軌152往返移動。程序化控制器160連接于驅(qū)動機構(gòu)150的致動器156。于本實施例以及本發(fā)明之部分的其它實施例中，程序化控制器160設(shè)于腔室110內(nèi)。程序化控制器160用以經(jīng)由傳動件154以及致動器156來驅(qū)動磁鐵140沿著滑軌152移動。在本實施例以及本發(fā)明的部分的其它實施例中，濺鍍機100更包括一承載盤180(Susceptor),承載盤180用以承載一基板(未繪示)，同時基板對應(yīng)于屏蔽120的屏蔽開口122。承載盤180包括一碳板181、一加熱器182以及一冷卻水路184。加熱器182用以對基板加熱。碳板181為一絕緣體，且碳板181主要用以吸收加熱器182運作時的熱能并進(jìn)行散熱。冷卻水路184設(shè)于加熱器182下方，冷卻水路184用以冷卻加熱器182。當(dāng)濺鍍機100運作時，濺鍍機100連接一直流電源。直流電源的一負(fù)極連接于靶材載板130，且直流電源的一正極連接屏蔽120。藉由上述的電源連接方式，一電場可以形成于濺鍍機100內(nèi)。于一實施例中，濺鍍機100更包括一環(huán)型擋墻170，環(huán)型擋墻170設(shè)于靶材載板130的邊緣，同時環(huán)型擋墻170圍繞環(huán)型墻體126。環(huán)型擋墻170用以預(yù)防濺鍍機100進(jìn)行濺鍍時靶材的回鍍。另外，環(huán)型擋墻170為接地。以下介紹磁鐵140的移動路徑?；?52定義出一第一路徑310以及一第二路徑320，磁鐵140可沿第一路徑310以及第二路徑320移動。第一路徑310具有兩第一端點312,314以及一中點350。第一端點312對應(yīng)于側(cè)緣123，而第一端點314對應(yīng)于側(cè)緣124。第二路徑320由側(cè)緣123朝向側(cè)緣124延伸，第二路徑320具有兩第二端點322、324。第二端點322對應(yīng)于側(cè)緣123，而第二端點324對應(yīng)于側(cè)緣124。第一路徑310與第二路徑320均跨越屏蔽開口 122。在本實施例中，第二路徑320重迭于第一路徑310，同時第一路徑310以及第二路徑320都為直線。再者，第二路徑320的兩第二端點322、324介于第一路徑310的兩第一端點312、314之間。同時，磁鐵140于兩第一端點312、314時所占據(jù)的空間不重迭于磁鐵140于兩第二端點322、324所占據(jù)的空間。磁鐵140于平行于第一路徑310的方向上的寬度小于兩個相鄰的第一端點312與第二端點322的距離。于另一側(cè)，磁鐵140于平行于第一路徑310的方向上的寬度小于兩個相鄰的第一端點314與第二端點324的距離(如圖5所示，圖5為圖I的5-5剖切線的示意圖)。以下介紹濺鍍機100的磁鐵140的控制方法的流程圖。請同時參照圖2以及圖3，圖2為本發(fā)明的一實施例的磁鐵的控制方法的流程圖，圖3為圖I的濺鍍機的磁鐵于濺鍍的過程中沿第一路徑的移動示意圖。首先，將一靶材200配置于磁鐵140與屏蔽120之間(S110)。首先，一銦膠240涂布于IE材載板上，一IE材200配置于銦膠240上。祀材200的IE材表面230對應(yīng)于腔室開口 112。同時，將一基板400配置于一承載盤180上。此外，更將直流電源的正極連接于屏蔽120，并且將直流電源的負(fù)極連接于靶材載板130。在本實施例中，祀材200的材質(zhì)可為招(Aluminum,簡稱Al)、招合金(Aluminum
alloy)、銅(Copper,簡稱 Cu)、金(Gold,簡稱 Au)、銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,簡稱ITO)或鑰(Molybdenum，簡稱MO)。基板400的材質(zhì)為玻璃。但上述的材質(zhì)都非用以限定本
發(fā)明。接著，使磁鐵140于第一路徑310的兩第一端點312、314之間往返，以使部分的靶材200自靶材表面230脫離(S130)，而形成對應(yīng)于兩第一端點312、314的兩第一凹陷210、212。其中第一路徑310跨越屏蔽開口 122。也就是說，即濺鍍機110開始對基板400進(jìn)行濺鍍時，程序化控制器160驅(qū)動磁鐵140于滑軌152上移動。磁鐵140利于促使靶材200自靶材表面230脫離。由于磁鐵140于第一路徑310上往返移動時，磁鐵140停留于兩第一端點312、314的時間較長，而容易使對應(yīng)于兩第一端點312、314的靶材200脫離。所以，當(dāng)革巴材200的祀材表面230上的原子進(jìn)行脫離時,于對應(yīng)于第一端點312、314的祀材200上分別產(chǎn)生兩第一凹陷210、212。請同時參照圖3以及圖4，圖4為圖I的濺鍍機的磁鐵于濺鍍過程中沿第二路徑的移動示意圖。然后，當(dāng)任一兩第一凹陷210、212的深度大于一臨界值Dl時，使磁鐵140于一第二路徑320的兩第二端點322、324之間往返并且第二路徑320不經(jīng)過兩第一端點312、314，以使部分的靶材200自靶材表面230脫離(S150)，而形成對應(yīng)于兩第二端點322、324的兩第二凹陷220、222 (如圖4所示)。第二路徑320跨越屏蔽開口 122。此時，因為靶材200的兩第一凹陷210、212的深度大于臨界值D1，即兩第一凹陷210、212接近至靶材載板130時，程序化控制器160調(diào)整磁鐵140改為于第二路徑320的兩第二端點322、324之間往返。如此，磁鐵140不再經(jīng)過相對于靶材200的第一凹陷210、212處，是故，兩第一凹陷210,212的深度不會再加深。在本實施例以及本發(fā)明的部分的其它實施例中，當(dāng)磁鐵140位于第二端點322時，磁鐵140于內(nèi)壁面128的一正交投影覆蓋側(cè)緣123,磁鐵140位于第二端點324時,磁鐵于內(nèi)壁面128的另一正交投影覆蓋側(cè)緣124。兩第二端點322、324介于兩第一端點312、314之間，以使兩第一凹陷210、212與兩第二凹陷220、222彼此間隔一大于零的距離D2 (磁鐵140的移動方式如圖5所示，圖5為圖I的5-5剖切線的示意圖，第一投影區(qū)510、512分別為磁鐵140位在第一端點310、第一端點312時于內(nèi)壁面128的正交投影，第二投影區(qū)520、522分別為磁鐵140位在第二端點320、第二端點322時于內(nèi)壁面128的正交投影)。在本發(fā)明中，正交投影定義為投影線垂直于投影面的投影。也就是說，在本實施例以及部分的其它實施例中，當(dāng)磁鐵140位于第二端點322時，磁鐵140的一垂直內(nèi)壁面128的投影面會覆蓋側(cè)緣123 ;磁鐵140位于第二端點324時，磁鐵140的一垂直內(nèi)壁面128的投影面會覆蓋側(cè)緣124。意即磁鐵140于第二路徑320進(jìn)行往返移動時，磁鐵140覆蓋屏蔽開口 122。于現(xiàn)有技術(shù)中，現(xiàn)有技術(shù)的磁鐵僅可對稱于中點以進(jìn)行同速度的移動。在本實施例中，相較于現(xiàn)有技術(shù)，磁鐵140的移動速度可根據(jù)實際需求于同一路徑上的不同區(qū)間內(nèi)進(jìn)行不同速度的變化。以下將介紹磁鐵140于滑軌152上的移動速度區(qū)間。請同時參照圖6以及圖7，圖6為圖I的濺鍍機的滑軌以及磁鐵的示意圖。圖7為圖6的磁鐵的行進(jìn)距離與速度的坐標(biāo)圖。第一路徑310具有一對中繼點340、342，中繼點340、342的位置對稱于第一路徑310的中點350，且磁鐵140經(jīng)過上述的中繼點340、342的速度不相同。舉例來說，在本實施例中，第一路徑310的總長度為570公厘(millimeter，mm)，中繼點340位于中點350以及第一端點312的中端，中繼點342位于中點350以及第一端點314的中端。磁鐵140自第一路徑310的第一端點312至第一端點314進(jìn)行移動。由圖7可得知，當(dāng)磁鐵140位于中繼點340時，磁鐵140的速度為490 (公厘/秒，mm/s);當(dāng)磁鐵140位于中繼點342
時，磁鐵140的速度為430(mm/s)。換句話說，即本實施例的磁鐵140的移動速度并不對稱于中點350。如此一來，本實施例的濺鍍機100更能有效調(diào)整靶材200各部分的厚度，以利于濺鍍時靶材200的充分利用以及靶材200的原子的均勻脫離。圖I的實施例非用以限制磁鐵140的尺寸與寬度以及第一路徑310與第二路徑320之間的距離。為了更有效利用靶材200，磁鐵140更可具有彼此相互重迭的三條以上的移動路徑。請同時參照圖8以及圖9，圖8為本發(fā)明的另一實施例的濺鍍機的剖面示意圖，圖9為圖8的9-9剖切線的示意圖。其中相同的標(biāo)號代表著與前述實施例相同或是類似的組件。在本實施例中，除了原先的第一路徑310以及第二路徑320外，磁鐵140于滑軌152上更具有一第三路徑330，且第三路徑330具有兩第三端點332、334。第三端點332介于第一端點312以及第二端點322之間，第三端點334介于第一端點314以及第二端點324之間。同時，磁鐵140于平行于第一路徑310的方向上的寬度小于相鄰的第一端點312與第二端點332的距離的一半。另一側(cè)，磁鐵140于平行于第一路徑310的方向上的寬度小于相鄰的第一端點314與第二端點324的距離的一半(如圖9所示，第一投影區(qū)510、512分別為磁鐵140位在第一端點310、第一端點312時于屏蔽120的內(nèi)壁面128的正交投影，第二投影區(qū)520、522分別為磁鐵140位在第二端點320、第二端點322時于內(nèi)壁面128的正交投影，第三投影區(qū)530、532分別為磁鐵140位在第三端點330、第三端點332時于內(nèi)壁面128的正交投影)。是故，在本實施例以及部分的其它實施例中，磁鐵140更可具有介于第一路徑310以及第二路徑320之間的第三路徑330，且第三端點332、334所占據(jù)的空間不重迭于磁鐵140于兩第一端點312、314或兩第二端點322、324所占據(jù)的空間。如此一來，當(dāng)磁鐵140的寬度越小時，磁鐵140即可具有更多跨越屏蔽開口 122的復(fù)數(shù)個移動路徑。因此，當(dāng)磁鐵140具有三種以上彼此重迭的移動路徑時，更可有效利用靶材200以對基板400進(jìn)行濺鍍?；谏鲜龅膶嵤├?，由于濺鍍機的磁鐵具有兩種以上不同長度的移動路徑，因此當(dāng)濺鍍機進(jìn)行濺鍍，而靶材的兩端點產(chǎn)生過深的凹陷時，濺鍍機自動調(diào)整磁鐵的移動路徑，使第二移動路徑不重迭于已產(chǎn)生過深的凹陷的第一動路徑的兩端點，以避免靶材的兩端點產(chǎn)生過多的脫離，進(jìn)而損壞濺鍍機的靶材載板。是以，相較于現(xiàn)有技術(shù)而言，本實施例所揭露的濺鍍機及其磁鐵的控制方法，能有效控制靶材的脫離，進(jìn)而可重復(fù)使用原本應(yīng)被更換的靶材。同時，藉由可自由調(diào)整磁鐵的移動速度，更能調(diào)整靶材各部分的厚度，達(dá)到充分利用靶材的效果。如此一來，采用上述實施例的濺鍍機的液晶顯示面板工藝，避免了靶材的浪費，以達(dá)到降低生產(chǎn)成本的功效。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟
悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種濺鍍機，其特征在于，包括 一腔室，具有一腔室開口 ； 一革巴材載板，位于該腔室內(nèi)； 一屏蔽，覆蓋該腔室開口，該屏蔽具有一屏蔽開口，該屏蔽開口小于該腔室開口，并且該屏蔽開口曝露該靶材載板； 一磁鐵，位于該腔室內(nèi)，并且該祀材載板介于該屏蔽與該磁鐵之間； 一驅(qū)動機構(gòu)，連接于該磁鐵，用以驅(qū)動該磁鐵于該靶材載板上移動；以及一程序化控制器，連接于該驅(qū)動機構(gòu)，用以經(jīng)由該驅(qū)動機構(gòu)驅(qū)動該磁鐵沿一第一路徑以及一第二路徑移動，該第一路徑具有兩第一端點，該第二路徑具有兩第二端點，該第一路徑與該第二路徑均跨越該屏蔽開口，該第二路徑的該兩第二端點介于該第一路徑的該兩第一端點之間，并且該磁鐵于該兩第一端點所占據(jù)的空間不重迭于該磁鐵于該兩第二端點所占據(jù)的空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺鍍機，其特征在于，該屏蔽開口包括彼此相對的兩側(cè)緣，該第二路徑由一該側(cè)緣朝向另一該側(cè)緣延伸，該屏蔽開口自該屏蔽的一內(nèi)壁面貫穿該屏蔽， 該磁鐵位于一該第二端點時，該磁鐵于該內(nèi)壁面的一正交投影覆蓋一該側(cè)緣， 該磁鐵位于另一該第二端點時，該磁鐵于該內(nèi)壁面的另一正交投影覆蓋另一該側(cè)緣。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺鍍機，其特征在于，該驅(qū)動機構(gòu)包括 一滑軌，該磁鐵以可滑動的方式配置于該滑軌上，該滑軌定義出該第一路徑以及該第二路徑，其中該第二路徑重迭于該第一路徑； 一傳動件，連接于該磁鐵；以及 一致動器，連接于該傳動件以及該程序化控制器，用以受該程序化控制器的控制而經(jīng)由該傳動件驅(qū)動該磁鐵沿著該滑軌滑動。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺鍍機，其特征在于，更包括一直流電源，該直流電源包括一正極以及一負(fù)極，該屏蔽連接于該正極，該靶材載板連接于該負(fù)極。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺鍍機，其特征在于，更包括一接地的環(huán)型擋墻，該屏蔽包括一板體以及一環(huán)型墻體，該屏蔽開口貫穿該板體，該環(huán)型墻體位于該板體上并且環(huán)繞該屏蔽開口，該環(huán)型擋墻圍繞該環(huán)型墻體。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺鍍機，其特征在于，該磁鐵于平行于該第一路徑的方向上的寬度小于兩個相鄰的該第一端點與該第二端點的距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺鍍機，其特征在于，該磁鐵于平行于該第一路徑的方向上的寬度小于兩個相鄰的該第一端點與該第二端點的距離的一半。
8.—種磁鐵的控制方法，用以在一濺鍍過程中控制一靶材的消耗，其特征在于，其步驟包括 將該靶材配置于一磁鐵與一屏蔽之間，該屏蔽與一直流電源的一正極連接，并且該屏蔽包括一屏蔽開口； 使該磁鐵于一第一路徑的兩第一端點之間往返，以使部分的該祀材自該祀材表面脫離，而形成對應(yīng)于該兩第一端點的兩第一凹陷，其中該第一路徑跨越該屏蔽開口 ；以及當(dāng)任一該兩第一凹陷的深度大于一臨界值時，使該磁鐵于一第二路徑的兩第二端點之間往返并且該第二路徑不經(jīng)過該兩第一端點，以使部分的該靶材自該靶材表面脫離，而形成對應(yīng)于該兩第二端點的兩第二凹陷，其中該第二路徑跨越該屏蔽開口， 該兩第二端點介于該兩第一端點之間，以使該兩第一凹陷與該兩第二凹陷彼此間隔一大于零的距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁鐵的控制方法，其特征在于，該屏蔽開口包括彼此相對的兩側(cè)緣，該第二路徑由一該側(cè)緣朝向另一該側(cè)緣延伸，該屏蔽開口自該屏蔽的一內(nèi)壁面貫穿該屏蔽， 該磁鐵位于一該第二端點時，該磁鐵于該內(nèi)壁面的一正交投影覆蓋一該側(cè)緣， 該磁鐵位于另一該第二端點時，該磁鐵于該內(nèi)壁面的另一正交投影覆蓋另一該側(cè)緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁鐵的控制方法，其特征在于，該第一路徑具有至少一對中繼點，該對中繼點的位置對稱于該第一路徑的一中點，該磁鐵經(jīng)過該對中繼點的速度不相同。
全文摘要
一種濺鍍機及其磁鐵的控制方法，此濺鍍機包括一腔室、一靶材載板、一遮罩、一磁鐵、一驅(qū)動機構(gòu)及一程式化控制器。腔室具有一腔室開口。靶材載板位于腔室內(nèi)。屏蔽覆蓋腔室開口，屏蔽具有一小于腔室開口且曝露靶材載板的屏蔽開口。磁鐵位于腔室內(nèi)。驅(qū)動機構(gòu)連接磁鐵，以驅(qū)動磁鐵于靶材載板上移動。程序化控制器連接于驅(qū)動機構(gòu)，以驅(qū)動磁鐵沿一具有兩第一端點的第一路徑及一具有兩第二端點的第二路徑移動，第一路徑與第二路徑均跨越屏蔽開口，兩第二端點都介于兩第一端點間。磁鐵于兩第一端點所占空間不重迭于磁鐵于兩第二端點所占空間。
文檔編號C23C14/54GK102817001SQ201210272078
公開日2012年12月12日 申請日期2012年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月6日
發(fā)明者黃宇慶 申請人:友達(dá)光電股份有限公司