專利名稱：多晶硅回蝕溶液及其用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅回蝕溶液的用途。
背景技術(shù)：
提高太陽能性能，降低制作成本，是太陽能電池領(lǐng)域研究和重點。在太陽電池中，過量磷的區(qū)域總是在接近電池表面的地方。這就可能在靠近表面處產(chǎn)生一個“死層”，在這里因為少數(shù)載流子的壽命非常短，所以光生載流子被收集的機會非常少
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種使得低薄層電阻的硅片被回蝕到高薄層電阻，回蝕后的高薄層電阻的均勻性好的多晶硅回蝕溶液及其用途。本發(fā)明的技術(shù)解決方案是
一種多晶硅回蝕溶液，其特征是由下列體積百分比的成分混合組成
氫氧化鈉 0. 03% 0. 5%
次氯酸鈉 0. 02% 0. 5%
硅酸鈉 0. 01% 0. 5%
有機酸或有機醇 0. 0059T0. 1%
余量為水。所述有機酸為乙酸、丙酸、丁酸、庚酸中的一種或幾種；所述有機醇為乙醇、正丁醇中的一種或幾種。一種多晶硅回蝕溶液的用途，其特征是將多晶硅片浸泡在多晶硅回蝕溶液中，回蝕處理的溫度范圍為25 60°C，回蝕處理的時間范圍為30秒 300秒。本發(fā)明不改變多晶硅片表面的顏色。從掃描電鏡中觀察，回蝕后的絨面形貌與回蝕前幾乎沒有差別。將擴散后的多晶硅片浸泡于回蝕溶液中，使得低薄層電阻的硅片被回蝕到高薄層電阻，且高薄層電阻的均勻性在90%以上。這種溶液不依賴大型昂貴的鏈?zhǔn)皆O(shè)備，只需槽內(nèi)浸泡，成本低，操作簡單易行，可以滿足實驗及生產(chǎn)制作的需要。


下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步說明。圖I是本發(fā)明多晶薄層電阻在回蝕前與回蝕后的測試結(jié)果 圖2是多晶硅片回蝕前的絨面俯視電鏡 圖3是多晶硅片回蝕后的絨面俯視電鏡圖。
具體實施方式
實施例I :
一種多晶硅回蝕溶液，由下列體積百分比的成分混合組成
氫氧化鈉 0. 03% 0. 5% (例 0. 03%、0. 3%、0. 5%)
次氯酸鈉 0. 02% 0. 5% (例 0. 02%、0. 3%、0. 5%)
硅酸鈉 0. 01% 0. 5% (例 0. 01%, 0. 3%、0. 5%)
有機酸 0. 005% 0. 1% (例 0. 005%、0. 05%、0. 1%)
余量為水。所述有機酸為乙酸(或丙酸、丁酸、庚酸中的一種或幾種)。使用時，將多晶硅片浸泡在多晶硅回蝕溶液中，回蝕處理的溫度范圍為25 60°C，回蝕處理的時間范圍為30秒 300秒，硅片每片減薄量為O。 實施例2:
將實施例I中的有機酸改為有機醇，所述有機醇為乙醇和/或正丁醇。其余同實施例
Io
權(quán)利要求
1.一種多晶硅回蝕溶液，其特征是由下列體積百分比的成分混合組成 氫氧化鈉 O. 039ΓΟ. 5% 次氯酸鈉 O. 029ΓΟ. 5% 硅酸鈉 O. ΟΡ/ΓΟ. 5% 有機酸或有機醇 O. 0059Γ0. 1% 余量為水。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多晶硅回蝕溶液，其特征是所述有機酸為こ酸、丙酸、丁酸、庚酸中的ー種或幾種；所述有機醇為こ醇、正丁醇中的ー種或幾種。
3.—種權(quán)利要求I所述的多晶硅回蝕溶液的用途，其特征是將多晶硅片浸泡在多晶硅回蝕溶液中，回蝕處理的溫度范圍為25 60°C，回蝕處理的時間范圍為30秒 300秒。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多晶硅回蝕溶液，由氫氧化鈉、次氯酸鈉、硅酸鈉、有機酸或有機醇及余量的水組成。本發(fā)明不改變多晶硅片表面的顏色。從掃描電鏡中觀察，回蝕后的絨面形貌與回蝕前幾乎沒有差別。將擴散后的多晶硅片浸泡于回蝕溶液中，使得低薄層電阻的硅片被回蝕到高薄層電阻，且高薄層電阻的均勻性在90%以上。
文檔編號C23F1/32GK102677060SQ20121014934
公開日2012年9月19日 申請日期2012年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月15日
發(fā)明者戴燕華, 朱琛, 林佳繼, 沈?qū)? 趙同榮, 黃路遙 申請人:韓華新能源(啟東)有限公司