專利名稱：真空濺鍍裝置及其使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種真空濺鍍裝置及其使用方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工藝中，很多結(jié)構(gòu)的完成涉及金屬的濺鍍，例如金屬互連結(jié)構(gòu)。濺鍍工藝一般采用惰性氣體轟擊靶材完成，因而其工作環(huán)境需要真空條件。需濺鍍時，首先將該待濺鍍基材放置于大氣壓下的前置腔內(nèi)，接著，將該待濺鍍基材由前置腔移至出/入口腔(Load Lock)的基片架上，然后封閉該出/入口腔并進行抽真空，以將其通過傳輸腔轉(zhuǎn)移入各自的濺鍍腔?，F(xiàn)有技術(shù)中，為了提高效率，一般設(shè)置多個體積較小的出/入口腔，該出/入腔被逐一轉(zhuǎn)滿，且一個出/入口腔轉(zhuǎn)移滿后，立即對該腔進行抽真空，此時，其它腔還在進行轉(zhuǎn)移過程，因而，多個工序同時進行，縮短了時間。上述轉(zhuǎn)移全部完成后，所有出/入口腔都被密封且真空度達到一定要求，即可開始基材向需真空環(huán)境的濺鍍腔的轉(zhuǎn)移。然而，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于多個出/入口腔共用一個真空泵及管道，上述對某個腔進行抽真空過程中，被密封的腔(已經(jīng)達真空度要求)由于密封不嚴(yán)，會出現(xiàn)漏氣，進而造成濺鍍過程經(jīng)常發(fā)現(xiàn)濺鍍的基片效果差的問題。針對這個問題，本發(fā)明提出一種新的真空濺鍍裝置及其使用方法，以改善現(xiàn)有的真空濺鍍裝置對某個出/入口腔進行抽真空過程中，被密封的腔(已經(jīng)達真空度要求)由于密封不嚴(yán)，會出現(xiàn)漏氣，進而避免濺鍍效果差的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提出一種新的真空濺鍍裝置及其使用方法，以改善現(xiàn)有的真空濺鍍裝置對某個出/入口腔進行抽真空過程中，被密封的腔(已經(jīng)達真空度要求)由于 密封不嚴(yán)，會出現(xiàn)漏氣，進而避免濺鍍效果差的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種真空濺鍍裝置，包括至少兩個出/入口腔、傳輸腔、濺鍍腔及一個真空泵，其中，每個所述出/入口腔與所述真空泵之間至少設(shè)置第一隔絕氣流裝置與第二隔絕氣流裝置，其中至少一個防止氣體流入所述出/入口腔，其中至少一個能自動防止氣體流入所述出/入口腔?？蛇x地，所述第一隔絕氣流裝置為閥門，所述第二隔絕氣流裝置為閥門?？蛇x地，所述第一隔絕氣流裝置為單向閥，所述第二隔絕氣流裝置為截止閥?？蛇x地，所述截止閥為電磁閥?？蛇x地，所述出/入口腔內(nèi)設(shè)置基片架，一個所述基片架能安放多個待濺鍍基材。可選地，所述基片架的數(shù)目與所述濺鍍腔每次能處理的基材的數(shù)目相等?？蛇x地，一個所述基片架能安放待濺鍍基材的數(shù)目等于所述濺鍍腔的數(shù)目。可選地，所述濺鍍腔至少兩個?？蛇x地，所述真空濺鍍裝置還包括檢測所述出/入口腔真空度的傳感器。對應(yīng)地，本發(fā)明還提供了該真空濺鍍裝置的使用方法，包括
多個待濺鍍基材在大氣壓下依序轉(zhuǎn)移至出/入口腔，且轉(zhuǎn)移順序為逐個轉(zhuǎn)移至每個出/入口腔逐一裝滿；
上述過程中，所述一個出/入口腔滿后，該出/入口腔的密封門關(guān)閉，對該出/入口腔進行抽真空至第一真空度，而后使所述第一隔絕氣流裝置與所述第二隔絕氣流裝置中的一個處于能自動隔絕氣流流入所述出/入口腔的狀態(tài)；至所有出/入口腔的真空度達到第一真空度，所述傳輸腔的密封門打開，所述待濺鍍基材經(jīng)過所述傳輸腔被分批轉(zhuǎn)移至各個濺鍍腔并開始進行濺鍍?？蛇x地，出/入口腔滿為所述出/入口腔的基片架放滿?？蛇x地，所述第一隔絕氣流裝置為單向閥，所述第二隔絕氣流裝置為截止閥，每個出/入口腔至第一真空度時，所述單向閥處于隔絕氣流流入所述出/入口腔的狀態(tài)，關(guān)閉所述截止閥?？蛇x地，該使用方法還包括一個所述濺鍍腔的待濺鍍基材濺鍍完后，該被濺鍍的基材經(jīng)過所述傳輸腔被轉(zhuǎn)移至所述出/入口腔；至所述被濺鍍基材全部轉(zhuǎn)移到所述出/入口腔，所述傳輸腔的密封門關(guān)閉；對所述出/入口腔逐一充氣至大氣壓，逐一打開大氣壓下的所述出/入口腔的密封門，將被濺鍍基材移出所述出/入口腔。可選地，所述出/入口腔的密封門打開時，打開所述截止閥。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點為了防止對其它出/入口腔進行抽真空過程中，被密封的腔(已經(jīng)達真空度要求)會出現(xiàn)管道中的氣體泄漏入該真空度已達要求的腔內(nèi)，本發(fā)明提出采用至少兩個隔絕氣流的裝置避免上述問題；可選方案中，該兩個隔絕氣流的裝置為閥門，該閥門的種類選擇多，易于安裝；可選方案中，該閥門中的一個為截止閥，一個為單向閥，該單向閥只允許氣體從該出/入口腔向外流出，禁止外界氣體流入該出/入口腔，因而避免了管道中的氣體泄漏入該真空度已達要求的腔內(nèi)。


圖I是本發(fā)明實施例的真空濺鍍裝置的示意圖；圖2是圖I中的第一隔絕氣流裝置處于允許氣流交換狀態(tài)的示意圖；圖3是圖I中的第一隔絕氣流裝置處于隔絕氣流狀態(tài)的示意圖；圖4是本發(fā)明實施例的真空濺鍍裝置的使用方法流程圖；圖5是圖I的裝置在使用過程中的示意圖。
具體實施例方式正如背景技術(shù)中所述，多個出/入口腔的抽真空過程采用一個真空泵實現(xiàn)，因而，某個腔的真空度達到一定要求后采用設(shè)置在真空泵與出/入口腔間的閥關(guān)閉時，其它腔還在進行抽真空或進行轉(zhuǎn)移過程。而該真空度達到一定要求的腔由于閥的長期使用或濺鍍環(huán)境的惰性等離子氣體的腐蝕，其墊圈磨損，可能出現(xiàn)密封不好，導(dǎo)致外界氣體進入，發(fā)生氣體倒流現(xiàn)象。針對這個問題，本發(fā)明提出，每個所述出/入口腔與所述真空泵之間至少設(shè)置兩個隔絕氣流裝置，其中至少一個能自動防止氣體流入所述出/入口腔。如此，可以實現(xiàn)提高了濺鍍的質(zhì)量，更重要地，可以避免濺鍍質(zhì)量出現(xiàn)次品需中斷工藝鏈進行維修。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。由于本發(fā)明重在解釋原理，因此，未按比例制圖。以下對本發(fā)明的實施例進行詳細說明。首先介紹真空濺鍍裝置。以兩個出/入口腔、三個濺鍍腔為例，如圖I所示，本實施例提供的真空濺鍍裝置包括基片放置臺10 (例如4個)、前置腔11、兩個出/入口腔121、122 (也稱Load-Lock)、一個傳輸腔13、三個濺鍍腔141、142、143及一個真空泵15，其中，出/入口腔121、122與所述真空泵15之間通過管道(未標(biāo)識)連接，該出/入口腔121與所述真空泵15之間的管道上設(shè)置第一隔絕氣流裝置161、第二隔絕氣流裝置171，出/入口腔122與所述真空泵15之間的管道上設(shè)置第一隔絕氣流裝置162、第二隔絕氣流裝置172?；胖门_10 (例如4個)、前置腔11置于大氣中，傳輸腔13、三個濺鍍腔141、142、143需達到一定真空度，兩個出/入口腔121、122在大氣壓與一定真空度兩個狀態(tài)間交替。在具體實施過程中，所述隔絕氣流裝置161、171、162、172的目的是防止某些出/入口腔已經(jīng)密封，而其它的出/入口腔還在進行基片轉(zhuǎn)移或抽真空時，真空泵15與各自出/入口腔121、122由于管道相通，導(dǎo)致氣流倒流問題。因而，該第二隔絕氣流裝置171、172可以選擇常用的閥門，例如截斷類閥門，也可以選擇現(xiàn)有的能實現(xiàn)該隔絕氣流功能的其它裝置，其中第一隔絕氣流裝置161、162需防止氣體倒流，因而可以選擇止回類閥門。本實施例中，第一隔絕氣流裝置161、162為單向閥，該單向閥屬于一種自動閥門，其作用是防止管路中的介質(zhì)倒流，第二隔絕氣流裝置171、172為截止閥，為了實現(xiàn)自動控制的目的，該截止閥優(yōu)選電磁閥。以下參照圖2與圖3所示，介紹設(shè)置在左邊出/入口腔121的第一隔絕氣流裝置161的工作原理。首先參照圖2所示，閥芯1611將管道分為左右兩個部分，左邊的氣體壓強為P1，右邊的氣體壓強為P2，若右邊對應(yīng)出/入口腔121，左邊對應(yīng)真空泵，開始抽真空時，Pl < P2，則壓強較大的氣流推動彈簧壓縮將閥芯1611推離閥座1612，在閥芯1611與閥座1612之間形成氣流通道，使得右邊氣流得以流到左邊，即出/入口腔121的氣體可以流出。接著參照圖3所示，右邊的出/入口腔121達到一定真空度，其它出/入口腔在進行待濺鍍基材轉(zhuǎn)移過程中，Pl > P2，則壓強較大的氣流推動彈簧拉伸將閥芯1611抵壓在閥座1612上，禁止左邊氣流流入右邊的已經(jīng)密封的出/入口腔121。設(shè)置在右邊出/入口腔122的第一隔絕氣流裝置162與設(shè)置在左邊出/入口腔121的第一隔絕氣流裝置161相同，因而工作原理也相同。第二隔絕氣流裝置(電磁閥)171、172的原理通電時，電磁線圈產(chǎn)生電磁力把關(guān)閉件從閥座上提起，閥門打開，設(shè)置該電磁閥的出/入口腔121、122內(nèi)的氣體可以流入與流出；斷電時，電磁力消失，彈簧把關(guān)閉件壓在閥座上，閥門關(guān)閉，設(shè)置該電磁閥的出/入口腔121、122內(nèi)的氣體禁止流入與流出。以下結(jié)合圖4的流程圖，介紹圖5中的真空濺鍍裝置的使用方法。 首先執(zhí)行步驟S11，多個待濺鍍基材在大氣壓下依序轉(zhuǎn)移至出/入口腔，且轉(zhuǎn)移順序為逐個轉(zhuǎn)移至每個出/入口腔逐一裝滿。
具體地，人工或機械手將待濺鍍基材放置在4個基片放置臺10上，例如每個基片放置臺10上分配2個。參考圖I與圖5所示，最左邊的基片放置臺10抬高，前置腔11內(nèi)的機械手111抓取該抬高狀態(tài)的放置臺10的最上面的待濺鍍基材移至左邊的出/入口腔121內(nèi)的基片架(未圖示)上，該基片架可以放置多個基片。本實施例中，設(shè)定三個濺鍍腔141、142、143每次均可處理兩片待濺鍍基材，因而，該基片架優(yōu)選放置3片待濺鍍基材。接著，重復(fù)上述過程，前置腔11內(nèi)的機械手111再次抓取該抬高狀態(tài)的放置臺10的最上面的待濺鍍基材移至左邊的出/入口腔121內(nèi)的基片架上，如此，最左邊的基片放置臺10上的待濺鍍基材已被轉(zhuǎn)移完畢。
之后，最左邊的基片放置臺10降低，與最左邊的基片放置臺相鄰的基片放置臺10抬高，前置腔11內(nèi)的機械手111再次抓取該抬高狀態(tài)的放置臺10的最上面的待濺鍍基材移至左邊的出/入口腔121內(nèi)的基片架上，至此，出/入口腔121內(nèi)的基片架已經(jīng)放滿。接著執(zhí)行步驟S12，上述過程中，所述一個出/入口腔滿后，該出/入口腔的密封門關(guān)閉，對該出/入口腔進行抽真空至第一真空度，而后使所述第一隔絕氣流裝置與所述第二隔絕氣流裝置中的一個處于能自動隔絕氣流流入所述出/入口腔的狀態(tài)。其中，所述第一真空度為允許出/入口腔向濺鍍腔轉(zhuǎn)移待濺鍍基材的真空環(huán)境。步驟Sll執(zhí)行完畢后，出/入口腔121內(nèi)的基片架已經(jīng)放滿，該腔的密封門關(guān)閉，真空泵15啟動開始對該腔進行抽真空。在上述抽真空的同時，前置腔11內(nèi)的機械手111抓取該抬高狀態(tài)的放置臺10的最上面的待濺鍍基材移至右邊的出/入口腔122內(nèi)的基片架上。之后，最左邊的基片放置臺相鄰的放置臺10降低，與最右邊的基片放置臺相鄰的基片放置臺10抬高，前置腔11內(nèi)的機械手111再次抓取該抬高狀態(tài)的放置臺10的最上面的待濺鍍基材移至右邊的出/入口腔122內(nèi)的基片架上。接著，重復(fù)上述過程，前置腔11內(nèi)的機械手111再次抓取該抬高狀態(tài)的放置臺10的最上面的待濺鍍基材移至右邊的出/入口腔122內(nèi)的基片架上，如此，最右邊的基片放置臺的相鄰的放置臺10上的待濺鍍基材已被轉(zhuǎn)移完畢，且右邊的出/入口腔122內(nèi)的基片架已經(jīng)放滿。由于出/入口腔122內(nèi)的基片架已經(jīng)放滿，因而該腔122的密封門關(guān)閉，真空泵15啟動開始對該腔進行抽真空。對右邊的出/入口腔122進行抽真空時，傳感器可能已經(jīng)探測到左邊的出/入口腔121的真空度已經(jīng)達到第一真空度，此時，關(guān)閉第二隔絕氣流裝置171 (電磁閥)。第一隔絕氣流裝置161 (單向閥)將左邊的出/入口腔121與真空泵15之間的管道分為2部分，此時，靠近真空泵15的管道內(nèi)的壓強大于已達第一真空度的出/入口腔121的壓強，因而，不論該真空泵15的管道內(nèi)其它出/入口腔122處于抽真空過程還是處于轉(zhuǎn)移待濺鍍基材過程，該單向閥自動禁止氣體流入左邊的出/入口腔121，即避免氣體倒流。右邊的出/入口腔122在真空度被探測到達到第一真空度時，也進行上述過程，關(guān)閉第二隔絕氣流裝置172(電磁閥)，此時，第一隔絕氣流裝置162(單向閥)自動關(guān)閉。執(zhí)行步驟S13，至所有出/入口腔的真空度達到第一真空度，所述傳輸腔13的密封門打開，所述待濺鍍基材經(jīng)過所述傳輸腔13被分批轉(zhuǎn)移至各個濺鍍腔141、142、143并開始進行濺鍍。傳輸腔13、濺鍍腔141、142、143的真空度由于有一定要求，因而，在使用過程中，該兩個腔連通且相對外界保持密閉狀態(tài)。傳輸腔13與出/入口腔121、122之間具有密封門(未圖示)。此外，傳輸腔13內(nèi)具有機械手131，與前置腔11的機械手111相比，該傳輸腔13內(nèi)的機械手131用于在真空條件下使用。步驟S12完成后，所有出/入口腔121、122內(nèi)具有第一真空度。此時，傳輸腔13的密封門打開，其內(nèi)的機械手121 —次抓取出/入口腔121、122內(nèi)的基片架上的2片待濺鍍基材放入濺鍍腔141進行濺鍍。接著，該機械手131抓取出/入口腔121、122內(nèi)的基片架上的2片待濺鍍基材放入濺鍍腔142、最后抓取出/入口腔121、122內(nèi)的基片架上剩余的2片待濺鍍基材放入濺鍍腔 143。三個濺鍍腔141、142、143的放入的先后順序根據(jù)各自完成的工藝決定。執(zhí)行步驟S14，一個所述濺鍍腔的待濺鍍基材濺鍍完后，該被濺鍍的基材經(jīng)過所述傳輸腔13被轉(zhuǎn)移至所述出/入口腔121、122。例如，三個濺鍍工藝完全一樣，最先放入的濺鍍腔141的兩片待濺鍍基材先完成濺鍍工藝，則傳輸腔13內(nèi)的機械手抓取濺鍍腔141內(nèi)的2片基材放入出/入口腔121、122的基片架上，且兩腔121、122各一片。接著，濺鍍腔142的兩片待濺鍍基材完成濺鍍工藝， 則傳輸腔13內(nèi)的機械手抓取濺鍍腔142內(nèi)的2片基材放入出/入口腔121、122的基片架上，且兩腔121、122各一片。最后放入的濺鍍腔143的兩片待濺鍍基材完成濺鍍工藝，則傳輸腔13內(nèi)的機械手抓取濺鍍腔143內(nèi)的2片基材放入出/入口腔121、122的基片架上，且兩腔121、122各一片。執(zhí)行步驟S15，至所述被濺鍍基材全部轉(zhuǎn)移到所述出/入口腔121、122，所述傳輸腔13的密封門關(guān)閉。步驟S14執(zhí)行完畢后，所有被濺鍍基材已經(jīng)被轉(zhuǎn)移入出/入口腔121、122。此時，出/入口腔121、122內(nèi)的待濺鍍基材需轉(zhuǎn)入原基片放置臺10或新的基片放置臺上，以空出進行其它待濺鍍基材的濺鍍。執(zhí)行步驟S16，對所述出/入口腔121、122逐一充氣至大氣壓，逐一打開大氣壓下的所述出/入口腔121、122的密封門，將被濺鍍基材移出所述出/入口腔121、122。本步驟的目的是將出/入口腔121、122內(nèi)的真空度恢復(fù)至大氣壓下，其充氣過程采用的是與該出/入口腔121、122相連的其它泵，該泵具有單獨的管道。為提高效率，先對左邊的出/入口腔121進行充氣，充氣完畢后，開始轉(zhuǎn)移被濺鍍基材，打開該截止閥171。上述左邊的出/入口腔121在進行轉(zhuǎn)移被濺鍍基材時，對右邊的出/入口腔122進行充氣，充氣完畢后，開始轉(zhuǎn)移被濺鍍基材，打開該截止閥172。需要說明的是，其它實施例中，也可以設(shè)置多個隔絕氣流裝置，以防止兩個都失效。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種真空濺鍍裝置，包括至少兩個出/入口腔、傳輸腔、濺鍍腔及一個真空泵，其特征在于，每個所述出/入口腔與所述真空泵之間至少設(shè)置第一隔絕氣流裝置與第二隔絕氣流裝置，其中至少一個能自動防止氣體流入所述出/入口腔。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的真空濺鍍裝置，其特征在于，所述第一隔絕氣流裝置為閥門，所述第二隔絕氣流裝置為閥門。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空濺鍍裝置，其特征在于，所述第一隔絕氣流裝置為單向閥，所述第二隔絕氣流裝置為截止閥。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空濺鍍裝置，其特征在于，所述截止閥為電磁閥。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的真空濺鍍裝置，其特征在于，所述出/入口腔內(nèi)設(shè)置基片架，一個所述基片架能安放多個待濺鍍基材。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空濺鍍裝置，其特征在于，所述基片架的數(shù)目與每個濺鍍腔每次能處理的基材的數(shù)目相等。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空濺鍍裝置，其特征在于，一個所述基片架能安放待濺鍍基材的數(shù)目等于所述濺鍍腔的數(shù)目。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的真空濺鍍裝置，其特征在于，所述濺鍍腔至少兩個。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的真空濺鍍裝置，其特征在于，所述真空濺鍍裝置還包括檢測所述出/入口腔真空度的傳感器。
10.一種權(quán)利要求I所述的真空濺鍍裝置的使用方法，其特征在于，包括 多個待濺鍍基材在大氣壓下依序轉(zhuǎn)移至出/入口腔，且轉(zhuǎn)移順序為逐個轉(zhuǎn)移至每個出/入口腔逐一裝滿； 上述過程中，所述一個出/入口腔滿后，該出/入口腔的密封門關(guān)閉，對該出/入口腔進行抽真空至第一真空度，而后使所述第一隔絕氣流裝置與所述第二隔絕氣流裝置中的一個處于能自動隔絕氣流流入所述出/入口腔的狀態(tài)； 至所有出/入口腔的真空度達到第一真空度，所述傳輸腔的密封門打開，所述待濺鍍基材經(jīng)過所述傳輸腔被分批轉(zhuǎn)移至各個濺鍍腔并開始進行濺鍍。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的使用方法，其特征在于，出/入口腔裝滿為所述出/入口腔的基片架放滿。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的使用方法，其特征在于，所述第一隔絕氣流裝置為單向閥，所述第二隔絕氣流裝置為截止閥，每個出/入口腔至第一真空度時，所述單向閥處于隔絕氣流流入所述出/入口腔的狀態(tài)，關(guān)閉所述截止閥。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的使用方法，其特征在于，還包括 一個所述濺鍍腔的待濺鍍基材濺鍍完后，該被濺鍍的基材經(jīng)過所述傳輸腔被轉(zhuǎn)移至所述出/入口腔； 至所述被濺鍍基材全部轉(zhuǎn)移到所述出/入口腔，所述傳輸腔的密封門關(guān)閉； 對所述出/入口腔逐一充氣至大氣壓，逐一打開大氣壓下的所述出/入口腔的密封門，將被濺鍍基材移出所述出/入口腔。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的使用方法，其特征在于，所述出/入口腔的密封門打開時，打開所述截止閥。
全文摘要
一種真空濺鍍裝置，包括至少兩個出/入口腔、傳輸腔、濺鍍腔及一個真空泵，其中，每個所述出/入口腔與所述真空泵之間至少設(shè)置第一隔絕氣流裝置與第二隔絕氣流裝置，其中至少一個能自動防止氣體流入所述出/入口腔。此外，本發(fā)明還提供了的該真空濺鍍裝置的使用方法。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，可以改善現(xiàn)有的真空濺鍍裝置對某個出/入口腔進行抽真空過程中，被密封的已經(jīng)達真空度要求的腔由于密封不嚴(yán)，會出現(xiàn)漏氣，進而避免濺鍍效果差的問題。
文檔編號C23C14/56GK102634766SQ20121012242
公開日2012年8月15日 申請日期2012年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月24日
發(fā)明者何雅彬, 吳奇昆, 孫亭, 張 杰, 沈瑜俊, 王喆, 解毅, 趙洪濤, 馬東 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司