專利名稱：形成部分沉積層的方法及形成部分沉積層的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種形成部分沉積層的方法及一種形成部分沉積層的裝置，且特別關(guān)于一種不使用洗漆制程(washing process)來移除沉積層不必要的部分的形成部分沉積層的方法及形成部分沉積層的裝置。
背景技術(shù)：
裝飾膜為由基材 與形成在其上的多個材料層所構(gòu)成，其中，上述基材可為可撓式基材，這使得裝飾膜可應(yīng)用于模內(nèi)裝飾(in-mold decoration, I MD)制程、模內(nèi)轉(zhuǎn)印(in-mold rolling, IMR)制程及類似制程中。裝飾膜為用以提供設(shè)備或設(shè)備外殼中某些視覺效果，例如提供金屬光澤、呈現(xiàn)某些圖案(即，商標(biāo)、標(biāo)志等)或是呈現(xiàn)某些色彩。甚至可通過裝飾膜來達(dá)到某些觸控感應(yīng)效應(yīng)(touch sensing effect)。一般而言，為了提供金屬光澤或者提供具有金屬光澤的圖案，裝飾膜中形成在基板上的材料層至少包括一金屬層，其中，為了達(dá)到高光澤度，此金屬層的材料較佳為銀(Ag)。然而，整體基板表面上形成有Ag層的裝飾膜會具有電屏蔽效應(yīng)(electricallyshielding effect)，而使得使用此種裝飾膜的電子設(shè)備可能具有不良的無線信號傳輸品質(zhì)。因此，為了得到所需外觀而不對電子設(shè)備的傳輸品質(zhì)造成負(fù)面影響，通常會將形成在基材上的Ag層圖案化，使Ag層部分保留在基材上，而不會屏蔽無線信號的傳輸。近來，在基材上形成圖案化Ag層的方法包括在基材上形成屏蔽圖案，在具有屏蔽圖案的基材的整體表面上沉積Ag材料，并洗滌(或清潔)屏蔽圖案及沉積在其上的Ag層的一部分。然而，此種制程會將裝飾膜的制造復(fù)雜化，且用以洗滌屏蔽圖案及部分Ag層的試劑可能對環(huán)境造成污染。此外，假若屏蔽圖案及沉積在其上的Ag層部分并未被完全洗去，則可能會造成裝飾膜中的污染，且原本形成在基材上的對準(zhǔn)標(biāo)記(alignment mark)可能被屏蔽，這對后續(xù)的制程如裝飾膜的制造、后續(xù)的IMD或后續(xù)的IMR制程會造成負(fù)面影響。因此，必須改良在基材上形成部分金屬層的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種形成部分沉積層的方法以及以此方法所制造的產(chǎn)品，其至少具有簡單且對于環(huán)境低污染的特性。本發(fā)明提供一種不使用洗滌試劑來形成部分沉積層的裝置。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種形成部分沉積層的方法，此方法包括在蒸發(fā)板上提供基材，在蒸發(fā)板與基材之間置放屏蔽板，使得屏蔽板屏蔽基材的第一部分，并暴露基材的第二部分。當(dāng)基材朝預(yù)定方向移動時，進(jìn)行蒸發(fā)制程，使得在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源沉積在基材中經(jīng)暴露的第二部分上，而不沉積在基材中經(jīng)屏蔽的第一部分上。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源包括金屬。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源包括Al、Ni、Au、Pt、Cr、Fe、Cu、Sn、Ag、Ti、Pb、Zn或其中的組合。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源的一部分沉積在遠(yuǎn)離基材的屏蔽板的一側(cè)上。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，在提供基材至蒸發(fā)板上之前，還包括在基材上形成圖案化油墨層，其中，圖案化油墨層至少具有一圖案化開口，使得在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源至少沉積在圖案化開口中。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，在提供基材至蒸發(fā)板上之前，基材具有形成在其上的對準(zhǔn)標(biāo)記，且此對準(zhǔn)標(biāo)記位于基材中經(jīng)屏蔽的第一部分中。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,基材包括可 撓式基材或玻璃基材。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，屏蔽板的位置為可調(diào)整的。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，以加熱器加熱在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源，使得蒸發(fā)源蒸發(fā)并沉積在基材中經(jīng)暴露的第二部分上。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提供一種形成部分沉積層的裝置。形成部分沉積層的裝置包括腔室、載體以及屏蔽板。腔室具有配置在其中的蒸發(fā)板。載體配置在腔室中，且位于蒸發(fā)板上，用以運(yùn)送基材并使基材朝預(yù)定方向移動。屏蔽板配置在蒸發(fā)板與載體之間，其中，屏蔽板屏蔽基材的第一部分并暴露基材的第二部分。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源包括金屬。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源包括Al、Ni、Au、Pt、Cr、Fe、Cu、Sn、Ag、Ti、Pb、Zn或其中的組合。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，載體包括用以朝預(yù)定方向轉(zhuǎn)動的滾輪，且基材置放在滾輪上。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例,基材包括可撓式基材或玻璃基材。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，形成部分沉積層的裝置還包括置放在腔室中，用以支撐屏蔽板的支撐架。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，屏蔽板的數(shù)量為一或多個。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，形成部分沉積層的裝置還包括用以加熱蒸發(fā)板的加熱器。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，基材至屏蔽板的距離為O. Icm 5cm。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，基材至屏蔽板的距離為O. 5cm 1cm?；谏鲜?，形成部分沉積層的裝置包括置放在腔室中且位在欲沉積的基材之間的屏蔽板、屏蔽板上的部分沉積層以及蒸發(fā)板，使得在蒸發(fā)板上蒸發(fā)源的蒸發(fā)途徑被屏蔽板所屏蔽，蒸發(fā)源僅沉積在基材的第二部分。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的形成部分沉積層的方法不需任何洗滌制程或清潔制程，且就在進(jìn)行蒸發(fā)制程之后形成部分沉積層。因此防止了污染的問題，且此方法相當(dāng)簡單。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。其中，在圖式及說明中所使用的相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的設(shè)備。為了清楚敘述本發(fā)明的概念，在配合所附圖式的實(shí)施例中，設(shè)備的形狀及厚度可能不完全與真實(shí)情況相符。此外，以下的敘述說明了元件或其組合，然而元件并不特定限制于此些內(nèi)容或說明。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所現(xiàn)有的形式或形狀均可應(yīng)用于本發(fā)明中。另夕卜，一材料層配置在基材或另一材料層上的敘述意指一材料層直接位在基材或另一材料層上，也可能表示有一些中間層介在此材料層及基材之間，或是在此材料層及另一材料層之間。


圖I為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例繪示的一種形成部分沉積層的裝置；圖2為圖I中所示裝置的一部分構(gòu)件的俯視圖；圖3為圖I中所示裝置的一部分構(gòu)件的 側(cè)視圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示，當(dāng)進(jìn)行沉積制程時，沿圖2的A-A'線的剖面圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示，使用圖I中所示裝置而形成于基材上的分層；圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所繪示，使用圖I中所示裝置而形成于基材上的分層；圖7為繪示沿圖6的B-B線的剖面圖。附圖標(biāo)記說明10、20 :裝飾膜；100 :裝置；110:腔室；120 :載體；122、124:滾輪；130 :蒸發(fā)板；132 :蒸發(fā)源；134 :加熱器；140 :屏蔽板；142 :支撐架；144 :材料層；150 :基材；150A :第一部分；150B :第二部分；152:部分沉積層；154 :對準(zhǔn)標(biāo)記；160 :進(jìn)料器；170 :真空檢測計；182、184:泵系統(tǒng)；190 :光學(xué)密度檢測器；210:圖案化油墨層；2IOA :圖案化開口；A-A'、B-B:線；
D :預(yù)定方向；d:距離。
具體實(shí)施例方式以下詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例，其實(shí)例繪示在所附圖式中。在任何可能情況下，圖式與說明書中所使用的相同標(biāo)號為代表相同或類似的部分。圖I為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例繪示的一種形成部分沉積層的裝置。請參照圖1，裝置100包括腔室110、載體120、蒸發(fā)板13 0以及屏蔽板140。其中，載體120、蒸發(fā)板130及屏蔽板140配置在腔室110內(nèi)。載體120為用以運(yùn)送基材150，且其位置與蒸發(fā)板130相對，其中，在蒸發(fā)板130中置放蒸發(fā)源132。屏蔽板140位在蒸發(fā)板130與由載體120運(yùn)送的基材150之間。此處，基材150可為可撓式基材，而載體120可由多個滾輪122與滾輪124構(gòu)成，其中，滾輪122正對著蒸發(fā)板130而配置，使沉積制程可在由滾輪122運(yùn)送的基材150上進(jìn)行。然而本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，基材150可為玻璃基材，而載體120可為載板或類似物。裝置100可還包括加熱器134、進(jìn)料器160、真空檢測計170以及泵系統(tǒng)182與泵系統(tǒng)184。進(jìn)料器160用以提供蒸發(fā)源132至蒸發(fā)板130，使得在蒸發(fā)板130上的蒸發(fā)源132被加熱器134加熱，因此促進(jìn)蒸發(fā)源132蒸發(fā)，而后沉積在基材150上。此外，泵系統(tǒng)182及泵系統(tǒng)184用以維持腔室110內(nèi)的壓力。在腔室110中可進(jìn)一步置放光學(xué)密度檢測器190，以觀察沉積層的形成，并檢測在基材上的沉積層厚度。應(yīng)注意，圖I中的加熱器134、進(jìn)料器160、真空檢測計170、泵系統(tǒng)182與泵系統(tǒng)184均為例示性，本發(fā)明并不限于此。在其他實(shí)施例中，可在裝置100中應(yīng)用任何已知的構(gòu)件設(shè)計。具體而言，為了支撐位在基材150與蒸發(fā)板130之間的屏蔽板140，可在腔室110中置放支撐架142。此處，可依需求調(diào)整屏蔽板140的位置，因而支撐架142可包括位置調(diào)整機(jī)構(gòu)(未繪示)。當(dāng)需要減少或增加基材150與屏蔽板140之間的距離d時，此位置調(diào)整機(jī)構(gòu)(未繪示)可促進(jìn)屏蔽板140垂直移動而靠近或遠(yuǎn)離基材150。應(yīng)注意，在一般情況下，此距離d可為O. Icm 5cm或是O. 5cm 1cm。此外,屏蔽板140的水平位置也可依需求調(diào)整。圖2與圖3分別為圖I中所示裝置的一部分構(gòu)件的俯視及側(cè)視圖，其中繪示了由滾輪122運(yùn)送的基材150、屏蔽板140以及支撐架142。請一并參照圖I、圖2及圖3，在本實(shí)施例中，屏蔽板140的數(shù)目為兩個，但本發(fā)明并不限于此種型態(tài)。在其他實(shí)施例中，依使用者的需求，屏蔽板140的數(shù)目可為一個或是兩個以上。屏蔽板140屏蔽基材150的第一部分150A，并暴露基材150的第二部分150B。因此，當(dāng)運(yùn)作圖I中所繪示的裝置100而進(jìn)行沉積制程時，在蒸發(fā)板130上的蒸發(fā)源132可沉積在基材150中經(jīng)暴露的第二部分150B上。在本實(shí)施例中，兩個屏蔽板140的位置可依特殊需求而調(diào)整，使得第一部分150A及第二部分150B可以另一形式配置，在本實(shí)施例中并不具體限定此形式。詳言之，圖4為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示，當(dāng)進(jìn)行沉積制程時，沿圖2的A-A'線的剖面圖。請同時參照圖I與圖4，屏蔽板140位在基材150與蒸發(fā)板130之間，使得在進(jìn)行沉積制程時，在基材150上可形成部分沉積層152。S卩，屏蔽板140的屏蔽效應(yīng)使蒸發(fā)板130的材料沉積在基材150的第二部分150B，但基材150的第一部分150A則不沉積蒸發(fā)板130的材料。具體而言，蒸發(fā)板130上的蒸發(fā)源132的某些部分沉積在屏蔽板140上，因而在沉積制程期間，可在遠(yuǎn)離基材150的屏蔽板140的一側(cè)上形成材料層144。簡言之，根據(jù)本實(shí)施例，在基材150上形成部分沉積層152的方法包括在蒸發(fā)板130上提供基材150，將屏蔽板140置放在蒸發(fā)板130與基材150之間，使屏蔽板140屏蔽基材150的第一部分150A，且暴露基材150的第二部分150B，并進(jìn)行蒸發(fā)制程。在本實(shí)施例中，在沉積制程期間，載體120的滾輪122可朝預(yù)定方向D旋轉(zhuǎn)，使得基材150在經(jīng)受沉積制程期間，可朝預(yù)定方向D移動。當(dāng)基材150朝預(yù)定方向移動時，蒸發(fā)板130上的蒸發(fā)源132連續(xù)地沉積在基材150中經(jīng)暴露的第二部分150B上，但不沉積在基材150中經(jīng)屏蔽的第一部分150A上，以便在基材150上形成部分沉積 層152。根據(jù)本實(shí)施例，在蒸發(fā)板130上的蒸發(fā)源132為金屬，其包括Al、Ni、Au、Pt、Cr、Fe、Cu、Sn、Ag、Ti、Pb、Zn或其中的組合，以致于形成在基材150上的部分沉積層152由金屬或上述材料組成。由金屬材料組成的部分沉積層152可提供金屬光澤的視覺效果。當(dāng)其上形成有部分沉積層的基材150用作裝飾膜時，經(jīng)裝飾的設(shè)備或經(jīng)裝飾的設(shè)備外殼可具有所需的金屬光澤視覺效果。已知形成在基材150整體表面上的金屬層可能具有電屏蔽效應(yīng)，因而在電子設(shè)備中不適合作為裝飾膜。然而，在本實(shí)施例中，僅形成在基材150的第二部分150B上的部分沉積層152，而可防止上述問題。舉例而言，不沉積部分沉積層152的基材150的第一部分150A可對應(yīng)至經(jīng)裝飾的設(shè)備的無線傳輸元件如天線。如此一來，在經(jīng)裝飾的設(shè)備中的無線信號傳輸品質(zhì)不會受到由金屬或其他導(dǎo)電材料制成的部分沉積層152的型態(tài)的負(fù)面影響。此外，廠商或使用者可通過控制沉積制程來修正部分沉積層152的厚度，以獲得所需的金屬光澤視覺效果，而不用考慮電屏蔽效應(yīng)的問題。意即，部分沉積層152的厚度并不限于本實(shí)施例。此外，在此種屏蔽板140的型態(tài)下，部分沉積層152的形成不需以任何制程來由基材150上移除一部分蒸發(fā)板130上的蒸發(fā)源132。因此在基材150上不需形成屏蔽圖案再在其后洗去屏蔽圖案，有助于簡化制程，并防止了由洗滌制程中使用的試劑所造成的污染問題。故根據(jù)本實(shí)施例的形成部分沉積層的方法簡單、環(huán)保且便宜。圖5為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示，使用圖I中所示裝置而形成于基材上的分層。請參照圖5，形成具有部分沉積層152的基材150，且基材150原先可具有對準(zhǔn)標(biāo)記，使得其上形成有元件的基材150構(gòu)成裝飾膜10，此裝飾膜10能應(yīng)用于MD制程或MR制程以裝飾設(shè)備或設(shè)備的外殼。應(yīng)注意，如圖I中所示，屏蔽板140的位置屏蔽了對準(zhǔn)標(biāo)記154的位置，此些對準(zhǔn)標(biāo)記154通過不被屏蔽而維持其對準(zhǔn)功能。在本實(shí)施例中，在基材150的第一部分150A上不形成部分沉積層152，且對準(zhǔn)標(biāo)記154位在基材150的第一部分150A中。因此，對準(zhǔn)標(biāo)記154不被部分沉積層152所覆蓋或屏蔽，而可提供對準(zhǔn)效果(alignment effect),由于后續(xù)制程需要高的對準(zhǔn)精確度(alignment accuracy),因此這有助于將裝飾膜10應(yīng)用在后續(xù)制程如形成其他材料層、IMD制程或IMD制程中。應(yīng)注意，此處所述的對準(zhǔn)標(biāo)記均為例示性，而非用以限定本發(fā)明的范圍。在另一實(shí)施例中，對準(zhǔn)標(biāo)記154也可具有其他形狀，或者可選擇性地省略。圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例所繪示，使用圖I中所示裝置而形成于基材上的分層，而圖7為繪示沿圖6的B-B線的剖面圖。請參照圖I、圖6與圖7，根據(jù)本實(shí)施例，以圖案化油墨層210與部分沉積層152形成基材150而構(gòu)成裝飾膜20。應(yīng)注意，圖案化油墨層210被部分沉積層152所覆蓋，故可在將基板150提供至圖I中所繪示的用以形成部分沉積層152的蒸發(fā)板130上之前形成圖案化油墨層210。意即，在圖I中所繪示的裝置100經(jīng)受沉積制程之前，基材150可具有原先就形成在其上的某些材料層。在本實(shí)施例中，圖案化油墨層210具有至少一圖案化開口 210A，使在蒸發(fā)板130上的蒸發(fā)源132至少沉積在圖案化開口 210A中。意即，部分沉積層152至少位在圖案化開口2IOA中，因而裝飾膜20可具有所需的視覺效果。具體而言，裝飾膜20可通過圖案化油墨層210而呈現(xiàn)特定色彩，并通過位在圖案化開口 210A中的部分沉積層152而呈現(xiàn)特定圖案。應(yīng)注意，圖6中所繪示的圖案化開口 210A為條狀開口，但本發(fā)明并不限于此。在另一實(shí)施例中，可依需求修正圖案化開口 2IOA的形狀。 總言之，本發(fā)明的實(shí)施例中，以不需額外洗滌制程或清潔制程的沉積制程在基材上形成部分沉積層。因此，本發(fā)明的形成分層的方法簡單且容易。此外，在本發(fā)明的形成部分沉積層的方法中，不需要洗滌制程或清潔制程使用的試劑，因而防止了由所使用的試劑造成的污染問題。因此，本發(fā)明的形成分層的方法相當(dāng)環(huán)保。此外，通過在沉積腔室中，在基材與蒸發(fā)板之間置放屏蔽板的形成部分沉積層的裝置也相當(dāng)簡單。最后應(yīng)說明的是以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
權(quán)利要求
1.ー種形成部分沉積層的方法，包括 在一蒸發(fā)板上提供一基材； 在該蒸發(fā)板與該基材之間置放ー屏蔽板，使得該屏蔽板屏蔽該基材的ー第一部分，并暴露該基材的一第二部分；以及 當(dāng)該基材朝ー預(yù)定方向移動時，進(jìn)行一蒸發(fā)制程，使得在該蒸發(fā)板上的ー蒸發(fā)源沉積在該基材中經(jīng)暴露的該第二部分上，而不沉積在該基材中經(jīng)屏蔽的該第一部分上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源包括金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源包括Al、Ni、Au、Pt、Cr、Fe、Cu、Sn、Ag、Ti、Pb、Zn 或其中的組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源的一部分沉積在遠(yuǎn)離該基材的該屏蔽板的ー側(cè)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，還包括 在提供該基材至該蒸發(fā)板上之前，在該基材上形成一圖案化油墨層； 其中，該圖案化油墨層至少具有ー圖案化開ロ，使得在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源至少沉積在該圖案化開口中。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中在提供該基材至該蒸發(fā)板上之前，該基材具有形成在其上的ー對準(zhǔn)標(biāo)記，且該對準(zhǔn)標(biāo)記位于該基材中經(jīng)屏蔽的該第一部分中。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中該基材包括可撓式基材或玻璃基材。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中該屏蔽板的位置為可調(diào)整的。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的形成部分沉積層的方法，其中以ー加熱器加熱在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源，使得該蒸發(fā)源蒸發(fā)并沉積在該基材中經(jīng)暴露的該第二部分上。
10.ー種形成部分沉積層的裝置，包括 一腔室，其上配置有一蒸發(fā)板； ー載體，配置在該腔室中且位于該蒸發(fā)板上，用以運(yùn)送一基材并使該基材朝一預(yù)定方向移動；以及 ー屏蔽板，配置在該蒸發(fā)板與該載體之間， 其中，該屏蔽板屏蔽該基材的ー第一部分并暴露該基材的一第二部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成部分沉積層的裝置，其中在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源包括金屬。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成部分沉積層的裝置，其中在該蒸發(fā)板上的該蒸發(fā)源包括 Al、Ni、Au、Pt、Cr、Fe、Cu、Sn、Ag、Ti、Pb、Zn 或其中的組合。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成部分沉積層的裝置，其中該載體包括用以朝預(yù)定方向轉(zhuǎn)動的ー滾輪，且該基材置放在該滾輪上。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成部分沉積層的裝置，其中該基材包括可撓式基材或玻璃基材。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成部分沉積層的裝置，還包括ー支撐架，置放在該腔室中，用以支撐該屏蔽板。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成部分沉積層的裝置，其中該屏蔽板的數(shù)量為ー個或多個。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成部分沉積層的裝置，還包括 ー加熱器，用以加熱該蒸發(fā)板。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成部分沉積層的裝置，其中該基材至該屏蔽板的距離為0. Icm 5cm。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成部分沉積層的裝置，其中該基材至該屏蔽板的距離為
全文摘要
本發(fā)明提供一種形成部分沉積層的方法及形成部分沉積層的裝置。此方法包括在蒸發(fā)板上提供基材，在蒸發(fā)板與基材之間置放屏蔽板，使得屏蔽板屏蔽基材的第一部分，并暴露基材的第二部分。當(dāng)基材朝預(yù)定方向移動時，進(jìn)行蒸發(fā)制程，使得在蒸發(fā)板上的蒸發(fā)源沉積在基材暴露的第二部分上，而不沉積在基材屏蔽的第一部分上。
文檔編號C23C14/24GK102766843SQ201210122179
公開日2012年11月7日 申請日期2012年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月5日
發(fā)明者李浚源, 鄭舒尹, 黃韋翔 申請人:鑼洋科技股份有限公司