具有等離子體源的原子層沉積的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種方法，所述方法包括操作等離子體原子層沉積反應(yīng)器，所述反應(yīng)器被構(gòu)造成在反應(yīng)室（335）中在至少一個基材（360）上通過順序的自飽和表面反應(yīng)來沉積材料；和基本上在整個沉積周期期間使來自不活潑氣體源的氣體流入到朝向反應(yīng)室開口的變寬的自由基進(jìn)給部件中。本發(fā)明還涉及相應(yīng)的設(shè)備。
【專利說明】具有等離子體源的原子層沉積
發(fā)明領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明總的涉及具有等離子體源的沉積反應(yīng)器。更具體地，但不是排他地，本發(fā)明涉及這樣的沉積反應(yīng)器，在其中材料通過順序自飽和表面反應(yīng)沉積在表面上。
[0002]發(fā)明背景
[0003]原子層外延(AtomicLayer Epitaxy, ALE)方法是 Tuomo Suntola 博士在 1970 年代初發(fā)明的。該方法的另一個通用名是原子層沉積(Atomic Laye Deposition, ALD),并且現(xiàn)在用它代替了 ALE。ALD是基于向基材順序引入至少兩種反應(yīng)性前體物質(zhì)的特殊的化學(xué)沉積方法。所述基材位于反應(yīng)空間內(nèi)。反應(yīng)空間通常被加熱。ALD的基本生長機(jī)制依賴于化學(xué)吸附(chemisorption)與物理吸附(physisorption)之間的結(jié)合強(qiáng)度差異。在所述沉積過程期間，ALD利用化學(xué)吸附并消除物理吸附?；瘜W(xué)吸附期間，在固相表面的原子和從氣相抵達(dá)的分子之間形成強(qiáng)化學(xué)鍵。通過物理吸附的結(jié)合要弱的多，因?yàn)橹簧婕胺兜氯A力。當(dāng)局部溫度超過所述分子的凝結(jié)溫度時，物理吸附鍵就很容易被熱能斷裂。
[0004]ALD反應(yīng)器的反應(yīng)空間包括能夠交替和順序地暴露于用于薄膜沉積的每種ALD前體的所有加熱表面?；镜腁LD沉積周期由四個順序的步驟組成:脈沖A，吹掃A，脈沖B，和吹掃B。脈沖A通常由金屬前體蒸氣組成，而脈沖B由非金屬前體蒸氣組成，尤其是氮或氧前體蒸氣。不活潑氣體例如氮?dú)饣驓鍤?、和真空泵用于在吹掃A和吹掃B期間從反應(yīng)空間清除氣態(tài)反應(yīng)副產(chǎn)物和剩余的反應(yīng)物分子。沉積順序包括至少一個沉積周期。重復(fù)沉積周期，直到沉積順序已經(jīng)產(chǎn)生期望厚度的薄膜。 [0005]前體物質(zhì)通過化學(xué)吸附與加熱表面的反應(yīng)性部位形成化學(xué)鍵。通常以一個前體脈沖期間在表面上形成不超過固體材料分子單層的方式來安排條件。因此，所述生長過程是自終結(jié)的或自飽和的。例如，第一種前體可以包括保持與所述吸附物質(zhì)相連并使所述表面飽和的配位體，其阻止進(jìn)一步的化學(xué)吸附。保持反應(yīng)空間溫度超過所使用的前體的凝結(jié)溫度并低于其熱分解溫度，使得所述前體分子物質(zhì)基本上完好地化學(xué)吸附在基材上。基本完好是指當(dāng)前體分子物質(zhì)化學(xué)吸附在表面上時，揮發(fā)性配位體可以離開所述前體分子。所述表面變得基本上被第一種類型的反應(yīng)性部位、即第一種前體分子的吸附物質(zhì)飽和。這個化學(xué)吸附步驟通常繼之以第一吹掃步驟(吹掃A)，其中過量的第一種前體和可能的反應(yīng)副產(chǎn)物被從反應(yīng)空間除去。然后將第二種前體蒸氣引入反應(yīng)空間。第二種前體分子通常與第一種前體分子的吸附物質(zhì)反應(yīng)，從而形成所期望的薄膜材料。一旦已經(jīng)消耗了吸附的第一種前體的全部量并且所述表面已經(jīng)被第二種類型的反應(yīng)性部位基本飽和，則該生長終止。過量的第二種前體蒸氣和可能的反應(yīng)副產(chǎn)物蒸氣然后通過第二個吹掃步驟(吹掃B)除去。然后重復(fù)所述周期，直到薄膜已經(jīng)生長到所期望的厚度。沉積周期也可以更復(fù)雜。例如，所述周期可以包括被吹掃步驟分開的三個或更多個反應(yīng)物蒸氣脈沖。所有這些沉積周期形成了受邏輯單元或微處理器控制的定時沉積順序。
[0006]通過ALD生長的薄膜是致密的，無針孔并具有均一的厚度。例如，從三甲基鋁(CH3)3AU也稱為TMA和水在250-300°C通過熱ALD生長的氧化鋁，在100-200mm直徑晶片上通常有約1%的不均一性。通過ALD生長的金屬氧化物薄膜適合于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體、磁讀出頭間隙的填充層、電容器電介質(zhì)和鈍化層。通過ALD生長的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散阻擋層，例如在雙鑲嵌結(jié)構(gòu)中。
[0007]適合于在各種ALD反應(yīng)器中的ALD方法的前體公開于，例如，綜述R.Puurunen, "Surface chemistry of atomic layer deposition:A case study for thetrimethyl aluminium/water process", J.Appl.Phys.，97 (2005) , 121301 頁中，所述文獻(xiàn)通過引用并入本文。
[0008]在ALD方法中使用自由基可以獲得一些優(yōu)點(diǎn)，例如在非常低的沉積溫度下使用熱敏基材的可能性。在等離子體ALD反應(yīng)器中，自由基由等離子體源產(chǎn)生。然而，使用等離子體源可能引起對沉積反應(yīng)器的一定要求或特定的問題。
[0009]發(fā)明概沭
[0010]根據(jù)本發(fā)明的第一個示例方面，提供了一種方法，所述方法包括: [0011]操作等離子體原子層沉積反應(yīng)器，所述反應(yīng)器被構(gòu)造成在反應(yīng)室中在至少一個基材上通過順序自飽和表面反應(yīng)來沉積材料；和
[0012]基本上在整個沉積周期期間使來自不活潑氣體源的氣體流入到朝向反應(yīng)室開口的變寬的自由基進(jìn)給部件。
[0013]“使...流”的表達(dá)在實(shí)踐中可以是指“導(dǎo)向”、“傳導(dǎo)”或“引導(dǎo)流動”。
[0014]在某些實(shí)施方式中，沉積反應(yīng)器是等離子體增強(qiáng)原子層沉積反應(yīng)器，即PEALD反應(yīng)器。在某些實(shí)施方式中，沉積反應(yīng)器包括在反應(yīng)室頂側(cè)上的等離子體源。在某些實(shí)施方式中，等離子體源是感應(yīng)耦合等離子體源。在某些實(shí)施方式中，等離子體源產(chǎn)生用作沉積反應(yīng)器中反應(yīng)物的自由基。在某些實(shí)施方式中，等離子體源的活化輸出物質(zhì)由自由基組成。在這些實(shí)施方式中，活化的輸出物質(zhì)是基本上不含離子的自由基。
[0015]在某些實(shí)施方式中，等離子體原子層沉積反應(yīng)器(等離子體ALD反應(yīng)器)可以用于等離子體ALD和熱ALD 二者。熱ALD的進(jìn)給管線可以與引導(dǎo)自由基經(jīng)其進(jìn)入反應(yīng)室的等離子體ALD源管線分開。
[0016]沉積過程由一個或多個連貫的沉積周期組成。每個沉積周期可以由熱ALD期接著等離子體ALD期或者等離子體ALD期接著熱ALD期組成。每個等離子體ALD期可以基本上由等離子體ALD脈沖期(自由基生成期)和隨后的等離子體ALD吹掃期組成。類似地，每個熱ALD期基本上可以由熱ALD脈沖期和隨后的熱ALD吹掃期組成。在某些實(shí)施方式中，每個ALD周期可以包含超過兩個脈沖期(它們后面可以跟著各自的吹掃期)。
[0017]在某些實(shí)施方式中，所述方法包括:
[0018]在等離子體原子層沉積期的等離子體前體脈沖期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)過等離子體源流入自由基進(jìn)給部件，所述氣體在該脈沖期期間充當(dāng)所生成的自由基的載氣。
[0019]在某些實(shí)施方式中，所述方法包括:
[0020]在等離子體原子層沉積期的吹掃期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)等離子體源流入自由基進(jìn)給部件，所述氣體在該吹掃期期間充當(dāng)吹掃和惰性保護(hù)氣體。
[0021]在某些實(shí)施方式中，所述方法包括:
[0022]在等離子體原子層沉積期期間和熱原子層沉積期期間，都使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)等離子體源流入自由基進(jìn)給部件。[0023] 在某些實(shí)施方式中，所述方法包括:
[0024]使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)繞過等離子體源的路徑流入到自由基進(jìn)給部件中。
[0025]在某些實(shí)施方式中，所述方法包括:
[0026]在等離子體原子層沉積期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)行經(jīng)等離子體源的路徑和經(jīng)繞過等離子體源的另一個路徑二者流入自由基進(jìn)給部件。
[0027]在某些實(shí)施方式中，所述方法包括:
[0028]在熱原子層沉積期期間，使來自不活潑氣體源的氣體只經(jīng)繞過等離子體源的路徑流入自由基進(jìn)給部件，和
[0029]引導(dǎo)來自不活潑氣體源并流經(jīng)等離子體源的氣體在該時期期間進(jìn)入排氣管線。
[0030]在某些實(shí)施方式中，所述方法包括:
[0031]在等離子體原子層沉積期期間，引導(dǎo)惰性氣體經(jīng)熱原子層沉積進(jìn)給管線去往反應(yīng)室，所述熱原子層沉積進(jìn)給管線與在等離子體原子層沉積期期間將自由基經(jīng)其引入反應(yīng)室的等離子體源管線分開。
[0032]因此，在某些實(shí)施方式中，所述沉積反應(yīng)器可以包括從不活潑氣體源到進(jìn)給部件的兩個路徑，而在一些其他實(shí)施方式中，只實(shí)現(xiàn)了單個路徑。在某些實(shí)施方式中，通過閘門閥或相當(dāng)?shù)年P(guān)閉構(gòu)件在必要時關(guān)閉經(jīng)過等離子體源的路徑，使得然后所述路徑不會繼續(xù)經(jīng)所述進(jìn)給部件進(jìn)入反應(yīng)室，而是完全繞過所述反應(yīng)室，從而可以將等離子體源與反應(yīng)室分開。
[0033]在某些實(shí)施方式中，所述方法包括使用可變形的進(jìn)給部件，所述進(jìn)給部件可通過至少一個機(jī)械致動器在收縮形狀和伸展形狀之間變形。
[0034]在某些實(shí)施方式中，攜帶至少一個基材的基材架與所述可變形的進(jìn)給部件機(jī)械聯(lián)接，并且所述方法包括:通過使所述可變形進(jìn)給部件變形，引起所述攜帶至少一個基材的基材架提升到用于裝載或卸載的上部位置。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的第二個示例方面，提供了等離子體原子層設(shè)備，所述設(shè)備包括:
[0036]氣體管線，其從不活潑氣體源到朝向反應(yīng)室開口的變寬的自由基進(jìn)給部件；和
[0037]控制系統(tǒng)，其被構(gòu)造成基本上在整個沉積周期期間使來自不活潑氣體源的氣體流入進(jìn)給部件，和
[0038]等離子體原子層沉積反應(yīng)器，其被構(gòu)造成在反應(yīng)室中通過順序自飽和表面反應(yīng)將材料沉積在至少一個基材上。
[0039]在某些實(shí)施方式中，所述設(shè)備或控制系統(tǒng)被構(gòu)造成在等離子體原子層沉積期的等離子體前體脈沖期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)等離子體源流入自由基進(jìn)給部件，所述氣體在該脈沖期期間充當(dāng)所生成的自由基的載氣。
[0040]在某些實(shí)施方式中，所述設(shè)備或控制系統(tǒng)被構(gòu)造成在等離子體原子層沉積期的吹掃期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)過等離子體源流入自由基進(jìn)給部件，所述氣體在吹掃期期間充當(dāng)吹掃和惰性保護(hù)氣體。
[0041]在某些實(shí)施方式中，所述設(shè)備或控制系統(tǒng)被構(gòu)造成在等離子體原子層沉積期和熱原子層沉積期這兩個期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)過等離子體源流入自由基進(jìn)給部件。
[0042]在某些實(shí)施方式中，所述設(shè)備或控制系統(tǒng)被構(gòu)造成使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)繞過等離子體源的路徑流入自由基進(jìn)給部件。
[0043]在某些實(shí)施方式中，所述設(shè)備或控制系統(tǒng)被構(gòu)造成在等離子體原子層沉積期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)行經(jīng)等離子體源的路徑和經(jīng)繞過等離子體源的另一個路徑二者流入自由基進(jìn)給部件。
[0044]在某些實(shí)施方式中，所述設(shè)備或控制系統(tǒng)被構(gòu)造成:
[0045]在熱原子層沉積期期間，使來自不活潑氣體源的氣體只經(jīng)繞過等離子體源的路徑流入自由基進(jìn)給部件；和
[0046]引導(dǎo)來自不活潑氣體源并流經(jīng)等離子體源的氣體在該時期期間進(jìn)入排氣管線。
[0047]在某些實(shí)施方式中，所述設(shè)備或控制系統(tǒng)被構(gòu)造成在等離子體原子層沉積期期間，引導(dǎo)惰性氣體經(jīng)熱原子層沉積進(jìn)給管線去往反應(yīng)室，所述熱原子層沉積進(jìn)給管線與在等離子體原子層沉積期期間將自由基經(jīng)其引入反應(yīng)室的等離子體源管線分開。
[0048]在某些實(shí)施方式中，限定或形成膨脹空間的所述進(jìn)給部件，其尺寸或者其形狀或大小是可變的。在某些實(shí)施方式中，所述提升機(jī)構(gòu)被構(gòu)造成改變所述進(jìn)給部件的尺寸。
[0049]在某些實(shí)施方式中，所述進(jìn)給部件是自由基經(jīng)其進(jìn)入反應(yīng)室的部件。在某些實(shí)施方式中，所述進(jìn)給部件具有收縮形狀和伸展形狀，這些形狀之間的轉(zhuǎn)變由提升機(jī)構(gòu)(升降器或類似的機(jī)構(gòu))操作。所述升降器可以被構(gòu)造成推動或牽拉所述進(jìn)給部件從所述伸展形狀到所述收縮形狀，在所述進(jìn)給部件處于其收縮形狀時，允許所述至少一個基材的所述裝載。在某些實(shí)施方式中，所述進(jìn)給部件被構(gòu)造成垂直變形。
[0050]在某些實(shí)施方式中，所述進(jìn)給部件包括一組可活動以便安裝在彼此內(nèi)的嵌套子部件或環(huán)樣構(gòu)件。所述子`部件可以是內(nèi)部中空的。嵌套子部件的數(shù)量可以是兩個或更多個，以形成套筒式(telescopic)結(jié)構(gòu)。所述嵌套子部件的形式可以是截錐體(truncated cone)。在一種實(shí)施方式中，在所述進(jìn)給部件實(shí)際上由兩個或更多個子部件組成的情況下，至少最接近反應(yīng)空間的子部件可以是截錐體。在某些實(shí)施方式中，所述進(jìn)給部件由兩個嵌套的子部件組成。
[0051]在某些實(shí)施方式中，所述進(jìn)給部件是可變形的，并且所述設(shè)備包括至少一個機(jī)械致動器，以使所述進(jìn)給部件在收縮形狀和伸展形狀之間變形。
[0052]在某些實(shí)施方式中，攜帶至少一個基材的基材架與所述可變形的進(jìn)給部件機(jī)械聯(lián)接，并且其中使所述可變形進(jìn)給部件變形，引起所述攜帶至少一個基材的基材架提升到用于裝載或卸載的上部位置。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的第三個示例方面，提供了等離子體原子層設(shè)備，所述設(shè)備包括:
[0054]操作等離子體原子層沉積反應(yīng)器的機(jī)構(gòu)，所述反應(yīng)器被構(gòu)造成在反應(yīng)室中在至少一個基材上通過順序自飽和表面反應(yīng)來沉積材料；和
[0055]用于基本上在整個沉積周期期間使來自不活潑氣體源的氣體流入到朝向反應(yīng)室開口的變寬的自由基進(jìn)給部件中的機(jī)構(gòu)。
[0056]本發(fā)明不同的非限制性示例方面和實(shí)施方式已經(jīng)在上文中說明。上述實(shí)施方式僅用于闡明可以在實(shí)施本發(fā)明中使用的所選的方面或步驟。一些實(shí)施方式可以只參考本發(fā)明的某些示例方面來介紹。應(yīng)該領(lǐng)會，相應(yīng)的實(shí)施方式同樣可以適用于其他示例方面。可以形成任何合適的實(shí)施方式組合。
[0057]附圖簡要說明[0058]現(xiàn)在將只通過示例并參考【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明，在所述附圖中:
[0059]圖1顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式，沉積反應(yīng)器的總體構(gòu)架；
[0060]圖2顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式，沉積反應(yīng)器的某些細(xì)節(jié)；
[0061]圖3顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式，沉積反應(yīng)器的反應(yīng)室和某些相關(guān)部件；
[0062]圖4顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式，沉積反應(yīng)器的工藝儀器；
[0063]圖5顯示了在圖4的示例性實(shí)施方式中定時圖的例子；
[0064]圖6顯示了根據(jù)另一個示例性實(shí)施方式，沉積反應(yīng)器的工藝儀器；[0065]圖7顯示了在圖6的示例性實(shí)施方式中定時圖的例子；和
[0066]圖8顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式，沉積反應(yīng)器控制系統(tǒng)的草框圖。
[0067]發(fā)明詳沭
[0068]在下面的說明中，原子層沉積(ALD)技術(shù)被用作例子。然而，目的不是嚴(yán)格限于該技術(shù)，而是必須認(rèn)識到，某些實(shí)施方式也可以適用于利用其他相當(dāng)?shù)脑右?guī)模沉積技術(shù)的方法和設(shè)備中。
[0069]ALD生長機(jī)制的基礎(chǔ)是技術(shù)人員已知的。ALD方法的詳情也已經(jīng)在本專利申請的引言部分中說明。這些細(xì)節(jié)在此不重復(fù)，但是對于這方面參考了引言部分。
[0070]圖1顯示了沉積反應(yīng)器(等離子體ALD反應(yīng)器等)的側(cè)視圖。所述沉積反應(yīng)器包括在ALD反應(yīng)器模塊130內(nèi)部基材傳遞室下方的反應(yīng)室(圖1中未顯示)。源氣體通過載氣和吹掃氣體管線101流入在反應(yīng)室頂側(cè)上的等離子體源110。由等離子體源110從源氣體生成的自由基通過反應(yīng)室進(jìn)給管線或等離子體源管線102流向反應(yīng)室。在等離子體源110和反應(yīng)室之間，有基材傳遞室120。至少一個基材通過傳遞室120裝載到反應(yīng)室中?；膫鬟f室120包括用于裝載鎖定的界面等，用于裝載所述至少一個基材。在示例性實(shí)施方式中，所述界面可以是裝載鎖定凸緣122等，具有閘門閥的裝載鎖定可以與之相連。在一種示例性實(shí)施方式中，將所述至少一個基材裝載到傳遞室中的可以是自動的程序?；蛘撸梢允止ぱb載所述至少一個基材。與傳遞室整合的較大的艙口 123特別適合于在室壓下手動裝載和卸載。
[0071]起于等離子體源的等離子體源管線102可以在傳遞室120之前通過與等離子體源管線102相連的關(guān)閉構(gòu)件或閥115、例如閘門閥等(以下稱為閘門閥115)關(guān)閉。當(dāng)閥115打開時，由等離子體源110從源氣體生成的自由基通過等離子體源管線102流向所述反應(yīng)室。自由基流過傳遞室上凸緣121進(jìn)入朝向反應(yīng)室變寬的膨脹空間(圖1未顯示)。這個及其他補(bǔ)充細(xì)節(jié)在圖2中更詳細(xì)地顯示。在如圖6和相關(guān)描述中更詳細(xì)說明的實(shí)施方式中，關(guān)閉構(gòu)件或閥115可以從所述構(gòu)造上省略，并且在所述沉積過程期間，有保護(hù)性惰性氣體(例如氬氣)從源氣體管線101經(jīng)過等離子體發(fā)生器110流向反應(yīng)空間(331，圖3)。
[0072]膨脹空間由進(jìn)給部件或組件限定或形成，所述進(jìn)給部件或組件包括一組可活動以便安裝在彼此內(nèi)的嵌套子部件或環(huán)樣構(gòu)件。在圖2顯示的實(shí)施方式中，子部件數(shù)量是兩個。子部件241和242形成套筒式結(jié)構(gòu)。在圖2顯示的示例性實(shí)施方式中，上部的子部件241與傳遞室上凸緣121相連。所述凸緣121也可以表示為真空室凸緣，因?yàn)橥ǔ？梢栽趥鬟f室的圍繞進(jìn)給部件的部分中產(chǎn)生真空或接近真空。在圖2顯示的示例性實(shí)施方式中，下部的子部件242與膨脹空間凸緣224相連，所述凸緣在沉積期間以基本防滲漏的方式靠著反應(yīng)室凸緣234安裝，防止反應(yīng)空間(331，圖3)和反應(yīng)室周圍的氣體空間(335，圖3)之間漏氣。
[0073]在圖2顯示的實(shí)施方式中，升降器250的可收縮軸與膨脹空間凸緣224相連，或直接與進(jìn)給部件相連。升降器250的主體也可以與傳遞室上凸緣121或與沉積反應(yīng)器中其它合適的對應(yīng)物相連。升降器250可以是例如利用至少部分被波紋管251等覆蓋的剛性可收縮軸操作的升降器。在一種實(shí)施方式中，這種安排在氣動或線性致動器與膨脹空間凸緣224或進(jìn)給部件之間形成防漏的豎直柔性覆蓋物。在一種實(shí)施方式中，使用線性饋通(feedthrough),用于將進(jìn)給部件和膨脹空間凸緣與基材架在真空中一起移動并從大氣側(cè)控制
[0074]圖2顯示的沉積反應(yīng)器具有任選的與等離子體源管線102流體連通的排空管線207。排空管線207在等離子體源110與閘門閥115之間的等離子體源管線102部分上與等離子體源管線102連接。
[0075]此外，圖2顯示的沉積反應(yīng)器具有與等離子體源管線102流體連通的任選的保護(hù)氣體管線204。在保護(hù)氣體管線中流動的不活潑保護(hù)氣體阻止上游方向的粒子或氣流。保護(hù)氣體管線204在下游方向緊接閘門閥115的實(shí)施方式中，在閘門閥115之后的等離子體源管線102的部分上與等離子體源管線102連接。
[0076]在可替換實(shí)施方式中，膨脹空間凸緣224沒有與進(jìn)給部件分開，而是形成進(jìn)給部件的一部分，從而形成進(jìn)給部件的底部。所述底部在該實(shí)施方式中靠著反應(yīng)室起到邊緣密封的功能。另一方面，它起到升降器250的固定點(diǎn)(升降器軸)的功能。
[0077]在反應(yīng)室335的反應(yīng)空間331中，如圖3所示，至少一個水平放置的基材360被基材架361支撐或平放在基材架361之上。在一種實(shí)施方式中，基材架包括兩個以開放的間隙分開的區(qū)段，所述間隙寬得足夠允許基材叉在所述區(qū)段之間自由移動。基材架361通過架支撐體362與膨脹空間凸緣224相連。在一種示例性實(shí)施方式中，基材架361被構(gòu)造成與膨脹空間凸緣224 —起移動。在一種實(shí)施方式中，升降器波紋管251的底端與所述軸防滲漏式偶聯(lián)。用致動器在升降 器波紋管251內(nèi)牽引所述軸，使升降器波紋管251收縮，并且可以向上牽引所述至少一個基材360或基材架361供裝載或卸載，同時保持基材操作區(qū)和它的周圍處于真空。包括子部件241和242的進(jìn)給部件在子部件242滑動到較小的子部件241上時垂直收縮，產(chǎn)生用于通過傳遞室120進(jìn)行裝載與卸載的空間(圖1)?？梢杂谐^一個升降器，例如兩個升降機(jī)。第二個升降器的升降器波紋管351已在圖3中用虛線顯示。
[0078]在一種實(shí)施方式中，基材架361可與膨脹空間凸緣224可分開地連接。以這種方式，當(dāng)向上拉時，可以將基材架361與所述至少一個基材360 —起裝載或卸載。類似地，被垂直放入基材架的一批基材可以裝載到沉積反應(yīng)器中以及從所述沉積反應(yīng)器卸載。
[0079]在反應(yīng)室335的反應(yīng)空間331中，通過交替順序自飽和表面反應(yīng)，發(fā)生將材料沉積在所述至少一個基材360上?；蛘?，來自等離子體源110 (圖1和2)及其他前體蒸氣的自由基流向反應(yīng)室335的反應(yīng)空間331。來自等離子體源110的自由基作為從上到下的流301通過膨脹空間流到反應(yīng)空間331。另一個前體蒸氣通過進(jìn)給管線371經(jīng)過示例的管件381和反應(yīng)室凸緣234內(nèi)的通道373或者通過進(jìn)給管線372經(jīng)過示例性管件382和反應(yīng)室凸緣234內(nèi)的通道374流動。在典型的反應(yīng)器構(gòu)造中，進(jìn)料管線的數(shù)量舉例來說是4或6?；蛘撸渌绑w也可以通過關(guān)閉等離子體生成的等離子體源管線102，流入反應(yīng)室335。廢氣通過在底部的廢氣導(dǎo)向裝置排除到廢氣管線，如流向箭頭305所示。[0080]在一種實(shí)施方式中，等離子體發(fā)生器(等離子體源110)和基材架361之間的氣體空間基本上由開放的氣體空間構(gòu)成，使得由等離子體發(fā)生器產(chǎn)生的大部分自由基能夠基本完好地到達(dá)基材360，而不會在所述基材之前擊中任何表面。
[0081]圖4顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式，沉積反應(yīng)器的工藝儀器。來自惰性(或不活潑)氣體源的惰性氣體流被分成通過載氣和吹掃氣體管線101流動的載氣和吹掃氣體流以及通過保護(hù)氣體管線204流動的保護(hù)氣體流。在一種實(shí)施方式中，氬氣或氦氣等被用作惰性氣體。載氣和吹掃氣體管線101可以由載氣和吹掃氣體閥410打開和關(guān)閉。操作期間，閥410的默認(rèn)位置是“打開”。保護(hù)氣體管線204可以由保護(hù)氣體閥416打開和關(guān)閉。操作期間，閥416的默認(rèn)位置是“打開”。在載氣和吹掃氣體管線101中的流速由質(zhì)量流量控制器(MFC>431控制，在保護(hù)氣體管線204中的流速由質(zhì)量流量控制器432控制。保護(hù)氣體管線204與閘門閥115下游的等離子體源管線102連接。操作期間，閘門閥的默認(rèn)位置是“打開”。合并流通過等離子體源管線102流動并通過膨脹空間425進(jìn)入反應(yīng)室335。真空泵438用于將來自反應(yīng)空間331的廢氣吹掃到廢氣管線中。壓力換能器PT用于檢驗(yàn)等離子體源管線壓力處于合適范圍，以便操作遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器。
[0082]在載氣和吹掃氣體閥410的下游進(jìn)入等離子體源110之前，所述載氣和吹掃氣體流過等離子體源前體脈沖閥411-414。在一種實(shí)施方式中，所述閥是三向閥。載氣和吹掃氣體流入脈沖閥的第一個入口，并通過出口輸出。在這種情形下，可以經(jīng)脈沖閥411-414流入載氣和吹掃氣體管線101并可以隨后用來在等離子體源110中生成自由基的前體被表示為等離子體源前體。取決于應(yīng)用的沉積周期，所期望的等離子體源前體經(jīng)MFM (Mass FlowMeter,質(zhì)量流量計)并通過毛細(xì)管或針形閥被引導(dǎo)到相應(yīng)的脈沖閥的第二個入口中。操作期間，閥411-414的默認(rèn)位置是第一個入口和出口 “打開”，第二個入口“關(guān)閉”，并且將只在選定的等離子體源前 體的等離子體前體脈沖期期間“打開”。
[0083]在圖4顯示的實(shí)施方式中，氮?dú)?、氫氣、氨氣和氧氣作為等離子體源前體的實(shí)例。質(zhì)量流量計MFM441測量氮?dú)鈴牡獨(dú)庠赐ㄟ^毛細(xì)管或針形閥451到氮脈沖閥411的流速。類似地，MFM442測量氫氣從氫氣源通過毛細(xì)管或針形閥452到氫脈沖閥412的流速，MFM443測量氨氣從氨氣源通過毛細(xì)管或針形閥453到氨脈沖閥413的流速，和MFM444測量氧氣從氧氣源通過毛細(xì)管或針形閥454到氧脈沖閥414的流速。MFM441-444用于驗(yàn)證等離子體源前體的質(zhì)量流速調(diào)節(jié)到期望值，所述期望值以加到毛細(xì)管或針形閥451-454上游的等離子體源前體的壓力和以毛細(xì)管的孔徑或以調(diào)節(jié)針形閥451-454加以控制。當(dāng)脈沖閥的第二個入口打開時，相應(yīng)的等離子體源前體與載氣流混合，并進(jìn)一步流向等離子體源110供自由基生成。
[0084]在正常操作期間，沒有采用與等離子體源110下游和閘門閥115上游的等離子體源管線101連接的排空管線207。因此，排空閥417 (排空管線207可以由它打開和關(guān)閉)的默認(rèn)位置是“關(guān)閉”。
[0085]在圖4中，還顯示了在圖3中可見的其他進(jìn)料管線371和372，通過它們，其他前體蒸氣可以在例如熱ALD期期間流入反應(yīng)室335。
[0086]圖5顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式，利用定時圖操作圖4的沉積反應(yīng)器。沉積過程基本上由重復(fù)的沉積周期形成。在^時刻，等離子體源管線102的閘門閥115打開。閘門閥115在整個沉積過程期間保持被打開。在12時刻，載氣和吹掃氣體管線101的隔離閥(載氣和吹掃氣體閥410)打開。載氣和吹掃氣體管線101的MFC431設(shè)置到加工值，例如50sccm。在t3時刻，保護(hù)氣體管線204的MFC432從高值設(shè)置到低值，例如20sccm。t3和t4之間的時間可以用于吹掃反應(yīng)室335。在〖4時刻，(非金屬)等離子體源前體的脈沖閥打開。在圖5顯示的實(shí)例中，氫氣被用作等離子體源前體，因此在t4時刻是脈沖閥412被打開。在t5時刻，等離子體發(fā)生器(等離子體源110)的功率提高到自由基生成水平，例如2000W。在一種實(shí)施方式中，本文提到的功率是射頻(RF)功率。自由基在t5和t6之間的時間期間生成。換句話說，在&和t6時刻之間，進(jìn)行等離子體ALD階段。在t6時刻，等離子體發(fā)生器(等離子體源110)的功率降低到不生成自由基的水平，例如降低到小于100W的功率。在丨7時刻，等離子體源前體的脈沖閥(在此是閥412)關(guān)閉。在t8時刻，保護(hù)氣體管線204的MFC432從低值設(shè)置到高值?！?和〖9之間的時間可用于吹掃反應(yīng)室335。在〖9時刻，第二種前體蒸氣被引入反應(yīng)室335。在本實(shí)施方式中，第二種前體是金屬前體。在^和t1(l之間，進(jìn)行第二種前體脈沖階段。^和t1(l之間的時間可以由第二種前體脈沖和第三個吹掃期組成，所述第三個吹掃期用于從反應(yīng)空間331除去剩余的第二種前體分子和反應(yīng)副產(chǎn)物，同時保護(hù)氣體通過保護(hù)氣體管線204的質(zhì)量流速處于高值，以防向著閘門閥115和遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器110的反應(yīng)性分子返流。這個可以按照本身已知的常規(guī)熱ALD方法進(jìn)行。重復(fù)由&和&之間的吹掃期、t5和t6之間的等離子體ALD階段、t7和t9之間的第二個吹掃期和t9和t1(l之間的熱ALD階段形成的沉積周期，直到在反應(yīng)室335中的所述至少一個基材上已經(jīng)生長了期望的材料厚度。最后，在tn時刻，關(guān)閉載氣和吹掃氣體閥410，并將載氣和吹掃氣體管線101的MFC431設(shè)置為零值。最后，在t12時刻關(guān)閉閘門閥115。
[0087]可替代實(shí)施方式考慮了例如如下的情形，其中出于某種理由，在沉積過程期間希望等離子體源管線102被閘門閥115關(guān)閉。這在例如熱ALD階段期間、或者如果期望反應(yīng)器只以熱ALD階段進(jìn)行沉積過程的話，可以發(fā)生。在這些實(shí)施方式中，通過脈沖閥411-414和等離子體源110到反應(yīng)空間331的路徑被關(guān)閉。因?yàn)樵诘入x子體源110中應(yīng)該優(yōu)選保持恒壓，所以排空管線閥417被打開，并且通過等離子體源110的氣流直接經(jīng)排空管線207引到所述廢氣管線以保持恒壓。從保護(hù)氣體管線204流動的保護(hù)氣體形成保護(hù)性緩沖，防止粒子和氣流從反應(yīng)室335的方向上升進(jìn)入閘門閥115的方向。
[0088]圖6顯示了根據(jù)另一個示例性實(shí)施方式，沉積反應(yīng)器的工藝儀器。圖6顯示的實(shí)施方式除了不包含閘門閥115、相關(guān)排空管線207、保護(hù)氣體管線204以及載氣和吹掃氣體閥410之外，在其他方面都與圖4顯示的實(shí)施方式一致。
[0089]在某些實(shí)施方式中，從氧氣生成的氧自由基用于生長金屬氧化物，例如3族金屬的氧化物(例如氧化釔)、4族金屬的氧化物(例如二氧化鉿)、5族金屬的氧化物(例如五氧化鉭)和13族金屬的氧化物(例如氧化鋁)。從氨氣生成的氨自由基和從氮?dú)馍傻牡杂苫糜谏L金屬氮化物，例如4族金屬的氮化物(例如氮化鈦)、5族金屬的氮化物(例如氮化鉭和超導(dǎo)氮化鈮)和14族元素的氮化物(例如氮化硅)。從氫氣生成的氫自由基用作還原劑，用于生長元素薄膜，例如4族金屬(例如鈦)、5族金屬(例如鉭)、6族金屬(例如鎢)和11族金屬(例如銀)。利用揮發(fā)性烴生成烴自由基，以生長金屬碳化物，例如4族金屬的碳化物(例如碳化鈦)。
[0090]圖7顯示了根據(jù)示例性實(shí)施方式，利用定時圖操作圖6的沉積反應(yīng)器。在tA時刻，載氣和吹掃氣體管線101的MFC431被設(shè)置到加工值，優(yōu)選在10-200SCCm范圍內(nèi)，更優(yōu)選在20-100sccm范圍內(nèi)，例如50sccm。tB和t。之間的時間用于以熱ALD模式向被加熱到選自大約50-500°C溫度的反應(yīng)空間331脈沖金屬前體蒸氣，例如三甲基鋁(TMA)，所述溫度在例如TMA用作金屬前體的情況下，為200°C。t。和tD之間的時間用于用由來自等離子體源管線102的氬氣或氦氣和來自進(jìn)給管線371、372的氮?dú)饨M成的惰性氣體吹掃反應(yīng)空間331。在tD時刻，(非金屬)等離子體源前體的脈沖閥被打開。氧氣在圖6中選自可用的等離子體源氣體，因此在tD時刻，是脈沖閥414被打開。在tE時刻，等離子體發(fā)生器(等離子體源110)的功率提高到自由基生成水平，到達(dá)選自100-3000W的RF功率，例如，在氧自由基生成的情況下，為2000W。自由基在tE和tF之間的時間期間生成。換句話說，在tE和tF時刻之間，進(jìn)行等離子體ALD階段。在tF時刻，等離子體發(fā)生器(等離子體源110)的功率降低到不生成自由基的水平，優(yōu)選降低到小于100W的功率，例如0W。在te時刻，等離子體源前體的脈沖閥(在此是氧氣閥414)關(guān)閉。te和&之間的時間用于用惰性氣體吹掃所述系統(tǒng)。重復(fù)從tB時刻到tH時刻的由金屬前體脈沖、吹掃、自由基前體脈沖和吹掃組成的沉積周期，直到在基材360上生長了期望厚度的薄膜。
[0091]要注意，可以實(shí)現(xiàn)在本文中介紹的實(shí)施方式的若干變體。在圖4顯示的構(gòu)造中，沉積周期可以用圖5顯示的次序、或例如圖7顯示的次序?qū)嵭小?br> [0092]在某些實(shí)施方式中，在等離子體ALD期的等離子體前體脈沖期期間，引導(dǎo)氣體從不活潑氣體源經(jīng)等離子體發(fā)生器(等離子體源110)流入自由基進(jìn)給部件(或膨脹空間425)，所述氣體在該脈沖期期間充當(dāng)所生成的自由基的載氣，并且在某些實(shí)施方式中，在等離子體ALD期的吹掃期期間，引導(dǎo)氣體從不活潑氣體源經(jīng)等離子體發(fā)生器流入膨脹空間425，所述氣體在該吹掃期期間充當(dāng)惰性或吹掃氣體。在某些實(shí)施方式中，以這種方式在這兩個時期期間引導(dǎo)氣體。在這兩個時期期間，來自不活潑氣體源的氣體在某些實(shí)施方式中另外通過保護(hù)氣體管線204被引入膨脹空間425。在例如熱ALD期期間，來自不活潑氣體源的氣體在某些實(shí)施方式中通過這兩個路徑、`只通過保護(hù)氣體管線204 (在從等離子體發(fā)生器到膨脹空間425的路徑例如被關(guān)閉的情況下)，被引入膨脹空間425。同樣，只要從等離子體發(fā)生器到膨脹空間425的路徑被關(guān)閉，在某些實(shí)施方式中，來自不活潑氣體源的氣體就在這些時期期間通過保護(hù)氣體管線204被引入膨脹空間425，引起進(jìn)入膨脹空間425的連續(xù)惰性氣體流并且阻止返流效應(yīng)。如果從等離子體發(fā)生器到膨脹空間425的路徑被關(guān)閉，流經(jīng)等離子體發(fā)生器的來自不活潑氣體源的氣體在某些實(shí)施方式中在該時期期間被引入排空管線，從而在等離子體發(fā)生器中保持恒壓。
[0093]下面的試驗(yàn)實(shí)施例進(jìn)一步證明了選擇的示例性實(shí)施方式的操作。
[0094]實(shí)施例1
[0095]用圖3顯示的雙升降器將100-mm硅晶片裝載到反應(yīng)室335。使用圖6的沉積反應(yīng)器儀器和圖7的定時圖來在200°C下在硅晶片上從三甲基鋁TMA和水H2O生長氧化鋁Al2O3。氬氣通過載氣和吹掃氣體管線101的流速是30sccm。TMA脈沖長度是0.ls，接著是6s吹掃。氧氣脈沖閥414被打開，50sCCm的氧氣通過所述脈沖閥414流向遠(yuǎn)程等離子體發(fā)生器110。RF功率從OW提高到2500W，以接通等離子體并在2500W水平保持6s。然后，將RF功率從2500W降低到0W，以切斷等離子體。接著，關(guān)閉氧氣閥并用惰性氣體吹掃所述系統(tǒng)10s。重復(fù)沉積周期，直到生長了 36-nm的Al2O3薄膜。結(jié)果，用橢率計從49個點(diǎn)測量的薄膜厚度的1-σ不均勻性只有1.3%。[0096]在一種示例性實(shí)施方式中，本文描述的沉積反應(yīng)器是計算機(jī)控制系統(tǒng)。儲存在所述系統(tǒng)存儲器中的計算機(jī)程序包括指令，其在被所述系統(tǒng)的至少一個處理器執(zhí)行時引起沉積反應(yīng)器按照指令運(yùn)行。所述指令可以是計算機(jī)可讀程序代碼的形式。圖8顯示了沉積反應(yīng)器控制系統(tǒng)800的草框圖。在基本的系統(tǒng)設(shè)置中，工藝參數(shù)在軟件的幫助下程序化，并用人機(jī)接口(HMI)終端806執(zhí)行指令并將所述指令通過以太網(wǎng)總線804下載到控制箱802。在一種實(shí)施方式中，控制箱802包括通用型可編程邏輯控制(PLC)單元。所述控制箱802包括至少一個微處理器、動態(tài)和靜態(tài)存儲器、I/O模塊、A/D和和D/A轉(zhuǎn)換器、以及功率繼電器，所述微處理器用于執(zhí)行包括儲存在存儲器中的程序代碼在內(nèi)的控制箱軟件?？刂葡?02將電力送往沉積反應(yīng)器的閥的氣動控制器，與質(zhì)量流量控制器具有雙向通信，控制等離子體源和自由基生成和升降器的操作，以及以其它方式控制沉積反應(yīng)器的操作?？刂葡?02可以測量來自沉積反應(yīng)器的探測讀數(shù)，并將其轉(zhuǎn)播到HMI終端806。虛線816指示沉積反應(yīng)器部件和控制箱802之間的接口線。
[0097]上述說明通過本發(fā)明的具體實(shí)行和實(shí)施方式的非限制性實(shí)例，提供了發(fā)明人考慮的當(dāng)前用于執(zhí)行本發(fā)明的最佳方式的充分和信息的描述。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員清楚，本發(fā)明不局限于上面介紹的實(shí)施方式的細(xì)節(jié)，而是它可以使用等價手段以其他實(shí)施方式實(shí)行，而不偏離本發(fā)明特征。
[0098]此外，在沒有相應(yīng)使用其他特征時，以上公開的本發(fā)明實(shí)施方式的一些特征可以用來達(dá)成優(yōu)勢。因此，上文的描述應(yīng)該被認(rèn)為是僅僅說明本發(fā)明的原理，而不是限制本發(fā)明。因此，本發(fā)明的范圍只 受所附的專利權(quán)利要求書的制約。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，所述方法包括: 操作等離子體原子層沉積反應(yīng)器，所述反應(yīng)器被構(gòu)造成在反應(yīng)室中在至少一個基材上通過順序自飽和表面反應(yīng)來沉積材料；和 基本上在整個沉積周期期間使來自不活潑氣體源的氣體流入到朝向反應(yīng)室開口的變寬的自由基進(jìn)給部件中。
2.權(quán)利要求1的方法，所述方法包括: 在等離子體原子層沉積期的等離子體前體脈沖期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)等離子體源流入所述自由基進(jìn)給部件，所述氣體在該脈沖期期間充當(dāng)所生成的自由基的載氣。
3.權(quán)利要求1或2的方法，所述方法包括: 在等離子體原子層沉積期的吹掃期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)所述等離子體源流入所述自由基進(jìn)給部件，所述氣體在該吹掃期期間充當(dāng)吹掃和惰性保護(hù)氣體。
4.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，所述方法包括: 在等離子體原子層沉積期和熱原子層沉積期這兩個期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)所述等離子體源流入所述自由基進(jìn)給部件。
5.前述權(quán)利要求任 一項(xiàng)的方法，所述方法包括: 使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)繞過等離子體源的路徑流入所述自由基進(jìn)給部件。
6.權(quán)利要求1的方法，所述方法包括: 在等離子體原子層沉積期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)行經(jīng)等離子體源的路徑和經(jīng)繞過等離子體源的另一個路徑二者流入所述自由基進(jìn)給部件。
7.權(quán)利要求1或6的方法，所述方法包括: 在熱原子層沉積期期間，使來自不活潑氣體源的氣體只經(jīng)繞過等離子體源的路徑流入所述自由基進(jìn)給部件，和 引導(dǎo)來自不活潑氣體源并流經(jīng)等離子體源的氣體在該時期期間進(jìn)入排氣管線。
8.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，所述方法包括: 在等離子體原子層沉積期期間，引導(dǎo)惰性氣體經(jīng)熱原子層沉積進(jìn)給管線去往所述反應(yīng)室，所述熱原子層沉積進(jìn)給管線與在等離子體原子層沉積期期間將自由基經(jīng)其引入所述反應(yīng)室的等離子體源管線分開。
9.前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，所述方法包括: 使用可變形的進(jìn)給部件，所述進(jìn)給部件能夠通過至少一個機(jī)械致動器在收縮形狀和伸展形狀之間變形。
10.權(quán)利要求9的方法，其中攜帶至少一個基材的基材架與所述可變形的進(jìn)給部件機(jī)械聯(lián)接，并且所述方法包括: 通過使所述可變形進(jìn)給部件變形，引起所述攜帶至少一個基材的基材架提升到用于裝載或卸載的上部位置。
11.等離子體原子層設(shè)備，所述設(shè)備包括: 氣體管線，其從不活潑氣體源到朝向反應(yīng)室開口的變寬的自由基進(jìn)給部件；和 控制系統(tǒng)，其被構(gòu)造成基本上在整個沉積周期期間使來自不活潑氣體源的氣體流入進(jìn)給部件，和等離子體原子層沉積反應(yīng)器，其被構(gòu)造成在反應(yīng)室中通過順序自飽和表面反應(yīng)將材料沉積在至少一個基材上。
12.權(quán)利要求11的設(shè)備，其中所述控制系統(tǒng)被構(gòu)造成在等離子體原子層沉積期的等離子體前體脈沖期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)等離子體源流入所述自由基進(jìn)給部件，所述氣體在該脈沖期期間充當(dāng)所生成的自由基的載氣。
13.權(quán)利要求11或12的設(shè)備，其中所述控制系統(tǒng)被構(gòu)造成在等離子體原子層沉積期的吹掃期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)所述等離子體源流入所述自由基進(jìn)給部件，所述氣體在該吹掃期期間充當(dāng)吹掃和惰性保護(hù)氣體。
14.前述權(quán)利要求11-13任一項(xiàng)的設(shè)備，其中所述控制系統(tǒng)被構(gòu)造成在等離子體原子層沉積期和熱原子層沉積期這兩個期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)所述等離子體源流入所述自由基進(jìn)給部件。
15.前述權(quán)利要求11-14任一項(xiàng)的設(shè)備，其中所述控制系統(tǒng)被構(gòu)造成使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)繞過等離子體源的路徑流入所述自由基進(jìn)給部件。
16.權(quán)利要求11的設(shè)備，其中所述控制系統(tǒng)被構(gòu)造成在等離子體原子層沉積期期間，使來自不活潑氣體源的氣體經(jīng)行經(jīng)等離子體源的路徑和經(jīng)繞過等離子體源的另一個路徑二者流入所述 自由基進(jìn)給部件。
17.權(quán)利要求11或16的設(shè)備，其中所述控制系統(tǒng)被構(gòu)造成: 在熱原子層沉積期期間，使來自不活潑氣體源的氣體只經(jīng)繞過等離子體源的路徑流入所述自由基進(jìn)給部件；和 引導(dǎo)來自不活潑氣體源并流經(jīng)等離子體源的氣體在該時期期間進(jìn)入排氣管線。
18.前述權(quán)利要求11-17任一項(xiàng)的設(shè)備，其中所述控制系統(tǒng)被構(gòu)造成在等離子體原子層沉積期期間，引導(dǎo)惰性氣體經(jīng)熱原子層沉積進(jìn)給管線去往所述反應(yīng)室，所述熱原子層沉積進(jìn)給管線與在等離子體原子層沉積期期間將自由基經(jīng)其引入所述反應(yīng)室的等離子體源管線分開。
19.前述權(quán)利要求11-18任一項(xiàng)的設(shè)備，其中所述進(jìn)給部件是可變形的，并且所述設(shè)備包括至少一個機(jī)械致動器，以使所述進(jìn)給部件在收縮形狀和伸展形狀之間變形。
20.權(quán)利要求19的設(shè)備，其中攜帶至少一個基材的基材架與所述可變形的進(jìn)給部件機(jī)械聯(lián)接，并且其中使所述可變形進(jìn)給部件變形引起所述攜帶至少一個基材的基材架提升到用于裝載或卸載的上部位置。
【文檔編號】C23C16/455GK103635605SQ201180069858
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2011年4月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月7日
【發(fā)明者】V·基爾皮, W-M·李, T·馬利南, J·科斯塔莫, S·林德弗斯 申請人:皮考遜公司