專利名稱：成型體、其制造方法、電子設(shè)備用構(gòu)件和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及成型體、其制造方法、包含該成型體的電子設(shè)備用構(gòu)件以及具備該電子設(shè)備用構(gòu)件的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
一直以來，塑料薄膜等高分子成型體由于價格低廉、加工性優(yōu)異，因此可以賦予所需的功能，在各種領(lǐng)域中應(yīng)用。例如對于食品、藥品的包裝用薄膜，為了抑制蛋白質(zhì)、油脂等的氧化、變質(zhì)，而保持味道、鮮度，可以使用防止水蒸氣、氧的透過的阻氣性的塑料薄膜。另外，近年來，對于液晶顯示器或電致發(fā)光(EL)顯示器等顯示器，為了實現(xiàn)薄型化、輕量化、撓性化等，人們對于使用透明塑料薄膜代替玻璃板來作為具有電極的基板進行了研究。但是，塑料薄膜與玻璃板相比，存在容易透過水蒸氣或氧等，顯示器內(nèi)部的元件容易劣化的問題。為解決該問題，專利文獻I中提出了在透明塑料薄膜上層疊由金屬氧化物構(gòu)成的透明阻氣層的撓性顯示器基板。但是，該文獻記載的撓性顯示器基板由于是在透明塑料薄膜表面上利用蒸鍍法、離子鍍敷法、濺射法等疊層了由金屬氧化物形成的透明阻氣層的基板，因此在將該基板卷起或彎折時，存在阻氣層產(chǎn)生裂紋，阻氣性降低的問題。另外，專利文獻2中公開了在薄膜的至少一面上形成聚硅氮烷膜，對該聚硅氮烷膜實施等離子體處理，來制造阻氣性薄膜的方法。但是，在該方法中，存在如果不使阻氣層的厚度為微米級別，就不能得到充分的阻氣性能的問題。例如記載了阻氣層的厚度為
0.1 μ m時,水蒸氣透過率為0.50g/m2/天。進一步地，為了保護電子部件等易于受到靜電障礙的內(nèi)容物，或者為了防止塵土、塵埃的附著，有賦予抗靜電性的要求(專利文獻3)?？梢哉f如果表面電阻率為IXlO8 I X IO12 Ω/ □，則具有由接地導(dǎo)致的抗靜電性。現(xiàn)有技術(shù)文獻 專利文獻
專利文獻1:日本特開2000 - 338901號公報 專利文獻2:日本特開2007 - 237588號公報 專利文獻3:日本特開昭62 — 220330號公報。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)而作出的發(fā)明，其目的在于提供阻氣性和耐彎折性優(yōu)異的成型體、其制造方法、包含該成型體的電子設(shè)備用構(gòu)件、和具有該電子設(shè)備用構(gòu)件的電子設(shè)備。本 發(fā)明人等為解決上述課題進行了深入地研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn):通過在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的層的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物的層中注入烴系化合物的離子，可以簡便且高效地制造目標(biāo)成型體，從而完成了本發(fā)明。這樣根據(jù)本發(fā)明的第I發(fā)明，提供了下述(I) (5)的成型體。(I)成型體，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的層中注入烴系化合物的離子而得到的層。(2)如(I)所述的成型體，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的層中，通過等離子體離子注入將烴系化合物的離子注入而得到的層。(3)如(I)或(2)所述的成型體，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物是全氫化聚硅氮烷。(4)如(I)或(2)所述的成型體，其特征在于，在40°C、相對濕度90%氣氛下的水蒸氣透過率為0.4g/m2/天以下。(5)如(I)或(2)所述的成型體，其特征在于，表面電阻率為1Χ1014Ω/ □以下。根據(jù)本發(fā)明的第2發(fā)明，提供了下述(6)、(7)的成型體的制造方法。(6)根據(jù)(I)或(2)所述的成型體的制造方法，其中，具有下述步驟:在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的層的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物的層的表面部注入烴系化合物的離子。(7)根據(jù)(I)或(2)所述的成型體的制造方法，其特征在于，一邊將在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的層的長的成型物沿一定方向運送，一邊向上述含有聚硅氮烷化合物的層中注入烴系化合物的離子。根據(jù)本發(fā)明的第3發(fā)明，提供了下述(8)的電子設(shè)備用構(gòu)件。(8)電子設(shè)備用構(gòu)件，其包含(I)或(2)所述的成型體。根據(jù)本發(fā)明的第4發(fā)明，提供了下述(9 )的電子設(shè)備。(9)電子設(shè)備，其具有(8)所述的電子設(shè)備用構(gòu)件。發(fā)明的效果
本發(fā)明的成型體具有優(yōu)異的阻氣性和耐彎折性。本發(fā)明的成型體可以適合用作撓性的顯示器、或太陽能電池等的電子設(shè)備用構(gòu)件(例如太陽能電池背板)。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，可以利用一個步驟安全且簡便地制造具有優(yōu)異的阻氣性、耐彎折性、且具有優(yōu)異的抗靜電性的本發(fā)明的成型體。另外，與無機膜成膜相比，可以由低的成本容易地實現(xiàn)大面積化。本發(fā)明的電子設(shè)備用構(gòu)件具有優(yōu)異的阻氣性、透明性和耐彎折性等，因此可以適合用于顯示器、太陽能電池等的電子設(shè)備。附圖的說明


圖1是表示本發(fā)明中使用的等離子體離子注入裝置的簡要構(gòu)成的圖。圖2是表示本發(fā)明中使用的等離子體離子注入裝置的簡要構(gòu)成的圖。
具體實施例方式以下分成I)成型體、2)成型體的制造方法、以及3)電子設(shè)備用構(gòu)件和電子設(shè)備的項目，詳細(xì)說明本發(fā)明。I)成型體
本發(fā)明的成型體的特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的層(以下有時稱為“聚硅氮烷層”)中注入烴系化合物的離子而得到的層(以下有時稱為“離子注入層”)。本發(fā)明中使用的聚硅氮烷化合物是在分子內(nèi)具有含有一 Si — N —鍵的重復(fù)單元的高分子化合物。具體來說，優(yōu)選是具有式(I)所示的重復(fù)單元的化合物，
權(quán)利要求
1.成型體，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的層中注入烴系化合物的離子而得到的層。
2.權(quán)利要求1所述的成型體，其特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的層中，通過等離子體離子注入將烴系化合物的離子注入而得到的層。
3.權(quán)利要求1或2所述的成型體，其特征在于，上述聚硅氮烷化合物是全氫化聚硅氮燒。
4.權(quán)利要求1或2所述的成型體，其特征在于，在40°C、相對濕度90%氣氛下的水蒸氣透過率為0.4g/m2/天以下。
5.權(quán)利要求1或2所述的成型體，其特征在于，表面電阻率為IX IO14 Ω / □以下。
6.權(quán)利要求1或2所述的成型體的制造方法，其中，具有下述步驟:在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的層的成型物的、上述含有聚硅氮烷化合物的層的表面部注入烴系化合物的尚子。
7.權(quán)利要求1或2所述的成型體的制造方法，其中，一邊將在表面部具有含有聚硅氮烷化合物的層的長的成型物沿一定方向運送，一邊向上述含有聚硅氮烷化合物的層中注入烴系化合物的離子。
8.電子設(shè)備用構(gòu)件，其包含權(quán)利要求1或2所述的成型體。
9.電子設(shè)備，其具有權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備用構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明是成型體、其制造方法、包含該成型體的電子設(shè)備用構(gòu)件以及具備該電子設(shè)備用構(gòu)件的電子設(shè)備，所述成型體的特征在于，具有在含有聚硅氮烷化合物的層中注入烴系化合物的離子而得到的層。根據(jù)本發(fā)明，可以提供阻氣性和耐彎折性優(yōu)異的成型體、其制造方法、包含該成型體的電子設(shè)備用構(gòu)件、和具有該電子設(shè)備用構(gòu)件的電子設(shè)備。
文檔編號C23C14/48GK103249766SQ20118001736
公開日2013年8月14日 申請日期2011年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月29日
發(fā)明者巖屋涉, 近藤健, 永繩智史 申請人:琳得科株式會社