專利名稱：顯示裝置用Al合金膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及被用于液晶顯示器等的顯示裝置，作為電極和配線材料有用的顯示裝置用Al合金膜；具備上述Al合金膜的顯示裝置和用于形成上述Al合金膜的濺射靶。
背景技術(shù)：
顯示裝置用Al合金膜主要作為電極和配線材料使用，作為電極和配線材料，可列舉如下液晶顯示器(LDC)的薄膜晶體管用的柵極、源極和漏極電極和配線材料；有機EL(OELD)的薄膜晶體管用的柵極、源極和漏極電極和配線材料；場發(fā)射顯示器(FED)的陰極和柵極電極以及配線材料；熒光真空管(VFD)的陽極和配線材料；等離子體顯示器(PDP) 的尋址電極和配線材料；無機EL的背面電極等。以下，作為液晶顯示裝置代表性地提出液晶顯示器進行說明，但沒有限定于此的意圖。最近，超過100英寸的大型液晶顯示器被商品化，低耗電技術(shù)也得到推進，作為主要的顯示裝置被廣泛使用。在液晶顯示器中雖然存在工作原理的不同，但其中，像素開關(guān)使用薄膜晶體管(Thin Film Transitor，以下稱為TFT。)的有源矩陣型液晶顯示器，具有高精度畫質(zhì)，因為也能夠應(yīng)對高速動畫，所以成為主力。其中，在要求以更低耗電進行像素的高速開關(guān)的液晶顯示器中，使用的是將多晶硅和連續(xù)晶粒硅用于半導(dǎo)體層的TFT。例如，有源矩陣型的液晶顯示器具備如下作為開關(guān)元件的TFT ;由導(dǎo)電性氧化膜構(gòu)成的像素電極；和具有包含掃描線和信號線在內(nèi)的配線的TFT基板，掃描線和信號線與像素電極電連接。在構(gòu)成掃描線和信號線的配線材料中，使用的是Al基合金薄膜。邊參照圖5，邊說明作為半導(dǎo)體層使用了氫化非晶硅的TFT基板的核心部分的構(gòu)成。如圖5所示，在玻璃基板Ia上形成有掃描線25，掃描線25的一部分，作為控制TFT的開關(guān)的柵極電極26發(fā)揮功能。柵極電極26被柵極絕緣膜(氮化硅膜等)27電絕緣。經(jīng)由柵極絕緣膜27形成作為溝道層的半導(dǎo)體硅層30，再形成保護膜(氮化硅膜等)31。半導(dǎo)體硅層30，經(jīng)由低阻硅層32與源極電極28和漏極電極29接合，具有電導(dǎo)通性。漏極電極29具有與IT0(Indium Tin Oxide)等的透明電極5直接接觸的構(gòu)造[稱為直接接觸(DC)。]。作為用于直接接觸用的電極配線材料，例如可列舉專利文獻I 5所述的Al合金。這是因為Al電阻率小，微細加工性優(yōu)異。這些Al合金，不經(jīng)由Mo、Cr、Ti、W等的高熔點金屬所構(gòu)成的阻擋金屬層，而是與構(gòu)成透明電極的氧化物透明導(dǎo)電膜直接連接或與硅半導(dǎo)體層直接連接。這些配線膜和電極25 32由氮化硅等的絕緣性保護膜33覆蓋，通過透明電極5而向漏極電極29供電。為了穩(wěn)定確保圖5所示的TFT的工作特性，特別需要提高半導(dǎo)體硅30的載流子(電子和空穴)的遷移率。因此，在液晶顯示器等的制造過程中，包含TFT的熱處理工序，由此，非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體硅30的一部分或全部被微晶化/多晶化，其結(jié)果是，載流子的遷移率變高，TFT的響應(yīng)速度提高。在TFT的制造過程中，例如絕緣性保護膜33的蒸鍍等約以250 350°C的比較低的溫度進行。另外，為了提高構(gòu)成液晶顯示器的TFT基板(TFT為陣列狀配置的液晶顯示器驅(qū)動部)的穩(wěn)定性，有進行約450°C以上的高溫?zé)崽幚淼那闆r。在實際的TFT、TFT基板、液晶顯示器的制造中，有這樣的低溫或高溫的熱處理被多次進行的情況。然而，若制造過程時的熱處理溫度例如提高到大約450°C以上，或這樣的高溫加熱處理再達到很長時間，則產(chǎn)生圖5所示的薄膜層的剝離，和接觸的薄膜間的原子相互擴散，薄膜層自身劣化，因此至今為止，至多也只進行300°C以下的熱處理。反倒存在這樣的實際情況是，關(guān)于盡可能降低加熱處理溫度，而TFT仍發(fā)揮功能的配線材料和顯示裝置的構(gòu)造的研究開發(fā)被集中進行。這是由于，從技術(shù)性的觀點出發(fā)，認為理想的是在室溫下處理TFT的全部制造過程。
例如在前述的專利文獻I 5中，以降低Al合金配線膜和透明導(dǎo)電膜的接觸電阻為目的而進行大約200 350°C左右的熱處理，對于作為TFT構(gòu)造整體的耐熱性(特別是高溫加熱時的耐熱性)未予考慮。其中在專利文獻I的實施例中，公開了以300 350°C的溫度進行氮化硅絕緣膜的成膜，或以250°C進行柵極配線膜的成膜時的結(jié)果，但是在更高溫下進行加熱處理時的結(jié)果未公開。專利文獻2，特別以提供對于低溫的加熱處理有用的TFT配線用Al合金材料為目的，在實施例中展示的是200°C的低溫?zé)崽幚碛行АＭ瑯?，在專利文獻3中，公開了 230°C和300°C下的耐熱性評價結(jié)果，但進行更高溫加熱處理時的耐熱性完全未予評價。專利文獻4也同樣。另一方面，在前述的專利文獻5中公開的是，通過100 600°C的熱處理使Al合金薄膜中的固溶元素的一部分或全部作為金屬化合物析出，得到電阻值IOy Qcm以下的Al合金薄膜，但在實施例中最高也只不過是公開以500°C的溫度進行加熱時的結(jié)果，曝露在500°C以上的高溫下時的耐熱性未進行評價。不用說，對于多次曝露在這樣的高溫下時的耐熱性更是完全沒有考慮。先行技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2007-157917號公報專利文獻2 :日本特開2007-81385號公報專利文獻3 :日本特開2006-210477號公報專利文獻4 :日本特開2007-317934號公報專利文獻5 :日本特開平7-90552號公報最近，期望提供即使進行高溫加熱處理，耐熱性仍優(yōu)異的Al合金膜。這是由于，為了盡可能提高很大程度左右TFT的性能的半導(dǎo)體硅層的載流子遷移率，從而推進液晶顯示器的節(jié)能和高性能化(高速動畫響應(yīng)等)這樣的需求強烈。為此，需要使作為半導(dǎo)體硅層的構(gòu)成材料的氫化非晶硅結(jié)晶化。硅雖然電子的遷移率比空穴的遷移率高大約3倍左右，但電子的遷移率在連續(xù)晶粒硅中大約為300cm2/V s，在多晶硅中大約為100cm2/V S，在氫化非晶硅中大約為lcm2/V s以下。如果對于氫化非晶硅進行蒸鍍后再進行熱處理，則氫化非晶硅微晶化，載流子遷移率提高。在該熱處理中，加熱溫度高，加熱時間長的一方，氫化非晶硅的微晶化推進，載流子的遷移率提高，另一方面，若提高熱處理溫度，則產(chǎn)生由于熱應(yīng)力導(dǎo)致Al合金配線薄膜上發(fā)生突起狀的形狀異常(小丘)等的問題，歷來，使用Al合金薄膜時的熱處理溫度的上限充其量不過350°C左右。因此，以更高溫度進行熱處理時，一般使用的是Mo等的高熔點金屬薄膜，但存在不能應(yīng)對互連電阻高、顯示器的大型化這樣的問題。除了上述的高溫耐熱性以外，對于顯示裝置用Al合金膜，還要求各種特性。首先，若Al合金膜所含的合金元素的添加量多，則配線自身的電阻增加，因此要求即使在適用450 600°C左右的高熱處理溫度時，也能夠充分地降低電阻。
另外還有如下的情況，S卩，使之與透明像素電極直接連接時，也要求顯示出低的接角蟲電阻(contact resistance) o此外，還要求兼?zhèn)鋬?yōu)異的耐腐蝕性。特別是在TFT基板的制造工序中會通過多次濕處理，若添加比Al貴的金屬，則電偶腐蝕的問題顯現(xiàn)，耐腐蝕性劣化。例如在光刻工序中，使用含有TMAH(四甲基氫氧化銨)的堿性的顯影液，但為直接接觸構(gòu)造時，則省略阻擋金屬層，因此Al合金膜露出，容易受到由顯影液造成的損傷。因此，要求堿性顯影液耐性等的耐堿腐蝕性優(yōu)異。另外，在剝離由光刻的工序形成的光致抗蝕劑(感光性樹脂)的清洗工序中，使用含有胺類的有機剝離液連續(xù)性地進行水洗?？墒侨舭泛退旌蟿t變成堿性溶液，因此在短時間內(nèi)使Al腐蝕這一另外的問題產(chǎn)生?？墒茿l合金在通過剝離清洗工序以前經(jīng)過CVD工序而受到熱過程。在該受熱歷程的過程中，在Al基體中有合金成分形成析出物。然而卻存在如下問題，即在該析出物與Al之間存在大的電位差，因此在作為剝離液的胺與水接觸的瞬間，由于所述電偶腐蝕導(dǎo)致堿腐蝕進行，在電化學(xué)上電位低的Al離子化而洗脫，從而形成坑狀的點腐蝕(黑點)。因此，要求優(yōu)選用于感光性樹脂的剝離的剝離液耐性優(yōu)異。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情況而做，其目的在于，提供一種即使曝露在450 600°C左右的高溫下也不會發(fā)生小丘，高溫耐熱性優(yōu)異，膜自身的電阻(互連電阻)也抑制得很低，另外，堿性顯影液耐性等的耐堿腐蝕性也優(yōu)異的顯示裝置用Al合金膜。本發(fā)明的另一目的在于，優(yōu)選提供一種感光性樹脂的剝離液(剝離液耐性)也優(yōu)異，省略阻擋金屬層而與透明像素電極(透明導(dǎo)電膜)直接連接時具有低接觸電阻，可以與透明導(dǎo)電膜直接連接(直接接觸)的顯示裝置用Al合金膜。本發(fā)明包括以下的形態(tài)。[I] 一種用于顯示裝置的Al合金膜，其中，所述Al合金膜含有從Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr和Pt所構(gòu)成的X群中選擇的至少一種元素和稀土類元素的至少一種，對于所述Al合金膜進行450 600°C的加熱處理后，滿足下述(I)的要件。(I)在含有Al、從所述X群中選擇的至少一種元素和所述稀土類元素的至少一種的第一析出物中，當量圓直徑20nm以上的析出物以500000個/mm2以上的密度存在。[2]根據(jù)[I]所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜還含有Cu和Ge之中至少一個，對于所述Al合金膜進行450 600°C的加熱處理后，還滿足下述(2)的要件。
(2)在含有Al、及Cu和Ge之中至少一個、及所述稀土類元素的至少一種的第二析出物中，當量圓直徑200nm以上的析出物以10000個/mm2以上的密度存在。[3]根據(jù)[2]所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜還含有Ni和Co之中至少I個，對于所述Al合金膜進行450 600°C的加熱處理后，還滿足下述(3)的要件。(3)在含有Al、及Ni和Co之中至少I個、及Cu和Ge之中至少一個、及所述稀土類元素的至少一種的第三析出物中，當量圓直徑200nm以上的析出物以2000個/mm2以上的密度存在。[4]根據(jù)[I]所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述第一析出物的當量圓直徑為Ium以下。
[5]根據(jù)[2]或[3]所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述第二析出物的當量圓直徑為Iym以下。[6]根據(jù)[2]或[3]所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述第三析出物的當量圓直徑為3iim以下。[7]根據(jù)[I] [6]中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述X群的元素的含量為0. I 5原子％。[8]根據(jù)[I] [7]中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述稀土類元素的含量為0. I 4原子％。[9]根據(jù)[2] [8]中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Cu和Ge之中至少I個的含量為0. I 2原子％。[10]根據(jù)[3] [9]中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Ni和Co之中至少I個的含量為0. I 3原子％。[11]根據(jù)[I] [10]中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述加熱處理為 500 600 0C o[12]根據(jù)[I] [11]中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述加熱處理至少實施兩次。[13]根據(jù)[2] [12]中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜與透明導(dǎo)電膜直接連接。[14]根據(jù)[I] [13]中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜經(jīng)由含有從Mo、Ti、W和Cr所構(gòu)成的群中選擇的至少一種元素的膜而與透明導(dǎo)電膜連接。[15] 一種濺射靶，其中，含有從 Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr 和 Pt 所構(gòu)成的 X群中選擇的至少一種元素為0. I 5原子％，和稀土類元素的至少一種為0. I 4原子％，余量是Al和不可避免的雜質(zhì)。[16]根據(jù)[15]所述的濺射靶，其中，還含有Cu和Ge之中至少I個為0. I 2原子%。[17]根據(jù)[15]或[16]所述的濺射靶，其中，還含有Ni和Co之中至少I個為0. I
3原子％。[18] 一種顯示裝置，其具備[I] [14]的任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。[19] 一種液晶顯示器，其具備[I] [14]的任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。
[20] 一種有機EL顯示器，其具備[I] [14]的任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。[21] 一種場發(fā)射顯示器，其具備[I] [14]的任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。[22] 一種熒光真空管，其具備[I] [14]的任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。[23] 一種等離子體顯示器，其具備[I] [14]的任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。
[24] 一種無機EL顯示器，其具備[I] [14]的任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。本發(fā)明的第一 Al合金膜(A1-X族元素-稀土類元素合金)，由規(guī)定的合金元素和第一析出物構(gòu)成，因此曝露在大約450 600°C左右的高溫下時的耐熱性優(yōu)異，耐堿腐蝕性也良好，并且，高溫處理后的膜自身的電阻(互連電阻)也能夠抑制得很低。優(yōu)選為本發(fā)明第二 Al合金膜(A1-X族元素-稀土類元素-Cu/Ge合金)，由規(guī)定的合金元素、第一析出物和第二析出物構(gòu)成，因此顯示出更高的耐熱性。更優(yōu)選為，本發(fā)明的第三Al合金膜(A1-X族元素-稀土類元素-Ni/Co-Cu/Ge合金)由規(guī)定的合金元素和第一析出物、第二析出物以及第三析出物構(gòu)成，因此不僅能夠達成上述特性，而且也能夠成達上述高溫下的高剝離液耐性和與透明導(dǎo)電膜的低接觸電阻，因此可以與透明導(dǎo)電膜直接連接。根據(jù)本發(fā)明，特別是在將多晶硅和連續(xù)晶粒硅用于半導(dǎo)體層的薄膜晶體管基板的制造過程中，即使曝露在450 600°C左右的高溫加熱處理，甚至上述高溫加熱處理至少進行2次的嚴酷的高溫環(huán)境下時，半導(dǎo)體硅層的載流子遷移率仍然高，因此TFT的響應(yīng)速度提聞，能夠提聞節(jié)能和可以響應(yīng)聞速動畫等的聞性能的顯不裝置。


圖I 是以 600°C對于表 I 的 No. 16 (Al-0. INi-O. 5Ge-2La_0. 5Ta)的 Al 合金膜(膜厚=300nm)進行10分鐘加熱處理后的平面TEM (透射電子顯微鏡)照片(倍率30000倍)。圖2是圖I中的實線所包圍的部分的放大圖照片(倍率60000倍)。圖3是圖2中的實線所包圍的部分的放大圖照片(倍率150000倍)。圖4是圖2中的虛線所包圍的部分的放大圖照片(倍率150000倍)。圖5是表示薄膜晶體管的核心部的截面構(gòu)造的圖。圖6是表示用于Al合金膜和透明像素電極的接觸電阻的測量的Kelvin圖案(TEG圖案)的圖。圖7(a) (f)是圖3、圖4所示的析出物(圖3 :析出物I、析出物2 ;圖4 :析出物3)的EDX面分析照片。圖8是表示液晶顯示器的一例的概略剖面圖。圖9是表不有機EL顯不器的一例的概略剖面圖。圖10是表不場發(fā)射顯不器的一例的概略剖面圖。圖11是表不突光真空管的一例的概略剖面圖。圖12是表示等離子體顯示器的一例的概略剖面圖。圖13是表示無機EL顯示器的一例的概略剖面圖。
具體實施例方式本發(fā)明者們?yōu)榱颂峁┤缦嘛@示裝置用Al合金膜而反復(fù)研究即使多次曝露在大約450 600°C的高溫下，也不會產(chǎn)生小丘，高溫耐熱性優(yōu)異，且膜自身的電阻(互連電阻)也抑制得很低，另外，堿性顯影液等的耐堿腐蝕性也高的顯示裝置用Al合金膜(有稱為第
一Al合金膜的情況。)；此外，優(yōu)選為更高的高溫耐熱性優(yōu)異的顯示裝置用Al合金膜(有稱為第二 Al合金膜的情況。)；另外，更優(yōu)選為在高溫下的剝離液耐性也優(yōu)異，即使與透明導(dǎo)電膜直接連接，接觸電阻仍抑制得很低，因此可以與透明導(dǎo)電膜直接連接(直接接觸)的顯示裝置用Al合金膜(有稱為第三Al合金膜的情況。)。其結(jié)果可知，在含有從Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr和Pt所構(gòu)成的群(X群)中選擇的至少一種元素和至少一種的稀土類元素(REM)的Al合金膜(A1-X群元素-REM合金膜)中，進行450 600°C的加熱處理后，滿足下述(I)的要件的第一 Al合金膜，能夠解決上述課題(高溫處理時的高耐熱性和低電阻，還有高堿性顯影液耐性)。
(I)在含有Al、從上述X群中選擇的至少一種元素、至少一種的稀土類元素的第一析出物中，當量圓直徑20nm以上的析出物以500000個/mm2以上的密度存在。此外還可知，在含有Cu和/或Ge的Al合金膜(A1_X群元素-REM_Cu/Ge合金膜)中，進行450 600°C的加熱處理后，滿足上述(I)的要件，并且，滿足下述(2)的要件的第
二Al合金膜，顯示出更高的耐熱性。(2)在含有Al、以及Cu和/或Ge、和至少一種的稀土類元素的第二析出物中，當量圓直徑200nm以上的析出物發(fā)10000個/mm2以上的密度存在。此外還可知，在含有Ni和/或Co的Al合金膜(A1-X群元素-REM-Ni/Co_Cu/Ge合金膜)中，進行450 600°C的加熱處理后，滿足上述(I)、(2)的要件，并且，滿足下述(3)的要件的第三Al合金膜，不僅能夠解決第一 Al合金膜解決的上述課題，而且也能夠同時解決優(yōu)選的課題(高溫處理時的高剝離液耐性和與透明導(dǎo)電膜的接觸電阻)。(3)在含有Al、以及Ni和/或Co、Cu和/或Ge、和至少一種的稀土類元素的第三析出物中，當量圓直徑200nm以上的析出物以2000個/mm2以上的密度存在。上述第一 Al合金膜，在Al合金中，含有高熔點金屬的X群元素(高溫耐熱性提高元素)、稀土類元素(耐堿腐蝕性提高元素)，具有規(guī)定的第一析出物，因此高溫下的耐熱性(高溫耐熱性)和耐堿腐蝕性也高，并且，膜自身的電阻(互連電阻)優(yōu)異，因此適合作為掃描線和信號線等的配線；柵極電極、源極電極、漏極電極等的電極的材料使用。特別適合作為容易受到高溫?zé)徇^程的影響的薄膜晶體管基板的柵極電極和關(guān)聯(lián)的配線膜材料使用。
另外上述第二 Al合金膜，在Al合金中，除了含有上述的X群元素和稀土類元素之夕卜，還含有Cu和/或Ge (剝離液耐性提高元素)，具有規(guī)定的第二析出物，因此高溫下的耐熱性(高溫耐熱性)進一步提高，適合作為掃描線和信號線等的配線；柵極電極、源極電極、漏極電極等的電極的材料使用。特別適合作為容易受到高溫?zé)徇^程的影響的薄膜晶體管基板的柵極電極和關(guān)聯(lián)的配線膜材料使用。上述第三Al合金膜，在Al合金中，除了含有上述的X群元素和稀土類元素以外，還含有Ni和/或Co (與透明導(dǎo)電膜的接觸電阻降低化元素)，和Cu和/或Ge (剝離液耐性提高元素)，具有規(guī)定的第三析出物，因此適合作為不必經(jīng)由阻擋金屬層而可以與透明導(dǎo)電膜直接連接的直接接觸用的電極/配線的材料使用。在本說明書中，所謂高溫耐熱性，是至少被曝露在450 600°C左右的高溫下時而不會發(fā)生小丘的意思，優(yōu)選為在上述的高溫下至少反復(fù)曝露兩次以上時也不會發(fā)生小丘的意思。在本發(fā)明中具有的特征是，除了高溫耐熱性以外，還能夠得到對于在顯示裝置的制造過程所使用的藥液(堿性顯影液，剝離液)的高耐性(耐腐蝕性)、與透明導(dǎo)電膜的低接觸電阻、Al合金膜自身的低電阻這樣的特性，不僅在低于450°C的低溫域，而且在上述的高溫域也有效地得到發(fā)揮。還有，在TFT制造過程中被曝露在堿性環(huán)境下的，是受到熱過程之前的階段，因此在后述的實施例中，雖然對于加熱前的Al合金膜調(diào)查堿性顯影液耐性，但根據(jù)本發(fā)明，在高溫加熱處理后的Al合金膜中，也能夠得到良好的堿性顯影液耐性，這通過實驗得到確認。還有，對于堿性顯影液的耐性(堿性顯影液耐性)，有廣義上稱為耐堿腐蝕性的情況。以下，對于本發(fā)明所使用的Al合金膜詳細地說明。(第一Al合金膜)上述第一 Al合金膜，是含有從Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr和Pt所構(gòu)成群(X群)中選擇的至少一種元素、和稀土類元素(REM)的至少一種的Al-X群元素-REM合金膜。在此，上述X群的元素(X群元素)，由熔點大概1600°C以上的高熔點金屬構(gòu)成，是單獨有助于高溫下的耐熱性提高的元素。這些元素可以單獨添加，也可以兩種以上并用。上述X群元素之中優(yōu)選的是Ta、Ti，更優(yōu)選Ta。

上述X群元素的含量(單獨含有時為單獨的量，兩種以上并用時是合計量。)優(yōu)選為0. I 5原子％。X群元素的含量低于0. I原子％時，上述作用有可能得不到有效發(fā)揮。另一方面，若X群元素的含量超過5原子％，A1合金膜的電阻有可能過高，此外有可能產(chǎn)生在配線加工時容易發(fā)生殘渣等的問題。X群元素更優(yōu)選的含量為0. I原子％以上、3.0原子％以下，進一步優(yōu)選的含量為0. 3原子以上、2. 0原子以下。另外，上述稀土類元素(REM)，是通過與上述X群元素復(fù)合添加而有助于高溫耐熱性提高的元素。此外，單獨還具有在堿性環(huán)境下的耐腐蝕性作用這樣的上述X群元素所沒有的作用。在此，所謂稀土類元素，意思是在鑭系元素(在周期表中，原子序號57的La至原子序號71的Lu的合計15種元素)中，加上Sc(鈧)和Y(釔)的元素群。在本發(fā)明中，可以單獨使用上述稀土類元素，也可以兩種以上并用。稀土類元素之中優(yōu)選的是Nd、La、Gd，更優(yōu)選的是Nd、La。為了有效地發(fā)揮來自稀土類元素的上述作用，優(yōu)選稀土類元素的含量(單獨含有時為單獨的量，兩種以上并用時為合計量。)為0.1 4原子％。若稀土類元素的含量低于
0.I原子％，則耐堿腐蝕性有可能得不到有效地發(fā)揮，另一方面，若超過4原子％，則Al合金膜自身的電阻有可能過高，存在產(chǎn)生在配線加工時容易發(fā)生殘渣等問題的可能性。稀土類兀素更優(yōu)選的含量為0. 3原子％以上、3. 0原子％以下,進一步優(yōu)選的含量為0. 5原子％以上、2. 5原子以下。作為上述第一 Al合金膜，可列舉含有上述元素，余量是Al和不可避免的雜質(zhì)的Al合金膜。在此，作為上述不可避免的雜質(zhì)，例如，例示有Fe、Si、B等。不可避免的雜質(zhì)的合計量沒有特別限定，但可以含有大概0.5原子％以下的程度，各不可避免的雜質(zhì)元素，B可以含有0. 012原子％以下，F(xiàn)e、Si可以分別含有0. 12原子％以下。此外，上述第一 Al合金膜，是經(jīng)過450 600°C的高溫加熱處理，含有上述(I)所規(guī)定的既定尺寸和既定密度的第一析出物(含Al-X群元素-REM析出物)的合金膜，由此，高溫耐熱性提高，即使在高溫過程下也能夠防止小丘的發(fā)生。第一析出物，至少含有X群元素和REM即可，只要不阻礙來自該析出物的作用，也可以含有其他的元素。上述第一析出物的當量圓直徑(尺寸)為20nm以上。根據(jù)本發(fā)明者們的研究結(jié)果可知，低于20nm的析出物，盡管析出物的組成是含有Al-X群元素-REM的析出物，期望的效果仍得不到發(fā)揮。還有，為了有效地發(fā)揮高溫耐熱性提高作用，上述當量圓直徑的下限為20nm即可，其上限在與上述作用的關(guān)系中沒有特別限定，但若析出物的尺寸變大而成為巨大析出物，則存在被光學(xué)顯微鏡的檢查辨認出來的可能性，有可能招致外觀不良，因此優(yōu)選其上限為I U m。第一析出物的優(yōu)選的當量圓直徑為20nm以上、800nm以下。此外在本發(fā)明中，需要上述當量圓直徑20nm以上的析出物以500000個/mm2以上的密度存在。根據(jù)本發(fā)明者們的研究結(jié)果可知，即使第一析出物的尺寸在20nm以上，如果低于500000個/mm2，期望的效果仍得不到發(fā)揮。為了有效地發(fā)揮高溫耐熱性提高作用，上述析出物的密度以高為宜，優(yōu)選為2000000個/mm2以上。(第二Al合金膜)上述第二 Al合金膜，是除了上述的X群元素和稀土類元素(REM)以外，還含有Cu和/或Ge的Al-X群元素-REM-Cu/Ge合金膜。在此，Cu和/或Ge有助于高溫耐熱性提高，具有防止在高溫過程下的小丘發(fā)生的作用。第二 Al合金膜，至少含有上述X群元素和REM以及Cu和/或Ge即可，只要不阻礙這些添加元素的作用，也可以含有其他的元素。Cu和/或Ge可以單獨添加，也可以添加兩方。為了有效地發(fā)揮這樣的作用，優(yōu)選使Cu和/或Ge的含量(單獨時為單獨的含量，含有兩方時為合計量)為0. I 2原子％。Cu和/或Ge的含量低于0. I原子％時，有可能得不到期望的效果，有可能不能確保有助于耐熱性進一步提高的第二析出物的密度。另一方面，若Cu和/或Ge的含量超過2原子％，則電阻率有可能上升。上述元素的更優(yōu)選的含量為0. I原子以上、I. 0原子以下，進一步優(yōu)選為0. I原子以上、0. 6原子以下。此外，上述第二 Al合金膜，是通過450 600°C的高溫加熱處理，含有上述(2)所規(guī)定的既定尺寸和既定密度的第二析出物(含Al-REM-Cu/Ge析出物)的合金膜，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)高溫下的高剝離液耐性和與透明導(dǎo)電膜的低接觸電阻。第二析出物，至少含有稀土類元素、及Cu和/或Ge即可，只要不阻礙該析出物的作用，也可以含有其他的元素。上述第二析出物的當量圓直徑(尺寸)為200nm以上。根據(jù)本發(fā)明者們的研究結(jié)果可知，低于200nm的析出物，盡管析出物的組成滿足上述組成，但仍無法發(fā)揮期望的效果。還有，為了有效地發(fā)揮上述作用，上述當量圓直徑的下限為200nm即可，其上限在與上述作用的關(guān)系中沒有特別限定，但若析出物的尺寸變大而成為巨大析出物，則有通過光學(xué)顯微鏡的檢查被辨認出的可能性，招致外觀不良，因此優(yōu)選其上限為I U m。第二析出物的優(yōu)、選的當量圓直徑為200nm以上、800nm以下。此外在本發(fā)明中，需要上述當量圓直徑200nm以上的析出物以10000個/mm2以上的密度存在。根據(jù)本發(fā)明者們的研究結(jié)果可知，即使第二析出物的尺寸為200nm以上，如果低于10000個/_2，期望的效果仍無法發(fā)揮。為了有效地發(fā)揮剝離液耐性提高和與透明導(dǎo)電膜的接觸電阻降低化的兩種作用，上述析出物的密度以高為宜，優(yōu)選為25000個/mm2以上。作為上述第二 Al合金膜，可列舉含有上述元素，余量是Al和不可避免的雜質(zhì)的Al
合金膜。 在此，作為上述不可避免的雜質(zhì)，例如，可例示Fe、Si、B等。不可避免的雜質(zhì)的合計量沒有特別限定，但可以含有大概0.5原子％以下的程度，各不可避免的雜質(zhì)元素，B可以含有0.012原子％以下，F(xiàn)e、Si分別可以含有0. 12原子％以下。(第三Al合金膜)上述第三Al合金膜，是除了上述的X群元素和稀土類元素(REM)以及上述的Cu和/或Ge以外，還含有Ni和/或Co的Al-X群元素-REM-Ni/Co_Cu/Ge合金膜。在此，Ni和Co是可以與透明導(dǎo)電膜直接連接(直接接觸)的元素。這是由于，經(jīng)由在TFT的制造過程中經(jīng)受熱過程所形成的導(dǎo)電性高的含Ni和/或Co的Al系析出物，可以與透明導(dǎo)電膜電導(dǎo)通。它們可以單獨添加，也可以添加兩方。為了有效地發(fā)揮這樣的作用，優(yōu)選使Ni和/或Co的含量(單獨時為單獨的含量，含有兩方時為合計量)為0. I 3原子％。Ni和/或Co的含量低于0. I原子％時,得不到期望的效果，有可能不能確保有助于與透明導(dǎo)電膜的接觸電阻降低的第三析出物的密度。即，因為第三析出物的尺寸小，密度也減少，所以難以穩(wěn)定維持與透明導(dǎo)電膜的低接觸電阻。另一方面，若Ni和/或Co的含量超過3原子％，則在堿性環(huán)境下的耐腐蝕性有可能降低。Ni和/或Co的更優(yōu)選的含量為0. I原子％以上、I. 0原子％以下，進一步優(yōu)選為0. I原子以上、0. 6原子以下。另外，Cu和/或Ge是通過與上述的Ni和/或Co并用，可以與透明導(dǎo)電膜直接連接(直接接觸)的元素，由此，能夠確保期望的第三析出物。此外上述第三Al合金膜，是通過450 600°C的高溫加熱處理，含有上述(3)中規(guī)定的既定尺寸和既定密度的第三析出物(含Al-REM-Ni/Co-Cu/Ge析出物)的合金膜，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)在高溫下的高剝離液耐性和與透明導(dǎo)電膜的低接觸電阻。第三析出物，至少含有稀土類元素，及Ni和/或Co、及Cu和/或Ge即可，只要不阻礙該析出物的作用，也可以含有其他的元素。上述第三析出物的當量圓直徑(尺寸)為200nm以上。根據(jù)本發(fā)明者們的研究結(jié)果可知，低于200nm的析出物，盡管析出物的組成滿足上述組成，但期望的效果仍得不到發(fā)揮。還有，為了有效地發(fā)揮上述作用，上述當量圓直徑的下限為200nm即可，其上限在與上述作用的關(guān)系中沒有特別限定，但若析出物的尺寸變大而成為巨大析出物，則存在通過光學(xué)顯微鏡的檢查被辨認出來的可能性，有可能招致外觀不良，因此優(yōu)選使其上限為3 y m。第三析出物的優(yōu)選的當量圓直徑為200nm以上、2 以下。此外在本發(fā)明中，優(yōu)選上述當量圓直徑200nm以上的析出物以2000個/mm2以上的密度存在。根據(jù)本發(fā)明者們的研究結(jié)果可知，即使第三析出物的尺寸在200nm以上，如果低于2000個/mm2，則期望的效果仍得不到發(fā)揮。為了有效地發(fā)揮剝離液耐性提高和與透明導(dǎo)電膜的接觸電阻降低化這兩種作用，上述析出物的密度以高為宜，優(yōu)選為5000個/mm2以上。作為上述第三Al合金膜，可列舉含有上述元素，余量為Al和不可避免的雜質(zhì)的Al
合金膜。在此，作為上述不可避免的雜質(zhì)，例如，可例示Fe、Si、B等。不可避免的雜質(zhì)的合計量沒有特別限定，但大概可以含有0. 5原子％以下的程度，各不可避免的雜質(zhì)元素，B可以含有0. 012原子％以下，F(xiàn)e、Si可以分別含有0. 12原子％以下。以上，對于本發(fā)明的Al合金膜進行了說明。在本發(fā)明中，用于形成上述的第一 第三析出物的熱處理為450 600°C，優(yōu)選為 500 600°C。該熱處理優(yōu)選在真空或氮和/或惰性氣體氣氛中進行，處理時間優(yōu)選為I分鐘以上、60分鐘以下。根據(jù)本發(fā)明可知，即使上述的熱處理(高溫?zé)崽幚?進行兩次以上，也不會產(chǎn)生小丘等。作為這樣的高溫加熱處理所對應(yīng)的TFT制造過程，例如可列舉用于非晶硅的結(jié)晶化的激光等進行的退火；用于各種薄膜形成的CVD (化學(xué)氣相沉淀)進行的成膜；使雜質(zhì)擴散和保護膜熱固化時的熱處理爐的溫度等。特別是用于非晶硅的結(jié)晶化的熱處理，多是曝露在上述這樣的高溫下。上述Al合金的膜厚，特別為了確保高溫耐熱性和互連電阻的降低化，優(yōu)選為50nm以上，更優(yōu)選為IOOnm以上。還有，其上限從上述觀點出發(fā)沒有特限定，但若考慮配線錐形等，則優(yōu)選為Ium以下，更優(yōu)選為600nm以下。還有，也能夠使上述膜厚的上限和下限任意組合而達到上述膜厚的范圍。上述Al合金膜，優(yōu)選用于源極-漏極電極和柵極電極等的各種配線材料，特別是更優(yōu)選作為要求有高溫耐熱性的柵極電極的配線材料使用。上述Al合金膜，期望以濺射法使用濺射靶(以下稱為“靶”)來形成。這是由于，相比以離子鍍法、電子束蒸鍍法和真空蒸鍍法所形成的薄膜，其能夠更容易地形成成分和膜厚的膜面內(nèi)均勻性優(yōu)異的薄膜。另外，為了以上述濺射法形成上述Al合金膜，作為上述靶，是含有前述的元素的靶，如果使用與期望的Al合金膜相同組成的Al合金濺射靶，則不用擔(dān)心組成偏差，而是能夠形成期望的成分組成的Al合金膜。因此，在本發(fā)明中，與前述的第一、第二或第三Al合金膜相同組成的濺射靶也包含在本發(fā)明的范圍內(nèi)。詳細地說，就是作為上述靶，可列舉如下(i)含有從Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr和Pt所構(gòu)成的群(X群)中選擇的至少一種元素為0. I 5原子％，和稀土類元素的至少一種為0. I 4原子％，余量是Al和不可避免的雜質(zhì)的靶；此外，(ii)含有從Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr和Pt所構(gòu)成的群(X群)中選擇的至少一種元素為0. I 5原子和稀土類元素的至少一種為0. I 4原子還含有Cu和/或Ge為
0.I 2原子％，余量為Al和不可避免的雜質(zhì)的靶，(iii)含有從Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr和Pt所構(gòu)成的群(X群)中選擇的至少一種元素為0.1 5原子％，和稀土類元素的至少一種為0. I 4原子％，以及Cu和/或Ge為0. I 2原子％，此外還含有Ni和/或Co為0. I 3原子％，余量為Al和不可避免的雜質(zhì)的靶。
上述靶的形狀，包括對應(yīng)濺射裝置的形狀和構(gòu)造而加工成的任意形狀(矩形板狀，圓形板狀，環(huán)形板狀等)。作為上述靶的制造方法，可列舉熔融鑄造法和粉末燒結(jié)法；噴射成形法；制造由Al基合金構(gòu)成的鑄塊而得到的方法；在制造由Al基合金構(gòu)成的預(yù)成型件(得到最終的致密體前的中間體)后，通過致密化手段而使該預(yù)成型件致密化而得到的方法。本發(fā)明還包括顯示裝置，其特征是，上述Al合金膜被用于薄膜晶體管。作為其形態(tài)可列舉如下所述Al合金膜被用于薄膜晶體管的源極電極和/或漏極電極以及信號線，漏極電極與透明導(dǎo)電膜直接連接，和用于柵極電極和掃描線等。使用第一、第二 Al合金膜時，優(yōu)選經(jīng)由含有從Mo、Ti、W和Cr所構(gòu)成的群中選擇的至少一種元素的高熔點金屬膜或高熔點合金膜(阻擋金屬)而與透明導(dǎo)電膜連接。另一方面，在使用第三Al合金膜時，優(yōu)選不經(jīng)由上述的阻擋金屬，而是與透明導(dǎo)電膜直接連接。另外所述柵極電極和掃描線、所述源極電極和/或漏極電極以及信號線，作為相同組成的Al合金膜的形態(tài)被包含。用于本發(fā)明的透明像素電極沒有特別限定，例如，可列舉氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。另外，用于本發(fā)明的半導(dǎo)體層也沒有特別限定，可列舉非晶硅、多晶硅、連續(xù)晶粒硅等。在制造具備本發(fā)明的Al合金膜的顯示裝置時，能夠采用顯示裝置的一般性的工序，例如，參照前述的專利文獻I 5中所述的制造方法即可。以上，作為液晶顯示裝置，代表性地選取液晶顯示器進行說明，但上述說明的本發(fā)明的顯示裝置用Al合金膜主要能夠作為電極和配線材料用于各種液晶顯示裝置，可列舉例如圖8所例示的液晶顯示器(LDC)中的薄膜晶體管用的柵極、源極和漏極電極以及配線材料，例如圖9所例示的有機EL(OELD)中的薄膜晶體管用的柵極、源極和漏極電極以及配線材料，例如圖10所例示的場發(fā)射顯示器(FED)中的陰極和柵極電極以及配線材料，例如圖11所例示的熒光真空管(VFD)中的陽極電極和配線材料，例如圖12所例示的等離子體顯示器(PDP)中的尋址電極和配線材料，例如圖13所例示的無機EL中的背面電極等。這些液晶顯示裝置中使用本發(fā)明的顯示裝置用Al合金膜時，通過實驗已經(jīng)確認能夠取得上述規(guī)定的效果。實施例以下，列舉實施例更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不愛下述實施例限制，在能夠符合前/后述的宗旨的范圍也可以加以變更實施，這些均包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。(實施例I)將表I 7所示的各種的合金組成的Al合金膜(膜厚=300nm),通過DC磁控管濺射法(基板=玻璃基板(- 一二 > ^社制Eagle2000)，氣氛氣體=氬，壓力=2mTorr，基板溫度=250C (室溫))進行成膜。還有，在上述各種合金組成的Al合金膜的形成中，使用以真空熔煉法制作的各種組成的Al合金靶作為濺射靶。另外在實施例中使用的各種Al合金膜中的各合金元素的含量，通過ICP發(fā)光分析(電感耦合等離子體發(fā)光分析)法求得。、
對于如上述這樣成膜的Al合金膜，進行兩次450 600°C的高溫加熱處理，對于高溫加熱處理后的Al合金膜，分別以下述所示的方法，測量耐熱性、該Al合金膜自身的電阻(配抵抵抗(梯度電阻))、使該Al合金膜與透明像素電極直接連接時的接觸電阻(與ITO的接觸電阻)和剝離液耐性各特性，以及析出物的尺寸和密度。為了參考，關(guān)于耐熱性，也進行350°C的實驗。還有，關(guān)于堿性顯影液耐性，使用成膜后的Al合金膜進行實驗，不進行加熱處理。這是由于在TFT制造過程中曝露在堿性環(huán)境下的，是形成Al合金配線的光刻工序，是受到熱過程之前的階段。(I)加熱處理后的耐熱性對于成膜后的Al合金膜，在惰性氣氛氣體(N2)氣氛下，以表I 7所示的各溫度進行兩次10分鐘的加熱處理，使用光學(xué)顯微鏡(倍率500倍)觀察其表面性狀，測量小丘的密度(個/m2)。根據(jù)表8所述的判斷標準評價耐熱性，在本實施例中◎或〇為合格。
(2)加熱處理后的Al合金膜自身的互連電阻為了在成膜后的Al合金膜上形成IOy m寬的線和空間圖案，在惰性氣氛氣體(N2)氣氛下，以450°C、550°C或600°C的各溫度進行兩次10分鐘的加熱處理，以4端子法測量電阻率。根據(jù)表8所述的判斷標準評價各溫度的互連電阻，在本實施例中◎或〇為合格。(3)與透明像素電極的直接接觸電阻對于成膜后的Al合金膜，在惰性氣氛氣體(N2)氣氛下，以600°C進行兩次10分鐘的加熱處理。該Al合金膜與透明像素電極直接接觸時的接觸電阻，通過以下述條件進行透明像素電極(IT0 ;氧化銦中添加有10質(zhì)量％的氧化錫的氧化銦錫)的濺射，制作圖6所示的Kelvin圖案(接觸孔尺寸10iim大小)，進行4端子測量(在ITO-Al合金膜流通電流，以其他端子測量ITO-Al合金間的電壓下降的方法)。具體來說，就是在圖6的I1-I2間流通電流I，監(jiān)控間的電壓V，由此將接點部C的直接接觸電阻R作為[R = (V2-V1VI2]而求得。根據(jù)表8所述的判斷標準評價與ITO的直接接觸電阻(與ITO的接觸電阻)，在本實施例中◎或〇為合格。(透明像素電極的成膜條件)氣氛氣體=氬壓力=0.8mTorr基板溫度=25 °C (室溫)(4)堿性顯影液耐性(顯影液蝕刻速率的測量)對于成膜在基板上的Al合金膜實施掩膜后，在顯影和液(含有TMAH2. 38質(zhì)量％的水溶液)中以25°C浸潰5分鐘，使用觸診式高差計測量其蝕刻量。根據(jù)表8所述的判斷標準評價堿性顯影液耐性，在本實施例中◎或〇為合格。(5)剝離液耐性模擬光致抗蝕劑剝離液的清洗工序，利用混合有胺系光致抗蝕劑和水的堿性水溶液進行腐蝕實驗。詳細地說，就是對于成膜后的Al合金膜，在惰性氣體氣氛(N2)中，以600°C進行兩次20分鐘的加熱處理后，使之浸潰在各pH分別調(diào)整為pH10. 5和9. 5的東京應(yīng)化工業(yè)(株)制的胺系抗蝕劑剝離液“T0K106”水溶液中(液溫25°C)。具體來說，首先，在pH10. 5的溶液中浸潰I分鐘后，連續(xù)在pH9. 5的溶液中浸潰5分鐘。然后，調(diào)查在浸潰后的膜表面所看到的凹坑狀的腐蝕(點腐蝕)痕(當量圓直徑為150nm以上的)的個數(shù)(觀察倍率為1000倍)。根據(jù)表8所述的判斷標準評價剝離液耐性，在本實施例中◎或〇為合格。(6)析出物的測量對于成膜后的Al合金膜，在惰性氣體氣氛(N2)中，以550°C或600°C進行兩次10分鐘的加熱處理，以平面TEM(透射電子顯微鏡，倍率30萬倍)觀察析出的析出物。析出物的尺寸(當量圓直徑)和密度(個/mm2)使用掃描電子顯微鏡的反射電子像求得。具體來說，就是測量I個視野(mm2)內(nèi)所觀察到的析出物的當量圓直徑和個數(shù)，求3個視野的平均值。析出物所含的元素通過TEM-EDX分析進行判斷。然后根據(jù)表8所述的判斷標準對于各析出物的尺寸和密度進行分類。在析出物中，尺寸滿足◎、〇或A，并且，密度滿足◎或〇的，滿足本發(fā)明的要件。這些結(jié)果一并記錄在表I 7中。
表II-1I-1
0O
—L__L
CJlCJl
COOO
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置用Al合金膜，是用于顯示裝置的Al合金膜，其中， 所述Al合金膜含有從由Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr和Pt所構(gòu)成的X群中選擇的至少一種元素和至少一種的稀土類元素， 在對所述Al合金膜進行450 600°C的加熱處理后，滿足下述(I)的要件， (1)在含有Al、從所述X群中選擇的至少一種元素和所述至少一種的稀土類元素的第一析出物中，當量圓直徑為20nm以上的析出物以500000個/mm2以上的密度存在。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜中還含有Cu和Ge之中的至少一種元素，在對所述Al合金膜進行450 600°C的加熱處理后，還滿足下述(2)的要件， (2)在含有Al、以及Cu和Ge之中的至少一種元素和所述至少一種的稀土類元素的第二析出物中，當量圓直徑為200nm以上的析出物以10000個/mm2以上的密度存在。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜中還含有Ni和Co之中的至少一種元素，在對所述Al合金膜進行450 600°C的加熱處理后，還滿足下述(3)的要件， (3)在含有Al、以及Ni和Co之中的至少一種元素、Cu和Ge之中的至少一種元素和至少一種的所述稀土類元素的第三析出物中，當量圓直徑為200nm以上的析出物以2000個/mm2以上的密度存在。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述第一析出物的當量圓直徑為I y m以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述第二析出物的當量圓直徑為I y m以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述第三析出物的當量圓直徑為3 u m以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述第三析出物的當量圓直徑為3 u m以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述X群元素的含量為0.I 5原子。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述稀土類元素的含量為·0. I 4原子％。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Cu和Ge之中的至少一種兀素的含量為0. I 2原子％。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Ni和Co之中的至少一種兀素的含量為0. I 3原子％。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述加熱處理為500 600°C。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述加熱處理為500 600°C。
14.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述加熱處理為500 600°C。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述加熱處理至少實施兩次。
16.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述加熱處理至少實施兩次。
17.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述加熱處理至少實施兩次。
18.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜與透明導(dǎo)電膜直接連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜與透明導(dǎo)電膜直接連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜經(jīng)由含有從由Mo、Ti、W和Cr所構(gòu)成的群中選擇的至少一種元素的膜與透明導(dǎo)電膜連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜經(jīng)由含有從由Mo、Ti、W和Cr所構(gòu)成的群中選擇的至少一種元素的膜與透明導(dǎo)電膜連接。
22.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置用Al合金膜，其中，所述Al合金膜經(jīng)由含有從由Mo、Ti、W和Cr所構(gòu)成的群中選擇的至少一種元素的膜與透明導(dǎo)電膜連接。
23.一種濺射靶，其中，含有0. I 5原子％的從由Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf、Ti、Cr和Pt所構(gòu)成的X群中選擇的至少一種元素和0. I 4原子％的至少一種的稀土類元素，余量是Al和不可避免的雜質(zhì)。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的濺射靶，其中，還含有0.I 2原子％的Cu和Ge之中的至少一種元素。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的濺射靶，其中，還含有0.I 3原子％的Ni和Co之中的至少一種元素。
26.—種顯示裝置，其具有權(quán)利要求I 22中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。
27.一種液晶顯示器，其具有權(quán)利要求I 22中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。
28.一種有機EL顯示器，其具有權(quán)利要求I 22中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。
29.一種場發(fā)射顯示器，其具有權(quán)利要求I 22中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。
30.一種熒光真空管，其具有權(quán)利要求I 22中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。
31.一種等離子體顯示器，其具有權(quán)利要求I 22中任一項所述的顯示裝置用Al合金 膜。
32.一種無機EL顯示器，其具有權(quán)利要求I 22中任一項所述的顯示裝置用Al合金膜。
全文摘要
提供一種顯示裝置用Al合金膜，其即使曝露在450～600℃左右的高溫下也不會發(fā)生小丘，高溫耐熱性優(yōu)異，膜自身的電阻(互連電阻)也低，堿性環(huán)境下的耐腐蝕性也優(yōu)異。一種顯示裝置用Al合金膜，其含有從Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf和Ti所構(gòu)成的X群中選擇的至少一種元素、和稀土類元素的至少一種，進行450～600℃的加熱處理時，滿足下述(1)的要件。(1)在含有Al、從X群中選擇的至少一種元素、稀土類元素的至少一種的第一析出物中，當量圓直徑20nm以上的析出物以500000個/mm2以上的密度存在。
文檔編號C23C14/14GK102741449SQ20118000836
公開日2012年10月17日 申請日期2011年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月16日
發(fā)明者后藤裕史, 奧野博行, 釘宮敏洋 申請人:株式會社神戶制鋼所