專利名稱：一種用于直流等離子噴射法金剛石厚膜制造的鉬基體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種用于直流等離子噴射法金剛石厚膜制造的鉬基體技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種用于直流等離子噴射法金剛石厚膜制造的鉬基體，屬于金剛石厚膜生產(chǎn)用設(shè)備領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，金剛石厚膜生長(zhǎng)過(guò)程中，需要在生長(zhǎng)設(shè)備中放置承載金剛石厚膜的鉬基體，目前使用的鉬基體一般都采用圓柱形，如圖1所示，在基體底部設(shè)置有冷卻液通道，鉬基體頂部金剛石厚膜生長(zhǎng)區(qū)域的高溫通過(guò)圓柱體將熱量傳給冷卻液而散熱。由于圓柱形固有的形狀使得冷卻液與鉬基體接觸面積小，難以向上充分冷卻金剛石厚膜，即使冷卻液從該通道快速流過(guò)，也很難起到及時(shí)冷卻金剛石厚膜生長(zhǎng)區(qū)域的作用。實(shí)用新型內(nèi)容[0003]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足之處，本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于直流等離子噴射法金剛石厚膜制造的鉬基體，改進(jìn)后的鉬基體不僅能穩(wěn)定承載金剛石厚膜的生長(zhǎng)，還能起到良好的冷卻作用。[0004]本實(shí)用新型的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)[0005]一種用于直流等離子噴射法金剛石厚膜制造的鉬基體，基體外觀呈圓臺(tái)形，下頂面面積大于上頂面面積，圓臺(tái)形底部設(shè)置有冷卻液通道。[0006]本實(shí)用新型的鉬基體采用圓臺(tái)形取代現(xiàn)有的圓柱形，冷卻液與鉬基體接觸面積增加，大大提高了冷卻效果；同時(shí)，不僅解決了圓柱形鉬基體冷卻不充分的技術(shù)問(wèn)題，而且圓臺(tái)形自身的形狀保證了鉬基體的穩(wěn)定性，由此可以確保金剛石厚膜生長(zhǎng)過(guò)程的穩(wěn)定性。


[0007]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中采用的鉬基體外觀圖。[0008]圖2是本實(shí)用新型采用的鉬基體剖面圖。
具體實(shí)施方式
[0009]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。[0010]如圖2所示，用于直流等離子噴射法金剛石厚膜制造的鉬基體，基體外觀呈圓臺(tái)形，且圓臺(tái)底部設(shè)置有冷卻液通道。[0011]由于圓臺(tái)底部比頂部寬，冷卻液從底部通道流過(guò)時(shí)，冷卻液與鉬基體接觸面積增加，大大提高了冷卻效果；能對(duì)上部空間進(jìn)行充分冷卻，有利于金剛石厚膜的生長(zhǎng)。且圓臺(tái)形狀本身結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定，在金剛石厚膜生長(zhǎng)過(guò)程中不會(huì)發(fā)生晃動(dòng)，保證了金剛石厚膜的生長(zhǎng)質(zhì)量。[0012]上面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但是本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式，在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本實(shí)用新型宗旨的前提下作出各種變化。
權(quán)利要求1. 一種用于直流等離子噴射法金剛石厚膜制造的鉬基體，其特征在于基體外觀呈圓臺(tái)形，下頂面面積大于上頂面面積，且圓臺(tái)底部設(shè)置有冷卻液通道。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于直流等離子噴射法金剛石厚膜制造的鉬基體，基體外觀呈圓臺(tái)形，且圓臺(tái)底部設(shè)置有冷卻液通道。采用該技術(shù)方案后，不僅解決了圓柱形鉬基體冷卻不充分的技術(shù)問(wèn)題，而且圓臺(tái)形自身的形狀保證了鉬基體的穩(wěn)定性，由此可以確保金剛石厚膜生長(zhǎng)過(guò)程的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)C23C16/27GK202246848SQ20112034509
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月15日
發(fā)明者李建林, 鄒澤宏 申請(qǐng)人:河南飛孟金剛石工業(yè)有限公司