專利名稱：一種用于化學氣相沉積工藝的反應器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及半導體制程設備，尤其是用于在諸如晶片之類的襯底上生長外延層的裝置，具體地涉及一種用于化學氣相沉積工藝的反應器。
背景技術(shù)：
在半導體設備的制造過程中，通常需要使用一定的工藝程序來在固體襯底上形成薄膜層。沉積了薄膜層的襯底廣泛使用于微處理器、光電器件、通訊設備以及其他的一些裝置。用于在固體襯底上沉積薄膜層的工藝對于半導體工業(yè)尤為重要。例如在高溫下將氮化鎵(GaN)沉積到藍寶石基片上，在沉積之后對涂層晶片進行眾所周知的進一步加工，以形成半導體器件，例如激光器、晶體管、發(fā)光二極管(LED)以及多種其他器件。例如，在發(fā)光二極管的制造中，沉積在晶片上的膜薄層形成了二極管的有源元件。在典型的化學汽相沉積過程中，通常，晶片的襯底在CVD反應器內(nèi)被暴露在氣體中。在晶片被加熱并通常被旋轉(zhuǎn)的同時，由氣體運載的反應化學物以受控數(shù)量和受控速率被引到晶片上。通過將反應化學物放置在稱為發(fā)泡器的裝置中，然后使載帶氣體通過該發(fā)泡器，通常被稱為前驅(qū)物的反應化學物被引入CVD反應器。載帶氣體獲得前驅(qū)物分子以提供反應氣體，該反應氣體然后被輸入CVD反應器的反應腔。前驅(qū)物通常由無機成分和有機成分組成，該無機成分隨后在基片(例如Si、Y、Nb、A1203等等)表面形成外延層。通常， 有機成分被用來使前驅(qū)物能夠在發(fā)泡器中揮發(fā)。有機成分在加熱至足夠高的溫度時容易分解。當反應氣體到達加熱了的晶片附近時，有機成分分解，在晶片表面以晶體外延層的形式沉積無機成分材料層。CVD反應器有各種各樣的設計，包括水平式反應器，該反應器中，晶片被安裝成與流入的反應氣體成一定角度；行星式旋轉(zhuǎn)的水平式反應器，該反應器中，反應氣體通過晶片；桶式反應器；以及垂直式反應器，該反應器中，當反應氣體向下注入到晶片上時，晶片在反應腔里以相對較高的速度進行旋轉(zhuǎn)。高速旋轉(zhuǎn)的垂直式反應器為商業(yè)上最重要的CVD 反應器之一。例如，發(fā)明名稱為“通過化學汽相沉積在晶片上生長外延層的無基座式反應器”的中國發(fā)明專利(中國專利號01822507. 1)提出了一種無基座式反應器，其包括反應腔、可旋轉(zhuǎn)主軸、用于加熱晶片的加熱裝置以及用來支撐品片和在沉積位置和裝載位置之間傳送晶片的晶片托架。其中，在裝載位置，晶片托架和可旋轉(zhuǎn)主軸分離，晶片可以被放置在晶片托架上用于隨后傳送到沉積位置。裝載位置可以位于反應腔之內(nèi)或者反應腔之外。裝載位置位于反應腔之外更為適宜?？梢杂幸粋€或多個這樣的裝載位置。并且在沉積位置，晶片托架被可分離地安裝在反應腔內(nèi)可旋轉(zhuǎn)的主軸上，使放置在晶片托架上的晶片能夠進行化學汽相沉積。在沉積位置，晶片托架與主軸直接接觸更為適宜。同樣，在沉積位置時，晶片托架被居中地安裝在主軸上并且僅僅由主軸支撐更為適宜。極為可取的是，晶片托架通過摩擦力保持在主軸上，意味著在沉積位置不存在獨立的、用來將晶片托架保持在主軸上的保持裝置。然而，本發(fā)明的設備也可以在沉積位置包括獨立的、用來保持晶片托架的保持裝置。該獨立的保持裝置可以與可旋轉(zhuǎn)主軸整體成形，或者與主軸和晶片托架均分開。通過上述發(fā)明專利，實際上已經(jīng)解決了在CVD反應器中永久性安裝基座的技術(shù)問題。同時，在上述發(fā)明專利中，申請人認為其一定程度上解決了熱損耗問題，但在實踐中卻發(fā)現(xiàn)上述發(fā)明專利尚未有效解決熱損耗問題。簡單地講，在現(xiàn)有技術(shù)中，在CVD反應器中的加熱均勻性、能量效率以及加熱絲的壽命等問題仍然急需解決，這最終取決于加熱效率問題。

實用新型內(nèi)容針對現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實用新型的目的是提供一種用于化學氣相沉積工藝的反應器。根據(jù)本實用新型的一個方面，提供一種用于化學氣相沉積工藝的反應器，其包括 一反應腔；具有設置在所述反應腔內(nèi)的一頂端的一可旋轉(zhuǎn)主軸；用于傳送所述一個或多個晶片和對所述一個或多個晶片提供支撐的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分離地安裝在所述主軸的所述頂端上，傳送所述晶片托架以裝載或卸載所述一個或多個晶片；以及設置在所述晶片托架之下用于加熱所述晶片托架的輻射加熱元件，其用于發(fā)射輻射加熱射線；其特征在于，所述晶片托架的下表面設置有一系列反射部，所述反射部可以對輻射加熱射線進行多次反射。根據(jù)本實用新型的另一個方面，還提供一種用于化學氣相沉積工藝的反應器，其包括一反應腔；具有設置在所述反應腔內(nèi)的一頂端的一可旋轉(zhuǎn)主軸；用于傳送所述一個或多個晶片和對所述一個或多個晶片提供支撐的一晶片托架，設置在所述晶片托架之下用于加熱所述晶片托架的輻射加熱元件，其用于發(fā)射輻射加熱射線；其特征在于，還包括一安裝在所述旋轉(zhuǎn)主軸的頂端的支撐盤，所述晶片托架安裝在所述支撐盤上，所述支撐盤對應地被置于所述輻射加熱元件的上方，其特征還在于，所述支撐盤的下表面設置有一系列反射部，所述反射部可以對輻射加熱射線進行多次反射。優(yōu)選地，上述用于化學氣相沉積工藝的反應器中，至少兩個反射部的形狀不相同。優(yōu)選地，所述至少一個反射部為槽或溝或波浪形的輪廓。優(yōu)選地，所述槽或溝或波浪形的輪廓的寬度大于所述輻射加熱射線的一個波長。優(yōu)選地，所述反射部為一個針對所述輻射加熱射線的開口，且該開口的寬度大于所述輻射加熱射線的一個波長、該開口的高寬比大于1。優(yōu)選地，所述開口的寬度優(yōu)選地為所述輻射加熱射線的波長的5 100倍，所述開口的高寬比優(yōu)選地為4 10。優(yōu)選地，所述每個反射部之間的距離均相等。優(yōu)選地，所述支撐盤可分離地安裝在所述主軸頂端。優(yōu)選地，所述晶片托架邊緣區(qū)域的反射部相對中心區(qū)域的反射部具有更高密度的所述槽或溝或波浪形的輪廓。優(yōu)選地，所述支撐盤邊緣區(qū)域的反射部相對中心區(qū)域的反射部具有更高密度的所述槽或溝或波浪形的輪廓。本實用新型通過在晶片托架下方增加一系列反射部，使得輻射源發(fā)出的射線被一次反射或多次反射，從而有效地利用了熱能，同時還可以明顯改善輻射加熱的均勻性。這相比現(xiàn)有技術(shù)而言，均做出了本質(zhì)的貢獻，使得本實用新型提供的反應器具有降低能耗、加熱均勻的特性。

通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本實用新型的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于化學氣相沉積工藝反應器的示意圖；圖2示出根據(jù)本實用新型的一個優(yōu)選實施例的，用于化學氣相沉積工藝反應器的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，在所述基片托架的下表面設置有多個反射部；圖3示出了根據(jù)本實用新型的另一個優(yōu)選實施例的，用于化學氣相沉積工藝反應器的結(jié)構(gòu)示意圖，其中，所述基片托架的下方設置有一個輻射加熱增強裝置，該裝置的下表面設置有多個反射部；圖4示出根據(jù)本實用新型的第一實施例的，所述反射部的縱截面示意圖；圖5示出根據(jù)本實用新型的第二實施例的，所述反射部的縱截面示意圖；圖6示出根據(jù)本實用新型的第三實施例的，所述反射部的縱截面示意圖；圖7示出根據(jù)本實用新型的第四實施例的，所述反射部的縱截面示意圖；圖8示出根據(jù)本實用新型的第五實施例的，所述反射部的縱截面示意圖；圖9示出根據(jù)本實用新型的第六實施例的，所述反射部的縱截面示意圖；圖10示出根據(jù)本實用新型的第七實施例的，所述反射部的縱截面示意圖；圖11示出根據(jù)本實用新型的第八實施例的，所述反射部的縱截面示意圖；圖12示出根據(jù)本實用新型的第九實施例的，所述反射部的縱截面示意圖；圖13示出根據(jù)本實用新型的第十實施例的，所述反射部的縱截面示意圖；以及圖14示出根據(jù)本實用新型一個實施例的，所述輻射加熱射線在如圖13所示反射部內(nèi)被反射的路線示意圖。
具體實施方式
圖1示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的用于化學氣相沉積工藝反應器的示意圖，具體地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，該現(xiàn)有技術(shù)主要參考發(fā)明名稱為“通過化學汽相沉積在晶片上生長外延層的無基座式反應器”的中國發(fā)明專利(中國專利號01822507. 1)。具體地，該反應器包括反應腔100、晶片托架110、可旋轉(zhuǎn)主軸120和加熱裝置170。晶片托架110在裝載位置L 和沉積位置D之間進行遷移。在位置L，晶片托架110與主軸120分離。在位置D，晶片托架110被安裝在可旋轉(zhuǎn)主軸120上。更為適宜的是，晶片托架110被安裝在主軸120的頂端180上。其中，晶片托架110被直接安裝在主軸120上，也就是在位置D，在晶片托架110 和主軸120之間形成直接的接觸。本發(fā)明不排除中間元件可以存在于主軸120和晶片托架 110之間的可能性，例如使晶片托架110便于保持在主軸120上的元件，例如圓環(huán)、固定器等等，只要這些中間元件在反應器操作的正常過程中不妨礙晶片托架從位置D移開或者分離。而在位置L，晶片130在晶片托架110和晶片130遷移到反應腔100之前被裝載在晶片托架110上。裝載位置L可以位于反應腔110之內(nèi)或者之外。雖然只有一個位置L示于圖 1中，但實際上可以有一個或多個這樣的位置。[0036]圖2示出根據(jù)本實用新型的一個優(yōu)選實施例的，用于化學氣相沉積工藝反應器的結(jié)構(gòu)示意圖。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，優(yōu)選地，圖1以及圖2所示反應器可以被理解為一種無基座反應器，而下面所描述的圖3所示反應器可以被理解為一種有基座反應器。在本實施例中，在所述基片托架的下表面設置有多個反射部，其中標號3所示部位標識出所述反射部的一部分。進一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，這些反射部分用于將輻射加熱射線進行一次或多次反射，例如當所述輻射加熱射線從圖1所示輻射加熱元件170向上射到所述基片托架111的下表面時，由于在該下表面上設置有多個反射部，這些反射部上的多個溝槽或開口多次反射所述輻射加熱射線使得輻射加熱效率大大提高。具體地，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以參考下述圖4 圖13所示結(jié)構(gòu)對所述反射部予以理解，在此不予贅述。圖3示出了根據(jù)本實用新型的另一個優(yōu)選實施例的，用于化學氣相沉積工藝反應器的結(jié)構(gòu)示意圖。同樣地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，其中，所述基片托架的下方設置有一個支撐盤^b。具體地，參考圖3所示實施例可以看出，所述支撐盤28b被置于所述晶片托架 111之下并與所述晶片托架111緊密接觸，其接觸面優(yōu)選地為si。相應地，所述輻射加熱增強裝置對應地被置于所述輻射加熱元件170的上方。進一步地，參考上述圖2所示實施例， 本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述支撐盤^b的下表面設置有多個反射部，其中標號3'所示部位標識出所述反射部的一部分，且該反射部的作用與結(jié)構(gòu)與圖2所示反射部的作用與結(jié)構(gòu)相同，在此不予贅述。進一步地，參考上述圖2以及圖3，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，盡管在圖2的基片托架 111的下表面以及圖3的所述支撐盤28b的下表面僅僅表示出部分區(qū)域具有反射部，但優(yōu)選地在上述兩個下表面分布多個反射部。優(yōu)選地，這些反射部具有相同的結(jié)構(gòu)，而在一些變化例中，其中至少一個反射部可以具有不同的結(jié)構(gòu)，例如下述圖4 圖13中任一種結(jié)構(gòu)所示。 優(yōu)選地，這些反射部之間的間距是相等的，例如下述圖4 圖13中任一種結(jié)構(gòu)所示；而在一個變化例中，所述間距也可以不相等，在此不予贅述。不同區(qū)域具有不同的反射部可以補償因基片托架結(jié)構(gòu)或輻射發(fā)熱源不均勻產(chǎn)生的偏差，使得最終的化學氣相沉積效果均一。比如在基片托架111邊緣區(qū)域溫度相對中心區(qū)域偏低，則在一個實施例中可以優(yōu)選地只在熱輻射線接收面的邊緣區(qū)域添加本實用新型的反射部，開挖一些溝、槽或波浪狀輪廓；或者也可以在另一個實施例中優(yōu)選地在邊緣區(qū)域設置具有高密度的溝、槽或波浪狀輪廓，在中心區(qū)域設置具有較低密度的溝、槽或波浪狀輪廓。進一步地，圖4示出根據(jù)本實用新型的第一實施例的，所述反射部的縱截面示意圖。優(yōu)選地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，所述圖2所示實施例以及圖3所示實施例的反射部均可以采用圖4以及下述圖5 圖13所示實施例以及其他實施例、變化例的結(jié)構(gòu)。具體地，在本實施例中，所述反射部優(yōu)選地為矩形槽40，或者優(yōu)選地為圓柱形槽， 或者稱之為矩形溝等等。在本實施例中，為了描述清楚，僅僅畫出了 4個矩形槽，每兩個矩形槽之間由例如實心部分(虛線所指代的部位，下同)的間隔41所分割，即在圖4中在這4 個矩形槽40之間，一共包括3個間隔41。進一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，這些反射部位于圖2所示基片托架的下表面或圖3所示支撐盤^b的下表面，且優(yōu)選地存在多個這樣的反射部，即在圖4所示實施例的基礎(chǔ)上，所述矩形槽40存在多個，從而構(gòu)成一系列的反射部， 在此不予贅述。 進一步地，在圖4所示實施例中，優(yōu)選地，所述矩形槽40的寬度表示為M1，高度(或稱之為“深度”，下同)表示為氏。優(yōu)選地，所述基片托架111的下表面或者所述支撐盤^b 的下表面均包括多個反射部，兩個反射部之間的距離表示為Dp進一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，優(yōu)選地，在本實施例中，優(yōu)選地，任兩個反射部之間的距離D1都是相等的，如圖4所示。而在一個變化例中，至少一個距離D1與其他反射部之間的距離是不等的，例如該距離D1為其他反射部之間距離的0. 5，又例如圖13所述不同間距的組合。具體地，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)具體實施要求而確定各反射部之間的距離， 在此不予贅述。類似地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，下述圖5至圖13所示實施例所示的各反射部之間的距離也可以參考這樣的描述，不再重復表述。圖5示出根據(jù)本實用新型的第二實施例的，所述反射部的縱截面示意圖。本實施例是與圖4所示實施例類似的一個實施例。具體地，在本實施例中，所述反射部優(yōu)選地為半圓錐形槽，即一個圓錐被截掉了錐頂部分。從縱截面圖來看，每個反射部呈梯形狀，該梯形的上邊寬度未標號、下邊寬度表示為M6,該梯形的高度(深度)表示為H6，在此不予贅述。圖6示出根據(jù)本實用新型的第三實施例的，所述反射部的縱截面示意圖。本實施例是與圖4所示實施例類似的一個實施例。具體地，在本實施例中，所述反射部優(yōu)選地為圓錐形槽。從縱截面圖來看，每個反射部呈三角形狀，該三角形的寬度表示為M4，高度(深度) 表示為H4，兩個反射部之間的距離表示為D4。在此不予贅述。圖7示出根據(jù)本實用新型的第四實施例的，所述反射部的縱截面示意圖。本實施例是與圖5所示實施例類似的一個實施例。具體地，在本實施例中，所述反射部優(yōu)選地為半圓錐形槽，即一個圓錐被截掉了錐頂部分。從縱截面圖來看，每個反射部呈梯形狀，該梯形的上邊寬度未標號、下邊寬度表示為M5,該梯形的高度(深度)表示為H5。與圖5所示實施例不同的，本實施例中兩個反射部之間存在距離，該距離表示為D5。在此不予贅述。圖8示出根據(jù)本實用新型的第五實施例的，所述反射部的縱截面示意圖。本實施例是與圖6所示實施例類似的一個實施例。具體地，在本實施例中，所述反射部優(yōu)選地為圓錐形槽。從縱截面圖來看，每個反射部呈三角形狀，該三角形的寬度表示為Mltl，高度(深度) 表示為Hltl，在此不予贅述。與圖6所示實施例不同的是，任兩個反射部之間為緊密連接的， 不存在距離。圖9示出根據(jù)本實用新型的第六實施例的，所述反射部的縱截面示意圖。具體地， 在本實施例中，所述反射部優(yōu)選地為穹頂狀槽。從縱截面圖來看，每個反射部呈一弧頂狀， 或者稱之為準梯形狀，該弧頂?shù)牡走厡挾缺硎緸镸2，高度(深度)表示為H2，在此不予贅述。 本實施例中兩個反射部之間存在距離，該距離表示為D2。進一步地，圖10示出根據(jù)本實用新型的第七實施例的，所述反射部的縱截面示意圖。與圖9所示實施例相類似，在本實施例中，所述反射部優(yōu)選地仍然為穹頂狀槽，但其高度較圖9所示穹頂狀槽的高度低，其高度(深度)表示為H3，該弧頂?shù)牡走厡挾缺硎緸镸3, 在此不予贅述。類似地，在本實施例中兩個反射部之間存在距離，該距離表示為D3。進一步地，圖11示出根據(jù)本實用新型的第八實施例的，所述反射部的縱截面示意圖。在本實施例可以作為圖10所示實施例的一個變化例，所述反射部優(yōu)選地仍然為穹頂狀槽，其高度(深度)表示為H9，該弧頂?shù)牡走厡挾缺硎緸镸9。與圖10所示實施例不同的是， 任兩個反射部之間為緊密連接的，不存在距離。進一步地，圖12示出根據(jù)本實用新型的第九實施例的，所述反射部的縱截面示意圖。在本實施例可以作為圖9所示實施例的一個變化例，所述反射部優(yōu)選地仍然為穹頂狀槽。從縱截面圖來看，每個反射部呈一弧頂狀，該弧頂可以被理解為由兩部分組成，下部為一個矩形，該矩形的高度表示為H8，該弧頂?shù)纳喜繛橐粋€圓弧，圓弧的高度表示為H11,該弧頂?shù)牡走厡挾缺硎緸镸8，在此不予贅述。本實施例中兩個反射部之間存在距離，該距離表示為D8O進一步地，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，在圖12所示實施例中，所述該弧頂?shù)纳喜靠梢允且粋€半圓，也可以是一個橢圓狀，這并不影響本實用新型的實質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。圖13示出根據(jù)本實用新型的第十實施例的，所述反射部的縱截面示意圖。本實施例是與圖5、圖7所示實施例類似的一個實施例。具體地，在本實施例中，所述反射部優(yōu)選地為半圓錐形槽，即一個圓錐被截掉了錐頂部分。從縱截面圖來看，每個反射部呈梯形狀，該梯形的上邊寬度未標號、下邊寬度表示為M7,該梯形的高度(深度)表示為H7。與圖5、圖7 所示實施例不同的，本實施例中部分反射部之間存在距離，該距離表示為D7,部分反射部直接不存在距離。在此不予贅述。進一步地，參考上述圖4至圖12，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，在上述實施例的一個變化例中，所述部分反射部之間可以存在距離，而部分反射部直接不存在距離，例如圖13所示的發(fā)射部直接的間距，在此不予贅述。進一步地，參考上述圖4至圖13所示實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，在這些實施例的變化例中，所述反射部的內(nèi)部還可以用于吸收輻射加熱射線的裝置。例如，在圖5所示半圓錐形槽內(nèi)設置了輻射加熱射線吸附涂層(圖5中未示出)或其他材料，用于吸收這些射線，使得所述射線的反射率發(fā)生變化，從而產(chǎn)生不同的加熱特性，例如使得加熱效果更加均勻。進一步地，在上述實施例的另一個變化例中，所述反射部的內(nèi)部還可以是不平坦的，例如包括一些微小的槽或溝或波浪狀的輪廓(上述圖中均未示出)，從而可以對射入所述反射部內(nèi)部的輻射加熱射線予以不規(guī)則的反射，從而與圖14所示實施例產(chǎn)生不同的反射效果，在此不予贅述。更進一步地，在上述圖4至圖13所示實施例的變化例中，所述反射部由不同材料構(gòu)成的不同層組成，例如，反射部的上部由第一材料層組成，所述發(fā)射部的下部由第二材料層組成。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，優(yōu)選地，所述不同層采用不同的材料，例如圖2所示實施例中所述基片托架111由不同材料構(gòu)成的不同層組成。在這樣的情況下，由于反射部的內(nèi)部的材料不同，所以其對于所射入其表面的輻射加熱射線予以不同方式的反射，在此不予贅述。參考上述圖4 圖13，本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，上述所有反射部的寬度(例如圖4所示禮)大于所述輻射加熱射線的波長，例如優(yōu)選地為該波長的5 100倍。圖14示出根據(jù)本實用新型的一個實施例的，所述輻射加熱射線在如圖13所示反射部內(nèi)被反射的路線示意圖。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，當所述輻射加熱射線射入到不同形狀的反射部后，會產(chǎn)生不同的反射路線，從而導致加熱效果的不同。例如，在本實施例中，所述輻射加熱射線L1射入所述反射部，首先經(jīng)過所述反射部的右側(cè)內(nèi)壁反射至所述反射部的左側(cè)內(nèi)壁，然后再反射至所述反射部的頂部，再次反射到所述反射部的右側(cè)內(nèi)壁，然后再反射至所述反射部的左側(cè)內(nèi)壁后反射出所述反射部，表示為射線L2。該輻射加熱射線在所述反射部內(nèi)一共經(jīng)歷了 5次反射。相應地，當所述輻射加熱射線射到實心部分時，則優(yōu)選地被反射一次，例如射入射線表示為L3，被反射的射線表示為L4。本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，由于射入所述反射部的射線與射至上述虛線所示的實心部分的射線被以不同方式反射，從而可以明顯改善輻射加熱的均勻性，在此不予贅述。 以上對本實用新型的具體實施例進行了描述。需要理解的是，本實用新型并不局限于上述特定實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在權(quán)利要求的范圍內(nèi)做出各種變形或修改， 這并不影響本實用新型的實質(zhì)內(nèi)容。
權(quán)利要求1.一種用于化學氣相沉積工藝的反應器，其包括一反應腔；具有設置在所述反應腔內(nèi)的一頂端的一可旋轉(zhuǎn)主軸；用于傳送所述一個或多個晶片和對所述一個或多個晶片提供支撐的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分離地安裝在所述主軸的所述頂端上，傳送所述晶片托架以裝載或卸載所述一個或多個晶片；以及設置在所述晶片托架之下用于加熱所述晶片托架的輻射加熱元件，其用于發(fā)射輻射加熱射線；其特征在于，所述晶片托架的下表面設置有一系列反射部，所述反射部可以對輻射加熱射線進行多次反射。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應器，其特征在于，所述至少兩個反射部的形狀不相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反應器，其特征在于，所述至少一個反射部為槽或溝或波浪形的輪廓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應器，其特征在于，所述槽或溝或波浪形的輪廓的寬度大于所述輻射加熱射線的一個波長。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應器，其特征在于，所述反射部為一個針對所述輻射加熱射線的開口，且該開口的寬度大于所述輻射加熱射線的一個波長、該開口的高寬比大于1。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的反應器，其特征在于，所述開口的寬度優(yōu)選地為所述輻射加熱射線的波長的5 100倍，所述開口的高寬比優(yōu)選地為4 10。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、5或6所述的反應器，其特征在于，所述每個反射部之間的距離均相等。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應器，其特征在于，所述晶片托架邊緣區(qū)域的反射部相對中心區(qū)域的反射部具有更高密度的所述槽或溝或波浪形的輪廓。
9.一種用于化學氣相沉積工藝的反應器，其包括一反應腔；具有設置在所述反應腔內(nèi)的一頂端的一可旋轉(zhuǎn)主軸；用于傳送所述一個或多個晶片和對所述一個或多個晶片提供支撐的一晶片托架，設置在所述晶片托架之下用于加熱所述晶片托架的輻射加熱元件，其用于發(fā)射輻射加熱射線；其特征在于，還包括一安裝在所述旋轉(zhuǎn)主軸的頂端的支撐盤，所述晶片托架安裝在所述支撐盤上，所述支撐盤對應地被置于所述輻射加熱元件的上方，其特征還在于，所述支撐盤的下表面設置有一系列反射部，所述反射部可以對輻射加熱射線進行多次反射。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的反應器，其特征在于，所述至少兩個反射部的形狀不相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的反應器，其特征在于，所述至少一個反射部為槽或溝或波浪形的輪廓。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的反應器，其特征在于，所述槽或溝或波浪形的輪廓的寬度大于所述輻射加熱射線的一個波長。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的反應器，其特征在于，所述反射部為一個針對所述輻射加熱射線的開口，且該開口的寬度大于所述輻射加熱射線的一個波長、該開口的高寬比大于Io
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的反應器，其特征在于，所述開口的寬度優(yōu)選地為所述輻射加熱射線的波長的5 100倍，所述開口的高寬比優(yōu)選地為4 10。
15.根據(jù)權(quán)利要求9、10、12、13或14所述的反應器，其特征在于，所述每個反射部之間的距離均相等。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的反應器，其特征在于，所述支撐盤可分離地安裝在所述主軸頂端。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的反應器，其特征在于，所述支撐盤邊緣區(qū)域的反射部相對中心區(qū)域的反射部具有更高密度的所述槽或溝或波浪形的輪廓。
專利摘要本實用新型提供用于化學氣相沉積工藝的反應器，包括一反應腔；具有設置在所進述反應腔內(nèi)的一頂端的一可旋轉(zhuǎn)主軸用于傳送所述一個或多個晶片和對所述一個或多個晶片提供支撐的一晶片托架；所述晶片托架被居中地和可分離地安裝在所述主軸的所述頂端上，傳送所述晶片托架以裝載或卸載所述一個或多個晶片；以及設置在所述晶片托架之下用于加熱所述晶片托架的輻射加熱元件，其用于發(fā)射輻射加熱射線；其特征在于，所述晶片托架的下表面設置有一系列反射部，所述反射部可以對輻射加熱射線進行多次反射。本實用新型有效利用熱能，明顯改善輻射加熱均勻性。
文檔編號C23C16/48GK202220200SQ201120231929
公開日2012年5月16日 申請日期2011年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月4日
發(fā)明者杜志游 申請人:中微半導體設備(上海)有限公司