技術(shù)編號(hào)：3381935
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制程設(shè)備，尤其是用于在諸如晶片之類(lèi)的襯底上生長(zhǎng)外延層的裝置，具體地涉及一種用于化學(xué)氣相沉積工藝的反應(yīng)器。背景技術(shù)在半導(dǎo)體設(shè)備的制造過(guò)程中，通常需要使用一定的工藝程序來(lái)在固體襯底上形成薄膜層。沉積了薄膜層的襯底廣泛使用于微處理器、光電器件、通訊設(shè)備以及其他的一些裝置。用于在固體襯底上沉積薄膜層的工藝對(duì)于半導(dǎo)體工業(yè)尤為重要。例如在高溫下將氮化鎵(GaN)沉積到藍(lán)寶石基片上，在沉積之后對(duì)涂層晶片進(jìn)行眾所周知的進(jìn)一步加工，以形成半導(dǎo)體器件，例如...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。