專(zhuān)利名稱(chēng)：復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法及其結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法及其結(jié)構(gòu)，尤適于應(yīng)用在電路基板的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)由LED燈的制造技術(shù)日趨成熟，而且LED具有耗電量低、發(fā)熱度低、使用壽命長(zhǎng)、啟動(dòng)速率快、色彩豐富以及亮度佳的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)并能大量節(jié)省照明燈具的用電量。故LED已漸漸取代傳統(tǒng)燈具成為未來(lái)市場(chǎng)的主流。LED雖有上述種種優(yōu)點(diǎn)，但當(dāng)LED使用于照明用途時(shí)，主要是通過(guò)多個(gè)LED燈模塊化而形成LED燈具，由模塊化的LED燈具提供所需的照明，而LED燈具在發(fā)光提供照明的同時(shí)也會(huì)產(chǎn)生熱能，產(chǎn)生的熱能若無(wú)法有效散逸，長(zhǎng)期下來(lái)將會(huì)影響LED燈具的使用壽命。在現(xiàn)有的LED散熱技術(shù)中，一般都是以陶瓷散熱器或是以鋁制鰭片散熱；鋁制鰭片的散熱方式是將鋁制的散熱鰭片裝設(shè)于LED模塊的表面，當(dāng)LED模塊發(fā)光時(shí)，由鋁制的散熱鰭片將LED模塊所產(chǎn)生的熱予以散逸。這樣的散熱方式雖然可以將LED模塊所產(chǎn)生的熱散發(fā)，但鋁制散熱鰭片除可散熱之外并具有導(dǎo)電的功能，因此必須在LED模塊與散熱鰭片之間做好絕緣，以防止電擊的情況發(fā)生。而傳統(tǒng)的陶瓷散熱器以銀膠將電路印制于陶瓷散熱器，并且在印制完成后以700度以上的高溫長(zhǎng)時(shí)間燒結(jié)，使電路固化于陶瓷散熱器。然而，這樣的制作方式耗時(shí)、制造過(guò)程繁復(fù)，而且制出的陶瓷散熱器本身的重量較重。由此可知，現(xiàn)有的LED散熱器所衍生的問(wèn)題及不足，實(shí)非一良善的設(shè)計(jì)而亟待加以改良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在提供一種可制出具有優(yōu)良散熱效果的基板的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法。本發(fā)明的次要目的，在提供一種于金屬基板表面披覆有散熱層的復(fù)合式金屬陶瓷基板的結(jié)構(gòu)。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明包括下列步驟:a、提供金屬基板；b、對(duì)金屬基板進(jìn)行前處理，以去除金屬基板表面的各種物質(zhì)及油污；c、將陶瓷材料噴涂濺鍍到金屬基板表面；以及d、對(duì)金屬基板進(jìn)行干燥處理；藉此，通過(guò)上述步驟以得一散熱優(yōu)良的復(fù)合式金屬陶瓷基板者。如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，步驟b前處理包含脫脂、除污或除銹任一種。如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，步驟c是使用等離子熔射、噴涂或等離子氧化燒結(jié)的其中任一種方式。如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，步驟c利用不同電壓功率、電流大小、脈波頻率大小而將陶瓷材料噴涂濺鍍到金屬基板表面。
如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，步驟c還包括修整電功率、頻率的變化，以控制金屬基板表面的陶瓷厚度。如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，步驟a的金屬基板厚度為6mm以上，步驟c的陶瓷厚度為2mm以下。如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，步驟d后還包括步驟e，該步驟e為對(duì)表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行硬度、刮痕、阻抗、熱阻的量測(cè)。如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，步驟e還后包括步驟f，該步驟f為對(duì)結(jié)晶面進(jìn)行EMC檢測(cè)。如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，步驟f結(jié)晶面的EMC檢測(cè)包含:附著力檢測(cè)、粗燥度檢測(cè)、裂痕檢測(cè)及顏色檢測(cè)。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的復(fù)合式金屬陶瓷基板結(jié)構(gòu)，包括:一金屬基板；以及一陶瓷披覆層，將金屬基板完全包覆住。如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板結(jié)構(gòu)，金屬基板為鋁合金基板。如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，金屬基板的厚度為6mm以上，陶瓷披覆層的厚度為2mm以下。 如上所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板結(jié)構(gòu)，穿孔為供電源線穿設(shè)。本發(fā)明相較于現(xiàn)有技術(shù)突出的優(yōu)點(diǎn)是:1、通過(guò)等離子處理，令金屬基板的表面形成陶瓷材料披覆層，使基板成為復(fù)合式金屬陶瓷基板。2、通過(guò)陶瓷披覆層于金屬基板上的形成，使金屬基板的散熱率更上一層樓。以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。


圖1本發(fā)明的制造流程方框圖；圖2本發(fā)明金屬基板的縱向剖視圖；圖3本發(fā)明實(shí)施例的縱向剖視圖；圖4本發(fā)明實(shí)施例的立體外觀圖；圖5本發(fā)明實(shí)施例的使用示意圖。其中，附圖標(biāo)記步驟a e1、復(fù)合式金屬陶瓷基板11、基屬基板111、穿孔12、陶瓷披覆層121、可焊錫性銅膠13、電源線14、電源線15、led 芯片
具體實(shí)施例方式下面以具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述:請(qǐng)參圖1，本發(fā)明復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，包含下列步驟:a、提供金屬基板，金屬基板具有至少一穿孔；b、對(duì)金屬基板進(jìn)行前處理，以去除金屬基板表面的各種物質(zhì)(包含有機(jī)物質(zhì))及油污；前處理是包含脫脂、除污或除銹任一種；C、利用不同電壓功率、電流大小、脈波頻率大小，以將陶瓷材料噴涂濺鍍到金屬基板表面；并修整電功率、頻率的變化，控制金屬基板表面的陶瓷厚度，以使金屬基板表面的陶瓷均勻平整；d、對(duì)金屬基板進(jìn)行干燥處理；e、對(duì)表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行硬度、刮痕、阻抗、熱阻的量測(cè)；以及f、對(duì)結(jié)晶面進(jìn)行E MC檢測(cè)，EMC檢測(cè)是包含附著力檢測(cè)、粗燥度檢測(cè)、裂痕檢測(cè)及顏色檢測(cè)。請(qǐng)參圖2 圖4，為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，主要是設(shè)有一金屬基板11，金屬基板11為一鋁合金基板，其上具有至少一穿孔111，本實(shí)施例的穿孔111設(shè)有一個(gè)，一陶瓷披覆層12是利用等離子熔射、噴涂、或等離子氧化燒結(jié)的其中一種方式而附著于金屬基板11的表層，且金屬基板11的厚度大致在6mm以上，附著于金屬基板11上的陶瓷披覆層12厚度則大致在2mm以下，以形成一復(fù)合式金屬陶瓷基板I。又，請(qǐng)?jiān)賲D5，復(fù)合式金屬陶瓷基板I的陶瓷披覆層12上是設(shè)有多可焊錫性銅膠121，通過(guò)可焊錫性銅膠121以便于結(jié)合電子元件，例如led芯片15，再者，并通過(guò)穿孔111令電源線13、14穿設(shè)結(jié)合于復(fù)合式金屬陶瓷基板1，以完成一連接電源后，與復(fù)合式金屬陶瓷基板I電性連結(jié)的多l(xiāng)ed芯片15發(fā)出亮光者。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，其特征在于，包括下列步驟: a、提供金屬基板； b、對(duì)金屬基板進(jìn)行前處理，以去除金屬基板表面的各種物質(zhì)及油污； C、將陶瓷材料噴涂濺鍍到金屬基板表面，并將金屬基板完全包覆??；以及 d、對(duì)金屬基板進(jìn)行干燥處理。
2.根據(jù)權(quán)利 要求1所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，其特征在于，步驟a金屬基板具有至少一穿孔，步驟b前處理包含脫脂、除污或除銹任一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，其特征在于，步驟c是使用等離子熔射、噴涂或等離子氧化燒結(jié)的其中任一種方式，并利用不同電壓功率、電流大小、脈波頻率大小而將陶瓷材料噴涂濺鍍到金屬基板表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，其特征在于，步驟c還包括修整電功率、頻率的變化，以控制金屬基板表面的陶瓷厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，其特征在于，步驟d后還包括步驟e，該步驟e為對(duì)表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行硬度、刮痕、阻抗、熱阻的量測(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，其特征在于，步驟e之后還包括步驟f，該步驟f為對(duì)結(jié)晶面進(jìn)行EMC檢測(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法，其特征在于，步驟f結(jié)晶面的EMC檢測(cè)包含:附著力檢測(cè)、粗燥度檢測(cè)、裂痕檢測(cè)及顏色檢測(cè)。
8.一種復(fù)合式金屬陶瓷基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一金屬基板；以及 一陶瓷披覆層，將金屬基板完全包覆住。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，金屬基板具有至少一穿孔，該金屬基板為鋁合金基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的復(fù)合式金屬陶瓷基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，金屬基板厚度為6mm以上，陶瓷披覆層的厚度為2mm以下。
全文摘要
一種復(fù)合式金屬陶瓷基板的制法及其結(jié)構(gòu)，包括下列步驟a、提供金屬基板；b、對(duì)金屬基板進(jìn)行前處理，以去除金屬基板表面的各種物質(zhì)及油污；c、將陶瓷材料噴涂濺鍍到金屬基板表面；以及d、對(duì)金屬基板進(jìn)行干燥處理；藉此，通過(guò)上述步驟以得一散熱優(yōu)良的復(fù)合式金屬陶瓷基板。
文檔編號(hào)C23C4/12GK103114261SQ201110375148
公開(kāi)日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月16日
發(fā)明者方學(xué)智, 鄧煥平, 洪迪恩 申請(qǐng)人:和淞科技股份有限公司